JPH0313111A - 電圧制御減衰器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電圧等で制御される交流信号の減衰器に関し、
特に信号減衰用ダイオードを用いたπ型可変減衰器に関
する。

〔従来の技術］ 従来、この種のπ型電圧制御減衰器は、第３図に示すよ
うに、４個の信号減衰用ダイオードＤ。

〜Ｄ８を用いて構成されている。即ち、それぞれ同極性
で直列接続した信号減衰用ダイオードＤ、。

Ｄ、及びり、、Ｄ、を逆極性に直列接続している。

そして、ダイオードＤ、とり、の接続点に直流バイアス
電圧Ｖ　ｂｉ、ｓを印加し、各ダイオードＤＳ＋Ｄ、と
り、、Ｄ、の接続点にそれぞれ減衰量制御電圧■６゜□
を印加し、かつそれぞれをコンデンサＣ，，Ｃ，を介し
て高周波入力端子ＲＦ、ｎ、出力端子ＲＦ、□に接続し
ている。

この構成では、減衰量制御電圧■。。、を変化させるこ
とにより、入力端子ＲＦ、ｆｉから出力端子ＲＦ、、、
への交流信号の減衰量を制御することができる。

このとき、バイアス構成は、第４図に示すように、定入
力インピーダンス駆動のＬ壁電圧制御減衰器の並列接続
方式となっているため、信号減衰用ダイオードＤ、及び
り、に加えられる直流バイアス電圧Ｖｓ及びＶ、の和と
、信号減衰用ダイオードＤ６及びり、に加えられる直流
バイアス電圧■６及び■８の和を一定に保てば、即ちＶ
　ｈｉｎｔを一定に保てば、いかなる減衰量の変化に対
しても入出力インピーダンスは一定に保たれることが知
られている。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来のπ型電圧制１ＴｆＪ減衰器は、原理的に
はＬ壁電圧制御減衰器の並列接続であるため、回路電流
Ｉ２はダイオードＤ、に流す電流の約２倍が必要である
。また、減衰量を制御する減衰量制御電圧Ｖ　ｃｏｓｔ
を印加する端子が２本必要となるので、ＲＦ的にバイア
ス回路を切り離すことが複雑になるという問題がある。

本発明は回路電流を低減し、かつＲＦ部の簡略化を可能
とした電圧制御減衰器を提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段］ 本発明の電圧制御減衰器は、同極性で直列接続した第１
乃至第３の減衰用ダイオードと、この第１のダイオード
にコンデンサを介して逆極性で直列接続した第４の減衰
用ダイオードとを備えている。

そして、第３のダイオードはコンデンサを介して接地し
、第４のダイオードは直接接地する。また、第２及び第
３のダイオードの接続点を減衰量制御電圧端子として構
成するとともにコンデンサを介してＲＦ入力端子を接続
し、第１及び第４のダイオードの接続点をバイアス電圧
端子として構成するとともにコンデンサを介してＲＦ出
力端子を接続する。

更に、第３のダイオードの接地側と第４のダイオードの
非接地側をインダクタを介して接続している。

〔作用〕

この構成では、直流等価回路は第１乃至第４のダイオー
ドが直列接続され、第１のダイオードの端部にバイアス
電圧が印加され、第２及び第３のダイオードの接続点に
減衰量制御電圧が印加される回路となる。また、ＲＦ等
価回路は３つの等価抵抗をπ型に接続した回路となる。

これにより、回路電流を低減でき、かつ減衰量制御電圧
端子が１つで定インピーダンス動作が実現できる。

〔実施例〕

次に、本発明を図面を参照して説明する。

第１図は本発明の一実施例の回路図である。図において
、Ｄ、〜Ｄ、は信号減衰用ダイオードであり、ダイオー
ドＤ１〜Ｄ、を同極性で直列接続し、これにコンデンサ
Ｃ４を介してダイオードＤ４を逆極性で直列接続する。

そして、ダイオードＤ。

はコンデンサＣ８を介して接地し、ダイオードＤ４は直
接接地している。また、ダイオードＤ２とり。

の接続点を減衰量制御電圧■６゜１端子とし、かつコン
デンサＣ１を介してＲＦ入力端子ＲＦｉを接続し、同様
にダイオードＤＩとＤ４の接続点をバイアス電圧Ｖ　ｂ
　ｉ　＠　Ｉ端子とし、コンデンサＣ１を介してＲＦ出
力端子ＲＦ、□を接続している。そして、ダイオードＤ
、とコンデンサＣ１の接続点と、ダイオードＤ４とコン
デンサＣ１の接続点をインダクタして接続している。

この構成によれば、直流等価回路は第２図（ａ）のよう
になり、全てのダイオードＤ、〜Ｄ４が直列接続され、
ダイオードＤ１の端部にバイアス電圧Ｖｂｉ□が印加さ
れ、ダイオードＤ２とＤ３の接続点に減衰量制御電圧Ｖ
　Ｃ０ＦＩＬが印加される回路となる。また、ＲＦ等価
回路は第２図（ｂ）のようになり、抵抗Ｒ０〜Ｒ１をπ
型に接続した回路となる。

したがって、ダイオードＤ、〜Ｄ、に同じ特性を持つダ
イオードを使用すると、 Ｖｌ　−Ｖｔ　　　　Ｖ、＝Ｖ。

Ｖ　ｂ　！　ａ　−−Ｖ　＋　＋　Ｖ　ｔ　＋　Ｖ　３
　＋　Ｖ　ａと表すことができる。これにより、 Ｖｌ　−ＩＶ４　＝■ｚ　＋Ｖ３＝ＶｂＬ＆ｓ／２とな
るので、■ｂｉ□を一定に保てば、ｖ　ｒ　＋　Ｖ　ａ
及びＶ、＋Ｖ、が一定に保たれ、減衰量が変化しても入
出力インピーダンスは変化しないという特性が実現でき
る。

また、この回路においては、減衰量を変化させるための
減衰量制御電圧Ｖ　Ｃａｎｔ端子を一箇所のみ設ければ
、Ｖ、＝￥Ｚ　　、Ｖ３＝Ｖ４の状態を実現できるため
、回路の簡略化が可能である。更に、ダイオードＤ、を
流れる電流はそのままダイオードＤ２を流れるため、第
３図の従来回路と同じ減衰量を実現するために必要な回
路電流ｒ、は従来の回路電流ｒ２の約１７２に低減でき
る。

〔発明の効果］ 以上説明したように本発明は、π型電圧制御減衰器のバ
イアス電圧端子と接地間のダイオード接続を全て直列接
続した等価回路とすることにより、回路電流を約１７２
に減少することができる。また、減衰量を変化させるた
めの減衰量制御電圧端子が１箇所で定インピーダンス動
作が可能なため、複雑なＲＦ部の簡略化が実現できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の回路図、第２図（ａ）は第
１図の回路の直流等価回路図、第２図（ｂ）は第１図の
回路のＲＦ等価回路図、第３図は従来の電圧制御減衰器
の回路図、第４図は第３図の回路の直流等価回路図であ
る。 Ｄ、〜Ｄ４．Ｄｉ　〜Ｄ８　・・・ダイオード、０１〜
Ｃ６・・・コンデンサ、Ｌ・・・インダクタ、Ｒ３−Ｒ
３・・・等価抵抗、Ｖ　ｂ　ｉ　Ｉｌｌ・・・バイアス
電圧、■ゎ。□・・・減衰量制御電圧、ＲＦ、、・・・
入力端子、ＲＦｏｕｔ・・・出力端子、１．、Ｉ２・・
・回路電流。 第１図 ：八（ｌルノ少像と バイアス電圧 第３図 Ｖｂ：ａｓ　　　Ｖｃｏｎｔ （ａ） 第２図 第４図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １．　同極性で直列接続した第１乃至第３の減衰用ダイ
   オードと、この第１のダイオードにコンデンサを介して
   逆極性で直列接続した第４の減衰用ダイオードとを備え
   、前記第３のダイオードはコンデンサを介して接地し、
   前記第４のダイオードは直接接地し、前記第２及び第３
   のダイオードの接続点を減衰量制御電圧端子として構成
   するとともにコンデンサを介してＲＦ入力端子を接続し
   、前記第１及び第４のダイオードの接続点をバイアス電
   圧端子として構成するとともにコンデンサを介してＲＦ
   出力端子を接続し、かつ前記第３のダイオードの接地側
   と第４のダイオードの非接地側をインダクタを介して接
   続したことを特徴とする電圧制御減衰器。