JPH03134170A - スパッタ装置及びスパッタ方法 - Google Patents
スパッタ装置及びスパッタ方法Info
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- JPH03134170A JPH03134170A JP27299489A JP27299489A JPH03134170A JP H03134170 A JPH03134170 A JP H03134170A JP 27299489 A JP27299489 A JP 27299489A JP 27299489 A JP27299489 A JP 27299489A JP H03134170 A JPH03134170 A JP H03134170A
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- Japan
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- magnet
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- sputtered
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、スパッタ装置に関する。
（従来の技術）
プラズマ装置例えばスパッタ装置では、スパッタガスを
気密容器内に導入し、このガスをプラズマ化し、例えば
、イオンが負電圧のターゲットに衝突してターゲツト材
をスパッタし、陽極側に設けられた半導体ウェハ等の試
料の表面に付着して薄膜を形成するものである。
気密容器内に導入し、このガスをプラズマ化し、例えば
、イオンが負電圧のターゲットに衝突してターゲツト材
をスパッタし、陽極側に設けられた半導体ウェハ等の試
料の表面に付着して薄膜を形成するものである。
特開昭５９−６７１８９では、第５図（Ａ）、（Ｂ）に
示すように、冷却水が循環供給される磁石ハウジング１
００の外表面にターゲット１０２を固定し、前記磁石ハ
ウジング１００に回転自在に設けた駆動軸１０４に多重
羽根撹拌車１０６と磁石組立体１０８とを固定し、供給
される冷却水により撹拌車１０４を回転駆動させ、上記
ターゲット１０２の裏面側に゛Ｃ磁石組立体１０８を回
転することにより、ターゲット１０２の広範囲の表面領
域に磁場を形成し、エロージョンエリアを拡大している
。
示すように、冷却水が循環供給される磁石ハウジング１
００の外表面にターゲット１０２を固定し、前記磁石ハ
ウジング１００に回転自在に設けた駆動軸１０４に多重
羽根撹拌車１０６と磁石組立体１０８とを固定し、供給
される冷却水により撹拌車１０４を回転駆動させ、上記
ターゲット１０２の裏面側に゛Ｃ磁石組立体１０８を回
転することにより、ターゲット１０２の広範囲の表面領
域に磁場を形成し、エロージョンエリアを拡大している
。
（発明が解決しようとする課題）
上記磁石組立体１０８を回転させることは二ローション
エリアの拡大に大きな効果を奏するが、本発明者は上記
のような磁力源を回転させることにより、ターゲット１
０２に渦電流が生じ、ターゲット２が回転されてしまう
ことを発見した。
エリアの拡大に大きな効果を奏するが、本発明者は上記
のような磁力源を回転させることにより、ターゲット１
０２に渦電流が生じ、ターゲット２が回転されてしまう
ことを発見した。
このようにターゲットが回転駆動されてしまうと、この
ターゲットを冷却し、ターゲットへの電圧印加を兼ねる
こともある冷却ブロックとの間の接触が阻害されてしま
い、冷却あるいは電圧印加が阻害されてスパッタリング
に支障が生じてしまう。
ターゲットを冷却し、ターゲットへの電圧印加を兼ねる
こともある冷却ブロックとの間の接触が阻害されてしま
い、冷却あるいは電圧印加が阻害されてスパッタリング
に支障が生じてしまう。
そこで、本発明の目的とするところは、磁力源を回転さ
せてエロージョンエリアの拡大を図りながらも、被スパ
ッタ材料体が回転駆動されることを確実に防止できるス
パッタ装置を提供することにある。
せてエロージョンエリアの拡大を図りながらも、被スパ
ッタ材料体が回転駆動されることを確実に防止できるス
パッタ装置を提供することにある。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明は、披スパッタ材料体を冷却ブロックに装着し、
被スパッタ材料体の裏面側にてプラズマ封じ込め用の磁
力源を回転駆動しながらスパッタリングを行なうスパッ
タ装置において、上記被スパッタ材料体の中心よりずれ
た偏心位置に、上記被スパッタ材料体および上記冷却ブ
ロックを係合させる回転防止部材を設けたことを特徴と
する。
被スパッタ材料体の裏面側にてプラズマ封じ込め用の磁
力源を回転駆動しながらスパッタリングを行なうスパッ
タ装置において、上記被スパッタ材料体の中心よりずれ
た偏心位置に、上記被スパッタ材料体および上記冷却ブ
ロックを係合させる回転防止部材を設けたことを特徴と
する。
（作用）
本発明によれば、プラズマを封じ込めるための磁力源を
披スパッタ材料体の裏面側にて回転駆動することにより
、エロージョンエリアの拡大を図っているが、この磁力
源の回転に伴い被スパッタ材料体に渦電流が生じ、磁力
源の磁界の強さ及びその回転速度により、被スパッタ材
料体に生ずる上記渦電流に起因して被スパッタ材料体が
回転するような力が発生しても、回転防止部材の作用に
より被スパッタ材料体の回転を防止することができる。
披スパッタ材料体の裏面側にて回転駆動することにより
、エロージョンエリアの拡大を図っているが、この磁力
源の回転に伴い被スパッタ材料体に渦電流が生じ、磁力
源の磁界の強さ及びその回転速度により、被スパッタ材
料体に生ずる上記渦電流に起因して被スパッタ材料体が
回転するような力が発生しても、回転防止部材の作用に
より被スパッタ材料体の回転を防止することができる。
特に、被スパッタ材料体をねじにより装着した場合には
、このねじ結合が弱まることを防止できる。
、このねじ結合が弱まることを防止できる。
（実施例）
以下、本発明スパッタ装置の一実施例について図面を参
照して具体的に説明する。
照して具体的に説明する。
第１図は、スパッタ装置の一例としてマグネトロン形ス
パッタ装置を示すもので、図示しない真空容器内には、
半導体ウェハ１と被スパッタ材料体としてのターゲット
２とが対向して配置されている。前記半導体ウェハ１は
、ウェハ加熱機構３を含む試料台４に支持されている。
パッタ装置を示すもので、図示しない真空容器内には、
半導体ウェハ１と被スパッタ材料体としてのターゲット
２とが対向して配置されている。前記半導体ウェハ１は
、ウェハ加熱機構３を含む試料台４に支持されている。
前記ウェハ１の上方に配置される前記ターゲット２は、
保持部材５によって保持されている。このターゲット２
は、ウェハ１に形成すべき材料に応じてその母材が選択
され、例えばアルミニウム。
保持部材５によって保持されている。このターゲット２
は、ウェハ１に形成すべき材料に応じてその母材が選択
され、例えばアルミニウム。
シリコン、タングステン、チタン、モリブデン。
クロム、コバルト、ニッケル等、あるいはこれらを素材
とする合金で形成され、場合によっては焼結金属等の熱
伝導性の悪い材料も用いられる。その形状も、断面段付
形状１円板状１円錐状、角板状、角錐状等向れでもよい
。このターゲット２には、給電部材２３および冷却ブロ
ックとしての前記保持部材５を介して負の直流電圧が印
加され、カソード電極を構成するものである。
とする合金で形成され、場合によっては焼結金属等の熱
伝導性の悪い材料も用いられる。その形状も、断面段付
形状１円板状１円錐状、角板状、角錐状等向れでもよい
。このターゲット２には、給電部材２３および冷却ブロ
ックとしての前記保持部材５を介して負の直流電圧が印
加され、カソード電極を構成するものである。
前記保持部材５のさらに上方には、この保持部材５を支
持し、かつ、後述するマグネット１０を回転自在に支持
するための基台６が設けられている。この基台６の中央
部には、中空筒状の円筒部６ａが形成されている。そし
て、前記円筒部６ａの周囲にはベアリング７が配置され
、このベアリング７によって回転円盤８が回転自在に支
持されている。そして、この回転円盤８の偏心した位置
に前記マグネット１０が固着されている。一方、前記基
台６の上面にはマグネット回転用モータ１１が固定され
、このモータ１１の出力軸には第１のギア１２が固着さ
れている。また、前記回転円盤８と同心にて第２のギア
１３が固着され、この第１．第２のギア１２．１３が噛
合するようになっている。この結果、前記マグネット回
転用モータ１１を駆動することで、この回転出力は第１
のギア１２．第２のギア１３を介して前記回転円盤８に
伝達され、前記マグネット１０を回転駆動することにな
る。
持し、かつ、後述するマグネット１０を回転自在に支持
するための基台６が設けられている。この基台６の中央
部には、中空筒状の円筒部６ａが形成されている。そし
て、前記円筒部６ａの周囲にはベアリング７が配置され
、このベアリング７によって回転円盤８が回転自在に支
持されている。そして、この回転円盤８の偏心した位置
に前記マグネット１０が固着されている。一方、前記基
台６の上面にはマグネット回転用モータ１１が固定され
、このモータ１１の出力軸には第１のギア１２が固着さ
れている。また、前記回転円盤８と同心にて第２のギア
１３が固着され、この第１．第２のギア１２．１３が噛
合するようになっている。この結果、前記マグネット回
転用モータ１１を駆動することで、この回転出力は第１
のギア１２．第２のギア１３を介して前記回転円盤８に
伝達され、前記マグネット１０を回転駆動することにな
る。
前記保持部材５は、ターゲット２を冷却可能に保持し、
かつ、ターゲット２に負の直流電圧を印加する電極とし
て作用するものである。このために、保持部材５には複
数の冷却ジャケット１５が配置されている。そして、こ
の冷却ジャケット１５内に冷却媒体例えば冷却水を循環
させることで、保持部材５を冷却し、この保持部材５と
ターゲット２との間の熱交換によってプラズマ発生時の
ターゲット２の昇温を抑制するようになっている。また
、上記保持部材５は前記基台６の円筒部６ａに挿通され
、この基台６に絶縁して支持された給電部材２３の一端
にネジ止め固定されることで、ターゲット２への電圧印
加を可能としている。
かつ、ターゲット２に負の直流電圧を印加する電極とし
て作用するものである。このために、保持部材５には複
数の冷却ジャケット１５が配置されている。そして、こ
の冷却ジャケット１５内に冷却媒体例えば冷却水を循環
させることで、保持部材５を冷却し、この保持部材５と
ターゲット２との間の熱交換によってプラズマ発生時の
ターゲット２の昇温を抑制するようになっている。また
、上記保持部材５は前記基台６の円筒部６ａに挿通され
、この基台６に絶縁して支持された給電部材２３の一端
にネジ止め固定されることで、ターゲット２への電圧印
加を可能としている。
尚、前記ターゲット２の周囲には、絶縁体１６を介して
アノード電極１７が設けられ、さらに、ウェハ１とター
ゲット２との間を必要に応じて遮ぎることか可能なよう
にシャッタ１８が設けられ、このシャッタ１８をシャッ
タ駆動機構１９によって駆動可能としている。
アノード電極１７が設けられ、さらに、ウェハ１とター
ゲット２との間を必要に応じて遮ぎることか可能なよう
にシャッタ１８が設けられ、このシャッタ１８をシャッ
タ駆動機構１９によって駆動可能としている。
前記ターゲット２は、−段又は複数段例えば−段の段付
きの円板状に形成され、第２図に示すようにスパッタリ
ング面を有する大径部２１と、この大径部２１の裏面側
中央にて突出形成された小径部２２とから構成されてい
る。尚、上記大径部２１の周縁部２１ａの直径を！、と
し、小径部２２の周縁部２２ａの直径を！２とする。一
方、前記ターゲット２を保持するための保持部材５は段
付き穴形状となっていて、前記ターゲット２の大径部２
１に対応する大径穴２４と、前記小径部２２に対応する
小径穴２５とを有している。尚、大径穴２４の内周面２
４ａの直径を！、とし、小径穴２５の内周面２５ａの直
径を１４とす□る。そして、上記ターゲット２及び保持
部材５の大きさについては、常温下にあっては！１〜１
４の関係が以下のようになっている。
きの円板状に形成され、第２図に示すようにスパッタリ
ング面を有する大径部２１と、この大径部２１の裏面側
中央にて突出形成された小径部２２とから構成されてい
る。尚、上記大径部２１の周縁部２１ａの直径を！、と
し、小径部２２の周縁部２２ａの直径を！２とする。一
方、前記ターゲット２を保持するための保持部材５は段
付き穴形状となっていて、前記ターゲット２の大径部２
１に対応する大径穴２４と、前記小径部２２に対応する
小径穴２５とを有している。尚、大径穴２４の内周面２
４ａの直径を！、とし、小径穴２５の内周面２５ａの直
径を１４とす□る。そして、上記ターゲット２及び保持
部材５の大きさについては、常温下にあっては！１〜１
４の関係が以下のようになっている。
！、＜１．．１２＜１４
ここで、前記大径部２１と大径穴２４との直径方向のギ
ャップ及び小径部２２と小径穴２２との直径方向のギャ
ップは、それぞれ以下のように設定されている。
ャップ及び小径部２２と小径穴２２との直径方向のギャ
ップは、それぞれ以下のように設定されている。
すなわち、ターゲット２はプラズマ発生時の昇温により
熱膨張するため、前記大径部２１の直径方向の熱膨張長
さが、前記大径部２１．大径穴２４の直径方向の間隙と
ほぼ同一となっている。
熱膨張するため、前記大径部２１の直径方向の熱膨張長
さが、前記大径部２１．大径穴２４の直径方向の間隙と
ほぼ同一となっている。
同様に、ターゲット２の熱膨張による前記小径部２２の
熱膨張長さは、この小径部２２．小径穴２５の直径方向
の間隙とほぼ同一となっている。
熱膨張長さは、この小径部２２．小径穴２５の直径方向
の間隙とほぼ同一となっている。
したがって、ターゲット２の熱膨張により、大径部２１
の周縁部２１ａ及び小径部２２の周縁部２２ａがそれぞ
れ膨張し、前記大径穴２４．小径穴２５のそれぞれの内
周面２４ ａ、 ２５ ａにほぼ同様の密閉度で密着
することになる。尚、同一温度の下にあっては、前記大
径部２１と小径部２２の膨張長さが相違するため、これ
らの周縁部２１ａ、２２ｇとこれに対向する穴部の内周
面２４ ａ、 ２５ ａ間のギャップ距離はそれぞれ
相違している。
の周縁部２１ａ及び小径部２２の周縁部２２ａがそれぞ
れ膨張し、前記大径穴２４．小径穴２５のそれぞれの内
周面２４ ａ、 ２５ ａにほぼ同様の密閉度で密着
することになる。尚、同一温度の下にあっては、前記大
径部２１と小径部２２の膨張長さが相違するため、これ
らの周縁部２１ａ、２２ｇとこれに対向する穴部の内周
面２４ ａ、 ２５ ａ間のギャップ距離はそれぞれ
相違している。
上記ターゲット２のスパッタ面側は、スパッタ粒子の飛
翔方向を考慮してその中心側のテーパ面３１と周縁側の
テーパ面３２とを有し、かつ、昇温の激しいターゲット
２の中央部を保持部材５にクランプするようにしている
。このクランプは例えば第３図に示すように、ターゲッ
ト２の中心に段付き孔３４を形成し、この段付き孔３４
に締結具４０を挿通して保持部材５のねじ孔２７と連結
することで実現している。この段付き孔３４は凹部３６
と、その底面３６ａよりターゲット２の裏面に貫通する
貫通孔３８から成る。また、前記締結具４０は、中空筒
状スペーサ４２と、これに挿通されて前記保持部材らの
ねじ孔２７に螺合されるボルト４４から成る。そして、
前記スペーサ４２は、前記底面３６ａに当接しない位置
にフランジ４２ａを有している。
翔方向を考慮してその中心側のテーパ面３１と周縁側の
テーパ面３２とを有し、かつ、昇温の激しいターゲット
２の中央部を保持部材５にクランプするようにしている
。このクランプは例えば第３図に示すように、ターゲッ
ト２の中心に段付き孔３４を形成し、この段付き孔３４
に締結具４０を挿通して保持部材５のねじ孔２７と連結
することで実現している。この段付き孔３４は凹部３６
と、その底面３６ａよりターゲット２の裏面に貫通する
貫通孔３８から成る。また、前記締結具４０は、中空筒
状スペーサ４２と、これに挿通されて前記保持部材らの
ねじ孔２７に螺合されるボルト４４から成る。そして、
前記スペーサ４２は、前記底面３６ａに当接しない位置
にフランジ４２ａを有している。
さらに、前記ターゲット２の小径部２２には、その中心
より偏心した位置に２つのストッパ用孔３９．３９を有
している。そして、このストッパ用孔３９．３９と対向
する位置であって、前記保持部材５の小径穴２５の底面
には、回転防止用ピン２６．２６が突出形成されている
。これらの両者で、本発明の回転防止部祠の一例を構成
している。
より偏心した位置に２つのストッパ用孔３９．３９を有
している。そして、このストッパ用孔３９．３９と対向
する位置であって、前記保持部材５の小径穴２５の底面
には、回転防止用ピン２６．２６が突出形成されている
。これらの両者で、本発明の回転防止部祠の一例を構成
している。
次に、作用について説明する。
このスパッタ装置にてスパッタリングを行うために、ウ
ェハ１及びターゲット２をそれぞれ支持した状態で、こ
れらが配置される真空容器（図示せず）内の真空度を例
えば１０−１〜１０−’Ｔｏｒｒに荒引きする。次に、
上記真空容器内の真空度を１０−５〜１０−’Ｔｏｒｒ
台に高真空引きし、その後この真空容器内にスパッタガ
ス例えばＡｒガスを導入し、真空容器内を１０−２〜１
０−’Ｔｏｒｒ台に設定する。ここで、ターゲット２に
給電部材２３及び保持部材５を介して負電圧を印加する
と、このターゲット２のスパッタリング面側にプラズマ
が形成され、さらにこのターゲット２の裏面側にてマグ
ネット１０を回転駆動することにより、このプラズマを
磁界によって閉込めたプラズマリング３０を形成するこ
とができる。特に、マグネット１０の永久磁石の配列を
、特願昭６３−２９７７４７に開示したものとすること
で、回転半径方向の内、外に拡がる磁力線を形成でき、
マグネット１０の外形より大きなプラズマリング３０を
形成できる。
ェハ１及びターゲット２をそれぞれ支持した状態で、こ
れらが配置される真空容器（図示せず）内の真空度を例
えば１０−１〜１０−’Ｔｏｒｒに荒引きする。次に、
上記真空容器内の真空度を１０−５〜１０−’Ｔｏｒｒ
台に高真空引きし、その後この真空容器内にスパッタガ
ス例えばＡｒガスを導入し、真空容器内を１０−２〜１
０−’Ｔｏｒｒ台に設定する。ここで、ターゲット２に
給電部材２３及び保持部材５を介して負電圧を印加する
と、このターゲット２のスパッタリング面側にプラズマ
が形成され、さらにこのターゲット２の裏面側にてマグ
ネット１０を回転駆動することにより、このプラズマを
磁界によって閉込めたプラズマリング３０を形成するこ
とができる。特に、マグネット１０の永久磁石の配列を
、特願昭６３−２９７７４７に開示したものとすること
で、回転半径方向の内、外に拡がる磁力線を形成でき、
マグネット１０の外形より大きなプラズマリング３０を
形成できる。
このプラズマリング３０の形成によりイオン化率が向上
し、ターゲット２のスパッタリング面での所定エロージ
ョンエリアにてスパッタが実行されることになる。
し、ターゲット２のスパッタリング面での所定エロージ
ョンエリアにてスパッタが実行されることになる。
ここで、ウェハ１に対する付着速度（デポジションレー
ト）を上げると、ターゲット２の表面温度が著しく上昇
し、所定温度を越えると適正な薄膜形成に支障が生じて
しまう。そこで、このターゲット２を有効に冷却する必
要があるが、本実施例では下記のようにしてその冷却を
実行している。
ト）を上げると、ターゲット２の表面温度が著しく上昇
し、所定温度を越えると適正な薄膜形成に支障が生じて
しまう。そこで、このターゲット２を有効に冷却する必
要があるが、本実施例では下記のようにしてその冷却を
実行している。
ターゲット２を構成する大径部２１及び小径部２２のそ
れぞれの周縁部２１ａ、２２ａの直径！＋、１２は、こ
れに対向する保持部材５の大径穴２４．小径穴２５の内
周面２４ａ、２５ａの直径！、、１４よりも常温下で小
さくなっているが、ターゲット２に負電圧を印加し、プ
ラズマの生成を行うことによりターゲット２が昇温する
と、上記大径部２１．小径部２２が熱膨張し、それぞれ
の周縁部２１ａ、２２ａが保持部材５の対向する内周面
２４ａ、２５ａに密着することになる。この領域の密着
性は、スパッタリング実行中にあってはターゲット２の
温度が所定温度以上を維持するため損われることがなく
、従ってターゲット２の周縁部２１ａ、２２ａと保持部
材５の内周面２４ａ、２５ａとの接触面にて効率の良い
熱交換を実施することが可能となる。
れぞれの周縁部２１ａ、２２ａの直径！＋、１２は、こ
れに対向する保持部材５の大径穴２４．小径穴２５の内
周面２４ａ、２５ａの直径！、、１４よりも常温下で小
さくなっているが、ターゲット２に負電圧を印加し、プ
ラズマの生成を行うことによりターゲット２が昇温する
と、上記大径部２１．小径部２２が熱膨張し、それぞれ
の周縁部２１ａ、２２ａが保持部材５の対向する内周面
２４ａ、２５ａに密着することになる。この領域の密着
性は、スパッタリング実行中にあってはターゲット２の
温度が所定温度以上を維持するため損われることがなく
、従ってターゲット２の周縁部２１ａ、２２ａと保持部
材５の内周面２４ａ、２５ａとの接触面にて効率の良い
熱交換を実施することが可能となる。
このように、ターゲット２及び保持部材５との確実な接
触を確保できる結果、前記保持部材５を負電圧の印加用
電極として兼用しても、その電気的接触を確実に確保で
きることになる。
触を確保できる結果、前記保持部材５を負電圧の印加用
電極として兼用しても、その電気的接触を確実に確保で
きることになる。
また、本実施例ではターゲット２の中央側を締結具４０
を介して保持部材５に対してクランプすることによ７て
、特に昇温の著しいターゲット２の中央部の反りを規制
している。
を介して保持部材５に対してクランプすることによ７て
、特に昇温の著しいターゲット２の中央部の反りを規制
している。
ここで、本実施例では、ターゲット２の中央凹部３６の
底面３６ａが、スペーサ４２のフランジ４２ａに当接す
るまで、ターゲット２の反りを許容することで、ターゲ
ット２がさらに熱によって膨張しようとする場合の逃げ
場を確保しているが、第４図に示すように、締結具４０
によってターゲット２の反りを完全に防止するものであ
ってもよい。
底面３６ａが、スペーサ４２のフランジ４２ａに当接す
るまで、ターゲット２の反りを許容することで、ターゲ
ット２がさらに熱によって膨張しようとする場合の逃げ
場を確保しているが、第４図に示すように、締結具４０
によってターゲット２の反りを完全に防止するものであ
ってもよい。
ここで、上記マグネット１０の回転速度としては、その
磁界の均一性を高めるためには１・Ｏｒｐｍ以上で回転
することが好ましいが、２０「ｐＩＩｌを越えるとター
ゲット１０に生ずる渦電流により、ターゲット２が回転
することが確認された。
磁界の均一性を高めるためには１・Ｏｒｐｍ以上で回転
することが好ましいが、２０「ｐＩＩｌを越えるとター
ゲット１０に生ずる渦電流により、ターゲット２が回転
することが確認された。
本実施例では、上記の回転速度以上でマグネット１０を
たとえ回転させても、回転防止用ビン２６とストッパ用
孔３９との係合によりターゲット２の回転を防止できる
。このため、上記のように締結具４０の螺合によってタ
ーゲット２の装着を実行しても、このターゲット２が回
転すること起因してねじ結合が弱まることを防止できる
。
たとえ回転させても、回転防止用ビン２６とストッパ用
孔３９との係合によりターゲット２の回転を防止できる
。このため、上記のように締結具４０の螺合によってタ
ーゲット２の装着を実行しても、このターゲット２が回
転すること起因してねじ結合が弱まることを防止できる
。
この結果、ターゲット２と保持部材５との熱的接触、電
気的接触を維持でき、スパッタリングに支障が生ずるこ
とを防止できる。
気的接触を維持でき、スパッタリングに支障が生ずるこ
とを防止できる。
尚、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本
発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。
発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。
たとえば、ターゲット２の回転防止部材としては、上記
実施例のようにストッパ用孔３９及び回転防止用ビン２
６の係合によるものに限定されず、ターゲット２の偏心
位置にてその回転方向への移動を規制するように係合で
きる他の種々の手段を採用できる。
実施例のようにストッパ用孔３９及び回転防止用ビン２
６の係合によるものに限定されず、ターゲット２の偏心
位置にてその回転方向への移動を規制するように係合で
きる他の種々の手段を採用できる。
また、この回転防止部材の配置も、ターゲット２の裏面
側に限らず、ターゲット側面などであってもよい。
側に限らず、ターゲット側面などであってもよい。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明のスパッタ装置によればプ
ラズマ封じ込め用の磁力源を回転駆動して二ローション
エリアの拡大を図りながらも、被スパッタ材料体に生ず
る＾電流に起因して波スパッタ材料体が回転駆動される
ことを防止することができ、被スパッタ材料体と冷却ブ
ロックとの間の接触を常時維持することができる。
ラズマ封じ込め用の磁力源を回転駆動して二ローション
エリアの拡大を図りながらも、被スパッタ材料体に生ず
る＾電流に起因して波スパッタ材料体が回転駆動される
ことを防止することができ、被スパッタ材料体と冷却ブ
ロックとの間の接触を常時維持することができる。
第１図は、本発明を適用したスパッタ装置の一例を示す
概略断面図、 第２図は、ターゲット、保持部材の取付は構造を説明す
るための概略斜視図、 第３図はターゲットと保持部材との連結構造を示す概略
断面図、 第４図は、締結部材の変形例を示す概略断面図、第５図
（Ａ）、（Ｂ）は、回転駆動される従来の磁力源の一例
を示す概略説明図である。 ２・・・被スパッタ材料体、 ５・・・冷却ブロック、 １０・・・磁力源、 ２６．３９・・・回転防止部材。
概略断面図、 第２図は、ターゲット、保持部材の取付は構造を説明す
るための概略斜視図、 第３図はターゲットと保持部材との連結構造を示す概略
断面図、 第４図は、締結部材の変形例を示す概略断面図、第５図
（Ａ）、（Ｂ）は、回転駆動される従来の磁力源の一例
を示す概略説明図である。 ２・・・被スパッタ材料体、 ５・・・冷却ブロック、 １０・・・磁力源、 ２６．３９・・・回転防止部材。
Claims (1)
- （１）被スパッタ材料体を冷却ブロックに装着し、被ス
パッタ材料体の裏面側にてプラズマ封じ込め用の磁力源
を回転駆動しながらスパッタリングを行なうスパッタ装
置において、 上記被スパッタ材料体の中心よりずれた偏心位置に、上
記被スパッタ材料体および上記冷却ブロックを係合させ
る回転防止部材を設けたことを特徴とするスパッタ装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27299489A JP2766527B2 (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | スパッタ装置及びスパッタ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27299489A JP2766527B2 (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | スパッタ装置及びスパッタ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03134170A true JPH03134170A (ja) | 1991-06-07 |
| JP2766527B2 JP2766527B2 (ja) | 1998-06-18 |
Family
ID=17521671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27299489A Expired - Fee Related JP2766527B2 (ja) | 1989-10-20 | 1989-10-20 | スパッタ装置及びスパッタ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2766527B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1318209A1 (en) * | 2001-10-30 | 2003-06-11 | Anelva Corporation | Sputtering apparatus and film forming method |
| EP2626444A2 (en) | 2003-12-25 | 2013-08-14 | JX Nippon Mining & Metals Corporation | Copper or copper alloy target/copper alloy backing plate assembly |
-
1989
- 1989-10-20 JP JP27299489A patent/JP2766527B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1318209A1 (en) * | 2001-10-30 | 2003-06-11 | Anelva Corporation | Sputtering apparatus and film forming method |
| US7156961B2 (en) | 2001-10-30 | 2007-01-02 | Anelva Corporation | Sputtering apparatus and film forming method |
| EP2626444A2 (en) | 2003-12-25 | 2013-08-14 | JX Nippon Mining & Metals Corporation | Copper or copper alloy target/copper alloy backing plate assembly |
| US9472383B2 (en) | 2003-12-25 | 2016-10-18 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Copper or copper alloy target/copper alloy backing plate assembly |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2766527B2 (ja) | 1998-06-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |