JPH03134176A - 真空処理装置用ユニット - Google Patents
真空処理装置用ユニットInfo
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- JPH03134176A JPH03134176A JP1271321A JP27132189A JPH03134176A JP H03134176 A JPH03134176 A JP H03134176A JP 1271321 A JP1271321 A JP 1271321A JP 27132189 A JP27132189 A JP 27132189A JP H03134176 A JPH03134176 A JP H03134176A
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- chamber
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
この発明は、真空処理装置用ユニットに関する。
被処理体を１枚ごとに真空雰囲気内において処理する真
空処理装置が種々知られているが、この種の真空処理装
置においては、被処理体例えば半導体ウェーハの処理容
器への搬入側（イン側）及び搬出側（アウト側）に真空
予備容器であるロードロック容器を設けて、スループッ
トを上ケるようにしている。 すなわち、大気開放状態においてイン側のロードロック
容器にウェーハを搬入し、その後、このロードロック容
器を処理容器と同じ真空圧にした後、処理容器とイン側
のロードロック容器トノ間のゲートを開けて、処理容器
にウェーハを搬入する。そして、処理の終了したウェー
ハは、アウト側のロードロック容器を処理容器と同じ真
空圧にしてから、処理容器とアウト側のロードロック容
器との間のゲートを開けて、処理容器よりこのアウト側
のロードロック容器に搬出する。その後、アウト側のロ
ードロック容器を大気開放し、処理済みウェーハを、こ
のロードロック容器からレシーバに搬送する。 このようにすると、ロードロック容器は１枚の半導体ウ
ェーハごとに大気開放及び真空状態を交互に繰り返すよ
うにするが、被処理体の処理容器内は常に所定の真空状
態を保つことができ、スルーブツトが向上する。
空処理装置が種々知られているが、この種の真空処理装
置においては、被処理体例えば半導体ウェーハの処理容
器への搬入側（イン側）及び搬出側（アウト側）に真空
予備容器であるロードロック容器を設けて、スループッ
トを上ケるようにしている。 すなわち、大気開放状態においてイン側のロードロック
容器にウェーハを搬入し、その後、このロードロック容
器を処理容器と同じ真空圧にした後、処理容器とイン側
のロードロック容器トノ間のゲートを開けて、処理容器
にウェーハを搬入する。そして、処理の終了したウェー
ハは、アウト側のロードロック容器を処理容器と同じ真
空圧にしてから、処理容器とアウト側のロードロック容
器との間のゲートを開けて、処理容器よりこのアウト側
のロードロック容器に搬出する。その後、アウト側のロ
ードロック容器を大気開放し、処理済みウェーハを、こ
のロードロック容器からレシーバに搬送する。 このようにすると、ロードロック容器は１枚の半導体ウ
ェーハごとに大気開放及び真空状態を交互に繰り返すよ
うにするが、被処理体の処理容器内は常に所定の真空状
態を保つことができ、スルーブツトが向上する。
しかしながら、以上のような従来の真空処理装置の場合
、１枚の半導体ウェーハ毎に、ロードロック容器の真空
圧をモニターして処理容器と同じになったとき処理容器
との間のゲートを開けるようにしなければならないとと
もに、１枚のウェーハごとに、センダーからレシーバま
での間に複数個のゲートを通過しなければならない。 このため、従来の装置ではゲート駆動、真空圧のモニタ
制御のために時間を必要とし、スルーブツトの悪化を来
している。 また、半導体製造工程において、真空雰囲気内で処理す
る場合が種々あるが、現在、一般的には、各処理は各工
程ごとの処理装置によって個別に行なっており、各処理
後は半導体ウェーハを、−旦、大気中に取り出し、次の
処理装置のところに搬送し、次の工程の処理を施すよう
にしている。このため、半導体ウェーハが大気中に在る
ときに、半導体ウェーハの表面に自然酸化膜が形成され
てしまう。そこで、例えばＣＶＤ成膜装置のような場合
、成膜処理の前に、自然酸化膜をエツチングにより除去
しなければならないが、この自然酸化膜を除去したウェ
ーハを再び大気中にさらしたのでは、除去した意味がな
いので、処理容器を複数個設け、これらをロードロック
容器を介して連結して、エツチング処理容器で自然酸化
膜を除去したウェーハは、エツチング処理容器から大気
中に取り出すことなく成膜処理容器に搬送するようにし
ている。 しかしながら、これでは処理容器が増える分だけさらに
ゲートが増え、スルーブツトのさらなる悪化の原因にな
ると共に、各処理装置毎に、複数の処理容器を有する複
雑な装置を構成しなければ−Ｃらず、高価になるという
欠点もある。 この発明は、以上の点に鑑み、スルーブツトの向上した
真空処理装置を簡単に構築することができるユニットを
提供することを目的とする。
、１枚の半導体ウェーハ毎に、ロードロック容器の真空
圧をモニターして処理容器と同じになったとき処理容器
との間のゲートを開けるようにしなければならないとと
もに、１枚のウェーハごとに、センダーからレシーバま
での間に複数個のゲートを通過しなければならない。 このため、従来の装置ではゲート駆動、真空圧のモニタ
制御のために時間を必要とし、スルーブツトの悪化を来
している。 また、半導体製造工程において、真空雰囲気内で処理す
る場合が種々あるが、現在、一般的には、各処理は各工
程ごとの処理装置によって個別に行なっており、各処理
後は半導体ウェーハを、−旦、大気中に取り出し、次の
処理装置のところに搬送し、次の工程の処理を施すよう
にしている。このため、半導体ウェーハが大気中に在る
ときに、半導体ウェーハの表面に自然酸化膜が形成され
てしまう。そこで、例えばＣＶＤ成膜装置のような場合
、成膜処理の前に、自然酸化膜をエツチングにより除去
しなければならないが、この自然酸化膜を除去したウェ
ーハを再び大気中にさらしたのでは、除去した意味がな
いので、処理容器を複数個設け、これらをロードロック
容器を介して連結して、エツチング処理容器で自然酸化
膜を除去したウェーハは、エツチング処理容器から大気
中に取り出すことなく成膜処理容器に搬送するようにし
ている。 しかしながら、これでは処理容器が増える分だけさらに
ゲートが増え、スルーブツトのさらなる悪化の原因にな
ると共に、各処理装置毎に、複数の処理容器を有する複
雑な装置を構成しなければ−Ｃらず、高価になるという
欠点もある。 この発明は、以上の点に鑑み、スルーブツトの向上した
真空処理装置を簡単に構築することができるユニットを
提供することを目的とする。
この発明は、少なくとも、被処理体の第１の処理室部と
、位置合わせ用ステーションと、上記被処理体の搬送手
段と、センター部あるいはレシーバ部又は第２の処理室
部とが、同一真空雰囲気内となるようにユニット室を形
成し、上記位置合わせ用ステーションの近傍にゲートを
設けると共に、他の任意の定められた位置にゲート接続
部を設けてなるユニットであって、 上記ゲート接続部に、他のユニットのゲートを接続可能
とするように−したことを特徴とする。
、位置合わせ用ステーションと、上記被処理体の搬送手
段と、センター部あるいはレシーバ部又は第２の処理室
部とが、同一真空雰囲気内となるようにユニット室を形
成し、上記位置合わせ用ステーションの近傍にゲートを
設けると共に、他の任意の定められた位置にゲート接続
部を設けてなるユニットであって、 上記ゲート接続部に、他のユニットのゲートを接続可能
とするように−したことを特徴とする。
複数の処理が必要な場合、この発明によるユニットを、
位置合わせ用ステーションの近傍のゲートの位置で連結
する。連結したら、ゲートを開けて、センター部に被処
理体を収納する。被処理体を収納したら、真空吸引し、
連結したすべてのユニット内を同一真空圧にする。この
真空吸引により、被処理体の処理室、センター部、レシ
ーバ−部、搬送機構のシステム全体が、同一真空系内に
収容される。そして、センター部に収納された複数の被
処理体は、この真空雰囲気内において全て処理される。 この場合に、従来のロードロック室は不要で、このため
ゲートも不要で、ゲート開閉駆動を必要としないから真
空吸引回数が１回でよいことと併せてスルーブツトを向
上させることができる特徴がある。 また、センター部あるいはレシーバ部とユニット室内と
の間にゲートを設け、被処理体のロード。 アンロード時はゲートを閉じることにより、ユニット室
内は所定の真空圧にしておき、センター部あるいはレシ
ーバ部だけを真空吸引、大気開放するようにすることも
できる。
位置合わせ用ステーションの近傍のゲートの位置で連結
する。連結したら、ゲートを開けて、センター部に被処
理体を収納する。被処理体を収納したら、真空吸引し、
連結したすべてのユニット内を同一真空圧にする。この
真空吸引により、被処理体の処理室、センター部、レシ
ーバ−部、搬送機構のシステム全体が、同一真空系内に
収容される。そして、センター部に収納された複数の被
処理体は、この真空雰囲気内において全て処理される。 この場合に、従来のロードロック室は不要で、このため
ゲートも不要で、ゲート開閉駆動を必要としないから真
空吸引回数が１回でよいことと併せてスルーブツトを向
上させることができる特徴がある。 また、センター部あるいはレシーバ部とユニット室内と
の間にゲートを設け、被処理体のロード。 アンロード時はゲートを閉じることにより、ユニット室
内は所定の真空圧にしておき、センター部あるいはレシ
ーバ部だけを真空吸引、大気開放するようにすることも
できる。
【実施例】
以下、この発明の一実施例を、図を参照しながら説明す
る。 第１図は、この発明によるユニットの一例を示すもので
、この例においては、ユニット室２ｏの内部に、ハンド
リングアーム２１、アライメントステーション２２、バ
ッファステーション２３力（収容されるとともに、２個
のセンター部又はレシーバ一部２４，２５、プロセスチ
ャンノく一部２６及び後処理チャンバ一部２７が構成さ
れる。なお、プロセスチャンバ一部を２台、または、後
処理チャンバ一部を２台という接続も可能である。 この例の場合、センター部又はレシーノく一部２４．２
５は、使用時はセンター部あるいはレシーバ部のどちら
かとして使用するもので、この例では、ユニット室２０
の真空雰囲気とゲート２８゜２９により分離することが
可能とされている。同様にプロセスチャンバ一部２６及
び後処理チャンバ一部２７もユニット室２０の真空雰囲
気とゲート３０．３１により分離することが可能とされ
ている。 そして、センター部又はレシーバ部２４．２５がセンタ
ー部として使用される場合には、これには、複数枚、例
えば２０〜３０枚の未処理の半導体ウェーハ３２が収納
されるキャリア３３が搬入される。また、センター部又
はレシーバ部２４゜２５がレシーバ部として使用される
場合には、これには、エツチング処理が終了した、上記
枚数のウェーハを収納するための空のキャリア３４が搬
入される。 ゲート２８及び２つは、センター部又はレシーバ部２４
．２５内のキャリア３３又は３４を交換するとき、これ
らゲー）２８．２９を閉じて、ユニット室２０内の真空
雰囲気を保持するためのものである。キャリア３３に収
納される複数枚のつ工−ハ毎に１、ユニット室２０全体
を大気開放し、真空吸引するのであれば、これらゲート
２８．２９を設ける必要はない。 また、ゲー）３０．３１は、プロセスチャンバ一部２６
及び後処理チャンバ一部２７の洗浄や補修等のメインテ
ナンス用のもので、洗浄や補修時、これらのゲー）３０
．３１を閉じて、ユニット室２０内の真空雰囲気を保持
するようにしている。 さらに、この例ではプロセスチャンバ一部２６や後処理
チャンバー２７は、処理中に他のウェーハを汚染しない
ようにするため２重チャンバー構造とされている。 第２図は、この２重チャンバー構造の一例で、例えばプ
ロセスチャンバ一部２６において、例えばプラズマエツ
チング処理を行なう場合の例である。 すなわち、プロセスチャンバ一部２６の底部側に、例え
ばアルミニウム製の電極４１が設けられる。この電極４
１上には被処理体の例としての半導体ウェーハ３２が載
置されるものである。 このアルミニウム製電極４１の周囲には、所定の空間４
２を隔てて、環状に段部４３が形成されている。この段
部４３は、プロセスチャンバ一部２６のゲート３０側を
除く側面の壁とは一体となるようにされている。そして
、例えばゲート３０側とは反対側の側壁部に、この段部
４３を貫通してガス排出口４４が設けられている。 また、アルミニウム製電極４１の上方には、この電極４
１と対向する、例えばアモルファスカーボン製電極４５
を備えたアルミニウム製対向電極体４６が配される。こ
の場合、このアルミニウム製対向電極体４６は、環状の
段部４３にその先端が突き当たるような環状の側壁部４
７を有′するとともに、昇降機構５０によってプロセス
チャンバ一部２６内において、昇降するように構成され
ている。 段部４３と側壁部４７との突き当たり部には、後述する
気密保持用のＯリング４８が設けられている。 昇降機構５０は、例えば先端がアルミニウム製対向電極
体４６に接続された吊り下げ部材５１を、プロセスチャ
ンバ一部２６の上面板２６Ａを貫通して上下動可能にす
るような機構を用いることができる。そして、この例の
場合、アルミニウム製対向電極体４６とプロセスチャン
バ一部２６の上面板２６Ａとの間はベローズ５２で連結
されている。そして、吊り下げ部材５１及びこの吊り下
げ部材５１と上面板２６Ａとの間の連結部は、上記ベロ
ーズ５２によって、真空雰囲気とは隔絶されたベローズ
５２内の空間に入るようにされ、プロセスチャンバ一部
２６、延いてはユニット室２０内の真空雰囲気が保持さ
れる。 そして、図示しないがアルミニウム製電極４１と、対向
電極体４６の例えばアモルファスカーボン電極４５との
間に、高周波電源が接続され、これにより電極４１．４
５間に電力が印加される。 そして、エツチング処理時は、昇降機構５０によりアル
ミニウム製対向電極体４６が下降せられ、その側壁４７
の先端が段部４３に突き当たるようにされる。このとき
、段部４３には０リング４８がはめ込まれており、この
Ｏリング４８により、アルミニウム製対向電極体４６及
びその側壁４７と段部４３とにより気密室５３が形成さ
れる。 なお、プロセスチャンバ一部２６の上面板２６Ａ及びア
ルミニウム製対向電極体４６を貫通して、エツチングガ
ス洪給管５４が上記気密室５３内に導入される。 また、この例ではプロセスチャンバ一部２６の上面板２
６Ａは、ヒンジ部２６Ｂによって、開閉が可能とされて
おり、気密室５３内が汚れたとき、その洗浄を容易に行
なえるようにされているとともに、アルミニウム製対向
電極体４６の交換もできるようにされている。 また、ガス排気口４４は排気ポンプ（図示せず）に連結
され、強制的に排気されるようにされている。 後処理チャンバ一部２７も同様にして２重チャンバーの
構造とされる。この場合、２重チャンバーで行なう処理
に合わせて、内側のチャンバー内の構成番メ異なるよう
にすることが可能である。例えば、ＣＶＤ成膜処理やそ
の他の熱処理装置等の構造とすることもできる。 そして、ユニット室２０のアライメントステーション２
２及びバッファステーション２３の近傍の、図の左側の
側壁部にはゲート３５が設けられている。これは通常は
閉じられている。また、ハンドリングアーム２１のアラ
イメントステーション及びバッファステーション２３と
は逆側のユニット室２０の側壁部には、ゲート接続部３
６が設けられる。 この場合、ゲート３５とゲート接続部３６とは、サイズ
が等しく、第１図と同一構造の他のユニットのゲート３
５をゲート接続部３６と接続することができるようにさ
れている。そして、ゲート接続部３６は、通常は気密状
態で閉じているが、ゲート３５と接続されたときは、こ
のゲート３５を開けることにより、ゲート接続部３６の
壁部も開とされて、互いのユニット室内を同一雰囲気状
態とすることができる。 以上説明したユニットを用いた真空処理装置の一例とし
て、ＣＶｔ＋成膜装置を構成する場合に着いて説明する
。 先ず、第３図に示すように、第１図に示したユニットを
２個用意し、これらユニットＩＡとＩＢとをゲート３５
及びゲート接続部３６の部分で連結する。そして、ゲー
ト３５は開けて、両ユニットＩＡ、ＩＢのユニット室を
連通状態とする。 そして、この例では、ユニットＩＡのプロセスチャンバ
一部２６Ａは、自然酸化膜除去用のエツチング処理室と
して用いるように２重チャンバーを構成し、ユニットＩ
Ｂのプロセスチャンバ一部２６Ｂは、ＣＶＤ成膜処理室
として用いるように２重チャンバーを構成する。 そして、この例では、ユニットＩＡのセンダー部又はレ
シーバ部２４．２５は、ともにセンダー部２．２として
使用し、また、ユニットＩＢのセンター部又はレシーバ
部２４．２５は、ともにレシーバ部３，３として使用す
る。 以上のように構成した真空処理装置の動作を以下に説明
する。 先ず、センター部２．２及びレシーバ部３．３のユニッ
トＩＡ及びＩＢとの間のゲート２８Ａ。 ２８Ｂ、２９Ａ、２９Ｂを閉じた状態で、ユニッ）ＩＡ
及びＩＢ内を真空吸引してユニットＩＡ及びＩＢ内を所
定の真空圧状態にする。 また、センター部２．２を大気開放し、これらに、２０
〜３０枚の未処理ウェーハが載置されているキャリアを
それぞれ収容する。また、レシーバ部３，３をそれぞれ
大気開放し、これらに、空きのキャリア３４をそれぞれ
収納する。その後、センダーＱＢ２．２及びレシーバ部
３．３内をユ二ットＩＡ、ＩＢ室内と同じ真空状態にし
た後、それぞれのゲート２８Ａ、２８Ｂ及びゲート２９
Ａ。 ２９Ｂを開ける。 そして、ユニットＩＡにおいて、ハンドリングアーム２
１Ａによってセンター部２．２の一方のキャリアーから
１枚の半導体ウェーハを取り出し、アライメントステー
ション２２Ａ上に載置し、位置合わせを行なう。位置合
わせが終了したら、ハンドリングアーム２１Ａによって
プロセスチャンバ一部２６Ａに搬入する。このプロセス
チャンバ一部２６Ａが、第２図の構造であれば、その電
極４１上にウェーハを搬送する。そして、昇降機構５０
を駆動し、アルミニウム製対向電極体４６を降下させ、
その側壁４７と、段部４３とを突き合わせ、０１Ｊング
４８によって気密室５３を形成する。そして、アルミニ
ウム製電極４１と対向電極体４６の例えばアモルファス
カーボン電極４５との間に、高周波電源から電力を印加
するとともに、ガス供給管５４より所定のエツチング処
理ガスを気密室５３内に供給する。すると、この処理ガ
ス！よプラズマ化され、このプラズマ化されたた処理ガ
スにより半導体ウェーハの表面がエツチングされる。こ
のとき、排気ポンプによってガス排気口４４より排ガス
が強制的に排気される。 以上のようなエツチング処理が終了すると、処理ガスの
供給を停止するとともに、図示しないバルブにより排気
ラインを遮蔽しく排気ポンプも停止し）、昇降機ｅｌｌ
５０によりアルミニウム製対向電極体４６を上昇させ
る。 そして、処理の終了したウェーハを、ハンドリングアー
ム２１ＡによりユニットＩＢのアライメントステーショ
ン２２Ｂ（あるいはバッファステージジン２３Ｂ）に搬
送する。そして、ユニットＩＢのハンドリングアーム２
１Ｂにより、このアライメントステーション２２Ｂ上の
ウェーハをプロセスチャンバ一部２６Ｂに搬送し、この
チャンバ一部２６ＢにおいてＣＶＤ成膜処理する。その
後、処理の終了したウェーハを、ハンドリングアーム２
１Ｂにより後処理チャンバ一部２７Ｂに搬送し、所定の
後処理を行なう。この後処理が、終了したウェーハは、
ハンドリングアーム２１Ｂによってレシーバ一部３．３
の一方のキャリアに収納する。 以上の処理を、ユニットＩＡのセンター部２゜２の全て
のウェーハについて順次行ない、レシーバ部３，３のキ
ャリアに収納する。 ユニットＩＡのセンター部２，２のキャリアの全てのウ
ェーハの処理が終了したら、再び、ゲート２８Ａ及び２
９Ａを閉じて、センター部２，２のキャリアを複数枚の
未処理のウェーハが収納されたキャリアに交換し、また
、ユニットＩＢのレシーバ部３．３の処理済みウェーハ
が収納されたキャリアを取り出し、空のキャリアと交換
する。 以上のようにして、センター部に収納した複数枚のウェ
ーハについては、センター部２，２及びレシーバ部３，
３で、１回の大気開放と、真空吸引とを行なうだけでエ
ツチング処理を行なうことができる。 したがって、１枚ごとに真空吸引操作を行なう必要はな
く、また、半導体ウェーハの処理・搬送について、ゲー
トの開閉操作も不要であるので、スルーブツトの向上を
図ることができる。 なお、以上の説明では、ユニットにおいてセンター部又
はレシーバ部２４．２５のみを大気開放するようにした
ので、ゲート２８．２９を設けて、キャリアの搬入及び
搬送時に、その開閉を行なうようにしたが、キャリアの
搬入、搬出毎に、システムユニット室２０全体を大気開
放、真空吸引するのであれば、ゲート２８．２９は設け
なくてもよい。 しかし、以上の例のように、センター部又はレシーバ部
２４．２５でのみ大気開放、真空吸引を行なうようにし
た場合には、真空吸引をする容積が少なく、短時間で所
望の真空圧にすることができる。また、上述の例の場合
、プロセスチャンバ一部２６及び後処理チャンバ一部２
７に対して、ゲート３０及び３１を設け、これらのチャ
ンバー２６．２７の洗浄等のメインテナンス時に、これ
らゲート３０．３１を閉じることにより、ユニット室２
０内は所定の真空圧で一定の清浄度を常に保つことがで
きる。 なお、図の例では、ユニットにはハンドリングアームは
１個しか設けなかったが、これは複数個設けてもよい。 また、ユニットを複数個繋げる場合に、中間に接続する
ユニットにおいては、センター部又はレシーバ部は必要
がないので、センター部又はレシーバ部２４．２５の代
わりに処理チャンバ一部を設け、複数処理チャンバーの
構成とするようにしてもよい。 また、この発明の処理装置は、以上の例のようなＣＶＤ
成膜装置に限らず、エツチング装置やアッシング装置、
その他の真空処理装置に適用可能であることはもちろん
である。
る。 第１図は、この発明によるユニットの一例を示すもので
、この例においては、ユニット室２ｏの内部に、ハンド
リングアーム２１、アライメントステーション２２、バ
ッファステーション２３力（収容されるとともに、２個
のセンター部又はレシーバ一部２４，２５、プロセスチ
ャンノく一部２６及び後処理チャンバ一部２７が構成さ
れる。なお、プロセスチャンバ一部を２台、または、後
処理チャンバ一部を２台という接続も可能である。 この例の場合、センター部又はレシーノく一部２４．２
５は、使用時はセンター部あるいはレシーバ部のどちら
かとして使用するもので、この例では、ユニット室２０
の真空雰囲気とゲート２８゜２９により分離することが
可能とされている。同様にプロセスチャンバ一部２６及
び後処理チャンバ一部２７もユニット室２０の真空雰囲
気とゲート３０．３１により分離することが可能とされ
ている。 そして、センター部又はレシーバ部２４．２５がセンタ
ー部として使用される場合には、これには、複数枚、例
えば２０〜３０枚の未処理の半導体ウェーハ３２が収納
されるキャリア３３が搬入される。また、センター部又
はレシーバ部２４゜２５がレシーバ部として使用される
場合には、これには、エツチング処理が終了した、上記
枚数のウェーハを収納するための空のキャリア３４が搬
入される。 ゲート２８及び２つは、センター部又はレシーバ部２４
．２５内のキャリア３３又は３４を交換するとき、これ
らゲー）２８．２９を閉じて、ユニット室２０内の真空
雰囲気を保持するためのものである。キャリア３３に収
納される複数枚のつ工−ハ毎に１、ユニット室２０全体
を大気開放し、真空吸引するのであれば、これらゲート
２８．２９を設ける必要はない。 また、ゲー）３０．３１は、プロセスチャンバ一部２６
及び後処理チャンバ一部２７の洗浄や補修等のメインテ
ナンス用のもので、洗浄や補修時、これらのゲー）３０
．３１を閉じて、ユニット室２０内の真空雰囲気を保持
するようにしている。 さらに、この例ではプロセスチャンバ一部２６や後処理
チャンバー２７は、処理中に他のウェーハを汚染しない
ようにするため２重チャンバー構造とされている。 第２図は、この２重チャンバー構造の一例で、例えばプ
ロセスチャンバ一部２６において、例えばプラズマエツ
チング処理を行なう場合の例である。 すなわち、プロセスチャンバ一部２６の底部側に、例え
ばアルミニウム製の電極４１が設けられる。この電極４
１上には被処理体の例としての半導体ウェーハ３２が載
置されるものである。 このアルミニウム製電極４１の周囲には、所定の空間４
２を隔てて、環状に段部４３が形成されている。この段
部４３は、プロセスチャンバ一部２６のゲート３０側を
除く側面の壁とは一体となるようにされている。そして
、例えばゲート３０側とは反対側の側壁部に、この段部
４３を貫通してガス排出口４４が設けられている。 また、アルミニウム製電極４１の上方には、この電極４
１と対向する、例えばアモルファスカーボン製電極４５
を備えたアルミニウム製対向電極体４６が配される。こ
の場合、このアルミニウム製対向電極体４６は、環状の
段部４３にその先端が突き当たるような環状の側壁部４
７を有′するとともに、昇降機構５０によってプロセス
チャンバ一部２６内において、昇降するように構成され
ている。 段部４３と側壁部４７との突き当たり部には、後述する
気密保持用のＯリング４８が設けられている。 昇降機構５０は、例えば先端がアルミニウム製対向電極
体４６に接続された吊り下げ部材５１を、プロセスチャ
ンバ一部２６の上面板２６Ａを貫通して上下動可能にす
るような機構を用いることができる。そして、この例の
場合、アルミニウム製対向電極体４６とプロセスチャン
バ一部２６の上面板２６Ａとの間はベローズ５２で連結
されている。そして、吊り下げ部材５１及びこの吊り下
げ部材５１と上面板２６Ａとの間の連結部は、上記ベロ
ーズ５２によって、真空雰囲気とは隔絶されたベローズ
５２内の空間に入るようにされ、プロセスチャンバ一部
２６、延いてはユニット室２０内の真空雰囲気が保持さ
れる。 そして、図示しないがアルミニウム製電極４１と、対向
電極体４６の例えばアモルファスカーボン電極４５との
間に、高周波電源が接続され、これにより電極４１．４
５間に電力が印加される。 そして、エツチング処理時は、昇降機構５０によりアル
ミニウム製対向電極体４６が下降せられ、その側壁４７
の先端が段部４３に突き当たるようにされる。このとき
、段部４３には０リング４８がはめ込まれており、この
Ｏリング４８により、アルミニウム製対向電極体４６及
びその側壁４７と段部４３とにより気密室５３が形成さ
れる。 なお、プロセスチャンバ一部２６の上面板２６Ａ及びア
ルミニウム製対向電極体４６を貫通して、エツチングガ
ス洪給管５４が上記気密室５３内に導入される。 また、この例ではプロセスチャンバ一部２６の上面板２
６Ａは、ヒンジ部２６Ｂによって、開閉が可能とされて
おり、気密室５３内が汚れたとき、その洗浄を容易に行
なえるようにされているとともに、アルミニウム製対向
電極体４６の交換もできるようにされている。 また、ガス排気口４４は排気ポンプ（図示せず）に連結
され、強制的に排気されるようにされている。 後処理チャンバ一部２７も同様にして２重チャンバーの
構造とされる。この場合、２重チャンバーで行なう処理
に合わせて、内側のチャンバー内の構成番メ異なるよう
にすることが可能である。例えば、ＣＶＤ成膜処理やそ
の他の熱処理装置等の構造とすることもできる。 そして、ユニット室２０のアライメントステーション２
２及びバッファステーション２３の近傍の、図の左側の
側壁部にはゲート３５が設けられている。これは通常は
閉じられている。また、ハンドリングアーム２１のアラ
イメントステーション及びバッファステーション２３と
は逆側のユニット室２０の側壁部には、ゲート接続部３
６が設けられる。 この場合、ゲート３５とゲート接続部３６とは、サイズ
が等しく、第１図と同一構造の他のユニットのゲート３
５をゲート接続部３６と接続することができるようにさ
れている。そして、ゲート接続部３６は、通常は気密状
態で閉じているが、ゲート３５と接続されたときは、こ
のゲート３５を開けることにより、ゲート接続部３６の
壁部も開とされて、互いのユニット室内を同一雰囲気状
態とすることができる。 以上説明したユニットを用いた真空処理装置の一例とし
て、ＣＶｔ＋成膜装置を構成する場合に着いて説明する
。 先ず、第３図に示すように、第１図に示したユニットを
２個用意し、これらユニットＩＡとＩＢとをゲート３５
及びゲート接続部３６の部分で連結する。そして、ゲー
ト３５は開けて、両ユニットＩＡ、ＩＢのユニット室を
連通状態とする。 そして、この例では、ユニットＩＡのプロセスチャンバ
一部２６Ａは、自然酸化膜除去用のエツチング処理室と
して用いるように２重チャンバーを構成し、ユニットＩ
Ｂのプロセスチャンバ一部２６Ｂは、ＣＶＤ成膜処理室
として用いるように２重チャンバーを構成する。 そして、この例では、ユニットＩＡのセンダー部又はレ
シーバ部２４．２５は、ともにセンダー部２．２として
使用し、また、ユニットＩＢのセンター部又はレシーバ
部２４．２５は、ともにレシーバ部３，３として使用す
る。 以上のように構成した真空処理装置の動作を以下に説明
する。 先ず、センター部２．２及びレシーバ部３．３のユニッ
トＩＡ及びＩＢとの間のゲート２８Ａ。 ２８Ｂ、２９Ａ、２９Ｂを閉じた状態で、ユニッ）ＩＡ
及びＩＢ内を真空吸引してユニットＩＡ及びＩＢ内を所
定の真空圧状態にする。 また、センター部２．２を大気開放し、これらに、２０
〜３０枚の未処理ウェーハが載置されているキャリアを
それぞれ収容する。また、レシーバ部３，３をそれぞれ
大気開放し、これらに、空きのキャリア３４をそれぞれ
収納する。その後、センダーＱＢ２．２及びレシーバ部
３．３内をユ二ットＩＡ、ＩＢ室内と同じ真空状態にし
た後、それぞれのゲート２８Ａ、２８Ｂ及びゲート２９
Ａ。 ２９Ｂを開ける。 そして、ユニットＩＡにおいて、ハンドリングアーム２
１Ａによってセンター部２．２の一方のキャリアーから
１枚の半導体ウェーハを取り出し、アライメントステー
ション２２Ａ上に載置し、位置合わせを行なう。位置合
わせが終了したら、ハンドリングアーム２１Ａによって
プロセスチャンバ一部２６Ａに搬入する。このプロセス
チャンバ一部２６Ａが、第２図の構造であれば、その電
極４１上にウェーハを搬送する。そして、昇降機構５０
を駆動し、アルミニウム製対向電極体４６を降下させ、
その側壁４７と、段部４３とを突き合わせ、０１Ｊング
４８によって気密室５３を形成する。そして、アルミニ
ウム製電極４１と対向電極体４６の例えばアモルファス
カーボン電極４５との間に、高周波電源から電力を印加
するとともに、ガス供給管５４より所定のエツチング処
理ガスを気密室５３内に供給する。すると、この処理ガ
ス！よプラズマ化され、このプラズマ化されたた処理ガ
スにより半導体ウェーハの表面がエツチングされる。こ
のとき、排気ポンプによってガス排気口４４より排ガス
が強制的に排気される。 以上のようなエツチング処理が終了すると、処理ガスの
供給を停止するとともに、図示しないバルブにより排気
ラインを遮蔽しく排気ポンプも停止し）、昇降機ｅｌｌ
５０によりアルミニウム製対向電極体４６を上昇させ
る。 そして、処理の終了したウェーハを、ハンドリングアー
ム２１ＡによりユニットＩＢのアライメントステーショ
ン２２Ｂ（あるいはバッファステージジン２３Ｂ）に搬
送する。そして、ユニットＩＢのハンドリングアーム２
１Ｂにより、このアライメントステーション２２Ｂ上の
ウェーハをプロセスチャンバ一部２６Ｂに搬送し、この
チャンバ一部２６ＢにおいてＣＶＤ成膜処理する。その
後、処理の終了したウェーハを、ハンドリングアーム２
１Ｂにより後処理チャンバ一部２７Ｂに搬送し、所定の
後処理を行なう。この後処理が、終了したウェーハは、
ハンドリングアーム２１Ｂによってレシーバ一部３．３
の一方のキャリアに収納する。 以上の処理を、ユニットＩＡのセンター部２゜２の全て
のウェーハについて順次行ない、レシーバ部３，３のキ
ャリアに収納する。 ユニットＩＡのセンター部２，２のキャリアの全てのウ
ェーハの処理が終了したら、再び、ゲート２８Ａ及び２
９Ａを閉じて、センター部２，２のキャリアを複数枚の
未処理のウェーハが収納されたキャリアに交換し、また
、ユニットＩＢのレシーバ部３．３の処理済みウェーハ
が収納されたキャリアを取り出し、空のキャリアと交換
する。 以上のようにして、センター部に収納した複数枚のウェ
ーハについては、センター部２，２及びレシーバ部３，
３で、１回の大気開放と、真空吸引とを行なうだけでエ
ツチング処理を行なうことができる。 したがって、１枚ごとに真空吸引操作を行なう必要はな
く、また、半導体ウェーハの処理・搬送について、ゲー
トの開閉操作も不要であるので、スルーブツトの向上を
図ることができる。 なお、以上の説明では、ユニットにおいてセンター部又
はレシーバ部２４．２５のみを大気開放するようにした
ので、ゲート２８．２９を設けて、キャリアの搬入及び
搬送時に、その開閉を行なうようにしたが、キャリアの
搬入、搬出毎に、システムユニット室２０全体を大気開
放、真空吸引するのであれば、ゲート２８．２９は設け
なくてもよい。 しかし、以上の例のように、センター部又はレシーバ部
２４．２５でのみ大気開放、真空吸引を行なうようにし
た場合には、真空吸引をする容積が少なく、短時間で所
望の真空圧にすることができる。また、上述の例の場合
、プロセスチャンバ一部２６及び後処理チャンバ一部２
７に対して、ゲート３０及び３１を設け、これらのチャ
ンバー２６．２７の洗浄等のメインテナンス時に、これ
らゲート３０．３１を閉じることにより、ユニット室２
０内は所定の真空圧で一定の清浄度を常に保つことがで
きる。 なお、図の例では、ユニットにはハンドリングアームは
１個しか設けなかったが、これは複数個設けてもよい。 また、ユニットを複数個繋げる場合に、中間に接続する
ユニットにおいては、センター部又はレシーバ部は必要
がないので、センター部又はレシーバ部２４．２５の代
わりに処理チャンバ一部を設け、複数処理チャンバーの
構成とするようにしてもよい。 また、この発明の処理装置は、以上の例のようなＣＶＤ
成膜装置に限らず、エツチング装置やアッシング装置、
その他の真空処理装置に適用可能であることはもちろん
である。
以上説明したように、この発明によれば、被処理体の処
理部、位置合わせ用ステーション、センター部又はレシ
ーバ部、搬送機構が収容されているユニットを、複数個
接続することにより、容易に複数の処理工程を実行でき
る処理装置を構築できる。しかも、ユニット間のゲート
を開けることにより複数のユニットのすべての室内を、
同一の真空圧とすることができるので、従来のロードロ
ック室を用いる装置の場合のようなゲートは不要になる
。このため、このゲートの開閉駆動及びロードロック室
の真空圧のモニタ制御が不要になり、その分だけ処理時
間を短縮することができる。 また、センター部に収容されるキャリアに収納される複
数枚の被処理体の１枚ごとに、大気開放、真空吸引を行
なう必要がなく、そのキャリアに収納された複数枚の被
処理体に対しては１回の真空吸引でよいので、これも処
理時間の短縮化につながり、全体としてスルーブツトの
向上を図ることができる。
理部、位置合わせ用ステーション、センター部又はレシ
ーバ部、搬送機構が収容されているユニットを、複数個
接続することにより、容易に複数の処理工程を実行でき
る処理装置を構築できる。しかも、ユニット間のゲート
を開けることにより複数のユニットのすべての室内を、
同一の真空圧とすることができるので、従来のロードロ
ック室を用いる装置の場合のようなゲートは不要になる
。このため、このゲートの開閉駆動及びロードロック室
の真空圧のモニタ制御が不要になり、その分だけ処理時
間を短縮することができる。 また、センター部に収容されるキャリアに収納される複
数枚の被処理体の１枚ごとに、大気開放、真空吸引を行
なう必要がなく、そのキャリアに収納された複数枚の被
処理体に対しては１回の真空吸引でよいので、これも処
理時間の短縮化につながり、全体としてスルーブツトの
向上を図ることができる。
第１図は、この発明による真空処理装置用ユニットの一
実施例を示す図、第２図は、その一部の構成例を示す図
、第３図は、この発明によるユニットを用いた真空処理
装置の一例を示す図である。 ＩＡ、ＩＢ；ユニット ２０；システムユニット室 ２１；ハンドリングアーム ２２；アライメントステーション ２４；センター部 ２５；レシーバ部 ２６；プロセスチャンバ一部 ２７：後処理チャンバ一部 ２８〜３１；ゲート ３２；半導体ウェーハ ３３．３４．キャリア
実施例を示す図、第２図は、その一部の構成例を示す図
、第３図は、この発明によるユニットを用いた真空処理
装置の一例を示す図である。 ＩＡ、ＩＢ；ユニット ２０；システムユニット室 ２１；ハンドリングアーム ２２；アライメントステーション ２４；センター部 ２５；レシーバ部 ２６；プロセスチャンバ一部 ２７：後処理チャンバ一部 ２８〜３１；ゲート ３２；半導体ウェーハ ３３．３４．キャリア
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 少なくとも、被処理体の第１の処理室部と、位置合わ
せ用ステーションと、上記被処理体の搬送手段と、セン
ター部あるいはレシーバ部又は第２の処理室部とが、同
一真空雰囲気内となるようにユニット室を形成し、 上記位置合わせ用ステーションの近傍にゲートを設ける
と共に、他の任意の定められた位置にゲート接続部を設
けてなるユニットであって、上記ゲート接続部に、他の
ユニットのゲートを接続可能とするようにしたことを特
徴とする真空処理装置用ユニット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27132189A JP2767142B2 (ja) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | 真空処理装置用ユニット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27132189A JP2767142B2 (ja) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | 真空処理装置用ユニット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03134176A true JPH03134176A (ja) | 1991-06-07 |
| JP2767142B2 JP2767142B2 (ja) | 1998-06-18 |
Family
ID=17498427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27132189A Expired - Fee Related JP2767142B2 (ja) | 1989-10-18 | 1989-10-18 | 真空処理装置用ユニット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2767142B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09246347A (ja) * | 1996-03-01 | 1997-09-19 | Applied Materials Inc | マルチチャンバウェハ処理システム |
| KR100625337B1 (ko) * | 2004-12-28 | 2006-09-20 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 제조 설비 및 이를 이용한 반도체 제조 방법 |
| JP2008063665A (ja) * | 2007-10-03 | 2008-03-21 | Canon Anelva Corp | 気相成長装置の異常生成物除去方法 |
| JP2010040947A (ja) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Sinfonia Technology Co Ltd | 真空処理装置 |
| CN102446787A (zh) * | 2010-09-30 | 2012-05-09 | 上海凯世通半导体有限公司 | 真空传输制程设备及方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60115216A (ja) * | 1983-11-28 | 1985-06-21 | Hitachi Ltd | 真空処理方法及び装置 |
| JPS62181440A (ja) * | 1985-10-24 | 1987-08-08 | テキサス インスツルメンツ インコ−ポレイテツド | ウェーハ処理方法 |
| JPS63143833A (ja) * | 1986-12-08 | 1988-06-16 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 面板搬送機構自動制御方式 |
-
1989
- 1989-10-18 JP JP27132189A patent/JP2767142B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| CN102446787A (zh) * | 2010-09-30 | 2012-05-09 | 上海凯世通半导体有限公司 | 真空传输制程设备及方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2767142B2 (ja) | 1998-06-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |