JPH03136322A - 液相エピタキシャル成長方法 - Google Patents
液相エピタキシャル成長方法Info
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- JPH03136322A JPH03136322A JP27383589A JP27383589A JPH03136322A JP H03136322 A JPH03136322 A JP H03136322A JP 27383589 A JP27383589 A JP 27383589A JP 27383589 A JP27383589 A JP 27383589A JP H03136322 A JPH03136322 A JP H03136322A
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- epitaxial growth
- liquid phase
- phase epitaxial
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- single crystal
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- Pending
Links
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、発光ダイオードの製造に適した化合物半導体
を液相エピタキシャル成長させる方法に関する。
を液相エピタキシャル成長させる方法に関する。
（従来の技術）
先に、発光ダイオードとして使用するときに、発光出力
の劣化の原因となるＡｌＧａＡｓエピタキシャル層中の
積層欠陥を低減する手段として１ｎをドーピングしたＧ
ａＡｓ基板上にＡｌＧａＡｓ単結晶を成長する方法が提
案されている（特願昭６３−３１３７５８号）。
の劣化の原因となるＡｌＧａＡｓエピタキシャル層中の
積層欠陥を低減する手段として１ｎをドーピングしたＧ
ａＡｓ基板上にＡｌＧａＡｓ単結晶を成長する方法が提
案されている（特願昭６３−３１３７５８号）。
（発明が解決しようとする課題）
上記の方法で、例えば、表面層のＡ１組成を０．４程度
のＡｌＧａＡｓ単結晶をエピタキシャル成長させるとき
に、積層欠陥密度は、ＩｎをドープしないＧａＡｓ基板
を用いるときには１０３〜１０４ｃｍ−”程度であるの
に対して、１ｎをドープしたＧａＡｓ基板を用いると１
７１Ｏ〜１７１００程度に減少させることができる。し
かし、それでもなお、１０”ｃｓ＋−”程度の積層欠陥
密度を有することになる。
のＡｌＧａＡｓ単結晶をエピタキシャル成長させるとき
に、積層欠陥密度は、ＩｎをドープしないＧａＡｓ基板
を用いるときには１０３〜１０４ｃｍ−”程度であるの
に対して、１ｎをドープしたＧａＡｓ基板を用いると１
７１Ｏ〜１７１００程度に減少させることができる。し
かし、それでもなお、１０”ｃｓ＋−”程度の積層欠陥
密度を有することになる。
そこで、本発明は、上記の積層欠陥密度をさらに低下さ
せることを可能にしたＩｎＧａＡｓ単結晶の液相エピタ
キシャル成長方法を提供しようとするものである□。
せることを可能にしたＩｎＧａＡｓ単結晶の液相エピタ
キシャル成長方法を提供しようとするものである□。
（課題を解決するための手段）
本発明は、ＩｎをドーピングしたＧａＡｓ基板上にＡｌ
ＧａＡｓ結晶を成長させる液相エピタキシャル成長方法
において、エピタキシャル成長に先立って、未飽和溶液
を用いて上記基板表面を溶解し、この溶液を排出した後
、ＡｌＧａＡｓ結晶を成長させることを特徴とする液相
エピタキシャル成長方法である。
ＧａＡｓ結晶を成長させる液相エピタキシャル成長方法
において、エピタキシャル成長に先立って、未飽和溶液
を用いて上記基板表面を溶解し、この溶液を排出した後
、ＡｌＧａＡｓ結晶を成長させることを特徴とする液相
エピタキシャル成長方法である。
（作用）
先に提案されたＩｎドープＧａＡｓ基板を用いて、Ａｌ
ＧａＡｓ単結晶をエピタキシャル成長させる場合は、１
ｎをドープしないＧａＡｓ基板を用いる場合に比べて低
い温度で格子整合が行われるため、内部応力が減少され
た状態でＡｌＧａＡｓｌＧａＡｓ混酸中結晶ることがで
き、積層欠陥密度を減少させることができたものと考え
られる。
ＧａＡｓ単結晶をエピタキシャル成長させる場合は、１
ｎをドープしないＧａＡｓ基板を用いる場合に比べて低
い温度で格子整合が行われるため、内部応力が減少され
た状態でＡｌＧａＡｓｌＧａＡｓ混酸中結晶ることがで
き、積層欠陥密度を減少させることができたものと考え
られる。
しかし、積層欠陥の発生原因を他にもいろいろ調べてみ
ると、基板表面に何首したり、エピタキシャル成長中に
混入する異物がその原因の１つであると考えられた。こ
の異物としては、異物粒子や酸化膜などが考えられる。
ると、基板表面に何首したり、エピタキシャル成長中に
混入する異物がその原因の１つであると考えられた。こ
の異物としては、異物粒子や酸化膜などが考えられる。
そこで、本発明では、液相エピタキシャル成長に先立っ
て、基板表面を溶解し、異物を溶解する液を基板表面か
ら排除した後、原料液と接触させて液相エピタキシャル
成長させる方法であって、積層欠陥密度の少ないＡｌＧ
ａＡｓ１ｌｌ結晶の成長を可能にしたものである。
て、基板表面を溶解し、異物を溶解する液を基板表面か
ら排除した後、原料液と接触させて液相エピタキシャル
成長させる方法であって、積層欠陥密度の少ないＡｌＧ
ａＡｓ１ｌｌ結晶の成長を可能にしたものである。
（実施例）
１□ドープのＧａＡｓ基板（ｌｎｏ、ｏａｓＧａｏ、５
ｓｓＡＳ）上にＡｌＧａＡｓ単結晶膜を成長させた。
ｓｓＡＳ）上にＡｌＧａＡｓ単結晶膜を成長させた。
まず、従来例として、溶質ＡＩを１３１０ｍｇ及びＧａ
Ａｓを３７．５ｇ 、９００℃の溶媒Ｇａ５００ ｇに
溶解させ、飽和溶液を調製した後、上記基板を該飽和溶
液に接触させ、ｌ’ｃ１０＋ｉｎの冷却速度で６００℃
まで冷却し、その後、溶液から基板を分離して、厚さ２
５０μｌのＡｌＧａＡｓ単結晶のエピタキシャル層を得
た。
Ａｓを３７．５ｇ 、９００℃の溶媒Ｇａ５００ ｇに
溶解させ、飽和溶液を調製した後、上記基板を該飽和溶
液に接触させ、ｌ’ｃ１０＋ｉｎの冷却速度で６００℃
まで冷却し、その後、溶液から基板を分離して、厚さ２
５０μｌのＡｌＧａＡｓ単結晶のエピタキシャル層を得
た。
次に、本発明の実施例としては、７４ｇのＡｓを５００
ｇの溶媒Ｇａに溶解させた９００℃の未飽和溶液を調製
し、上記基板をこの未飽和溶液と２分間接触させて、基
板表面を溶解し、該溶液を基板から分離した後、上記の
従来例と同様の手順でＡｌＧａＡｓ単結晶のエピタキシ
ャル層を成長させた。得られたＡｓＧａＡｓ単結晶エピ
タキシャル層の厚さは２５０μｍで、ＡＩの混晶比は第
１図のように０．５から０．３７に減少する勾配を有す
るものであった。
ｇの溶媒Ｇａに溶解させた９００℃の未飽和溶液を調製
し、上記基板をこの未飽和溶液と２分間接触させて、基
板表面を溶解し、該溶液を基板から分離した後、上記の
従来例と同様の手順でＡｌＧａＡｓ単結晶のエピタキシ
ャル層を成長させた。得られたＡｓＧａＡｓ単結晶エピ
タキシャル層の厚さは２５０μｍで、ＡＩの混晶比は第
１図のように０．５から０．３７に減少する勾配を有す
るものであった。
実施例及び従来例で得たエピタキシャル層について、積
層欠陥密度を測定したところ、実施例は従来例に比較し
て、下表のように大幅に減少させることができた。
層欠陥密度を測定したところ、実施例は従来例に比較し
て、下表のように大幅に減少させることができた。
第１図は実施例で得たＡｌＧａＡｓ単結晶膜の構造とＡ
１混晶比を説明するための説明図である。 （発明の効果） 本発明は、上記の構成を採用することにより、積層欠陥
密度の極めて少ない、高品質のＡｌＧａＡｓ単結晶膜を
成長させることができ、優れた発光ダイオード等のデバ
イスを容易に供給することができるようになった。
１混晶比を説明するための説明図である。 （発明の効果） 本発明は、上記の構成を採用することにより、積層欠陥
密度の極めて少ない、高品質のＡｌＧａＡｓ単結晶膜を
成長させることができ、優れた発光ダイオード等のデバ
イスを容易に供給することができるようになった。
Claims (1)
- ＩｎをドーピングしたＧａＡｓ基板上にＡｌＧａＡｓ
結晶を成長させる液相エピタキシャル成長方法において
、エピタキシャル成長に先立って、未飽和溶液を用いて
上記基板表面を溶解し、この溶液を排出した後、ＡｌＧ
ａＡｓ結晶を成長させることを特徴とする液相エピタキ
シャル成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27383589A JPH03136322A (ja) | 1989-10-23 | 1989-10-23 | 液相エピタキシャル成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27383589A JPH03136322A (ja) | 1989-10-23 | 1989-10-23 | 液相エピタキシャル成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03136322A true JPH03136322A (ja) | 1991-06-11 |
Family
ID=17533208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27383589A Pending JPH03136322A (ja) | 1989-10-23 | 1989-10-23 | 液相エピタキシャル成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03136322A (ja) |
-
1989
- 1989-10-23 JP JP27383589A patent/JPH03136322A/ja active Pending
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