JPH03136341A - ワイヤボンディング方法およびこれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
ワイヤボンディング方法およびこれを用いた半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH03136341A JPH03136341A JP1275413A JP27541389A JPH03136341A JP H03136341 A JPH03136341 A JP H03136341A JP 1275413 A JP1275413 A JP 1275413A JP 27541389 A JP27541389 A JP 27541389A JP H03136341 A JPH03136341 A JP H03136341A
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- JP
- Japan
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- bonding
- lead frame
- wire
- point
- deviation
- Prior art date
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5449—Dispositions of bond wires not being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
- H10W72/932—Plan-view shape, i.e. in top view
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分骨〕
この発明は、ワイヤボンディング方法と、この方法を用
いた半導体装置の製造方法に関するものである。
いた半導体装置の製造方法に関するものである。
第3図はワイヤボンディング装置とその制御機構のブロ
ック図であり、1はリードフレーム、2はこのリードフ
レーム1にグイボンドされたICチップ、3は前記リー
ドフレーム1およびICチップ2の画像を検出するIT
Vカメラ、4はこのITVカメラ3で検出したズレ量に
より位置補正制御をするXYテーブル、5はワイヤボン
ディングするためのボンディングヘッド、6はワイヤリ
ングするワイヤである。
ック図であり、1はリードフレーム、2はこのリードフ
レーム1にグイボンドされたICチップ、3は前記リー
ドフレーム1およびICチップ2の画像を検出するIT
Vカメラ、4はこのITVカメラ3で検出したズレ量に
より位置補正制御をするXYテーブル、5はワイヤボン
ディングするためのボンディングヘッド、6はワイヤリ
ングするワイヤである。
第4図は従来のボンディング方法で、ICチップ2とリ
ードフレーム1をワイヤボンディングした図である。こ
の図において、7は前記ICチップ2の電極とリードフ
レーム1をボンディングしたワイヤであり、8はグラン
ドボンド時、リードフレーム1とリードフレーム1間を
ボンディングしたワイヤである。
ードフレーム1をワイヤボンディングした図である。こ
の図において、7は前記ICチップ2の電極とリードフ
レーム1をボンディングしたワイヤであり、8はグラン
ドボンド時、リードフレーム1とリードフレーム1間を
ボンディングしたワイヤである。
グランドボンドとは、第1ボンディング点をリードフレ
ーム1にして、リードフレーム1間をワイヤボンディン
グするものである。
ーム1にして、リードフレーム1間をワイヤボンディン
グするものである。
第4図において、7aと88は第1ボンディング点であ
り、7bと8bは第2ボンディング点である。ただし、
第1ボンディング点8aはリードフレーム基準ボンディ
ング点であり、認識補正は行われていない。第1ボンデ
イング点7a、第2ボンデイング点7b、Bbは認識補
正後のボンディング点である。
り、7bと8bは第2ボンディング点である。ただし、
第1ボンディング点8aはリードフレーム基準ボンディ
ング点であり、認識補正は行われていない。第1ボンデ
イング点7a、第2ボンデイング点7b、Bbは認識補
正後のボンディング点である。
次に動作について説明する。
ICチップ2上に位置合わせ点2点、リードフレーム1
の位置合わせ点1点もしくは2点をIT■カメラ3で自
動認識して基準画像とのズレ量を得る。そのズレ量によ
り各基準ボンディング位置を補正して、第3図のXY子
テーブルを制御し、ボンディングヘッド5により、ワイ
ヤ6を張る。
の位置合わせ点1点もしくは2点をIT■カメラ3で自
動認識して基準画像とのズレ量を得る。そのズレ量によ
り各基準ボンディング位置を補正して、第3図のXY子
テーブルを制御し、ボンディングヘッド5により、ワイ
ヤ6を張る。
このような位置補正方法でボンディング点の補正を行っ
た場合、ICチップ2上のボンディング位置は、ICチ
ップ2が変わってもICチップ2上のズレがほとんどな
いため、補正後のズレ量は極めて小さい。つまり、第1
ボンディング点7aの位置にボンディングすることが可
能である。これに対し、リードフレーム1の第2ボンデ
イング点7b、8bおよび第1ボンディング点8aは、
リードフレーム1が変わった場合、リードフレーム1間
の相対的なズレが発生しやすく、ズレ量が補正できない
ことがある。このリードフレーム1の位置補正をさらに
高精度に行うために、個々のリードフレーム1の位置ズ
レをITVカメラ3で自動認識して個々のリードフレー
ム1の基準ボンデインク位置とのズレ量を得て、リード
フレーム1の位置補正を行う。このような補正方法でリ
ードフレーム1を補正しているので、第2ボンディング
点7bに対し位置補正が行われる。
た場合、ICチップ2上のボンディング位置は、ICチ
ップ2が変わってもICチップ2上のズレがほとんどな
いため、補正後のズレ量は極めて小さい。つまり、第1
ボンディング点7aの位置にボンディングすることが可
能である。これに対し、リードフレーム1の第2ボンデ
イング点7b、8bおよび第1ボンディング点8aは、
リードフレーム1が変わった場合、リードフレーム1間
の相対的なズレが発生しやすく、ズレ量が補正できない
ことがある。このリードフレーム1の位置補正をさらに
高精度に行うために、個々のリードフレーム1の位置ズ
レをITVカメラ3で自動認識して個々のリードフレー
ム1の基準ボンデインク位置とのズレ量を得て、リード
フレーム1の位置補正を行う。このような補正方法でリ
ードフレーム1を補正しているので、第2ボンディング
点7bに対し位置補正が行われる。
また、グランドボンド時は第2ボンディング点8bに対
してのみ、位置補正を行っている。
してのみ、位置補正を行っている。
上記のような従来のワイヤボンディング装置における位
置補正方法では、グランドボンド時のワイヤボンディン
グに対し、第2ボンデイング点7b、8bのみ位置補正
しているので、リードフレーム1の形状が極めて小さい
フレーム幅に対しても、第1ボンデイング点7a、8a
を基準ボンディング位置のままでボンディングするので
、ボンディングの位置が一定せず、不良品が発生する等
の問題点があった。
置補正方法では、グランドボンド時のワイヤボンディン
グに対し、第2ボンデイング点7b、8bのみ位置補正
しているので、リードフレーム1の形状が極めて小さい
フレーム幅に対しても、第1ボンデイング点7a、8a
を基準ボンディング位置のままでボンディングするので
、ボンディングの位置が一定せず、不良品が発生する等
の問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、グランドボンド時、第1ボンディング点に
も自1tlr 認識を用い、ボンディングする個々のリ
ードフレームの位置を補正することにより、ボンディン
グ位置精度を高めたワイヤボンディング方法およびこれ
を用いた半導体装置の製造方法を得ることを目的とする
。
れたもので、グランドボンド時、第1ボンディング点に
も自1tlr 認識を用い、ボンディングする個々のリ
ードフレームの位置を補正することにより、ボンディン
グ位置精度を高めたワイヤボンディング方法およびこれ
を用いた半導体装置の製造方法を得ることを目的とする
。
この発明に係る請求項(1)に記載のワイヤボンディン
グ方法は、第1.第2の各ボンディング点の基準画像と
のズレ量をそれぞれ自動認識し、とのズレ量から各ボン
ディング位置を補正した後、両ボンディング点間のグラ
ンドボンドを行うものである。
グ方法は、第1.第2の各ボンディング点の基準画像と
のズレ量をそれぞれ自動認識し、とのズレ量から各ボン
ディング位置を補正した後、両ボンディング点間のグラ
ンドボンドを行うものである。
また、請求項(2)に記載の半導体装置の製造方法は、
ICチップとリードフレームとのワイヤボンドを行うに
際し、グランドボンドを行う場合に請求項(1)にワイ
ヤボンディング方法を用いるものである。
ICチップとリードフレームとのワイヤボンドを行うに
際し、グランドボンドを行う場合に請求項(1)にワイ
ヤボンディング方法を用いるものである。
この発明の請求項(1)に記載の発明においては、リー
ドフレームが位置ずれしていても、各リードフレームに
ついて自動認識により位置ズレを検出し、リードフレー
ムのボンディング位置が補正される。
ドフレームが位置ずれしていても、各リードフレームに
ついて自動認識により位置ズレを検出し、リードフレー
ムのボンディング位置が補正される。
また、請求項(2)に記載の発明においては、り一ドフ
レームの位置ずれを自動認識により補正してボンディン
グするので、高精度のボンディングが可能となる。
レームの位置ずれを自動認識により補正してボンディン
グするので、高精度のボンディングが可能となる。
第1図はこの発明の一実施例を示す図で、ボンディング
状態を示す半導体装置の上面図である。
状態を示す半導体装置の上面図である。
第1図において、1〜7は第3図、第4図で説明したも
のと同じものであり、8はグランドボンド時、前記リー
ドフレーム1がずれた状態を自動認識し、リードフレー
ム1とリードフレーム1間をボンディングしたワイヤで
ある。ここで、8aは認識補正後の第1ボンディング点
であり、8bは認識補正後の第2ボンディング点である
。
のと同じものであり、8はグランドボンド時、前記リー
ドフレーム1がずれた状態を自動認識し、リードフレー
ム1とリードフレーム1間をボンディングしたワイヤで
ある。ここで、8aは認識補正後の第1ボンディング点
であり、8bは認識補正後の第2ボンディング点である
。
第2図は、第1図のワイヤ8の第1ボンディング点8a
を拡大した図であり、1aはティーチング時のリードフ
レームであり、1は任意の位置ズレ・をしているリード
フレームを示す。9aはティーチング時のリードフレー
ム1aでティーチングした第1ボンディング点で、10
aは認識補正後の第1ボンディング点を示す。
を拡大した図であり、1aはティーチング時のリードフ
レームであり、1は任意の位置ズレ・をしているリード
フレームを示す。9aはティーチング時のリードフレー
ム1aでティーチングした第1ボンディング点で、10
aは認識補正後の第1ボンディング点を示す。
グランドボンドに指定された第1ボンディング点9aの
位置を、ティーチング時のリードフレーム1aにより決
定する。これにより、ITVカメラ3で自動認識して基
準画像とのズレ量ΔYを得る。そのズレ量ΔYにより基
準ボンデイン、グ点である第1ボンディング点9aを補
正して認識補正後の第1ボンディング点10aを算出す
ることができる。つまり、第2図の第1ボンディング点
10aは、第1図の第1ボンディング点8aに相当する
もので、第2ボンディング点8bも第1ボンディング点
8aの位置補正方法と同様にして算出することができる
。
位置を、ティーチング時のリードフレーム1aにより決
定する。これにより、ITVカメラ3で自動認識して基
準画像とのズレ量ΔYを得る。そのズレ量ΔYにより基
準ボンデイン、グ点である第1ボンディング点9aを補
正して認識補正後の第1ボンディング点10aを算出す
ることができる。つまり、第2図の第1ボンディング点
10aは、第1図の第1ボンディング点8aに相当する
もので、第2ボンディング点8bも第1ボンディング点
8aの位置補正方法と同様にして算出することができる
。
このような位置補正方法で、第1.第2ボンディング点
8aと8bを算出することにより、ワイヤ8によるボン
ディングを行うことが可能である。
8aと8bを算出することにより、ワイヤ8によるボン
ディングを行うことが可能である。
以上説明したように、請求項(1)に記載の発明は、第
1.第2の各ボンディング点の基準画像とのズレ量をそ
れぞれ自動認識し、とのズレ量から各ボンディング位置
を補正した後、両ボンディング点間のグランドボンドを
行うので、位置ズレしたリードフレームに対し、高精度
に位置補正ができる。
1.第2の各ボンディング点の基準画像とのズレ量をそ
れぞれ自動認識し、とのズレ量から各ボンディング位置
を補正した後、両ボンディング点間のグランドボンドを
行うので、位置ズレしたリードフレームに対し、高精度
に位置補正ができる。
また、請求項(2)に記載の発明は、位置ズレしたリー
ドフレームのボンディング位置を高精度に位置補正した
後、ワイヤボンディングを行うので、高品質の半導体装
置が得られる。
ドフレームのボンディング位置を高精度に位置補正した
後、ワイヤボンディングを行うので、高品質の半導体装
置が得られる。
第1図はこの発明の一実施例を示すワイヤボンディング
状態のリードフレームの上面図、第2図は第1図の部分
拡大図、第3図は従来のワイヤボンディング装置を示す
ブロック図、第4図は従来のワイヤボンディング状態を
示す・リードフレームの上面図である。 図において、1はリードフレーム、2はICチップ、7
はワイヤ、7mは第1ボ、ンディング点、7bは第2ボ
ンディング点、8はワイヤ、8aは第1ボンディング点
、8bは第2ボンディング点、9aはティーチングした
第1ボンディング点、10aは認識補正後の第1ボンデ
ィング点である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
状態のリードフレームの上面図、第2図は第1図の部分
拡大図、第3図は従来のワイヤボンディング装置を示す
ブロック図、第4図は従来のワイヤボンディング状態を
示す・リードフレームの上面図である。 図において、1はリードフレーム、2はICチップ、7
はワイヤ、7mは第1ボ、ンディング点、7bは第2ボ
ンディング点、8はワイヤ、8aは第1ボンディング点
、8bは第2ボンディング点、9aはティーチングした
第1ボンディング点、10aは認識補正後の第1ボンデ
ィング点である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (2)
- (1)リードフレーム上に第1ボンディング点をとり、
他のリードフレーム上に第2ボンディング点をとり、前
記両リードフレーム間をワイヤボンディングするワイヤ
ボンディング方法において、前記第1、第2の各ボンデ
ィング点の基準画像とのズレ量をそれぞれ自動認識し、
このズレ量から前記各ボンディング位置を補正した後、
前記両ボンディング点間のグランドボンドを行うことを
特徴とするワイヤボンディング方法。 - (2)ICチップの電極とリードフレームとをワイヤボ
ンドするに際し、前記リードフレーム上に第1ボンディ
ング点をとり、他のリードフレーム上に第2ボンディン
グ点をとり、前記両リードフレーム間をボンディングす
るグランドボンドの場合において、第1、第2の各ボン
ディング点の基準画像とのズレ量をそれぞれ自動認識し
、このズレ量から前記各ボンディング位置を補正した後
、前記両ボンディング点間のグランドボンドを行う工程
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1275413A JPH03136341A (ja) | 1989-10-23 | 1989-10-23 | ワイヤボンディング方法およびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1275413A JPH03136341A (ja) | 1989-10-23 | 1989-10-23 | ワイヤボンディング方法およびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03136341A true JPH03136341A (ja) | 1991-06-11 |
Family
ID=17555157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1275413A Pending JPH03136341A (ja) | 1989-10-23 | 1989-10-23 | ワイヤボンディング方法およびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03136341A (ja) |
-
1989
- 1989-10-23 JP JP1275413A patent/JPH03136341A/ja active Pending
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