JPH03139650A - 微細パターン形成材料及びパターン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は　半導体素子や集積回路を電子ビームを用いて
パターン形成して製作する際に使用する微細パターン形
成材料ならびに同材料を用いた微細パターン形成方法に
関するものである。

従来の技術 従ｉ　　ＩＣ及びＬＳＩ等の製造において（よ　紫外線
を用いたホトリソグラフィーによって〕（ターン形成を
行なっている。素子の微細化に伴な（＼ステッパーレン
ズの高ＮＡ４Ｌ　　短波長光源の使用等がすすめられて
いるカミ　それによって焦点深度が浅くなるという欠点
がある。ま？ＱＬＳＩ素子のパターン寸法の微細（ｔ、
ＡｓＩｃの製造等にともな（入　電子ビームリソグラフ
ィーが用いられるようになってきている。この電子ビー
ムリソグラフィーによる微細パターン形成にはポジ型電
子線レジストは欠くことのできないものである。その中
でポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）は最も解像性
の良いものとして知られているカミ　低感度であること
が欠点である。それ故、近年ポジ型電子線レジストの感
度を高める多くの報告が行なわれており、例えばポリメ
タクリル酸ブチル、メタクリル酸メチルとメタクリ酸と
の共重合体　メタクリル酸とアクリロニトリルとの共重
合体　メタクリル酸メチルとイソブチレンとの共重合体
ポリブテン−１−スルホン、ポリイソプロペニルケトン
、含フツ素ポリメタクリレート等のポジ型電子線レジス
トが発表されている。これらのレジストはいづれ耘　側
鎖に電子吸引性基を導火　または主鎖に分解しやすい結
合を導入することによって、電子ビームによる主鎖切断
が容易におこるようにしたレジストであり、高感度化を
ねらったものであるが、解像度と感度の両方を十分に満
たしたものであるとはいえなｔ、Ｘｏ　　また　耐ドラ
イエツチ性、耐熱性も十分良好なものであるとはいえな
いた八　ドライエツチング用のマスクとしては使用しに
くく、その利用は限られている。環化ゴムをベースとし
たネガ型電子線レジスト（よ　基板との密着性が悪く、
基板表面上に均一に高品質のピンポールのない塗膜を得
ることが困難であべ熱安定性（解像度が良くないという
欠点がある。

それ故、従来からネガ型電子線レジストのさまざまな改
良がなされている。例えば　ポリグリシジルメタクリレ
ート、　クロロメチル化ポリスチレン。

クロロメチル化α−メチルポリスチレン、ポリメタクリ
レートマレイン酸エステル　塩素化ポリスチレン、　グ
リシジルメタクリレートとエチルアクリレートとの共重
合体等のネガ型電子線レジストが発表されている。これ
らのレジストはいづれ耘電子に反応しやすいエポキシ基
東　塩素原子を導入することによって、電子ビームによ
りリラジャルが容易に発生し　架橋反応がおこるように
したレジストであり、高感度化をねらったものである戟
　解像度、耐熱性ともにまだ十分であるとはいえない。

このような環化ゴムやポリイソプレンをベースとしたゴ
ム状熱可塑性ポリマーを使用したネガ型レジストを現像
するには　有機溶媒を必要とし　現像時に描画されたレ
ジストが有機溶媒現像液中で膨潤してしまうことがある
。従って、パターンの分解能は低下し　場合によっては
パターンがゆがへ　使用できなくなってしまう。さら凶
有機溶媒現像液は環境上　健康上有害でありさらに引火
性の点でも望ましくな（ｔ　電子ビームリソグラフィー
において（よ　電子ビームレジストの耐ドライエツチ法
　耐熱性の悪さ、電子の前方散乱後方散乱のための近接
効果によるパターン精度への影像　また　入射電子のチ
ャージ・アップによるパターン描画への影響等の欠点が
ある。これらの欠点をおぎなうために　レジストの働き
を感光層と平坦化層とに分けた多層レジスト法は非常に
有効な方法である。第３図は電子ビームリソグラフィー
における各層レジストプロセスを説明する図である。近
接効果をおさえるために下層膜３１として、高分子有機
膜を２〜３μｍ厚塗布し　熱処理を行う（第３図（ａ）
）。さらに　この上に中間層３２として５ｉｏａ等の無
機風　あるいはＳＯＧ　（スピンオングラス）等の無機
高分子膜を０．２μｍ厚塗布し　上層レジスト３３とし
て電子線レジストを０．５μｍ厚塗布する。この上に　
チャージ・ア・ツブを防止するためにアルミ薄膜３４を
約１００人蒸着する（第３図（ｂ））。電子ビーム描画
後、アルカリ水溶液でアルミ薄膜を除去し　その後現像
し　レジスト層（ターン３３Ｐを得る（第３図（Ｃ））
。次にこのレジストパターンをマスクとして、゛中間層
のドライエ・ソヂングを行い、　さらに　この中間層を
マスクとして下層のドライエツチングを行う（第３図（
ｄ））。

以上のような多層レジストプロセスを用０ることにより
、微細なパターンを高アスペクト比で形成することがで
きる。しかし　アルミ薄膜を蒸着する多層レジストプロ
セスで（よ　工程がより複雑となり、また　コンタミネ
ーションの課題　）くターン転写時の寸法シフトが大き
くなる等の問題が、あり、実用的であるとはいえな（〜 発明が解決しようとする課題 上記のように　アルミ薄膜つきの多層レジストプロセス
は有効な方法であるカミ　複雑な工轍　アルミのコンタ
ミネーション、パターン転写時のレジスト寸法の変動等
の問題点がある。また　アルミ薄膜をとりのぞいた多層
レジストプロセスではチャージ・アップの課題がある。

チャージ・アップとは入射電子が絶縁体であるレジスト
、中間層または下層にたまる現象である。このチャージ
・アップ効果により、電子ビームリソグラフィーにおい
てζ主　つなぎ合わせ精度、重ね合わせ精度の劣化振　
大きな問題点が生じる。また　単層レジストでもこのチ
ャージ・アップ現象は見られ　三層レジストと同様　つ
なぎ合わせ精度　重ね合わせ精度の劣化をまねく。すな
わ板　電子ビームリソグラフィーにおいて、入射した電
子はレジスト中を散乱するカミ　レジスト表面から１〜
１．５μｍの深さのところで止まってしま（＼　その領
域でチャージがたまってしまう。この蓄積されたチャー
ジにより電子ビームが曲げられ　つなぎ合わせ精友重ね
合わせ精度の劣化をひきおこすと考えられる。

電子ビーム描画の場合、近接効果によるパターン精度へ
の影響が大きいた取　厚い下層膜を塗布する必要がある
。そこで、下層膜のマスクと、レジスト層との働きを同
時にもったシリコン含有レジスト、無機レジスト等が開
発されている。主鎖にシロキザン結合を有した惧　ラダ
ー型ポリシロキザン、カルコゲナイドガラス型無機レジ
スト等があるカミ　まだ十分に耐ドライエツチ性を向上
させることができＪｌ　　まｔ−感度も解像度も悪く、
実用にはほど遠いものである。これらのレジスト（よ現
像液として有機溶媒を用いるので、　レジストの感度変
肱　寸法変動も大きく、プロセス余裕度も少なく、また
　環境汚染等の課題もある。このような二層レジストプ
ロセスで耘　三層レジストと同様にチャージ・アップ現
象はおこるた八　レジスト上にアルミ薄膜を蒸着してチ
ャージ・アップを防止している。また　アルミ薄膜を珀
いたレジストプロセスでは　アルミ薄膜を除去する時へ
アルカリ水溶液を使用するた八　有機アルカリ水溶液を
現像液とするノボラック型レジストは使用できないとい
う問題点もある。本発明者ら（戴　これらの現象を解決
するためＫ　高感度導電性電子線レジスト、また　それ
らを用いた微細パターン形成方法を完成し九 課題を解決するための手段 本発明の微細パターン形成材料（よ　酸分解性樹脂と、
電子ビームを照射した際に酸を発生することができるフ
ォト酸発生剤と、主鎖または側鎖にシリコン原子を含ん
だシリコン樹脂とからなるものである。そして、望まし
くはシリコン樹脂として、導電性ポリシラン重合体力＼
　またζよ　導電性ポリシリコーン重合体を提供する。

また　本発明（よ　半導体基板上に　高分子有機膜を塗
布し熱処理する工程と、上記高分子有機膜上に、　　酸
分解性樹脂と電子ビームを照射することによって酸を発
生するフォト酸発生剤とシリコン樹脂とからなる感光性
溶液を塗布し熱処理する工程と、パターン描画後、熱処
理を行い発生した酸と酸分解性樹脂とを反応させ、塩基
性水溶液で現像を行い、　レジストパターンを形成する
工程と、このレジストパターンをマスクとして、高分子
有機膜をエラチン９− ０− グする工程とを備えて成る方法を提供する。さらにまた
本発明Ｃよ　酸反応性モノマーと、電子ビームを照射し
た際に膜を発生することができるフォト酸発生剤と、主
鎖または側鎖にシリコン原子を含んだシリコン樹脂とか
ら成る微細パターン形成材料を提供する。そしてまた本
発明（よ　半導体基板上に　高分子有機膜を塗布Ｌ　熱
処理する工程と、上記高分子有機膜上置　酸反応性モノ
マーと電子ビームを照射することによって酸を発生する
フォト酸発生剤とシリコン樹脂とからなる感光性溶液を
塗布し熱処理する工程と、パターン描画後熱処理を行も
＼　発生した酸と酸反応性モノマーとを反応させ、塩基
性水溶液で現像を行い、　レジストパターンを形成する
工程と、このレジストパターンをマスクとして高分子有
機膜をエツチングする工程とを備えて成る方法を提供す
るものである。

作用 本発明（友　前記した導電性シリコン含有電子線レジス
ト、及び、それらを用いたレジストプロセスにより、容
易にチャージ・アップによるパター１ ンひずみのない正確な微細パターンを形成することがで
きる。特にアルミ薄膜を蒸着する必要がなく、コンタミ
ネーションの問題もなく、まな　レジストプロセス工程
を簡略化することがでと、パターン転写における寸法シ
フトもなく、高感度にアルカリ水溶液を現像液として用
いることがでと、描画電子によるチャージ・アップを防
止して、正確な微細レジストパターンを形成することが
できる。従って、本発明を用いることによって、正確な
高解像度な微細パターン形成に有効に作用する。

実施例 まず、本発明の概要を述べる。本発明（よ　電子ビーム
を照射した際に酸を発生することができるフォト酸発生
剤と、この酸により分解するポリマーと、シリコン樹脂
とから成る三成分系物質をレジストとして用いることに
よって上記のような問題点を解消しようというものであ
る。電子ビームを照射した際に酸を発生することができ
るフォト酸発生剤として（戴　ハロゲン化有機化合惧　
オニウム塩等がある。ハロゲン化有機化合物としては２ 例、［，１，１−ビス〔ｐ−クロロフェニル〕−２、２
，２−）リクロロエタン、１，１−ビス〔ｐ−メトキシ
フェニル）−２，２，２−）リクロロエタン、１，１−
ビスＣｐ−クロロフェニルツー２，２−ジクロロエタン
、２−クロロ−６−（トリクロロメチル）ピリジン等が
挙げられる。また、オニウム塩としては、 主鎖または側鎖に、Ｃ−０−Ｃ結合を持ったものがよい
。例えば、 等が挙げられる。これらの化合物は、酸の存在下で以下
のような反応が進行して、アルカリ可溶性の物質に転移
する。

等が挙げられる。これらの化合物は電子ビームが照射す
ることによって、強酸であるルイス酸を発生する。この
酸により分解するポリマーとしては、さらに、ここで用
いられるマトリックスポリマーとしてのシリコン樹脂は
、アルカリ可溶性の物質でなければならない。例えば、 Ｉ−１ のような化合物はアルカリ可溶性である。電子ビーム描
画を行うことによって、酸発生剤からルイス酸が発生し
、この酸によって、Ｃ−０−Ｃ結合をもったポリマーは
分解され、アルカリ可溶性となる。シリコン樹脂はもと
もとアルカリ可溶性であるので、描画された領域は、ア
ルカリ現像液に溶解し、描画されない領域は、酸分解性
ポリマーが溶解抑制剤として作用するので、アルカリ水
溶＝１５− 液に対して溶解しにくくなり、ポジ型のパターンを形成
する。さらに、これらシリコン樹脂は表面抵抗が低く、
導電性ポリマーであるので、描画時のチャージ・アップ
を防止することができる。これらのシリコン含有物質を
二層レジストの上層レジストとして使用することによっ
て、多層レジストを容易に形成でと、耐ドライエツチ性
が十分高く、化学増感の手法により感度も十分高く、ま
た、導電性があるので、チャージ拳アップがおこらず、
現像液として有機アルカリ水溶液を使用することができ
るので、環境上、人体上にもよく、容易に正確なポジ型
微細レジストパターンを形成することができる。また、
電子ビームを照射した際に酸を発生するフォト酸発生剤
と、この酸により反応するモノマーと、シリコン樹脂と
から成る三成分系物質をレジストとして用いることによ
っても同様に上記のような課題を解消することができる
。

フォト酸発生剤としては前述と同様、ハロゲン化有機化
合物、オニウム塩等があげられる。この酸によって反応
するモノマーとしてはメラミン、メロ チロールメラミンがある。メチロールメラミンは下のよ
うな化学式をしており、酸により一〇Ｈ基がとれる。

これらの化合物は、マトリックスポリマーであるシリコ
ン樹脂と架橋反応をおこす。

ｎ目 上記のような反応が進行してシリコン樹脂の三次元架橋
反応が進む。電子ビーム描画を行うことによって、酸発
生剤からルイス酸が発生し、この酸によってメラミン等
のモノマーはシリコン樹脂と反応して架橋構造を形成す
る。シリコン樹脂はもともとアルカリ可溶性であるので
、描画されない領域は、アルカリ現像液に溶解し、描画
された領域は、架橋されているのでアルカリ水溶液に対
して溶解しにくくなり、ネガ型のパターンを形成する。

さらに、これらシリコン樹脂は表面抵抗が低く、導電性
ポリマーであるので、描画時のチャージ・アップを防止
することができる。これらのシリコン含有物質を二層レ
ジストの上層レジストとして使用することによって、多
層レジストを容易に形成することがでと、耐ドライエツ
チ性が十分高く、化学増感の手法により感度も十分高く
、また、導電性があるので、チャージ・アップがおこら
ず、現像液として有機アルカリ水溶液を使用することが
できるので、環境上、人体上にもよく、容易に正確にネ
ガ型微細レジストパターンを形成することができる。

（実施例１） １．０ｇの１，１−ビス〔ｐ−クロロフェニル〕−２，
２，２−）リクロロエタンからなるフォト酸発生剤と、
ｔｏ、ｏｇのポリメタクリル酸のカルボン酸エステルと
１５ｇのポリ（ｐ−ヒドロキシフェニルシロキサン）と
をエチルセロソルブアセテート溶液に溶解し、混合物を
製造した。この混合物を２５℃で５分間ゆるやかにかく
はんし、不溶物をろ別し、均一な溶液にした。この溶液
を半導体基板上に滴下し、２０００ｐｐｍで２分間スピ
ンコードを行った。このウェハは９０℃、２０分間のベ
ーキングを行い、１．０μｍ厚のレジスト膜を得ること
ができた。

次に、加速電圧３０ｋＶ、ドーズ量ｌＯμｃ　／　０ｍ
２で電子線描画を行った後、■０℃、　２０分間のベー
キングを行い、発生した酸による、ポリメタクリル酸の
カルボン酸エステルの脱エステル化反応を促進させた。

このウェハを有機アルカリ水溶液で６分間現像を行った
所、正確で微細なポジ型レジストパターンが得られた。

１９− （実施例２） 実施例１と同様にして、１．Ｏｇの１，１−ビス〔ｐ−
メトキシフェニル）−２，２，２−）リクロロエタンか
らなるフォト酸発生剤と、ＩＯ，Ｏｇのポリ（ｐ−ビニ
ル安息香酸エステル）と１５ｇのポリ（ｐ−ヒドロキシ
フェニルシラン）とをセロソルブアセテート溶液に溶解
し、混合物を製造した。

この混合物を２５°Ｃで５分間ゆるやかにかくはんし、
不溶物をろ別し、均一な溶液とした。この溶液を半導体
基板上に滴下し、２００Ｏｒｐｍで２分間スピンコード
を行った。このウェハを９０℃、　２０分間のベーキン
グを行い、１．０μｍ厚のレジスト膜を得ることができ
た。次に、加速電圧３０ｋＶ、　ドーズ量１０μＣ／ｃ
ｍ’で電子線描画を行った後、１００”Ｃ，２０分間の
ベーキングを行い、発生した酸による、ポリ（ｐ−ビニ
ル安息香酸エステル）の脱エステル化反応を促進させた
。このウェハを有機アルカリ水溶液で６分間現像を行っ
た所、正確で微細なポジ型レジストパターンが得られた
。

２０− （実施例３） 本発明の第３の実施例を第１図に示す。半導体基板ｌｌ
上に下層膜１２として高分子有機膜を２μｍ厚塗布し２
２０℃、２０分間ベーキングを行った（第１図（ａ））
。この上に実施例１で得られた物質を上層電子線レジス
ト１３として０．５μｍ厚塗布し、９０°Ｃ２２０分間
のベーキングを行った（第１図（ｂ））。次に、加速電
圧２０ｋＶ　、　ドーズ量１０　Ｉｔ　ｃ　／　０ｍ２
で電子線描画を行い、１２０℃、２０分間のベーキング
を行い、発生した酸による脱エステル化反応を促進させ
た。

このウェハを有機アルカリ水溶液で６分間現像を行った
所、正確で微細なポジ型レジストパターン１３ｐを得る
ことができた（第１図（Ｃ））。このレジストパターン
をマス、りとして下層膜１２のエツチングを行い、正確
で垂直な微細レジストパターンを得ることができた（第
１図（ｄ））。以上のように、本実施例によれば、二層
レジストの上層レジストとして、高感度シリコン含有レ
ジストを用いることによって高精度に微細なポジ型レジ
ストパターンを形成することができる。

（実施例４） １．０ｇの１，１−ビス〔ｐ−クロロフェニル〕−２，
２，２−）リクロロエタンからなるフォト酸発生剤と、
２．０ｇのメチレート化メラミンと１５ｇのボＩＪ（ｐ
−ヒドロキシフェニルシロキサン）トラエチルセロソル
ブアセテート溶液に溶解し、混合物を製造した。この混
合物を２５℃で５分間ゆるやかにかくはんし、不溶物を
ろ別し、均一な溶液にした。この溶液を半導体基板上に
滴下し、２００Ｏｒｐｍで２分間スピンコードを行った
。このウェハを９０℃、２０分間のベーキングを行い、
１．０μｍ厚のレジスト膜を得ることができた。次に、
加速電圧３０ｋＶ、ドーズ量ｌＯμｃ／Ｃｍ２で電子線
描画を行った後、１１０℃、２０分間のベーキングを行
い、発生した酸によるメラミンとポリシロキサンとの架
橋反応を促進させた。このウェハを有機アルカリ水溶液
で６分間現像を行った所、正確で微細なネガ型レジスト
パターンを得ることができた。

（実施例５） 実施例４と同様にして、１．Ｏｇの１，１−ビス〔ｐ−
メトキシフェニル）　−２，２，２−トリクロロエタン
からなるフォト酸発生剤と２．０ｇのメチレート化メラ
ミンと１５ｇのポリ（ｐ−ヒドロキシフェニルシラン）
とをセロソルブアセテート溶液に溶解し、混合物を製造
した。この混合物を２５℃で５分間ゆるやかにかくはん
し、不溶物をろ別し、均一な溶液にした。この溶液を半
導体基板上に滴下し、２０００ｐｐｍで２分間スピンコ
ードを行った。このウェハを９０℃、２０分間のベーキ
ングを行い、１゜０μｍ厚のレジスト膜を得ることがで
きた。次に、加速電圧３０ｋＶ、ドーズ量ｌＯμＣ／ｃ
ｍ２で電子線描画を行った後、１１０℃、２０分間のベ
ーキングを行い、発生した酸による、メラミンとポリシ
ランとの架橋反応を促進させた。このウェハを有機アル
カリ水溶液で６分間現像を行った所、正確で微細なネガ
型レジストパターンを得ることができた。

（実施例６） 本発明の第６の実施例を第２図に示す。半導体基板１１
上に下層膜２１として高分子有機膜を２μｍ厚塗布し２
２０℃、２０分間ベーキングを行った（第２＝２３− 図（ａ））。この上に実施例４で得られた物質を上層電
子線レジスト２２として０．５μｍ厚塗布し、９０℃。

２０分間のベーキングを行った（第２図（ｂ））。次に
、加速電圧２０ｋＶ、　ドーズ量ｌＯμｃ　／　ｃｍｉ
！で、電子線描画を行い、１２０℃、２０分間のベーキ
ングを行い、発生した酸による架橋反応を促進させた。

このウェハを有機アルカリ水溶液で６分間現像を行った
所、正確で微細なネガ型レジストパターン２２１）を得
ることができた（第２図（Ｃ））。このレジストパター
ンをマスクとして下層膜２Ｉのエツチングを行い、正確
で垂直な微細レジストパターンを得ることができた（第
２図（ｄ））。以上のように、本実施例によれば、二層
レジストの上層レジストとして高感度シリコン含有レジ
ストを用いることによって、高精度に微細なネガ型レジ
ストパターンを形成することができる。

発明の詳細 な説明したように、本発明によれば、酸発生剤と酸分解
性ポリマーと、ポリシロキサン又はポリシランとを混合
して電子線レジストとして使用４ することによって、高感度で高解像度、耐ドライエツチ
性の高いポジ型レジストパターンを、有機アルカリ水溶
液を現像液として用いることによって形成することがで
きる。さらに、このレジストは導電性があるので、二層
レジストの上層レジストとして使用することにより、チ
ャージ・アップによるパターンひずみのない、高精度で
垂直な微細レジストパターンを容易に形成することがで
きる。また、酸発生剤と熱反応性モノマーとポリシロキ
サン又はポリシランとを混合して、電子線レジストとし
て使用することによって、高感度で高解像度、耐ドライ
エツチ性の高いネガ型レジストパターンを、有機アルカ
リ水溶液を現像液として用いることによって、形成する
ことができる。さらに、このレジストは導電性があるの
で、二層レジストの上層レジストとして使用することに
よって、チャージ・アップによるパターンひずみのない
、高精度で垂直な微細レジストパターンを容易に形成す
ることがでと、超高密度集積回路の製造に大きく寄与す
ることができる。

第２図は開催の実施例の工程断面図、第３図は従来の多
層レジストプロセスの工程断面図である。

１１・・・・半導体基板、＋２・・・・下層膜、１３・
・・・上層レジスト、１４・・・・電子ビーム。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）酸分解性樹脂と、電子ビームを照射した際に酸を
   発生することができるフォト酸発生剤と、主鎖または側
   鎖にシリコン原子を含んだシリコン樹脂とから成ること
   を特徴とする微細パターン形成材料。
2. （２）シリコン樹脂が、導電性ポリシラン重合体かまた
   は、導電性ポリシリコーン重合体であることを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項記載の微細パターン形成材料。
3. （３）半導体基板上に、高分子有機膜を塗布し熱処理す
   る工程と、上記高分子有機膜上に、配分解性樹脂と電子
   ビームを照射することによって酸を発生するフォト酸発
   生剤とシリコン樹脂とからなる感光性溶液を塗布し熱処
   理する工程と、パターン描画後、熱処理を行い発生した
   酸と酸分解性樹脂とを反応させ、塩基性水溶液で現像を
   行い、レジストパターンを形成する工程と、このレジス
   トパターンをマスクとして、高分子有機膜をエッチング
   する工程とを備えて成ることを特徴とする微細パターン
   形成方法
4. （４）酸反応性モノマーと、電子ビームを照射した際に
   酸を発生することができるフォト酸発生剤と、主鎖また
   は側鎖にシリコン原子を含んだシリコン樹脂とから成る
   ことを特徴とする微細パターン形成材料。
5. （５）シリコン樹脂が、導電性ポリシラン重合体かまた
   は、導電性ポリシリコーン重合体であることを特徴とす
   る特許請求の範囲第４項記載の微細パターン形成材料。
6. （６）半導体基板上に、高分子有機膜を塗布し熱処理す
   る工程と、上記高分子有機膜上に　酸反応性モノマーと
   電子ビームを照射することによって酸を発生するフォト
   酸発生剤とシリコン樹脂とからなる感光性溶液を塗布し
   熱処理する工程と、パターン描画後熱処理を行い、発生
   した酸と酸反応性モノマーとを反応させ、塩基性水溶液
   で現像を行い、レジストパターンを形成する工程と、こ
   のレジストパターンをマスクとして高分子有機膜をエッ
   チングする工程とを備えて成ることを特徴とする微細パ
   ターン形成方法