JPH03141190A - 液相エピタキシャル結晶育成用るつぼ - Google Patents
液相エピタキシャル結晶育成用るつぼInfo
- Publication number
- JPH03141190A JPH03141190A JP28009489A JP28009489A JPH03141190A JP H03141190 A JPH03141190 A JP H03141190A JP 28009489 A JP28009489 A JP 28009489A JP 28009489 A JP28009489 A JP 28009489A JP H03141190 A JPH03141190 A JP H03141190A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- liquid phase
- phase epitaxial
- crystal
- film
- Prior art date
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- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ０発明の目的
〔産業上の利用分野〕
本発明は、液相エピタキシャル法（以下ＬＰＥ法と称す
）により、結晶膜育成を行う場合に用いる液相エピタキ
シャル結晶育成用るつぼに関する。
）により、結晶膜育成を行う場合に用いる液相エピタキ
シャル結晶育成用るつぼに関する。
従来、ＬＰＥ法による結晶膜育成に用いるるつぼ材とし
ては、アルミナ（Ａ１２０３）、白金（Ｐｔ）、イリジ
ュウム（Ｉｒ）等といったものがその代表であったが、
ＬＰＥ法により１例えばガーネット結晶膜を育成する場
合、るつぼの構成元素が高温のガーネット材溶融液中に
混入して溶融液を汚染し、結晶膜の質を低下させるため
、酸化物であるＡｌ２Ｏ３といったものは使用できない
。またＩｒといったものは酸化物を作るので、酸素雰囲
気中では使用できない。そのような理由で、ＬＰＥ法に
よる結晶育成の場合には、専ら高温でも安定なｐｔを材
料としたるつぼが使用されてきた。しかし、仮に直径８
５ｍｍφ、高さ１０５ｍｍ、厚さ１ｍｍのコツプ状のる
つぼを作製するのに要するｐｔの質量は、５０３．８ｇ
とかなり大量となり、しかもｐｔは高価な上に価格変動
が大きいので、結晶膜育成に要する費用も高価となり、
しかもその都度変動するといった問題点があった。
ては、アルミナ（Ａ１２０３）、白金（Ｐｔ）、イリジ
ュウム（Ｉｒ）等といったものがその代表であったが、
ＬＰＥ法により１例えばガーネット結晶膜を育成する場
合、るつぼの構成元素が高温のガーネット材溶融液中に
混入して溶融液を汚染し、結晶膜の質を低下させるため
、酸化物であるＡｌ２Ｏ３といったものは使用できない
。またＩｒといったものは酸化物を作るので、酸素雰囲
気中では使用できない。そのような理由で、ＬＰＥ法に
よる結晶育成の場合には、専ら高温でも安定なｐｔを材
料としたるつぼが使用されてきた。しかし、仮に直径８
５ｍｍφ、高さ１０５ｍｍ、厚さ１ｍｍのコツプ状のる
つぼを作製するのに要するｐｔの質量は、５０３．８ｇ
とかなり大量となり、しかもｐｔは高価な上に価格変動
が大きいので、結晶膜育成に要する費用も高価となり、
しかもその都度変動するといった問題点があった。
上記のようにｐｔをるつぼ材として使用する場合、るつ
ぼは非常に高価なものとなる。しかし他の材料を使用す
る場合には、高温溶液中に溶は込んだるつぼの構成元素
が結晶の質を低下させる。そのため本発明が解決しよう
とする課題は、ｐｔの使用量をできるだけ抑制し、かつ
溶融液の汚染をｐするつぼと同程度に少なくし、よって
結晶膜育成に要する費用を、大幅に低減し得る液相エピ
タキシャル結晶育成用るつぼを提供しようとするもので
ある。
ぼは非常に高価なものとなる。しかし他の材料を使用す
る場合には、高温溶液中に溶は込んだるつぼの構成元素
が結晶の質を低下させる。そのため本発明が解決しよう
とする課題は、ｐｔの使用量をできるだけ抑制し、かつ
溶融液の汚染をｐするつぼと同程度に少なくし、よって
結晶膜育成に要する費用を、大幅に低減し得る液相エピ
タキシャル結晶育成用るつぼを提供しようとするもので
ある。
口１発明の構成
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、Ｃｒを用いて形成したコツプ状容器の内壁に
、鍍金又は蒸着によりｐｔ膜を被覆せしめたことを特徴
とする液相エピタキシャル結晶育成用るつぼである。
、鍍金又は蒸着によりｐｔ膜を被覆せしめたことを特徴
とする液相エピタキシャル結晶育成用るつぼである。
Ｃｒは、線膨張係数、融点がｐｔのそれらと非常に近く
、しかもＣｒ、 Ｐｔ共にＬＰＥ法に適用する温度１０
００℃以内では構造相転移が起こらない。そのため、通
常の電気炉での昇降温では、Ｃｒ容器の内壁を被覆した
ｐｔ膜は剥がれず、るつぼ内の溶融液はＣｒと接触しな
い。よってるつぼの構成元素の一つであるＣｒによって
溶融液が汚染しない。またＣｒを主体とした容器にｐｔ
膜をコートするので、溶融液の汚染はｐするつぼと同程
度に少ない。一方、ｐｔの使用量はｐするつぼと異なり
かなり押さえられる。
、しかもＣｒ、 Ｐｔ共にＬＰＥ法に適用する温度１０
００℃以内では構造相転移が起こらない。そのため、通
常の電気炉での昇降温では、Ｃｒ容器の内壁を被覆した
ｐｔ膜は剥がれず、るつぼ内の溶融液はＣｒと接触しな
い。よってるつぼの構成元素の一つであるＣｒによって
溶融液が汚染しない。またＣｒを主体とした容器にｐｔ
膜をコートするので、溶融液の汚染はｐするつぼと同程
度に少ない。一方、ｐｔの使用量はｐするつぼと異なり
かなり押さえられる。
このため本発明のるつぼによる結晶膜育成費用が大幅に
低減される。
低減される。
以下に本発明の実施例を図を参照して詳しく説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す液相エピタキシャル結
晶育成用るつぼ（以下るつぼと称す）の縦断面図である
。即ち、コツプ状に形成したＣｒ容器１の内壁に、鍍金
又は蒸着によってｐｔ膜２を被覆せしめたるつぼ３が形
成されている。
晶育成用るつぼ（以下るつぼと称す）の縦断面図である
。即ち、コツプ状に形成したＣｒ容器１の内壁に、鍍金
又は蒸着によってｐｔ膜２を被覆せしめたるつぼ３が形
成されている。
このように形成したるつぼ３では、Ｃｒが線膨張係数１
１×１Ｏ−６（０〜１０００℃の範囲）、融点１８９０
℃であり、ｐｔが線膨張係数１０．２Ｘ１０−６（０〜
１０００℃の範囲）、融点１７７２℃（以上昭和６２年
度理科年表による）と非常に接近した値であり、しかも
Ｃｒ、 Ｐｔ共にＬＰＥ法に適用する温度１０００℃以
内では構造相転移が起こらない。従って通常の電気炉で
の昇降温ではｐｔ膜２は金ＲＣｒ容器１から剥がれるこ
とはなく、るつぼｌ内の結晶育成すべき溶融液はｐｔ膜
２によって直接Ｃｒと接触せず、従って溶融液がＣｒに
汚染されることはない。またｐｔ膜のコートにより溶融
液の汚染はｐするっぽと同程度に少ない。
１×１Ｏ−６（０〜１０００℃の範囲）、融点１８９０
℃であり、ｐｔが線膨張係数１０．２Ｘ１０−６（０〜
１０００℃の範囲）、融点１７７２℃（以上昭和６２年
度理科年表による）と非常に接近した値であり、しかも
Ｃｒ、 Ｐｔ共にＬＰＥ法に適用する温度１０００℃以
内では構造相転移が起こらない。従って通常の電気炉で
の昇降温ではｐｔ膜２は金ＲＣｒ容器１から剥がれるこ
とはなく、るつぼｌ内の結晶育成すべき溶融液はｐｔ膜
２によって直接Ｃｒと接触せず、従って溶融液がＣｒに
汚染されることはない。またｐｔ膜のコートにより溶融
液の汚染はｐするっぽと同程度に少ない。
更に、全体がｐするつぼと異なり、ｐｔの使用量が低減
されてるつぼの費用が節減され、これによって結晶膜育
成費用が大幅に低減される。例えば、るつば止に於て、
直径８５ｍｍφ×高さ１０５ｍｍＸ厚さｉｎｍのコツプ
状のＣｒ容器１を形成し、その内壁に厚さ０．１ｍｍの
Ｐｔ膜２を被覆せしめた場合の原料費は１４万円、同じ
形状のｐするつぼでは、原料費が１１０万円であり、る
つぼの加工費を加えると前者は６０万円、後者は１４０
万円である。従って本発明のるつぼよでは価格が従来の
半分以下となり、大幅に費用が節減される。
されてるつぼの費用が節減され、これによって結晶膜育
成費用が大幅に低減される。例えば、るつば止に於て、
直径８５ｍｍφ×高さ１０５ｍｍＸ厚さｉｎｍのコツプ
状のＣｒ容器１を形成し、その内壁に厚さ０．１ｍｍの
Ｐｔ膜２を被覆せしめた場合の原料費は１４万円、同じ
形状のｐするつぼでは、原料費が１１０万円であり、る
つぼの加工費を加えると前者は６０万円、後者は１４０
万円である。従って本発明のるつぼよでは価格が従来の
半分以下となり、大幅に費用が節減される。
更に溶融液の汚染が微少であることを実証するため、本
発明のるつぼ３と従来のｐするっぽとを用い、結晶膜を
育成し比較を行った。即ちＰｂＯ（酸化鉛） Ｂ２０
３（酸化硼素）−Ｂｉ２０ａ（酸化ビスマス）の混合物
を溶融促進剤として、ガーネット結晶膜を育成し比較し
たところ、両者の結晶膜について密度、光透過率、ファ
ラデー回転角、その他の諸物性に何等変化は見られず、
又欠陥も観察されず、同等の結晶膜が得られ、本発明の
効果が実証された。
発明のるつぼ３と従来のｐするっぽとを用い、結晶膜を
育成し比較を行った。即ちＰｂＯ（酸化鉛） Ｂ２０
３（酸化硼素）−Ｂｉ２０ａ（酸化ビスマス）の混合物
を溶融促進剤として、ガーネット結晶膜を育成し比較し
たところ、両者の結晶膜について密度、光透過率、ファ
ラデー回転角、その他の諸物性に何等変化は見られず、
又欠陥も観察されず、同等の結晶膜が得られ、本発明の
効果が実証された。
ハ１発明の効果
〔発明の効果〕
以上に詳述した如く本発明によれば、ＬＰＥ法による結
晶膜の育成に用いるるつぼの費用が大きく節減され、よ
って結晶膜の育成に要する費用が大幅に節減され、更に
は結晶膜の価格を大きく低減し得る液相エピタキシャル
結晶育成用るつぼを提供することが出来る。
晶膜の育成に用いるるつぼの費用が大きく節減され、よ
って結晶膜の育成に要する費用が大幅に節減され、更に
は結晶膜の価格を大きく低減し得る液相エピタキシャル
結晶育成用るつぼを提供することが出来る。
第１図は本発明の一実施例を示す液相エピタキシャル結
晶膜育成用るつぼの縦断面図である。 １・・・Ｃ「容器、２・・・Ｐｔ膜、３・・・るつぼ。
晶膜育成用るつぼの縦断面図である。 １・・・Ｃ「容器、２・・・Ｐｔ膜、３・・・るつぼ。
Claims (1)
- １、クローム（Ｃｒ）を用いて形成したコップ状容器の
内壁に、鍍金又は蒸着により白金（Ｐｔ）膜を被覆せし
めたことを特徴とする液相エピタキシャル結晶育成用る
つぼ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28009489A JPH03141190A (ja) | 1989-10-26 | 1989-10-26 | 液相エピタキシャル結晶育成用るつぼ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28009489A JPH03141190A (ja) | 1989-10-26 | 1989-10-26 | 液相エピタキシャル結晶育成用るつぼ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03141190A true JPH03141190A (ja) | 1991-06-17 |
Family
ID=17620237
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28009489A Pending JPH03141190A (ja) | 1989-10-26 | 1989-10-26 | 液相エピタキシャル結晶育成用るつぼ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03141190A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103938266A (zh) * | 2013-01-18 | 2014-07-23 | 广东先导稀材股份有限公司 | 复合坩埚及其制备方法以及采用其生长锗酸铋晶体的方法 |
-
1989
- 1989-10-26 JP JP28009489A patent/JPH03141190A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103938266A (zh) * | 2013-01-18 | 2014-07-23 | 广东先导稀材股份有限公司 | 复合坩埚及其制备方法以及采用其生长锗酸铋晶体的方法 |
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