JPH03146487A - 金属化層を有する窒化アルミニウム焼結体の製造方法 - Google Patents
金属化層を有する窒化アルミニウム焼結体の製造方法Info
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- JPH03146487A JPH03146487A JP1279652A JP27965289A JPH03146487A JP H03146487 A JPH03146487 A JP H03146487A JP 1279652 A JP1279652 A JP 1279652A JP 27965289 A JP27965289 A JP 27965289A JP H03146487 A JPH03146487 A JP H03146487A
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- Japan
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- sintered body
- ain
- powder
- metallized
- metallized layer
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/51—Metallising, e.g. infiltration of sintered ceramic preforms with molten metal
- C04B41/5133—Metallising, e.g. infiltration of sintered ceramic preforms with molten metal with a composition mainly composed of one or more of the refractory metals
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Structural Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、IC絶縁基板をはじめ多くの分野で注目され
ている窒化アルミニウム焼結体特に金属化層を有する窒
化アルミニウム焼結体の製造方法に関する。
ている窒化アルミニウム焼結体特に金属化層を有する窒
化アルミニウム焼結体の製造方法に関する。
[従来の技術]
窒化アルミニウム(AIN)焼結体は、熱伝導性、電気
絶縁性に優れ、機械的強度も優れていることから、IC
絶縁基板をはじめ、多くの分野で注目されている。しか
し、AIN焼結体は金属との濡れ性が悪く、十分な密着
強度を持つ金属化層を得ることが課題となっている。
絶縁性に優れ、機械的強度も優れていることから、IC
絶縁基板をはじめ、多くの分野で注目されている。しか
し、AIN焼結体は金属との濡れ性が悪く、十分な密着
強度を持つ金属化層を得ることが課題となっている。
その金属化層を形成せ−しめる方法としては、厚膜焼成
法、D B C(Direct Bond Coppe
r)法、薄膜法等が行われ、その成功例も少なくない。
法、D B C(Direct Bond Coppe
r)法、薄膜法等が行われ、その成功例も少なくない。
その他、AIN焼結体に金属化ペーストを塗布し、非酸
化性雰囲気中にて焼成する同時焼成法についても成功例
があり、数例報告されている。
化性雰囲気中にて焼成する同時焼成法についても成功例
があり、数例報告されている。
その−例として、非酸化物系セラミックス体の金属化用
組成物及び金属化方法(特公昭62−27037号)が
ある。これには、メツキ、ろう付は可能な強固な接着を
得ることができる組成物並びにそれを用いた金属固化方
法について開示されており、AINセラミックス体では
、金属化用組成物として、タングステン(W)、モリブ
テン(M o )のほかに非酸化物系セラミックスの構
成要素物質つまりAINと金属あるいは金属酸化物を含
有せしめてなる金属化用組成物並びにAIN未焼結成形
体にそのペーストを塗布して、非酸化性雰囲気中にて焼
成する同時焼成法について説明されている。
組成物及び金属化方法(特公昭62−27037号)が
ある。これには、メツキ、ろう付は可能な強固な接着を
得ることができる組成物並びにそれを用いた金属固化方
法について開示されており、AINセラミックス体では
、金属化用組成物として、タングステン(W)、モリブ
テン(M o )のほかに非酸化物系セラミックスの構
成要素物質つまりAINと金属あるいは金属酸化物を含
有せしめてなる金属化用組成物並びにAIN未焼結成形
体にそのペーストを塗布して、非酸化性雰囲気中にて焼
成する同時焼成法について説明されている。
この他にも若干例の報告があるが、気密性に劣る等、十
分満足される性能は得られていない。
分満足される性能は得られていない。
他方、酸化アルミニウムCA1zOz)m18体の金属
化方法としては、Wもしくはモリブデン−マンガン(M
o −M n )の金属化ペーストを塗布し、加湿水
素もしくは加湿フォーミングガス雰囲気中において13
00〜1750℃の温度で焼成するテレフンケン法が広
く一般に知られている。この方法の特徴は、加湿雰囲気
中においてAl2O3焼結体中のガラス相が軟化する温
度まで焼成する点にあり、この焼成によりW及びMoの
表面が酸化されて、W又はMo粒子の焼結を促進するの
みならず、これらの酸化物が焼結体のガラス相に溶は込
んでガラスの流動性を良くし、ガラス相は多孔質の金属
化層中に移動する。更に焼成により生成した酸化物、特
にMnOは金属化層とAl2O3焼結体との界面近傍に
おいてガラス相を形成するため、金属化層とAl2O3
焼結体は機械的に強固に結合する。
化方法としては、Wもしくはモリブデン−マンガン(M
o −M n )の金属化ペーストを塗布し、加湿水
素もしくは加湿フォーミングガス雰囲気中において13
00〜1750℃の温度で焼成するテレフンケン法が広
く一般に知られている。この方法の特徴は、加湿雰囲気
中においてAl2O3焼結体中のガラス相が軟化する温
度まで焼成する点にあり、この焼成によりW及びMoの
表面が酸化されて、W又はMo粒子の焼結を促進するの
みならず、これらの酸化物が焼結体のガラス相に溶は込
んでガラスの流動性を良くし、ガラス相は多孔質の金属
化層中に移動する。更に焼成により生成した酸化物、特
にMnOは金属化層とAl2O3焼結体との界面近傍に
おいてガラス相を形成するため、金属化層とAl2O3
焼結体は機械的に強固に結合する。
[発明が解決しようとする課題]
本発明は上記事情に鑑み、AIN焼結体と強固に接着し
、かつ気密性の高い金属化層を有するAIN焼結体を提
供することを目的とするものである。
、かつ気密性の高い金属化層を有するAIN焼結体を提
供することを目的とするものである。
〔課題を解決するための手段]
本発明は、金属化層を有する窒化アルミニウム焼結体の
製造において、該金属化層をタングステンを主成分とし
、ニッケル、鉄、コバルト及びそれらの合金、それらの
化合物からなる群より11M以上と、マグネシウム化合
物、カルシウム化合物及びバリウム化合物及びそれらの
混合物、それらの化合物からなる群より1種以上とアル
ミニウム化合物とを含有する金属化ペーストを塗布して
焼結して得る金属化層を有する窒化アルミニウム焼結体
の製造方法である。
製造において、該金属化層をタングステンを主成分とし
、ニッケル、鉄、コバルト及びそれらの合金、それらの
化合物からなる群より11M以上と、マグネシウム化合
物、カルシウム化合物及びバリウム化合物及びそれらの
混合物、それらの化合物からなる群より1種以上とアル
ミニウム化合物とを含有する金属化ペーストを塗布して
焼結して得る金属化層を有する窒化アルミニウム焼結体
の製造方法である。
すなわち、本発明者らは、気密性の高い金属化層を有す
るAIN焼結体を得るべく鋭意検討した結果、WにNi
、Fe、Co及びそれらの合金、それらの化合物からな
る群よりIN以上添加する。ことにより、極めて気密性
に優れた金属化層を有するAIN焼結体が得られること
を見出した。
るAIN焼結体を得るべく鋭意検討した結果、WにNi
、Fe、Co及びそれらの合金、それらの化合物からな
る群よりIN以上添加する。ことにより、極めて気密性
に優れた金属化層を有するAIN焼結体が得られること
を見出した。
上記物質は、AINの気密化が起る1600℃以上の温
度流域において溶融する。一般に、還元性雰囲気下では
、Wの焼結性は物質移動を伴わないため、極めて劣った
ものではあるが、これら溶融金属を介することにより物
質移動が生じ、Wの焼結性は大いに促進され、緻密な金
属化層を得ることができる。その一方、AINはそれら
溶融金属との濡れ性が悪く、金属化層とAIN焼結体の
界面近傍では多孔質の組織が形成される。このため、気
密性や金属化層とAIN焼結体との接着強度の点におい
て満足な値を得ることはできない。しかしながら、金属
化層とAIN焼結体双方に対し、濡れ性の優れた物質を
添加することにより、この問題を解決することができた
。特にマグネシウム化合物、カルシウム化合物及びバリ
ウム化合物及びそれらの混合物、それらの化合物からな
る群より1種以上とAI化合物を添加する−とその効果
が顕著であることが認められた。
度流域において溶融する。一般に、還元性雰囲気下では
、Wの焼結性は物質移動を伴わないため、極めて劣った
ものではあるが、これら溶融金属を介することにより物
質移動が生じ、Wの焼結性は大いに促進され、緻密な金
属化層を得ることができる。その一方、AINはそれら
溶融金属との濡れ性が悪く、金属化層とAIN焼結体の
界面近傍では多孔質の組織が形成される。このため、気
密性や金属化層とAIN焼結体との接着強度の点におい
て満足な値を得ることはできない。しかしながら、金属
化層とAIN焼結体双方に対し、濡れ性の優れた物質を
添加することにより、この問題を解決することができた
。特にマグネシウム化合物、カルシウム化合物及びバリ
ウム化合物及びそれらの混合物、それらの化合物からな
る群より1種以上とAI化合物を添加する−とその効果
が顕著であることが認められた。
かかる金属化層を有するAIN焼結体は、例えば以下の
ようにして製造される。
ようにして製造される。
すなわち、まずAINグリーンシートを常法により得る
。しかるのちに、AINグリーンシートの所定部に金属
化ペーストを塗布する。この金属化ペーストは、タング
ステンを主成分とし、ニッケル、鉄、コバルト及びそれ
らの合金、それらの化合物からなる群よりIFIi以上
、マグネシウム化合物、カルシウム化合物及びバリウム
化合物及びそれらの混合物、それらの化合物からなる群
より1種以上と、アルミニウム化合物とともに、エチル
セルロース、アクリル樹脂、ポリビニルアルコールなど
の公知の粘結材と、α−テルピネオール、ブチルカルピ
トールなどの公知の溶剤からなるバインダーを混練する
ことにより得ることができる。金属化ペーストを塗布し
たグリーンシートを焼成することにより、AINの焼結
と金属化層の形成を同時に行う。
。しかるのちに、AINグリーンシートの所定部に金属
化ペーストを塗布する。この金属化ペーストは、タング
ステンを主成分とし、ニッケル、鉄、コバルト及びそれ
らの合金、それらの化合物からなる群よりIFIi以上
、マグネシウム化合物、カルシウム化合物及びバリウム
化合物及びそれらの混合物、それらの化合物からなる群
より1種以上と、アルミニウム化合物とともに、エチル
セルロース、アクリル樹脂、ポリビニルアルコールなど
の公知の粘結材と、α−テルピネオール、ブチルカルピ
トールなどの公知の溶剤からなるバインダーを混練する
ことにより得ることができる。金属化ペーストを塗布し
たグリーンシートを焼成することにより、AINの焼結
と金属化層の形成を同時に行う。
このときの焼成温度は1800〜2050℃程度が望ま
しい。又、雰囲気ガスとしては、窒素ガス、ドライフォ
ーミングガス、アンモニアガスなどが使用でき、これに
水素ガス、ヘリウムガス、アルゴンガス、−酸化炭素ガ
スなどを混合せしめることも可能である。
しい。又、雰囲気ガスとしては、窒素ガス、ドライフォ
ーミングガス、アンモニアガスなどが使用でき、これに
水素ガス、ヘリウムガス、アルゴンガス、−酸化炭素ガ
スなどを混合せしめることも可能である。
なお、上記のように、AINグリーンシートに金属化ペ
ーストを塗布した後、AINの焼結と金属化層の形成と
を同時に行う、いわゆる同時焼成法に代えて、AIN焼
結体に金属化ペーストを塗布し、しかるのちに焼成して
金属化層を形成せしめる、いわゆるポストメタライズ法
にも適用できる。この場合では真空中にて焼成を行うこ
とも可能である。
ーストを塗布した後、AINの焼結と金属化層の形成と
を同時に行う、いわゆる同時焼成法に代えて、AIN焼
結体に金属化ペーストを塗布し、しかるのちに焼成して
金属化層を形成せしめる、いわゆるポストメタライズ法
にも適用できる。この場合では真空中にて焼成を行うこ
とも可能である。
[実施例]
次に実施例並びに比較例について述べる。
実施例I
AIN粉末、焼結助剤として酸化イツトリウム、結合剤
としてポリビニルブチラールとポリビニルアルコールの
混合物、可塑剤としてジブチルフタレート(D、B、P
−、) 、ペンジルブチルフ9 レ−) (B、B、P
、)の混合物、解膠剤としてメンヘンデン魚油、溶剤と
してトリクロロエチレン、エチルアルコール、メチルエ
チルケトンの混合物、湿潤剤としてモノオレイン酸グリ
セリン及び消泡剤をボールミル混合し、スラリーを作製
した。このスラリーを脱泡し、更にドクターブレード法
により、AINのグリーンシートを作製した。
としてポリビニルブチラールとポリビニルアルコールの
混合物、可塑剤としてジブチルフタレート(D、B、P
−、) 、ペンジルブチルフ9 レ−) (B、B、P
、)の混合物、解膠剤としてメンヘンデン魚油、溶剤と
してトリクロロエチレン、エチルアルコール、メチルエ
チルケトンの混合物、湿潤剤としてモノオレイン酸グリ
セリン及び消泡剤をボールミル混合し、スラリーを作製
した。このスラリーを脱泡し、更にドクターブレード法
により、AINのグリーンシートを作製した。
一方、ポリビニルアルコール、ポリメチルメタクリレー
ト、エチルセルロース等の粘結剤、ブチルカルピトール
、α−テルピネオール等の溶剤を混合し、ビヒクル−を
作製した。しかるのち、タングステン粉末、ニッケル粉
末、炭酸マグネシウム粉末、蓚酸アルミニウム粉末とビ
ヒクルとを重合比で100: o、’y : 6 :
12: 25で混合し、金属化ペーストを作製した。
ト、エチルセルロース等の粘結剤、ブチルカルピトール
、α−テルピネオール等の溶剤を混合し、ビヒクル−を
作製した。しかるのち、タングステン粉末、ニッケル粉
末、炭酸マグネシウム粉末、蓚酸アルミニウム粉末とビ
ヒクルとを重合比で100: o、’y : 6 :
12: 25で混合し、金属化ペーストを作製した。
このようにして作製した金属化ペーストを、スクリーン
印刷法等の手法によりAINのグリーンシートに塗布す
る。
印刷法等の手法によりAINのグリーンシートに塗布す
る。
しかるのちにN2雰囲気中にて脱バインダーA r /
N 2雰囲気中にて焼成を行い、金属化層を有するA
IN焼結体を得た。しかるのち、この金属化層のヘリウ
ムリークテストを行ったところ、リーク速度はIX 1
G4 cc atm/sec以下で気密性が良好である
ことが確認された。しかるのち、この得られた焼結体の
2+ao+口部分にニッケルメッキを施し、これを83
5℃にてアニールした後、ワイヤーをはんだ付けし、引
張強度試験を行ったところ、4.5〜5.5kg/2+
aII1口で実用上全く問題のないレベルであった。
N 2雰囲気中にて焼成を行い、金属化層を有するA
IN焼結体を得た。しかるのち、この金属化層のヘリウ
ムリークテストを行ったところ、リーク速度はIX 1
G4 cc atm/sec以下で気密性が良好である
ことが確認された。しかるのち、この得られた焼結体の
2+ao+口部分にニッケルメッキを施し、これを83
5℃にてアニールした後、ワイヤーをはんだ付けし、引
張強度試験を行ったところ、4.5〜5.5kg/2+
aII1口で実用上全く問題のないレベルであった。
実施例2
実施例1に示した方法により、AINのグリーンシート
並びにビヒクルを作製した。
並びにビヒクルを作製した。
しかるのちにタングステン粉末、硫酸第二鉄粉末、硫酸
カルシウム粉末、酸化アルミニウム粉末とビヒクルとを
重量比で100:5 ニア : 5:25で混合し、金
属化ペーストを作製した。
カルシウム粉末、酸化アルミニウム粉末とビヒクルとを
重量比で100:5 ニア : 5:25で混合し、金
属化ペーストを作製した。
このようにして作製した金属化ペーストを、実施例1に
示した手法にて塗布し、しかるのち、CO/ N 2雰
囲気中にて・脱バインダー N2雰囲気中にて焼成を行
い、金属化層を有するAIN焼結体を得た。実施例1に
示した方法により、ヘリウムリークテスト及び引張強度
試験を行ったところ、それぞれlXl0°8 cc a
tm/see以下、5.1〜5.7kg/2ml0で実
用上全く問題のないレベルであった。
示した手法にて塗布し、しかるのち、CO/ N 2雰
囲気中にて・脱バインダー N2雰囲気中にて焼成を行
い、金属化層を有するAIN焼結体を得た。実施例1に
示した方法により、ヘリウムリークテスト及び引張強度
試験を行ったところ、それぞれlXl0°8 cc a
tm/see以下、5.1〜5.7kg/2ml0で実
用上全く問題のないレベルであった。
実施例3
実施例1に示した方法により、AINのグリーンシート
並びにビヒクルを作製した。
並びにビヒクルを作製した。
しかるのちにタングステン粉末、コバルトを主成分とす
る合金であるステライト粉末、炭酸バリウム粉末、乳酸
アルミニウム粉末とビヒクルとを重量比で100: 1
.5 : 3 : 18: 28で混合し、金属化ペー
ストを作製した。
る合金であるステライト粉末、炭酸バリウム粉末、乳酸
アルミニウム粉末とビヒクルとを重量比で100: 1
.5 : 3 : 18: 28で混合し、金属化ペー
ストを作製した。
このようにして作製した金属化ペーストを、実施例1に
示した手法にて塗布し、しかるのち、アンモイア雰囲気
中にて脱バインダー H2/N2雰囲気中にて焼成を行
い、金属化層を有するAIN焼結体を得た。実施例1に
示した方法により、ヘリウムリークテスト及び引張強度
試験を行ったところ、それぞれIX to−a cc
atl/see以下、5.4〜6.1kg72maOで
実用上全く問題のないレベルであった。
示した手法にて塗布し、しかるのち、アンモイア雰囲気
中にて脱バインダー H2/N2雰囲気中にて焼成を行
い、金属化層を有するAIN焼結体を得た。実施例1に
示した方法により、ヘリウムリークテスト及び引張強度
試験を行ったところ、それぞれIX to−a cc
atl/see以下、5.4〜6.1kg72maOで
実用上全く問題のないレベルであった。
比較例1
実施例1に示した方法により、AINのグリーンシート
並びにビヒクルを作製した。
並びにビヒクルを作製した。
しかるのちにタングステン粉末、硫酸マグネシウム粉末
、酸化アルミニウム粉末とビヒクルとを重量比で100
: 10: 8 : 25で混合し、金属化ペーストを
作製した。
、酸化アルミニウム粉末とビヒクルとを重量比で100
: 10: 8 : 25で混合し、金属化ペーストを
作製した。
このようにして作製した金属化ペーストを、実施例1に
示した手法にて塗布し、しかるのち、N2雰囲気中にて
脱バインダー及び焼成を行い、金属化層を有するAIN
焼結体を得た。実施例1に示した方法により、ヘリウム
リークテスト及び引張強度試験を行ったところ、それぞ
れlx to−i ee atIl/seeにとどまり
、 1.3〜2.1k g /2ffl+10ときわめ
て低いレベルにとどまった。
示した手法にて塗布し、しかるのち、N2雰囲気中にて
脱バインダー及び焼成を行い、金属化層を有するAIN
焼結体を得た。実施例1に示した方法により、ヘリウム
リークテスト及び引張強度試験を行ったところ、それぞ
れlx to−i ee atIl/seeにとどまり
、 1.3〜2.1k g /2ffl+10ときわめ
て低いレベルにとどまった。
比較例2
実施例1に示した方法−により、AINのグリーンシー
ト並びにビヒクルを作製した。
ト並びにビヒクルを作製した。
しかるのちにタングステン粉末、硫酸鉄粉末、酸化アル
ミニウム粉末とビヒクルとを重量比で100: 5 :
10: 25で混合し、金属化ペーストを作製した。
ミニウム粉末とビヒクルとを重量比で100: 5 :
10: 25で混合し、金属化ペーストを作製した。
このようにして作製した金属化ペーストを、実施例1に
示した手法にて塗布し、しかるのち、H2/ N 2雰
囲気中にて脱バインダー Co/N2雰囲気中にて焼成
を行い、金属化層を有するAIN焼結体を得た。実施例
1に示した方法により、ヘリウムリークテスト及び引張
強度試験を行ったところ、それぞれlXl0−8ec
atl/seeであったものの、0.9〜1.5kg
/2mm口ときわめて低いレベルにとどまった。
示した手法にて塗布し、しかるのち、H2/ N 2雰
囲気中にて脱バインダー Co/N2雰囲気中にて焼成
を行い、金属化層を有するAIN焼結体を得た。実施例
1に示した方法により、ヘリウムリークテスト及び引張
強度試験を行ったところ、それぞれlXl0−8ec
atl/seeであったものの、0.9〜1.5kg
/2mm口ときわめて低いレベルにとどまった。
[発明の効果]
本発明によれば、強固に接着し、かつ気密性の高い金属
化層を有するAIN焼結体を得ることができ、基板材料
もしくはパッケージ材料特に放熱特性の要求される多層
配線基板材料として極めて有用である。
化層を有するAIN焼結体を得ることができ、基板材料
もしくはパッケージ材料特に放熱特性の要求される多層
配線基板材料として極めて有用である。
Claims (1)
- 金属化層を有する窒化アルミニウム焼結体の製造にお
いて、該金属化層をタングステンを主成分とし、ニッケ
ル、鉄、コバルト及びそれらの合金、それらの化合物か
らなる群より1種以上と、マグネシウム化合物、カルシ
ウム化合物及びバリウム化合物及びそれらの混合物、そ
れらの化合物からなる群より1種以上とアルミニウム化
合物とを含有する金属化ペーストを塗布して焼結して得
ることを特徴とする金属化層を有する窒化アルミニウム
焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1279652A JPH03146487A (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | 金属化層を有する窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1279652A JPH03146487A (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | 金属化層を有する窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03146487A true JPH03146487A (ja) | 1991-06-21 |
Family
ID=17613967
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1279652A Pending JPH03146487A (ja) | 1989-10-30 | 1989-10-30 | 金属化層を有する窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03146487A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5540884A (en) * | 1991-09-12 | 1996-07-30 | The Dow Chemical Company | Method of making co-fired, multilayer substrates |
| JP2008024589A (ja) * | 1995-06-23 | 2008-02-07 | Dow Global Technologies Inc | セラミック−金属構造物 |
| JP2023170413A (ja) * | 2022-05-19 | 2023-12-01 | 新光電気工業株式会社 | セラミックス基板及びその製造方法、静電チャック、基板固定装置、半導体装置用パッケージ |
-
1989
- 1989-10-30 JP JP1279652A patent/JPH03146487A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5540884A (en) * | 1991-09-12 | 1996-07-30 | The Dow Chemical Company | Method of making co-fired, multilayer substrates |
| JP2008024589A (ja) * | 1995-06-23 | 2008-02-07 | Dow Global Technologies Inc | セラミック−金属構造物 |
| JP2023170413A (ja) * | 2022-05-19 | 2023-12-01 | 新光電気工業株式会社 | セラミックス基板及びその製造方法、静電チャック、基板固定装置、半導体装置用パッケージ |
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