JPH03146929A - 光波長変換装置 - Google Patents
光波長変換装置Info
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- JPH03146929A JPH03146929A JP1286342A JP28634289A JPH03146929A JP H03146929 A JPH03146929 A JP H03146929A JP 1286342 A JP1286342 A JP 1286342A JP 28634289 A JP28634289 A JP 28634289A JP H03146929 A JPH03146929 A JP H03146929A
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Landscapes
- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、基本波をその172の波長の第2高調波等に
変換するファイバー型の光波長変換素子と、波長変換波
の波面を円錐波面から平面あるいは球面波面に変換する
光学素子とからなる光波長変換装置に関するものである
。
変換するファイバー型の光波長変換素子と、波長変換波
の波面を円錐波面から平面あるいは球面波面に変換する
光学素子とからなる光波長変換装置に関するものである
。
(従来の技術)
従来より、非線形光学材料を利用して、レーザー光を第
2高調波等に波長変換(短波長化)する試みが種々なさ
れている。このようにして波長変換を行なう光波長変換
素子として具体的には、例えば「光エレクトロニクスの
基礎JA、YARIV著、多田邦雄、神谷武志訳(丸善
株式会社)のp200〜204に示されるようなバルク
結晶型のものがよく知られている。ところがこの光波長
変換素子は、位相整合条件を満たすために結晶の複屈折
を利用するので、非線形性が大きくても複屈折性が無い
材料あるいは小さい材料は利用できない、という問題が
あった。
2高調波等に波長変換(短波長化)する試みが種々なさ
れている。このようにして波長変換を行なう光波長変換
素子として具体的には、例えば「光エレクトロニクスの
基礎JA、YARIV著、多田邦雄、神谷武志訳(丸善
株式会社)のp200〜204に示されるようなバルク
結晶型のものがよく知られている。ところがこの光波長
変換素子は、位相整合条件を満たすために結晶の複屈折
を利用するので、非線形性が大きくても複屈折性が無い
材料あるいは小さい材料は利用できない、という問題が
あった。
上記のような問題を解決できる光波長変換素子として、
いわゆるファイバー型のものが提案されている。この光
波長変換素子は、クラッド内に非線形光学材料からなる
コアが充てんされた光ファイバーであり、応用物理学会
懇話会微小光学研究グループ機関誌VOL、 3.
NO,2,p28〜32にはその一例が示されている。
いわゆるファイバー型のものが提案されている。この光
波長変換素子は、クラッド内に非線形光学材料からなる
コアが充てんされた光ファイバーであり、応用物理学会
懇話会微小光学研究グループ機関誌VOL、 3.
NO,2,p28〜32にはその一例が示されている。
このファイバー型の光波長変換素子においては、コア部
における基本波の導波モードと、第2高調波等のクラッ
ドへの放射モードとの間で容易に位相整合をとることが
できる(いわゆるチェレンコフ放射の場合)ので、最近
ではこのファイバー型光波長変換素子についての研究が
盛んになされている。
における基本波の導波モードと、第2高調波等のクラッ
ドへの放射モードとの間で容易に位相整合をとることが
できる(いわゆるチェレンコフ放射の場合)ので、最近
ではこのファイバー型光波長変換素子についての研究が
盛んになされている。
(発明が解決しようとする課題)
ところで、上述のようにして得た波長変換波はクラッド
の端面から取り出されて、種々の目的のために利用され
るが、その場合、波長変換波を小さなスポットに絞って
利用したいことが多い。例えば波長変換波を光記録に利
用する場合等にあっては、記録密度向上等の点から、波
長変換波を特に微小′なスポットに絞り込むことが望ま
れる。
の端面から取り出されて、種々の目的のために利用され
るが、その場合、波長変換波を小さなスポットに絞って
利用したいことが多い。例えば波長変換波を光記録に利
用する場合等にあっては、記録密度向上等の点から、波
長変換波を特に微小′なスポットに絞り込むことが望ま
れる。
ところが、上述のファイバーチェレンコフ型の光波長変
換素子においては、素子外に取り出した波長変換波を一
般的な球面レンズに通して絞ろうとしても、小さなスポ
ットに収束しないという問題が認められる。
換素子においては、素子外に取り出した波長変換波を一
般的な球面レンズに通して絞ろうとしても、小さなスポ
ットに収束しないという問題が認められる。
そこで本発明は、波長変換波を小さなスポットに絞り込
むことができる光波長変換装置を提供することを目的と
するものである。
むことができる光波長変換装置を提供することを目的と
するものである。
さらに本発明は、レーザー光源の発振波長変動により基
本波波長が変動しても、上記のように波長変換波を小さ
なスポットに絞り込んだ状態を良好に維持可能とするこ
とも目的とする。
本波波長が変動しても、上記のように波長変換波を小さ
なスポットに絞り込んだ状態を良好に維持可能とするこ
とも目的とする。
(課題を解決するための手段)
本発明の光波長変換素子は、先に述べたようなファイバ
ーチェレンコフ型の光波長変換素子にあっては、クラッ
ド中に放射した波長変換波(所定の位相整合角度で出射
して基本波と位相整合する光)の波面が円錐波面になっ
ているという知見に基づいて得られたものであり、 このファイバーチェレンコフ型の光波長変換素子に加え
てさらに、 この光波長変換素子のクラッド端面から出射した波長変
換波が入射する位置に配され、この波長変換波の波面を
、光の回折現象により、円錐波面から平面または球面波
面に変換する光学素子を設けた上で、 波長変換波の波長、有効径をそれぞれλ、Dとし、前記
クラッド端面からの波長変換波出射角をθAとしたとき
、 が、sin’(λ/2D)よりも小さい誤差範囲内でθ
A/λなる値に近似するように、上記光波長変換素子の
クラッド材料およびコア径を選択したことを特徴とする
ものである。
ーチェレンコフ型の光波長変換素子にあっては、クラッ
ド中に放射した波長変換波(所定の位相整合角度で出射
して基本波と位相整合する光)の波面が円錐波面になっ
ているという知見に基づいて得られたものであり、 このファイバーチェレンコフ型の光波長変換素子に加え
てさらに、 この光波長変換素子のクラッド端面から出射した波長変
換波が入射する位置に配され、この波長変換波の波面を
、光の回折現象により、円錐波面から平面または球面波
面に変換する光学素子を設けた上で、 波長変換波の波長、有効径をそれぞれλ、Dとし、前記
クラッド端面からの波長変換波出射角をθAとしたとき
、 が、sin’(λ/2D)よりも小さい誤差範囲内でθ
A/λなる値に近似するように、上記光波長変換素子の
クラッド材料およびコア径を選択したことを特徴とする
ものである。
上記の光学素子としては例えば、同心円グレーティング
素子等を用いることができる。この光学素子は、波長変
換波が出射するクラッド端面から離して配されてもよい
し、またこの端面に密着固定されてもよいし、さらには
この端面に直接形成されてもよい。
素子等を用いることができる。この光学素子は、波長変
換波が出射するクラッド端面から離して配されてもよい
し、またこの端面に密着固定されてもよいし、さらには
この端面に直接形成されてもよい。
(作 用)
上記光学素子の作用により、波長変換波の波面を平面ま
たは球面波面に変換すれば、その波長変換波を通常の球
面レンズに通すことにより、小さなスポットに絞り込む
ことが可能になる。
たは球面波面に変換すれば、その波長変換波を通常の球
面レンズに通すことにより、小さなスポットに絞り込む
ことが可能になる。
また光波長変換素子のクラッド材料およびコア径が上述
のように選択されていると、基本波波長が変動したとき
、クラッド端面からの波長変換波出射角と、光学素子に
おける波長変換波回折角とが互いに打ち消し合うように
変化し、波長変換波が小さなスポットに絞られた状態が
維持されるようになる。以下、この点について詳しく説
明する。
のように選択されていると、基本波波長が変動したとき
、クラッド端面からの波長変換波出射角と、光学素子に
おける波長変換波回折角とが互いに打ち消し合うように
変化し、波長変換波が小さなスポットに絞られた状態が
維持されるようになる。以下、この点について詳しく説
明する。
例えば第1図に示すように、非線形光学材料のコア1が
それよりも低屈折率のクラッド2内に配されてなるファ
イバーチェレンコフ型の光波長変換素子3により、コア
1中を導波させた基本波5を第2高調波5′に変換させ
、そしてその円錐波面を等ピッチ同心円グレーティング
素子6により、平面波面に変換する場合について考える
。
それよりも低屈折率のクラッド2内に配されてなるファ
イバーチェレンコフ型の光波長変換素子3により、コア
1中を導波させた基本波5を第2高調波5′に変換させ
、そしてその円錐波面を等ピッチ同心円グレーティング
素子6により、平面波面に変換する場合について考える
。
まず、素子6から出射する光ビームの方向を、ファイバ
ー軸(=光軸)に対する角度θ。UTで定義する。符号
は光軸から離れる方向(発散円錐波面となる方向)を正
、逆を負とする(第1図参照)。平面波面に変換する場
合には θ。UT−θA−θD−0 である。
ー軸(=光軸)に対する角度θ。UTで定義する。符号
は光軸から離れる方向(発散円錐波面となる方向)を正
、逆を負とする(第1図参照)。平面波面に変換する場
合には θ。UT−θA−θD−0 である。
θ0LITの波長依存性は
aλ aλ aλ となる。
右辺第1項は波長変化により位相整合角θ0が変化し、
それに応じて出射角θAが変化する量を表わし、第2項
は波長変化により、素子6の回折角θDが変化する量を
表わしている。
それに応じて出射角θAが変化する量を表わし、第2項
は波長変化により、素子6の回折角θDが変化する量を
表わしている。
第2図に示すように、一般に等ピッチ同心円グレーティ
ング素子6における回折角をθD、グレーティングピッ
チをA1そして光波長をλとすると、sinθD−λ/
Aの関係があり、近似的にθD=λ/Aと表わす。一方
図折角の波長依存性は(θD十Δθ0)=(λ+Δλ)
/A より、Δλ aλ λ である。
ング素子6における回折角をθD、グレーティングピッ
チをA1そして光波長をλとすると、sinθD−λ/
Aの関係があり、近似的にθD=λ/Aと表わす。一方
図折角の波長依存性は(θD十Δθ0)=(λ+Δλ)
/A より、Δλ aλ λ である。
平面波に変換する場合にはθ0
θ。0丁の波長依存性は
−θAであるから、
aλ
8λ
λ
と表わせる。この式から、
であれば、等ピッチ同心円グレーティング素子6を通過
後の第2高調波5′は、平面波面の状態を維持すること
になる。
後の第2高調波5′は、平面波面の状態を維持すること
になる。
次に、実用に際して上記(1)式の左辺と右辺との差が
どの程度許容されうるか考える。第3図に示すように、
等ピッチ同心円グレーティング素子6を通過後の第2高
調波5°の有効径をD1導波の角度ズレ量をΔθ、波面
収差のp−p値(ピーク・トウー・ピーク値)をεとす
ると、 ε−(D/2)lsinΔθ1 である。一般に上記εの値がλ/4以下であれば、良好
に絞られたビームスポットが得られるとされているから
、 1Δθl<5in−”(λ/2D) −・−−−−(
2)となる。
どの程度許容されうるか考える。第3図に示すように、
等ピッチ同心円グレーティング素子6を通過後の第2高
調波5°の有効径をD1導波の角度ズレ量をΔθ、波面
収差のp−p値(ピーク・トウー・ピーク値)をεとす
ると、 ε−(D/2)lsinΔθ1 である。一般に上記εの値がλ/4以下であれば、良好
に絞られたビームスポットが得られるとされているから
、 1Δθl<5in−”(λ/2D) −・−−−−(
2)となる。
ここで、基本波5を発する基本波光源としては、半導体
レーザーが多く用いられ、この半導体レーザーの縦モー
ド間隔は小さいものでも2nm程度ある。したがって、
該半導体レーザーにおいてモードホップが生じたとき、
第2高調波波長の変動Δλは約1nm’生じることにな
る。また、れにおいてΔλ−1(nm)とすると、(2
式より、したがって、前述した(1)式の右辺と左辺の
誤差がsin’(λ/2D)よりも小さく収まっていれ
ば、波面収差のp−p値εはλ/4よりも小さくなる。
レーザーが多く用いられ、この半導体レーザーの縦モー
ド間隔は小さいものでも2nm程度ある。したがって、
該半導体レーザーにおいてモードホップが生じたとき、
第2高調波波長の変動Δλは約1nm’生じることにな
る。また、れにおいてΔλ−1(nm)とすると、(2
式より、したがって、前述した(1)式の右辺と左辺の
誤差がsin’(λ/2D)よりも小さく収まっていれ
ば、波面収差のp−p値εはλ/4よりも小さくなる。
なお上記の説明では、基本波光源として半導体レーザー
を使用し、第2高調波を発生させる場合を例に挙げたが
、その他の場合でも光波長変換装置は、波長変換波の波
長変動Δλをlnm程度許容できれば実用可能であるこ
とが多い。
を使用し、第2高調波を発生させる場合を例に挙げたが
、その他の場合でも光波長変換装置は、波長変換波の波
長変動Δλをlnm程度許容できれば実用可能であるこ
とが多い。
(実 施 例)
以下、図面に示す実施例に基づいて本発明の詳細な説明
する。
する。
第4図は、本発明の一実施例による光波長変換装置を示
すものである。この装置の光波長変換素子10は、クラ
ッド12の中心の中空部分内に、非線形光学材料からな
るコア11が充てんされた光ファイバーである。上記非
線形光学材料としては、前述したように波長変換効率が
高い有機非線形光学材料を用いるのが好ましい。本例で
は特に特開昭62−210432号公報に示される3、
5−ジメチル−1−(4−ニトロフェニル)ピラゾール
(以下、PRAと称する)によってコア11を形成して
いる。一方クラッド12は、LaK10ガラスから形成
されている。
すものである。この装置の光波長変換素子10は、クラ
ッド12の中心の中空部分内に、非線形光学材料からな
るコア11が充てんされた光ファイバーである。上記非
線形光学材料としては、前述したように波長変換効率が
高い有機非線形光学材料を用いるのが好ましい。本例で
は特に特開昭62−210432号公報に示される3、
5−ジメチル−1−(4−ニトロフェニル)ピラゾール
(以下、PRAと称する)によってコア11を形成して
いる。一方クラッド12は、LaK10ガラスから形成
されている。
この光波長変換素子10を作成する際には、まずクラッ
ド12となるLaKIOガラスの中空ファイバーが用意
される。このガラスファイバーは一例として、外径が3
mmで、中空部の径が1.1μmのものである。そして
このガラスファイバーの中空部に融液状態のPRAを充
填し、固化させ、またそれを単結晶化させる。次いでこ
のガラスファイバーの両端を切断、研磨して、光波長変
換素子lOを得る。なお、以上のようにして光波長変換
素子IOを作成する方法については、例えば特開昭64
1 79734号公報等に詳しい記載がなされている。
ド12となるLaKIOガラスの中空ファイバーが用意
される。このガラスファイバーは一例として、外径が3
mmで、中空部の径が1.1μmのものである。そして
このガラスファイバーの中空部に融液状態のPRAを充
填し、固化させ、またそれを単結晶化させる。次いでこ
のガラスファイバーの両端を切断、研磨して、光波長変
換素子lOを得る。なお、以上のようにして光波長変換
素子IOを作成する方法については、例えば特開昭64
1 79734号公報等に詳しい記載がなされている。
こうして得られた光波長変換素子10の光出射端面とな
るクラッド端面12aには、等ピッチ同心円グレーティ
ング20が形成される。なお等ピッチ同心円グレーティ
ング20の正面形状を第5図に示す。
るクラッド端面12aには、等ピッチ同心円グレーティ
ング20が形成される。なお等ピッチ同心円グレーティ
ング20の正面形状を第5図に示す。
このようなグレーティング20は、公知のフォトリソ法
等によって形成することができる。
等によって形成することができる。
上記光波長変換素子lOは第4図図示のようにして使用
される。すなわち、基本波発生手段としての半導体レー
ザー(発振波長: 870 n m) 1Bが光波長変
換素子IOの光入射側の端面10aに直接固定され、そ
こから射出されたレーザー光(基本波)15がコアll
内に入射する。この基本波15は、コア11を構成する
PRAにより、波長が1/2の第2高調波15’ に変
換される。この第2高調波15’ はクラッド12中に
放射して、素子10内を端面側に進行する。位相整合は
、基本波15のコア部での導波モードと、第2高調波1
5゛のクラッド部への放射モードとの間で取られる(い
わゆるチェレンコフ2 放射)。
される。すなわち、基本波発生手段としての半導体レー
ザー(発振波長: 870 n m) 1Bが光波長変
換素子IOの光入射側の端面10aに直接固定され、そ
こから射出されたレーザー光(基本波)15がコアll
内に入射する。この基本波15は、コア11を構成する
PRAにより、波長が1/2の第2高調波15’ に変
換される。この第2高調波15’ はクラッド12中に
放射して、素子10内を端面側に進行する。位相整合は
、基本波15のコア部での導波モードと、第2高調波1
5゛のクラッド部への放射モードとの間で取られる(い
わゆるチェレンコフ2 放射)。
第2高調波15′は、前記クラッド端面12aから出射
し、等ピッチ同心円グレーティング20を通過してコリ
メートされる。またコア11の端面11aからは、コア
11内を導波した基本波15が出射する。
し、等ピッチ同心円グレーティング20を通過してコリ
メートされる。またコア11の端面11aからは、コア
11内を導波した基本波15が出射する。
この第2高調波15’ と基本波15を含む光ビーム1
5″は、第2高調波15’ のみを通過させるフィルタ
ー18に通され、第2高調波15’ のみが取り出され
る。
5″は、第2高調波15’ のみを通過させるフィルタ
ー18に通され、第2高調波15’ のみが取り出され
る。
この第2高調波15’ は、−膜内な球面レンズである
集光レンズ19に通され、微小なスポットPに絞られる
。なお第4図ではこの第2高調波15’ を利用する装
置を特に示していないが、この種の装置においては前述
した理由により、こうして第2高調波15′を絞って利
用することが多い。
集光レンズ19に通され、微小なスポットPに絞られる
。なお第4図ではこの第2高調波15’ を利用する装
置を特に示していないが、この種の装置においては前述
した理由により、こうして第2高調波15′を絞って利
用することが多い。
次に、等ピッチ同心円グレーティング20の作用につい
て説明する。本実施例においては第6図に詳しく示すよ
うに、クラッド12が十分に太く形成され、それにより
、位相整合角度θ0でクラッド12中に放射した第2高
調波15’ はすべて、クラッド外表面で全反射するこ
となしにクラッド端面12aから直接出射す゛るように
なっている。そうするためにはコア11の直径をd1ク
ラッド12の長さをLとしたとき、クラッド12の直径
DcをDC〉2L・tanθo+ci に設定すればよい。このようになっていると、クラッド
12中を進行するすべての第2高調波15°の波面は、
コア軸を含む1つの平面内においては第6図中に矢印W
で示す向きとなり、したがって全体では円錐面状となる
。
て説明する。本実施例においては第6図に詳しく示すよ
うに、クラッド12が十分に太く形成され、それにより
、位相整合角度θ0でクラッド12中に放射した第2高
調波15’ はすべて、クラッド外表面で全反射するこ
となしにクラッド端面12aから直接出射す゛るように
なっている。そうするためにはコア11の直径をd1ク
ラッド12の長さをLとしたとき、クラッド12の直径
DcをDC〉2L・tanθo+ci に設定すればよい。このようになっていると、クラッド
12中を進行するすべての第2高調波15°の波面は、
コア軸を含む1つの平面内においては第6図中に矢印W
で示す向きとなり、したがって全体では円錐面状となる
。
ここで等ピッチ同心円グレーティング20のピッチAは
、第2高調波i5°の波長をλ、第2高調波15’のク
ラッド端面12aからの出射角をθAとすると、 sin θA−(λ/ A ) ・−・−・−(
3)と設定されている。このような等ピッチ同心円グレ
ーティング20に第2高調波15°を通すことにより、
その円錐波面が平面波面に変換される。したがって、こ
の第2高調波15°を前記のように一般的な球面レンズ
である集光レンズ19に通すことにより、それを微小な
スポットPに絞ることが可能5 となる。
、第2高調波i5°の波長をλ、第2高調波15’のク
ラッド端面12aからの出射角をθAとすると、 sin θA−(λ/ A ) ・−・−・−(
3)と設定されている。このような等ピッチ同心円グレ
ーティング20に第2高調波15°を通すことにより、
その円錐波面が平面波面に変換される。したがって、こ
の第2高調波15°を前記のように一般的な球面レンズ
である集光レンズ19に通すことにより、それを微小な
スポットPに絞ることが可能5 となる。
次に、基本波15すなわち第2高調波15゛ の波長変
動の影響について考える。位相整合角をθ。とじ、第2
高調波15’ に対するクラッド12の屈折率をn(と
すると、 sinθA−nCsinθ0 であるから、上記(3)式より、 A−λ/(ncsinθo ) −−(4)となる。
動の影響について考える。位相整合角をθ。とじ、第2
高調波15’ に対するクラッド12の屈折率をn(と
すると、 sinθA−nCsinθ0 であるから、上記(3)式より、 A−λ/(ncsinθo ) −−(4)となる。
PRAからなるコア11の直径が1.1μmで、LaK
10ガラスからなるクラッド12の直径が3mmである
とき、 θo−5.967° θA −10,409゜となる
。なお角度の正負は、前記第1図で規定した通りである
。
10ガラスからなるクラッド12の直径が3mmである
とき、 θo−5.967° θA −10,409゜となる
。なお角度の正負は、前記第1図で規定した通りである
。
6
一方、本実施例において基本波波長は870nmである
から、λ−435nmである。またこの波長に対するL
aK10ガラスの屈折率ncは1.73799である。
から、λ−435nmである。またこの波長に対するL
aK10ガラスの屈折率ncは1.73799である。
これらの値に加えて上記θo =5.967゜の値を前
記の(4)式に代入すると、A−2,408μ1mであ
る。
記の(4)式に代入すると、A−2,408μ1mであ
る。
次に等ピッチ同心円グレーティング20における回折角
θDの波長依存性 は、λ−435nm、θA−10,409’より、とな
る。一方出射角θAの波長依存性は上記の通り、 7 であり、それとθA/λ−0,0239°/ n mと
の差は、0.0013@/ n mとなる。この値と、
5in−1(λ/2D)−0,0042°/ n mの
値とを比較すると、 0.0013°/ n m < 0.0042’ /
n mとなっているから、第2高調波15’ の波長λ
が1nm程度変動しても、前述した理由により波面収差
のp−p値εは、λ/4よりも小さく収まることになる
。
θDの波長依存性 は、λ−435nm、θA−10,409’より、とな
る。一方出射角θAの波長依存性は上記の通り、 7 であり、それとθA/λ−0,0239°/ n mと
の差は、0.0013@/ n mとなる。この値と、
5in−1(λ/2D)−0,0042°/ n mの
値とを比較すると、 0.0013°/ n m < 0.0042’ /
n mとなっているから、第2高調波15’ の波長λ
が1nm程度変動しても、前述した理由により波面収差
のp−p値εは、λ/4よりも小さく収まることになる
。
なお上記の実施例では、等ピッチ同心円グレーティング
20がクラッド端面12aに直接形成されているが、本
発明の光波長変換装置は前記第1図に示されるように、
ファイバーチェレンコフ型の光波長変換素子に対して、
波面変換を行なう光学素子を別個に設けて構成すること
もできる。
20がクラッド端面12aに直接形成されているが、本
発明の光波長変換装置は前記第1図に示されるように、
ファイバーチェレンコフ型の光波長変換素子に対して、
波面変換を行なう光学素子を別個に設けて構成すること
もできる。
以上、基本波を第2高調波に変換する実施例について説
明したが、本発明はその他、基本波を第3高調波に波長
変換する光波長変換素子や、2種の波長の基本波を和周
波や差周波に波長変換する光波長変換装置に対しても適
用可能である。
明したが、本発明はその他、基本波を第3高調波に波長
変換する光波長変換素子や、2種の波長の基本波を和周
波や差周波に波長変換する光波長変換装置に対しても適
用可能である。
また本発明は、波長変換波の波面を円錐波面から球面波
面に変換する場合にも適用可能である。
面に変換する場合にも適用可能である。
(発明の効果)
以上詳細に説明した通り本発明によれば、ファイバー型
の光、波長変換素子から出射した波長変換波の波面を平
面または球面波面とすることができるので、この波長変
換波を通常の球面レンズに通して微小なスポットに絞る
ことが可能となる。したがって本発明によれば、利用す
る光ビームを微小なスポットに絞る必要がある光記録装
置等に対して波長変換波を利用することが可能となり、
波長変換の技術の応用範囲が著しく拡大される。
の光、波長変換素子から出射した波長変換波の波面を平
面または球面波面とすることができるので、この波長変
換波を通常の球面レンズに通して微小なスポットに絞る
ことが可能となる。したがって本発明によれば、利用す
る光ビームを微小なスポットに絞る必要がある光記録装
置等に対して波長変換波を利用することが可能となり、
波長変換の技術の応用範囲が著しく拡大される。
その上本発明においては、波長変換波の光波長変換素子
からの出射角の波長依存性と、波面変換を行なう光学素
子における回折角の波長依存性とが互いに打ち消し合う
に構成したから、基本波の波長変動があっても、上記の
ように波長変換波が微小なスポットに良好に絞られた状
態を維持でき、この波長変換波を利用する装置の信頼性
を高めることができる。
からの出射角の波長依存性と、波面変換を行なう光学素
子における回折角の波長依存性とが互いに打ち消し合う
に構成したから、基本波の波長変動があっても、上記の
ように波長変換波が微小なスポットに良好に絞られた状
態を維持でき、この波長変換波を利用する装置の信頼性
を高めることができる。
さらに本発明によれば、上記のように基本波の波長変動
を許容できるから、レーザー光源の発振波長の個体差も
許容できることになり、それにより歩留り向上の効果や
、レーザー光源が破損した際光波長変換素子はそのまま
にしてレーザー光源を簡単に交換使用できるという効果
も得られる。
を許容できるから、レーザー光源の発振波長の個体差も
許容できることになり、それにより歩留り向上の効果や
、レーザー光源が破損した際光波長変換素子はそのまま
にしてレーザー光源を簡単に交換使用できるという効果
も得られる。
第1図は、本発明の光波長変換装置の基本構成を説明す
る側面図、 第2図は、波面変換を行なう光学素子における波長変換
波の回折を説明する説明図、 第3図は、波面収差を説明する説明図、゛第4図は、本
発明の一実施例による光波長変換装置を示す側面図、 第5図は、第4図の装置の等ピッチ同心円グレーティン
グの正面図、 第6図は、第4図の装置における光波長変換素子を詳し
く示す拡大側面図である。 1.11・・・コア 2.12・・・クラッ
ド3、lO・・・光波長変換素子 5.15・・・基本
波1つ 5゜ 15゜ ・・・第2高調波 12a・・・クラッド端面 20・・・等ピッチ同心円グレーティング U 第 4 図 第 図
る側面図、 第2図は、波面変換を行なう光学素子における波長変換
波の回折を説明する説明図、 第3図は、波面収差を説明する説明図、゛第4図は、本
発明の一実施例による光波長変換装置を示す側面図、 第5図は、第4図の装置の等ピッチ同心円グレーティン
グの正面図、 第6図は、第4図の装置における光波長変換素子を詳し
く示す拡大側面図である。 1.11・・・コア 2.12・・・クラッ
ド3、lO・・・光波長変換素子 5.15・・・基本
波1つ 5゜ 15゜ ・・・第2高調波 12a・・・クラッド端面 20・・・等ピッチ同心円グレーティング U 第 4 図 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 非線形光学材料のコアがそれよりも低屈折率のクラッド
内に充てんされてなるファイバーであって、コアに入射
された基本波を波長変換してクラッド中に放射する光波
長変換素子と、 この光波長変換素子のクラッド端面から出射した波長変
換波が入射する位置に配され、この波長変換波の波面を
、光の回折現象により、円錐波面から平面または球面波
面に変換する光学素子とからなる光波長変換装置におい
て、 波長変換波の波長、有効径をそれぞれλ、Dとし、前記
クラッド端面からの波長変換波出射角をθ_Aとしたと
き、 この出射角θ_Aの波長依存性(∂θ_A/∂λ)が、
sin^−^1(λ/2D)よりも小さい誤差範囲内で
θ_A/λなる値に近似するように、前記光波長変換素
子のクラッド材料およびコア径が選択されていることを
特徴とする光波長変換装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1286342A JPH03146929A (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 光波長変換装置 |
| US07/608,502 US5080462A (en) | 1989-11-02 | 1990-11-02 | Optical wavelength converter device and optical wavelength converter system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1286342A JPH03146929A (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 光波長変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03146929A true JPH03146929A (ja) | 1991-06-21 |
Family
ID=17703145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1286342A Pending JPH03146929A (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 光波長変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03146929A (ja) |
-
1989
- 1989-11-02 JP JP1286342A patent/JPH03146929A/ja active Pending
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