JPH0314769B2 - - Google Patents
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- JPH0314769B2 JPH0314769B2 JP58056592A JP5659283A JPH0314769B2 JP H0314769 B2 JPH0314769 B2 JP H0314769B2 JP 58056592 A JP58056592 A JP 58056592A JP 5659283 A JP5659283 A JP 5659283A JP H0314769 B2 JPH0314769 B2 JP H0314769B2
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- manufacturing
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は太陽電池その他の光電変換素子等に用
いられている重積式製造皿に関する。
いられている重積式製造皿に関する。
従来から多結晶シリコンウエハは各種の方法に
よつて製造されており、最も一般的にはシリコン
母材により一たん所定形状のインゴツトを鋳造
し、これをスライスすることによつてウエハを得
るようにしているが、これではスライス作業に大
変な時間をかけなければならないだけでなく、イ
ンゴツトの約50％がスライス時のロスとなつてし
まうため、製品がコスト高につき大量生産も不可
能である。
よつて製造されており、最も一般的にはシリコン
母材により一たん所定形状のインゴツトを鋳造
し、これをスライスすることによつてウエハを得
るようにしているが、これではスライス作業に大
変な時間をかけなければならないだけでなく、イ
ンゴツトの約50％がスライス時のロスとなつてし
まうため、製品がコスト高につき大量生産も不可
能である。
そこでスライスによらない方法としてリボン法
とキヤステイング法（鋳造法）が既に実施されて
いるが、リボン法は例えば回転ドラムの周面に溶
融シリコンを噴当させ、当該周面にリボン状のウ
エハを形成するものであり、同法によるときは実
際上リボン幅が数mm程度のものしか製造すること
ができず、大形の太陽電池素材等が得られない難
点がある。
とキヤステイング法（鋳造法）が既に実施されて
いるが、リボン法は例えば回転ドラムの周面に溶
融シリコンを噴当させ、当該周面にリボン状のウ
エハを形成するものであり、同法によるときは実
際上リボン幅が数mm程度のものしか製造すること
ができず、大形の太陽電池素材等が得られない難
点がある。
また上記キヤステイング法と呼ばれているもの
は、シリコン母材を加熱して融液となし、これを
製品ウエハの寸法に応じた鋳型に流し込み、さら
に当該型の可動部分により融液を押圧成型して固
化させるものであるが、同法によるときは、一度
に所定形状のウエハが得られ、量産性の点で望ま
しい結果が期待できるものゝ、上記のように融液
は四方から押えつけられることになる。
は、シリコン母材を加熱して融液となし、これを
製品ウエハの寸法に応じた鋳型に流し込み、さら
に当該型の可動部分により融液を押圧成型して固
化させるものであるが、同法によるときは、一度
に所定形状のウエハが得られ、量産性の点で望ま
しい結果が期待できるものゝ、上記のように融液
は四方から押えつけられることになる。
このため同法では鋳型の上下面と側面が上記融
液の固化に際し、シリコン結晶粒（グレイン）の
成長を抑制してしまうことゝなり、固化製品の前
記各面と接する部分近傍が、非常に細かい結晶粒
となつて大きな結晶粒が得られず、太陽電池用シ
リコンウエハ等にあつて望ましいとされている大
結晶粒生成の要請を満足させることができないた
め、当該ウエハによつて得られた太陽電池の光電
変換効率も２〜３％と極度に悪くなつてしまう欠
陥をもつている。
液の固化に際し、シリコン結晶粒（グレイン）の
成長を抑制してしまうことゝなり、固化製品の前
記各面と接する部分近傍が、非常に細かい結晶粒
となつて大きな結晶粒が得られず、太陽電池用シ
リコンウエハ等にあつて望ましいとされている大
結晶粒生成の要請を満足させることができないた
め、当該ウエハによつて得られた太陽電池の光電
変換効率も２〜３％と極度に悪くなつてしまう欠
陥をもつている。
そこで、本願人は、上記諸法の欠陥を大幅に改
善することができる多結晶シリコンウエハの製造
方法として既に、シリコン母材を溶融し、この融
液を石英又はカーボンで形成され、かつ回転状態
にある製造皿上に滴下するなどし、遠心力を有効
利用することにより所望拡径状態の融液薄層を形
成し、同層の固化後、このシリコンシートを製造
皿から剥離する方法（以下、スピン法という。）
を提案した。
善することができる多結晶シリコンウエハの製造
方法として既に、シリコン母材を溶融し、この融
液を石英又はカーボンで形成され、かつ回転状態
にある製造皿上に滴下するなどし、遠心力を有効
利用することにより所望拡径状態の融液薄層を形
成し、同層の固化後、このシリコンシートを製造
皿から剥離する方法（以下、スピン法という。）
を提案した。
このスピン法は、多くの優れた特徴をもつてい
るが、前記一回の製造工程で製造されるウエハの
枚数に限度があり、この結果回転設備の稼動効率
が悪いので製品もコスト高になるという問題を有
していた。
るが、前記一回の製造工程で製造されるウエハの
枚数に限度があり、この結果回転設備の稼動効率
が悪いので製品もコスト高になるという問題を有
していた。
すなわち、現用のスピン法に関しても、本願人
は第１図に示すように、一枚の製造皿１を用意
し、同皿１の上面には、平面十字状のウエハ形成
凹溝２を形成し、その底面をウエハ形成平面３と
なし、同凹溝２の端末側には、四角形状のウエハ
形成部４を４個形成するようにし、さらに第３図
の如く中央部に通孔６が開設されてなる蓋体５を
上記製造皿１第４図の通り被嵌し、この蓋体５と
製造皿１とにより囲繞されるウエハ成形空間に、
上記通孔６から前記融液を注入充填することによ
り、融液薄層７を形成することを提案している。
しかしこれでも一回の製造工程では、１枚の製品
だけではないものの、上記の如く４枚程度のシリ
コンウエハしか得られず、量産という点から満足
すべきものとなつていない。
は第１図に示すように、一枚の製造皿１を用意
し、同皿１の上面には、平面十字状のウエハ形成
凹溝２を形成し、その底面をウエハ形成平面３と
なし、同凹溝２の端末側には、四角形状のウエハ
形成部４を４個形成するようにし、さらに第３図
の如く中央部に通孔６が開設されてなる蓋体５を
上記製造皿１第４図の通り被嵌し、この蓋体５と
製造皿１とにより囲繞されるウエハ成形空間に、
上記通孔６から前記融液を注入充填することによ
り、融液薄層７を形成することを提案している。
しかしこれでも一回の製造工程では、１枚の製品
だけではないものの、上記の如く４枚程度のシリ
コンウエハしか得られず、量産という点から満足
すべきものとなつていない。
この発明は、かかる現状に鑑み創案されたもの
で、その目的とするところは、適切なる重装構成
とすることにより、一度の製造工程で多数のシリ
コンウエハを形成できるようにし、以つて製造設
備の稼動効率を大幅に向上でき、その結果、同ウ
エハのコストダウンを実現できる重積式製造皿を
提供しようとするものである。
で、その目的とするところは、適切なる重装構成
とすることにより、一度の製造工程で多数のシリ
コンウエハを形成できるようにし、以つて製造設
備の稼動効率を大幅に向上でき、その結果、同ウ
エハのコストダウンを実現できる重積式製造皿を
提供しようとするものである。
この目的を達成するため、この発明にあつて
は、所望雰囲気内にあつて、回転するウエハ形成
平面上にシリコン母材の融液を供給し、当該回転
による遠心力によつて、拡径方向へ流動させるこ
とにより、当該融液による所望大の融液薄層を形
成し、これを固化するようにした多結晶シリコン
ウエハの製造用に供される製造皿であつて、二層
以上重積の皿本体と最上位に重積される蓋体とで
構成され、同各皿本体の上面には凹溝を形成し
て、その底面を前記ウエハ形成平面とし、かつ同
皿本体のうち上積用の皿本体には、その略中央部
に貫通孔を蓋体には、その略中央部に流入通孔を
夫々連通状態となるよう開設し、同蓋体と各皿体
とで所要層数だけ形成されたウエハ成形空間をそ
の上位における上記貫通孔、流入通口に夫々開口
させるよう構成し前記融液薄層を所要数同時に形
成するようにしたものである。
は、所望雰囲気内にあつて、回転するウエハ形成
平面上にシリコン母材の融液を供給し、当該回転
による遠心力によつて、拡径方向へ流動させるこ
とにより、当該融液による所望大の融液薄層を形
成し、これを固化するようにした多結晶シリコン
ウエハの製造用に供される製造皿であつて、二層
以上重積の皿本体と最上位に重積される蓋体とで
構成され、同各皿本体の上面には凹溝を形成し
て、その底面を前記ウエハ形成平面とし、かつ同
皿本体のうち上積用の皿本体には、その略中央部
に貫通孔を蓋体には、その略中央部に流入通孔を
夫々連通状態となるよう開設し、同蓋体と各皿体
とで所要層数だけ形成されたウエハ成形空間をそ
の上位における上記貫通孔、流入通口に夫々開口
させるよう構成し前記融液薄層を所要数同時に形
成するようにしたものである。
以下、添付図面に示す実施例にもとづき、この
発明を詳細に説明すれば、第５図に示すように、
三層に重積されてなる皿本体１０，２０，３０と
最上段に載置される蓋体Ｂとにより本発明による
製造皿Ａは構成され、これらの部材は、シリコン
との反応性が少ない石英（SiO2）かカーボンＣ
等で形成されている。
発明を詳細に説明すれば、第５図に示すように、
三層に重積されてなる皿本体１０，２０，３０と
最上段に載置される蓋体Ｂとにより本発明による
製造皿Ａは構成され、これらの部材は、シリコン
との反応性が少ない石英（SiO2）かカーボンＣ
等で形成されている。
最上位に配置される皿本体１０は、第６図と第
７図とにより明示されるように、その上面１６に
平面十字状の凹溝１１を形成し、その底面をウエ
ハ形成平面１２とし、かつ同溝１１の端末側に、
図示の実施例では四角形状のウエハ形成部１３が
４個形成されている。そして、これら各ウエハ形
成部１３を連通している連結部１４は、同形成部
１３よりも細幅に形成され、両部１３，１４の連
続部位には、括れ部１５が形成されており、前記
第１図のものと同等である。
７図とにより明示されるように、その上面１６に
平面十字状の凹溝１１を形成し、その底面をウエ
ハ形成平面１２とし、かつ同溝１１の端末側に、
図示の実施例では四角形状のウエハ形成部１３が
４個形成されている。そして、これら各ウエハ形
成部１３を連通している連結部１４は、同形成部
１３よりも細幅に形成され、両部１３，１４の連
続部位には、括れ部１５が形成されており、前記
第１図のものと同等である。
この皿本体１０の上面１６に積層される第２層
目の皿本体２０も第１層目の皿本体１０と同じく
第８図と第９図の通りその上面２６に平面十字状
の凹溝２１を形成し、その底面をウエハ形成平面
２２とし、かつ同溝２１の端末側に、四角形状の
ウエハ形成部２３が４個形成され、各ウエハ形成
部２３を連通している連結部２４は、同形成部２
３よりも細幅に形成され、両部２３，２４の連続
部位には、括れ部２５が形成されている。
目の皿本体２０も第１層目の皿本体１０と同じく
第８図と第９図の通りその上面２６に平面十字状
の凹溝２１を形成し、その底面をウエハ形成平面
２２とし、かつ同溝２１の端末側に、四角形状の
ウエハ形成部２３が４個形成され、各ウエハ形成
部２３を連通している連結部２４は、同形成部２
３よりも細幅に形成され、両部２３，２４の連続
部位には、括れ部２５が形成されている。
しかし当該皿本体２０にあつては、その略中央
部において上下に貫通する貫通孔２７が開設され
ており、かつ同貫通孔２７の上端部周縁には堰部
２８が膨出形成され、凹溝２１内に注入された融
液が同貫通孔２７から流下してしまわないよう前
記上面２６と同一高さに形成されている。またさ
らに、同皿２０の底面２９は、前記皿本体１０の
上面１６と密着するよう平滑に形成されている。
部において上下に貫通する貫通孔２７が開設され
ており、かつ同貫通孔２７の上端部周縁には堰部
２８が膨出形成され、凹溝２１内に注入された融
液が同貫通孔２７から流下してしまわないよう前
記上面２６と同一高さに形成されている。またさ
らに、同皿２０の底面２９は、前記皿本体１０の
上面１６と密着するよう平滑に形成されている。
この皿本体２０の上面２６に積層される第３層
目の皿本体３０もまた、第１層目、第２層目の皿
本体１０，２０と同様、第１０図と第１１図に示
すように、その上面３６に平面十字状の凹溝３１
を形成し、その底面をウエハ形成平面３２とし、
かつ同溝３１の端末側に、四角形状のウエハ形成
部３３が４個形成され、そして、これら各ウエハ
形成部３３を連通している連結部３４は、同形成
部３３よりも細幅に形成され、両部３３，３４の
連続部位には、括れ部３５が形成されている。そ
して同皿３０の略中央部には、前記皿本体２０と
同じく同皿３０を上下に貫通する貫通孔３７が開
設されているが、同貫通孔３７は、前記堰部２８
の外周径よりも大口径に形成されており、また同
貫通孔３７の上端部周縁には、前記皿本体２０と
同じく堰部３８が膨出形成されて、凹溝３１内に
注入された融液が、同貫通孔３７から流出しない
よう前記上面３６と同一高さに形成されていると
共に、同皿３０の底面３９は、前記皿本体２０の
上面２６と密着するよう平滑になつている。
目の皿本体３０もまた、第１層目、第２層目の皿
本体１０，２０と同様、第１０図と第１１図に示
すように、その上面３６に平面十字状の凹溝３１
を形成し、その底面をウエハ形成平面３２とし、
かつ同溝３１の端末側に、四角形状のウエハ形成
部３３が４個形成され、そして、これら各ウエハ
形成部３３を連通している連結部３４は、同形成
部３３よりも細幅に形成され、両部３３，３４の
連続部位には、括れ部３５が形成されている。そ
して同皿３０の略中央部には、前記皿本体２０と
同じく同皿３０を上下に貫通する貫通孔３７が開
設されているが、同貫通孔３７は、前記堰部２８
の外周径よりも大口径に形成されており、また同
貫通孔３７の上端部周縁には、前記皿本体２０と
同じく堰部３８が膨出形成されて、凹溝３１内に
注入された融液が、同貫通孔３７から流出しない
よう前記上面３６と同一高さに形成されていると
共に、同皿３０の底面３９は、前記皿本体２０の
上面２６と密着するよう平滑になつている。
蓋体Ｂは、各皿本体１０，２０，３０と略同外
形に形成され、第１２図と第１３図とに示すよう
に、その略中央部には上下に貫通する流入通孔４
１が最上位である皿本体３０に形成された堰部３
８の外周径よりも大口径に形成され、また、この
蓋体Ｂの底面４０は、上記皿本体３０の上面３６
と密着するよう平滑に形成されている。
形に形成され、第１２図と第１３図とに示すよう
に、その略中央部には上下に貫通する流入通孔４
１が最上位である皿本体３０に形成された堰部３
８の外周径よりも大口径に形成され、また、この
蓋体Ｂの底面４０は、上記皿本体３０の上面３６
と密着するよう平滑に形成されている。
このように構成された各皿本体１０，２０，３
０と蓋体Ｂとを組構して重積式製造皿Ａを形成す
るには、第５図に示すように、先ず皿本体１０を
図示しないターンテーブル上に載置し、字に同皿
本体１０の上面１６に第２層目たる皿本体２０を
重積載置し、さらに同皿本体２０の上面２６に第
３層目たる皿本体３０を重積載置し、最後に同皿
本体３０の上面に蓋体Ｂを重積載置すればよく、
この場合、上記皿本体２０の貫通孔２７と皿本体
３０の貫通孔３７および、蓋体Ｂの流入通孔４１
は同心となるように配設される。それ故、上記組
構状態では、皿本体１０の凹溝１１と皿本体２０
の底面２９とにより画成される第１段目のウエハ
成形空間Ｓが形成されるとともに、同皿本体２０
の凹溝２１と皿本体３０の底面３９とにより画成
される第２段目のウエハ成形空間S′が形成され、
さらに、同皿本体３０の凹溝３１と蓋体Ｂの底面
４０とにより画成される第３段目のウエハ成形空
間S″が形成されると共に、この場合、第１段目
のウエハ成形空間Ｓは皿本体２０の貫通孔２７と
連通し、同孔２７と第２段目のウエハ成形空間
S′とは皿本体３０の貫通孔３７と連通し、かつ同
孔３７と第３段目のウエハ成形空間S″とは、蓋
体Ｃの通孔４１と連通するように構成される。
０と蓋体Ｂとを組構して重積式製造皿Ａを形成す
るには、第５図に示すように、先ず皿本体１０を
図示しないターンテーブル上に載置し、字に同皿
本体１０の上面１６に第２層目たる皿本体２０を
重積載置し、さらに同皿本体２０の上面２６に第
３層目たる皿本体３０を重積載置し、最後に同皿
本体３０の上面に蓋体Ｂを重積載置すればよく、
この場合、上記皿本体２０の貫通孔２７と皿本体
３０の貫通孔３７および、蓋体Ｂの流入通孔４１
は同心となるように配設される。それ故、上記組
構状態では、皿本体１０の凹溝１１と皿本体２０
の底面２９とにより画成される第１段目のウエハ
成形空間Ｓが形成されるとともに、同皿本体２０
の凹溝２１と皿本体３０の底面３９とにより画成
される第２段目のウエハ成形空間S′が形成され、
さらに、同皿本体３０の凹溝３１と蓋体Ｂの底面
４０とにより画成される第３段目のウエハ成形空
間S″が形成されると共に、この場合、第１段目
のウエハ成形空間Ｓは皿本体２０の貫通孔２７と
連通し、同孔２７と第２段目のウエハ成形空間
S′とは皿本体３０の貫通孔３７と連通し、かつ同
孔３７と第３段目のウエハ成形空間S″とは、蓋
体Ｃの通孔４１と連通するように構成される。
次に、第１４図によつて上記実施例に係る製造
皿Ａによる同ウエハの製造工程を説明すると、先
ず、図示しないターンテーブルを回転させて、こ
れに載置した同皿Ａを所要速度で回転させつつ、
蓋体Ｂの流入通孔４１よりシリコン母材融液を注
入すればよいが、この際図示例では坩堝５０にシ
リコン母材を投入して、これを溶融用熱源（図示
せず）により加熱融解し、当該融液を坩堝５０の
転動によつて漏斗５１へ放流し、さらにその流出
口５２から、図中点線で示すように当該融液を上
記通孔４１の偏心位置から滴下するのがよい。
皿Ａによる同ウエハの製造工程を説明すると、先
ず、図示しないターンテーブルを回転させて、こ
れに載置した同皿Ａを所要速度で回転させつつ、
蓋体Ｂの流入通孔４１よりシリコン母材融液を注
入すればよいが、この際図示例では坩堝５０にシ
リコン母材を投入して、これを溶融用熱源（図示
せず）により加熱融解し、当該融液を坩堝５０の
転動によつて漏斗５１へ放流し、さらにその流出
口５２から、図中点線で示すように当該融液を上
記通孔４１の偏心位置から滴下するのがよい。
こうして流入通口４１から融液が供給されゝ
ば、各ウエハ成形空間Ｓ，S′，S″に融液が注入さ
れることゝなり、該融液は、回転する製造皿Ａの
遠心力によつて各連結部１４，２４，３４から各
ウエハ形成部１３，２３，３３、へと各ウエハ形
成平面１２，２２，３２上を拡径流動して、すべ
ての同形成部１３，２３，３３、が融液により充
填された融液薄層Ｄが形成されこの後、これを冷
却し固化させることによつて、各皿本体１０，２
０，３０に４枚づつ、計12枚のウエハを同時に形
成することができる。尚、このウエハは、ウエハ
形成部１３，２３，３３と連結部１４，２４，３
４との境界に設けた括れ部１５，２５，３５に対
応する箇所を利用して折ることにより、四角形の
製品ウエハに分割される。
ば、各ウエハ成形空間Ｓ，S′，S″に融液が注入さ
れることゝなり、該融液は、回転する製造皿Ａの
遠心力によつて各連結部１４，２４，３４から各
ウエハ形成部１３，２３，３３、へと各ウエハ形
成平面１２，２２，３２上を拡径流動して、すべ
ての同形成部１３，２３，３３、が融液により充
填された融液薄層Ｄが形成されこの後、これを冷
却し固化させることによつて、各皿本体１０，２
０，３０に４枚づつ、計12枚のウエハを同時に形
成することができる。尚、このウエハは、ウエハ
形成部１３，２３，３３と連結部１４，２４，３
４との境界に設けた括れ部１５，２５，３５に対
応する箇所を利用して折ることにより、四角形の
製品ウエハに分割される。
また上記シリコン母材としては金属級シリコ
ン、半導体級高純度シリコンなどを用いるように
し、同母材は坩堝５０の外周側に配設された電気
ヒータ等による溶融用熱源によつて、当該シリコ
ンの溶融温度1420℃を考慮して加熱することによ
り、これを溶融し得るようにしてあり、当該熱源
としては、電熱線、高周波加熱装置などによるこ
とができ、もちろん適時当該加熱を停止したり、
加熱条件を制御可能にしておくことが望ましい。
ン、半導体級高純度シリコンなどを用いるように
し、同母材は坩堝５０の外周側に配設された電気
ヒータ等による溶融用熱源によつて、当該シリコ
ンの溶融温度1420℃を考慮して加熱することによ
り、これを溶融し得るようにしてあり、当該熱源
としては、電熱線、高周波加熱装置などによるこ
とができ、もちろん適時当該加熱を停止したり、
加熱条件を制御可能にしておくことが望ましい。
このようにして得られた製品ウエハは、その表
裏面及びその外周面が、各皿本体１０，２０，３
０の凹溝１１，２１，３１と各皿本体２０，３０
及び蓋体Ｂの底面２９，３９、４０とで囲繞され
ているので、一般に同薄層Ｄが冷却固化する際、
その自由表面に小突起による凹凸が発生するが、
これが上記各底面２９，３９，４０により抑制さ
れてしまうので、平滑な面を有するウエハが形成
できる。また、前記ウエハ形成部１３，２３，３
３以外で形成される融液薄層Ｄの残余部分は製造
皿Ａから剥離された後、再度溶融して使用され
る。
裏面及びその外周面が、各皿本体１０，２０，３
０の凹溝１１，２１，３１と各皿本体２０，３０
及び蓋体Ｂの底面２９，３９、４０とで囲繞され
ているので、一般に同薄層Ｄが冷却固化する際、
その自由表面に小突起による凹凸が発生するが、
これが上記各底面２９，３９，４０により抑制さ
れてしまうので、平滑な面を有するウエハが形成
できる。また、前記ウエハ形成部１３，２３，３
３以外で形成される融液薄層Ｄの残余部分は製造
皿Ａから剥離された後、再度溶融して使用され
る。
尚、上記実施例では、製造皿Ａを三層構造とし
た場合を例にとり説明したが、もちろんこの発明
にあつてはこれに限定されず、二層以上で構成す
ればよい。
た場合を例にとり説明したが、もちろんこの発明
にあつてはこれに限定されず、二層以上で構成す
ればよい。
上記のとおり、この発明によれば、従来のイン
ゴツトスライス法やリボン法の難点が解消される
のは勿論、既応キヤステイング法のように鋳型の
各面により押えつけられることがなく、しかも一
度の製造工程で複数の製品を製造できるので、設
備の稼動効率が大幅に向上し、製品のコストダウ
ンを実現することができる。
ゴツトスライス法やリボン法の難点が解消される
のは勿論、既応キヤステイング法のように鋳型の
各面により押えつけられることがなく、しかも一
度の製造工程で複数の製品を製造できるので、設
備の稼動効率が大幅に向上し、製品のコストダウ
ンを実現することができる。
第１図は、本願人が既に提案した製造皿の平面
説明図、第２図は同皿の縦断説明図、第３図は同
皿に被嵌される蓋体の平面図、第４図は同蓋体と
同皿とを組構した状態を示す縦断説明図、第５図
はこの発明に係る重積式製造皿を示す縦断説明
図、第６図は同皿の第１層目に係る皿本体の平面
説明図、第７図は同皿の縦断説明図、第８図は同
第２層目に係る皿本体の平面説明図、第９図は同
皿の縦断説明図、第１０図は同第３層目に係る皿
本体の平面説明図、第１１図は同皿の縦断説明
図、第１２図は蓋体の平面説明図、第１３図は同
蓋体の縦断説明図、第１４図は各皿本体に形成さ
れたウエハ成形空間に融液を注入している状態を
示す縦断説明図、第１５図は第１４図XV円内拡
大縦断説明図である。 Ａ……重積式製造皿、Ｂ……蓋体、Ｄ……融液
薄層、Ｓ，S′，S″……ウエハ成形空間、１０，２
０，３０……皿本体、１１，２１，３１……凹
溝、２７，３７……貫通孔、４１……流入通孔。
説明図、第２図は同皿の縦断説明図、第３図は同
皿に被嵌される蓋体の平面図、第４図は同蓋体と
同皿とを組構した状態を示す縦断説明図、第５図
はこの発明に係る重積式製造皿を示す縦断説明
図、第６図は同皿の第１層目に係る皿本体の平面
説明図、第７図は同皿の縦断説明図、第８図は同
第２層目に係る皿本体の平面説明図、第９図は同
皿の縦断説明図、第１０図は同第３層目に係る皿
本体の平面説明図、第１１図は同皿の縦断説明
図、第１２図は蓋体の平面説明図、第１３図は同
蓋体の縦断説明図、第１４図は各皿本体に形成さ
れたウエハ成形空間に融液を注入している状態を
示す縦断説明図、第１５図は第１４図XV円内拡
大縦断説明図である。 Ａ……重積式製造皿、Ｂ……蓋体、Ｄ……融液
薄層、Ｓ，S′，S″……ウエハ成形空間、１０，２
０，３０……皿本体、１１，２１，３１……凹
溝、２７，３７……貫通孔、４１……流入通孔。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 所望雰囲気内にあつて、回転するウエハ形成
平面上にシリコン母材の融液を供給し、当該回転
による遠心力によつて、拡径方向へ流動させるこ
とにより、当該融液による所望大の融液薄層を形
成し、これを固化するようにした多結晶シリコン
ウエハの製造用に供される製造皿であつて、二層
以上重積の皿本体と最上位に重積される蓋体とで
構成され、同各皿本体の上面には凹溝を形成し
て、その底面を前記ウエハ形成平面とし、かつ同
皿本体のうち上積用の皿本体には、その略中央部
に貫通孔を蓋体には、その略中央部に流入通孔を
夫々連通状態となるよう開設し同蓋体と各皿本体
とで所要層数だけ形成されたウエハ成形空間を、
その上位における上記貫通孔、流入通口に夫々開
口させるようにしたことを特徴とする重積式製造
皿。 ２ 蓋体の流入通孔は、皿本体の貫通孔と同心で
大口径に形成され、かつ複数の貫通孔を具備する
際には、上位の皿本体に向け貫通孔が大口径とな
るよう形成されている特許請求の範囲第１項記載
の重積式製造皿。 ３ 貫通孔の上端周縁部は、皿本体の上面と同一
高さである特許請求の範囲第１項又は第２項いず
れか記載の重積式製造皿。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58056592A JPS59182219A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 重積式製造皿 |
| AU26132/84A AU578240B2 (en) | 1983-03-30 | 1984-03-27 | Polycrystalline silicon wafers and fabrication tray |
| EP84302211A EP0124284B1 (en) | 1983-03-30 | 1984-03-30 | Method of fabricating polycrystalline silicon wafer and fabrication tray used therefor |
| DE8484302211T DE3466901D1 (en) | 1983-03-30 | 1984-03-30 | Method of fabricating polycrystalline silicon wafer and fabrication tray used therefor |
| US06/926,131 US4820145A (en) | 1983-03-30 | 1986-11-03 | Polycrystalline silicon wafer tray |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58056592A JPS59182219A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 重積式製造皿 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59182219A JPS59182219A (ja) | 1984-10-17 |
| JPH0314769B2 true JPH0314769B2 (ja) | 1991-02-27 |
Family
ID=13031462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58056592A Granted JPS59182219A (ja) | 1983-03-30 | 1983-03-31 | 重積式製造皿 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59182219A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61214422A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-24 | Hoxan Corp | 半導体ウエハに多結晶シリコン層を形成する方法 |
-
1983
- 1983-03-31 JP JP58056592A patent/JPS59182219A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59182219A (ja) | 1984-10-17 |
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