JPH03148056A - 全反射螢光ｘ線分析装置 - Google Patents
全反射螢光ｘ線分析装置Info
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- JPH03148056A JPH03148056A JP1286890A JP28689089A JPH03148056A JP H03148056 A JPH03148056 A JP H03148056A JP 1286890 A JP1286890 A JP 1286890A JP 28689089 A JP28689089 A JP 28689089A JP H03148056 A JPH03148056 A JP H03148056A
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- 238000000624 total reflection X-ray fluorescence spectroscopy Methods 0.000 title 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 30
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 10
- 102100027340 Slit homolog 2 protein Human genes 0.000 abstract description 3
- 101710133576 Slit homolog 2 protein Proteins 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000004451 qualitative analysis Methods 0.000 description 2
- 238000004445 quantitative analysis Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、測定試料にＸ線を照射して当該測定試料から
放射される螢光Ｘ線の強度を計測することにより、その
測定試料に関する所定の性状を分析する全反射螢光Ｘ線
分析装置に関する。
放射される螢光Ｘ線の強度を計測することにより、その
測定試料に関する所定の性状を分析する全反射螢光Ｘ線
分析装置に関する。
第３図は従来までの一般的な全反射螢光Ｘ線分析装置を
示し、同図においてＸ線管ｌからの入射Ｘ線がＸ線ガイ
ドとしてのスリット２を介して、ステージ３上の試料４
に照射され、螢光Ｘ線を発生する。この螢光Ｘ線は半導
体検出器（ＳＳＤ）よりなるＸ線検出器５で検出される
。上記Ｘ線検出器５からの出力はリニアアンプ６、ＡＤ
コンバータ７を経て、パーソナルコンピュータ８でデー
タ処理され、定性、定量分析を行う。
示し、同図においてＸ線管ｌからの入射Ｘ線がＸ線ガイ
ドとしてのスリット２を介して、ステージ３上の試料４
に照射され、螢光Ｘ線を発生する。この螢光Ｘ線は半導
体検出器（ＳＳＤ）よりなるＸ線検出器５で検出される
。上記Ｘ線検出器５からの出力はリニアアンプ６、ＡＤ
コンバータ７を経て、パーソナルコンピュータ８でデー
タ処理され、定性、定量分析を行う。
なお、試料４で反射されたＸ線が前記Ｘ線検出器５に混
入してＳ／Ｎを低下させないために、反射Ｘ線が全反射
角を満たす位置にスリット２”を介してシンチレーショ
ンカウンタ等からなるＸ線位置検出ユニット９゛を設置
し、このＸ線位置検出ユニット９°で反射Ｘ線をモニタ
しながらその信号が最大値になるように、制御回路１０
によりステージ３の位置制御を行う。
入してＳ／Ｎを低下させないために、反射Ｘ線が全反射
角を満たす位置にスリット２”を介してシンチレーショ
ンカウンタ等からなるＸ線位置検出ユニット９゛を設置
し、このＸ線位置検出ユニット９°で反射Ｘ線をモニタ
しながらその信号が最大値になるように、制御回路１０
によりステージ３の位置制御を行う。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上記構成による全反射螢光Ｘ線分析装置
は、Ｘ線位置検出ユニット９′を予め全反射角に相当す
る位置になるように設置するためには、数μｍのオーダ
での調整が必要であり、また、試料４をステージ３に設
置しないときのＸ線（以下、直射Ｘ線と云う）の位置を
測定することができないため、上記全反射角度は前記Ｘ
線位置検出ユニット９の初期設定精度のみで決まる。し
かし、周囲の温度や湿度の変化あるいは装置の経時変化
等によりスリット２．２°等の位置がわずかながらもず
れる可能性があり、装置全体として数μｍ以内の精度が
要求される全反射螢光Ｘ線分析装置において、機械精度
のみで位置制御を行うのは非常に困難となり、延いては
、測定螢光Ｘ線のＳ／Ｎの低下を招き、高精度な分析が
困難となる。
は、Ｘ線位置検出ユニット９′を予め全反射角に相当す
る位置になるように設置するためには、数μｍのオーダ
での調整が必要であり、また、試料４をステージ３に設
置しないときのＸ線（以下、直射Ｘ線と云う）の位置を
測定することができないため、上記全反射角度は前記Ｘ
線位置検出ユニット９の初期設定精度のみで決まる。し
かし、周囲の温度や湿度の変化あるいは装置の経時変化
等によりスリット２．２°等の位置がわずかながらもず
れる可能性があり、装置全体として数μｍ以内の精度が
要求される全反射螢光Ｘ線分析装置において、機械精度
のみで位置制御を行うのは非常に困難となり、延いては
、測定螢光Ｘ線のＳ／Ｎの低下を招き、高精度な分析が
困難となる。
本発明は、上述の事柄に留意してなされたもので、その
目的とするところは、試料を短時間で、高精度に所定の
全反射角度に設定でき、さらに外乱により機械精度に誤
差が生じた場合においても容易に誤差の補正が行え、高
精度な測定を可能とする全反射螢光Ｘ線分析装置を提供
することにある。
目的とするところは、試料を短時間で、高精度に所定の
全反射角度に設定でき、さらに外乱により機械精度に誤
差が生じた場合においても容易に誤差の補正が行え、高
精度な測定を可能とする全反射螢光Ｘ線分析装置を提供
することにある。
上述の目的を達成するため、本発明に係る全反射螢光Ｘ
線分析装置は、ステージ上に試料を設置したときのＸ線
が該試料に照射される点からＸ線位置検出ユニットまで
の距離と、前記Ｘ線管から前記試料にＸ線を入射し、そ
の表面で反射された反射Ｘ線の前記Ｘ線位置検出ユニッ
トでの検出位置と前記試料をステージ上に設置しないと
きのＸ線の前記Ｘ線位置検出ユニットでの検出位置との
距離から所定の全反射角度を求め、その結果に基いて前
記試料の姿勢制御を行う点に特徴がある。
線分析装置は、ステージ上に試料を設置したときのＸ線
が該試料に照射される点からＸ線位置検出ユニットまで
の距離と、前記Ｘ線管から前記試料にＸ線を入射し、そ
の表面で反射された反射Ｘ線の前記Ｘ線位置検出ユニッ
トでの検出位置と前記試料をステージ上に設置しないと
きのＸ線の前記Ｘ線位置検出ユニットでの検出位置との
距離から所定の全反射角度を求め、その結果に基いて前
記試料の姿勢制御を行う点に特徴がある。
［作用］
上記特徴構成によれば、直射Ｘ線と全反射Ｘ線との位置
をＸ線位置検出ユニット上で検出するだけで所定の全反
射角度を求めることができるので、その後、試料が全反
射角度を満たす様に試料位置制御回路にフィードバック
をかけるだけで良く、Ｘ線位置検出ユニットを全反射角
に相当する位置に設置する従来のような数μｍオーダの
調整を必要としないため、非常に短時間で測定準備が完
了する。
をＸ線位置検出ユニット上で検出するだけで所定の全反
射角度を求めることができるので、その後、試料が全反
射角度を満たす様に試料位置制御回路にフィードバック
をかけるだけで良く、Ｘ線位置検出ユニットを全反射角
に相当する位置に設置する従来のような数μｍオーダの
調整を必要としないため、非常に短時間で測定準備が完
了する。
また、スリット等の機械精度に誤差が生じた場合でも、
試料を設置しないときの直射Ｘ線の位置を測定できるの
で、誤差の補正を容易に行うことができ、常に高精度な
測定が可能となるのである。
試料を設置しないときの直射Ｘ線の位置を測定できるの
で、誤差の補正を容易に行うことができ、常に高精度な
測定が可能となるのである。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明に係る全反射螢光Ｘ線分析装置の一例を
示し、この図において、第３図に示す符号と同一のもの
は同一物または相当物を示す。
示し、この図において、第３図に示す符号と同一のもの
は同一物または相当物を示す。
上記第１図において、所定の全反射角度を求める方法と
して、まず試料４をステージ３上に設置しない状態での
Ｘ線管１からの直射Ｘ線をＸ線用ダイオードアレイ、Ｃ
ＣＤ等から成るＸ線位置検出ユニット９で検出する。そ
の後、ステージ３上に試料４を設置し、Ｘ線管１からの
Ｘ線がスリット２を介して、試料位置駆動機構を備えた
ステージ３上の試料４に照射され、Ｘ線の大部分は試料
４で反射され、その反射Ｘ線を同様にＸ線位置検出ユニ
ット９で検出する。
して、まず試料４をステージ３上に設置しない状態での
Ｘ線管１からの直射Ｘ線をＸ線用ダイオードアレイ、Ｃ
ＣＤ等から成るＸ線位置検出ユニット９で検出する。そ
の後、ステージ３上に試料４を設置し、Ｘ線管１からの
Ｘ線がスリット２を介して、試料位置駆動機構を備えた
ステージ３上の試料４に照射され、Ｘ線の大部分は試料
４で反射され、その反射Ｘ線を同様にＸ線位置検出ユニ
ット９で検出する。
なお、照射されたＸ線の一部は試料４中の元素を励起し
、螢光Ｘ線を発生する。この螢光Ｘ線は、半導体検出器
（ＳＳＤ）よりなるＸ線検出器５で検出され、その出力
はリニアアンプ６、ＡＤコンバータ７を経て、パーソナ
ルコンピュータ８でデータ処理され、定性、定量分析を
行う。
、螢光Ｘ線を発生する。この螢光Ｘ線は、半導体検出器
（ＳＳＤ）よりなるＸ線検出器５で検出され、その出力
はリニアアンプ６、ＡＤコンバータ７を経て、パーソナ
ルコンピュータ８でデータ処理され、定性、定量分析を
行う。
ここで、Ｘ線管１からのＸ線が試料４に照射される点か
らＸ線位置検出ユニット９までの距離をり、Ｘ線位置検
出ユニット９上での前記直射Ｘ線と反射Ｘ線の検出位置
間の距離をｄとすると、試料４からの全反射角度θは次
式で求められる。
らＸ線位置検出ユニット９までの距離をり、Ｘ線位置検
出ユニット９上での前記直射Ｘ線と反射Ｘ線の検出位置
間の距離をｄとすると、試料４からの全反射角度θは次
式で求められる。
θ−ｄ／２ Ｌ （１）
上式を用いて、検出結果をパーソナルコンピュータ８で
データ処理を行い、そのデータを試料位置制御回路１０
に伝送し、所定の全反射角度を満たすようにステージ３
を駆動し、試料４の姿勢制御を行う。
データ処理を行い、そのデータを試料位置制御回路１０
に伝送し、所定の全反射角度を満たすようにステージ３
を駆動し、試料４の姿勢制御を行う。
さらに、試料４を交換して測定する際、あるいは必要に
応じて直射Ｘ線の位置をＸ線位置検出ユニット９で確認
し、試料位置制御回路１０にフィードバックをかけるこ
とにより、常に所定の全反射角度を満たすことができる
。
応じて直射Ｘ線の位置をＸ線位置検出ユニット９で確認
し、試料位置制御回路１０にフィードバックをかけるこ
とにより、常に所定の全反射角度を満たすことができる
。
第２図は、本発明における全反射螢光Ｘ線分析装置での
全反射角度を求める際の別実施例を示し、前記実施例に
用いたＸ線位置検出ユニット９としてのＸ線用ダイオー
ドアレイ、ＣＣＤ等の代わりに、シンチレーションカウ
ンタ等の比較的大きな受光面を有するＸ線位置検出ユニ
ット９Ａを用いて、そのＸ線位置検出ユニット９Ａの受
光面の前にスリット２Ａを設置し、Ｘ線位置検出ユニッ
ト９Ａの前面でそのスリン）２Ａを移動制御回路１１を
介して移動させることにより、直射及び反射Ｘ線の信号
量を検出し、これらのデータをパーソナルコンピュータ
８でデータ処理し、そのピーク値を求めることにより、
それぞれのＸ線の位置を検出する。その際、信号量の分
布曲線に関数をフィッティングさせ、ピーク値を決定す
ることにより測定精度が向上する。
全反射角度を求める際の別実施例を示し、前記実施例に
用いたＸ線位置検出ユニット９としてのＸ線用ダイオー
ドアレイ、ＣＣＤ等の代わりに、シンチレーションカウ
ンタ等の比較的大きな受光面を有するＸ線位置検出ユニ
ット９Ａを用いて、そのＸ線位置検出ユニット９Ａの受
光面の前にスリット２Ａを設置し、Ｘ線位置検出ユニッ
ト９Ａの前面でそのスリン）２Ａを移動制御回路１１を
介して移動させることにより、直射及び反射Ｘ線の信号
量を検出し、これらのデータをパーソナルコンピュータ
８でデータ処理し、そのピーク値を求めることにより、
それぞれのＸ線の位置を検出する。その際、信号量の分
布曲線に関数をフィッティングさせ、ピーク値を決定す
ることにより測定精度が向上する。
なお本実施例では、Ｘ線位置検出ユニット９Ａの前面に
スリット２Ａを用いたが、代わりにピンホールを用いて
もよい。
スリット２Ａを用いたが、代わりにピンホールを用いて
もよい。
以上説明したように、本発明によれば、ステージ上に試
料を設置しない場合の直射Ｘ線の位置を予め測定するた
め、試料をステージ上に設置し、反射Ｘ線の位置を測定
するだけで、所定の全反射角度を求め、これを試料位置
制御回路にフィードバックをかけて試料の姿勢制御を行
うことにより、全反射角度を得ることができる。
料を設置しない場合の直射Ｘ線の位置を予め測定するた
め、試料をステージ上に設置し、反射Ｘ線の位置を測定
するだけで、所定の全反射角度を求め、これを試料位置
制御回路にフィードバックをかけて試料の姿勢制御を行
うことにより、全反射角度を得ることができる。
また、直射Ｘ線の位置を必要に応じて測定することがで
きるため、スリット等の機械精度による誤差を容易に補
正することができ、延いては高精度な測定が可能となっ
たのである。
きるため、スリット等の機械精度による誤差を容易に補
正することができ、延いては高精度な測定が可能となっ
たのである。
第１図は本発明の一実施例である全反射螢光Ｘ線分析装
置を示す構成図である。 第２図は本発明の別実施例を示す要部の構成図である。 第３図は従来の全反射螢光Ｘ線分析装置を示す構成図で
ある。 １−− Ｘ線管、２−Ｘ線ガイド、３−ステージ、４−
試料、５−Ｘ線検出器、９．９Ａ−Ｘ線位置検出ユニッ
ト。 出 願 人 株式会社 堀場製作所 代 理 人 弁理士 藤本英夫 ｌ Ｘ線管 Ｘ線ガイ ド ス テージ 試料 Ｘ線検出器 Ａ Ｘ線位置検出ユニッ ト 第１ 図 第２図 Ａ
置を示す構成図である。 第２図は本発明の別実施例を示す要部の構成図である。 第３図は従来の全反射螢光Ｘ線分析装置を示す構成図で
ある。 １−− Ｘ線管、２−Ｘ線ガイド、３−ステージ、４−
試料、５−Ｘ線検出器、９．９Ａ−Ｘ線位置検出ユニッ
ト。 出 願 人 株式会社 堀場製作所 代 理 人 弁理士 藤本英夫 ｌ Ｘ線管 Ｘ線ガイ ド ス テージ 試料 Ｘ線検出器 Ａ Ｘ線位置検出ユニッ ト 第１ 図 第２図 Ａ
Claims (1)
- 姿勢を可変自在とするステージ上の試料に対して、Ｘ線
ガイドを介してＸ線を照射するＸ線管と、前記試料のＸ
線照射面の上方に設けられ、当該試料からの螢光Ｘ線を
検出するＸ線検出器と、前記Ｘ線管とは前記試料を介し
て対向する位置に設けられ、前記Ｘ線管から該試料に入
射したＸ線が、その表面で反射したときのＸ線を検出す
るＸ線位置検出ユニットとを備えてなる全反射螢光Ｘ線
分析装置において、前記ステージ上に前記試料を設置し
たときのＸ線が該試料に照射される点から前記Ｘ線位置
検出ユニットまでの距離と、前記Ｘ線管から前記試料に
Ｘ線を入射し、その表面で反射された反射Ｘ線の前記Ｘ
線位置検出ユニットでの検出位置と前記試料をステージ
上に設置しないときのＸ線の前記Ｘ線位置検出ユニット
での検出位置との距離から所定の全反射角度を求め、そ
の結果に基づいて前記試料の姿勢制御を行うことを特徴
とする全反射螢光Ｘ線分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1286890A JPH0833358B2 (ja) | 1989-11-03 | 1989-11-03 | 全反射螢光ｘ線分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1286890A JPH0833358B2 (ja) | 1989-11-03 | 1989-11-03 | 全反射螢光ｘ線分析装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03148056A true JPH03148056A (ja) | 1991-06-24 |
| JPH0833358B2 JPH0833358B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=17710328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1286890A Expired - Lifetime JPH0833358B2 (ja) | 1989-11-03 | 1989-11-03 | 全反射螢光ｘ線分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0833358B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004191376A (ja) * | 2002-12-06 | 2004-07-08 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd | Ｘ線反射計用のビームセンタリング方法及び角度較正方法 |
| JP4796254B2 (ja) * | 1999-09-29 | 2011-10-19 | ジョーダン・バレー・セミコンダクターズ・リミテッド | Ｘ線アレイ検出器 |
| JP2016038278A (ja) * | 2014-08-07 | 2016-03-22 | 富士通株式会社 | Ｘ線反射率測定装置及びｘ線反射率測定方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63121737A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-25 | ゲー・カー・エス・エス・フオルシユングスツエントルム・ゲーシユタハト・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 全反射範囲内の表面に近い層内の分析深度を測定する方法及び装置 |
| JPH01208465A (ja) * | 1988-02-15 | 1989-08-22 | Raimuzu:Kk | 真空蒸着装置 |
-
1989
- 1989-11-03 JP JP1286890A patent/JPH0833358B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63121737A (ja) * | 1986-10-31 | 1988-05-25 | ゲー・カー・エス・エス・フオルシユングスツエントルム・ゲーシユタハト・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 全反射範囲内の表面に近い層内の分析深度を測定する方法及び装置 |
| JPH01208465A (ja) * | 1988-02-15 | 1989-08-22 | Raimuzu:Kk | 真空蒸着装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4796254B2 (ja) * | 1999-09-29 | 2011-10-19 | ジョーダン・バレー・セミコンダクターズ・リミテッド | Ｘ線アレイ検出器 |
| JP2004191376A (ja) * | 2002-12-06 | 2004-07-08 | Jordan Valley Applied Radiation Ltd | Ｘ線反射計用のビームセンタリング方法及び角度較正方法 |
| JP2016038278A (ja) * | 2014-08-07 | 2016-03-22 | 富士通株式会社 | Ｘ線反射率測定装置及びｘ線反射率測定方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0833358B2 (ja) | 1996-03-29 |
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