JPH03148143A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH03148143A
JPH03148143A JP1286217A JP28621789A JPH03148143A JP H03148143 A JPH03148143 A JP H03148143A JP 1286217 A JP1286217 A JP 1286217A JP 28621789 A JP28621789 A JP 28621789A JP H03148143 A JPH03148143 A JP H03148143A
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JP
Japan
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bonding pad
bonding
neighboring
ball
dug part
Prior art date
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Pending
Application number
JP1286217A
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English (en)
Inventor
Toshio Noda
野田　利雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置に関する。
〔従来の技術〕
第３図（ａ）　、　（ｂ）は従来の半導体装置のボンデ
ィングパッド部の平面図及びｃ−ｃ’線断面図である。
シリコン基板ｌの上に絶Ｒ膜２を介してＡｎ等の金属膜
によってボンディングパッド３が形成されており、平面
的には金属配融層５の末端部を装置に設けられている構
造になっている。
Ａｕ１ＩＡ７をボール・ボンディングした時、ボールサ
イズｓ、ＩＩ′ｉ、７０〜９（１ｍであるために、バ。
ドビッチＰ！は設計上１００μｍ以下にすることができ
ない。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来のボンディングパッドは、平らなシリコン
基板に平面的に形成されているために、半導体素子の表
面を占める割合が大きいという欠点があった。具体的に
は、通常使用される寸法として、ボンディングパッド・
サイズが、９０〜１２０μｍ１開孔部が７０〜１００μ
ｍ、Ａｕ細線の直径が２５〜４０μｍ１及びそのＡｕ細
線のボンディング後のボールサイズＳ、が７０〜９０μ
ｍとされている。
その為、半導体素子の設計データとして必要なパッドビ
、チＰ、は、どう工夫しても１００μｍを超えてしｌう
ことになる。
なぜなら（パッドピッチ）≧（ボールサイズ）＋（８孔
部〜ボール間の間隔）＋（パッジベージ田ン膜の幅）＝
７０＋１０＋２０＝１００μｍとなるからである。
そこで、例えば４００　ｐｉｎの半導体チップを考えた
場合、ボンディングパッドを四周に１列に配置となυチ
ップサイズはどうしても１０ｍｍ角を超えてしまう。
従って、半導体装置が多ピン化するにつれて要求される
ボンディングパッド数の増大に追いついていけなくなっ
てくるという重大な問題がある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の半導体装置は、金属配線層と金属細線を接続す
るボンディングパッドの直下に矩形の掘り込み部が設け
られ、隣接する別のボンディングパッドとの間に少くと
も２つのパッジページ璽ン膜を設けたことを特徴とする
。
〔実施例〕
次に、実施例について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例の平面図及び
Ａ−Ａ電断面図である。
シリコン基板１に掘夛込み部１６と、新たに第１パツジ
ベージｌン膜１４を加えてちゃ、立体的な構造になって
いる点が従来と異なっている。
第２図（包（ｂ）は第１図に示す実施例にボンディング
を行った後の状態を示す。
Ａｕ線７のボールはａ＋ｂ込み部１６を設けたボンディ
ングパッド３にほぼ埋まってしまうため、隣接するボン
ディングパッド３の方向へ拡がることがなく、結果的に
ボールサイズＳ１を小さくでき、パッドピッチＰ１も小
さくて済むことになる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明は、ボンディングできる効
果がある。
更に、Ａｕ線のボール部がボンディングパッドにほぼ埋
設されるため、半導体チップ表面で局在する応力を減ら
すこと及びボール部とボンディングパッド間の接着力が
増すという効果もある。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）　、　（ｂ）は本発明の一実施例の平面図
及びＡ−Ａ’線断面図、第２図（ａ）　、　（ｂ）は第
１図に示す実施例にボンディングを行った後の状態を示
す平面図及びＢ−Ｂ’線断面図、第３図（ａ）　、　（
ｂ）は従来の半導体装置のボンディングパッド部の平面
図及びＣ−Ｃ′線断面図である。 １・・・・・・シリコン基板、２・・・・・・絶縁層、
３・・・・・・ボンディングパッド、４・・・・・・バ
ッジベージ璽ン膜、５・・・・・・金属配線層、６・・
・・・・開孔部、７・・・・・・Ａｕ線、１４・・・・
・・ｇｉパッジベージ璽ンＪｉ、１５・・・・・・第２
パ、シベーシ冒ンＬｘ６・・・・・・掘り込ミ部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　金属配線層と金属細線を接続するボンディングパッド
    の直下に矩形の掘り込み部が設けられ、隣接する別のボ
    ンディングパッド部との間に少くとも２つのパッシベー
    ション膜を設けたことを特徴とする半導体装置。
JP1286217A 1989-11-02 1989-11-02 半導体装置 Pending JPH03148143A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1286217A JPH03148143A (ja) 1989-11-02 1989-11-02 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1286217A JPH03148143A (ja) 1989-11-02 1989-11-02 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH03148143A true JPH03148143A (ja) 1991-06-24

Family

ID=17701491

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1286217A Pending JPH03148143A (ja) 1989-11-02 1989-11-02 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH03148143A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3036688A4 (en) * 2013-08-23 2017-05-17 Fingerprint Cards AB Connection pads for a fingerprint sensing device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3036688A4 (en) * 2013-08-23 2017-05-17 Fingerprint Cards AB Connection pads for a fingerprint sensing device

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