JPH03149885A - 酸化物超伝導デバイスおよびその製造方法 - Google Patents
酸化物超伝導デバイスおよびその製造方法Info
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- JPH03149885A JPH03149885A JP1287889A JP28788989A JPH03149885A JP H03149885 A JPH03149885 A JP H03149885A JP 1287889 A JP1287889 A JP 1287889A JP 28788989 A JP28788989 A JP 28788989A JP H03149885 A JPH03149885 A JP H03149885A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【産業上の利用分野Ｊ
本発明は小型（して超高感度、超高速、高効率な超伝導
デバイスのジョセフソン結合の構成に関するものである
。 【従来の技術］ 量子干渉素子（ＳＱＵＩＤ）に代表される超伝導デバイ
スは、（１） ｌｅ〜２０に程度の臨界温度（τＣ）を
有するＮｂ、Ｐｂ等の金属系超伝導膜、 （２） ｓｏ
〜ＩＩＯＫ程度のＴｃを有するＹＢａＣｕＯ，ＢｉＳｒ
（：ａｃｕｏ等の酸化物超伝導膜、等を主な構成要素と
している。これらの超伝導膜の一部を人為的に、弱い超
伝導状態（ジョセフソン結合）とすることによって、磁
界、光。 マイクロ波等の外部信号に対して応答するセンサ一等の
超伝導デバイスを構成することができる。 薄膜に適したジョセフソン結合に紘、主に第３図に示す
ような超伝導膜の一部を極細のくびれ（リンク）とした
ブリッジ構造および第４図に示すような２枚の超伝導膜
の間に絶縁層を介したトンネル構造がある。′ｓ３図の
構造はバンク！、リンク部２を有し、第４図の構造は、
超伝導膜３および絶縁層４を具えている。金属系超伝導
膜のコヒーレンス長（超伝導に寄与する対電子の位相が
揃う距離）は数十〇■（例えば、Ｎｂ金属では３９ｎｍ
）程度である。ブリッジ構造でジョセフソン結合を実現
する場合、ブリッジの長さ１はコヒーレンス長の３．５
分の−以下が要求されるので、例えばＮｂではｌｅｎｓ
長の平面加工技術が必要となる。一方、トンネＪｌｚ構
造でジョセフソン結合を実現する場合、２〜５１■の均
一でピンホールのない絶縁層を形成しなければならない
。 酸化物超伝導膜のＴｃは金属系に比べ大幅に高いものの
、コヒーレンス長はほぼ１桁短い、また、酸化物超伝導
膜のコヒーレンス長は結晶方位によっても異なり、例え
ばＢｉＳｒＣａＣｕＯ膜結晶のＣ軸方向ＧｆＯ，２１ｎ
ｍ、 Ｃ軸の直角方向つまりａ、ｂ軸方向は４ｒ＋ｓ程
度である。超伝導膜の厚さ方向をＣ軸とする配向膜・単
結晶膜でトンネル型ジョセフソゾ結合を作成するために
は、厚さｔが０．２ｎ膳以下の絶縁層を均−釘形成しな
けれげならず、製造が困難である。そのため、少なくと
もジョセフソン結合部には、厚さ方向（電流方向）をａ
、あるいはｂ軸とする配向膜・単結晶膜が必要である。 また、これらの結合はループ構成の一部として組み込ま
れることが多く、ループ内の超伝導特性は面内等方性で
あることが望ましいため、超伝導膜のＣ軸（またはｂ軸
）配向化・単結晶化はジョセフソン結合部のみに限定さ
れることが要求される。 一方、酸化物超伝導膜によるブリッジ型では、通常幅Ｗ
を数μ園に加工したリンク部に存在する結晶粒界による
ジョセフソン結合が用いられている。しかし結晶粒界は
制御性に乏しいため、超伝導デバイスの信頼性・再現性
が保証できないという問題があった。このため、制御性
・再現性「優れたジョセフソン結合が望まれている。 【発明が解決しようとする課題】 以上のように、ジョセフソン結合を利用した超伝導デバ
イスでは、ブリツジ型、トンネル型のジョセフソン結合
を形成する必要がある。酸化物超伝導膜は金属系超伝導
膜に比ベコヒーレンス長が短いために、これらのジョセ
フソン結合を安定にかつ制御性良く製造することはぎわ
めて困難である。従って、酸化物超伝導膜に適したジョ
セフソン結合の構成が強く望まれている。 本発明は、ジョセフソン結合を基本構成要素とする超伝
導デバイスにおいて、安定でかつ制御性良いジョセフソ
ン結合を実現することによって、高性能な超伝導デバイ
スを提供すること、およびかかるデバイスを製造する方
法を提供することを目的とする。 １課題を解決するための手段１ 本発明デバイスは、Ｃ軸が膜面と垂直方向に配向した酸
化物超伝導薄膜の一部に、Ｃ軸が膜面内に配向したジョ
セフソン結合部を有することを特徴とする特 未発明製造方法は、ＭｇＯ（１００）単結晶基板の一部
に（１１０）結晶面を有する溝あるいは突起を形成する
工程と、前記単結晶基板上に酸化物超伝導薄膜を形成す
る工程と、前記酸化物超伝導薄膜をアニールする工程と
を含むことを特徴とする特ｖ作 用】 本発明において紘、ブリッジ型、トンネル型のジョセフ
ソン結合に相当する基板部分にＭｇＯ（１１０）結晶面
を局部的に形成し、その上に超伝導膜を堆積させアニー
ルすることにより、ジョセフソン結合部における酸化物
超伝導膜のＣ軸を基板面と平行に成長させる。従来の技
術では、高性能超伝導デバイスに必要な局部的結晶配向
制御は困難であり、結晶基板の方位、超伝導膜の作成条
件等釘より超伝導膜全体の配向をｌｉｌＪａシていた。 本発明によれば、超伝導デバイスに必要な配向制御を局
部的に行うことができる。 １実施例】 第１図を参照して、本発明によるブリッジ構造デバイス
の製造方法を説明する。 まず第１図（ａ）に示すよう釘、ＭｇＯ（Ｚｏｏ）単結
晶基板５にドライエッチングおよびウェットエッチング
により、ブリッジのリンクに相当する部分にＶ溝６を形
成する。点線７紘後に形成されるべきブリッジパターン
を示す、基板面に対して４５度の清を付けることにより
、第１図（ｂ）（第１図（ａ）の＾−＾°線断面図）に
示すようにｖ溝の斜面はＭｇＯ（１１０）となり、それ
以外の部分はＭｇＯ（１００）となる。この場合、Ｍｇ
Ｏ（１１０）を局部的に形成することが重要であり、Ｖ
溝だけでなく４５度の角度を有する突起部を設けても同
様の効果があることはもちろんである。次に、基板全面
にＢｉＳｒＣａＣｕＯ膜をスパッタ等の気相成長法によ
り１〜２μ■堆積させ、その後、膜表面に鏡面のＭｇＯ
（１００）単結晶を置いて、７９０〜９２０℃の高温で
アニールを行なう。 このよう（してアニールすると、ＭｇＯ（１００）面に
はＣ軸を膜厚方向（２方向）とする平板状の結晶が、Ｍ
ｇＯ（１１０）面にはＣ軸をＸ方向とする数ミーの結晶
が成長する。さらにこれらの酸化物超伝導膜をバンク８
．リンク９から成るブリッジ形状にパターン加工し、第
１図（Ｃ）のような形状のブリッジ型ジョセフソン結合
を得る。第１図（ｄ）および（ｅ）はそれぞれ第１図（
Ｃ）のＢ−８および＾−Ａ。 断面である。 バンク部の結晶４１ Ｚ方向をＣ軸とするために面内の
超伝導特性は等方性となる。一方、リンク部結晶のＣ軸
はＸ方向であり、この方向のコヒーレンスは数オンクス
ト０−五となる。即ち、Ｘ方向のコヒーレンス長は原子
の直径程度になるため、特殊な細工無しにジョセフソン
結合が形成できる。 従って、リンク長さに関わらず結晶粒とほぼ同程度の幅
を有するブリッジ形状で安定なジョセフソン結合が形成
できる。 この結果から明かなように、本発明は基板の一部に異な
る結晶面を人工的（形成し、その上に形成した酸化物超
伝導膜をアニールすることにより、酸化物超伝導膜の結
晶配向を局部的に制御している。そのため、従来のブリ
ッジ型ジョセフソン結合釘比べ、原子オーダーの加工技
術も必要なく、しかも結晶粒界を使用しないために再現
性・制御性に優れている。 次に第２図を参照して本発明によるトンネル型ジョセフ
ソン結合の製造法を説明する。まず第２図（ａ）および
その＾−＾°線断面を示す第２図（ｂ） ｅ示すようり
、 ＭｇＯ（１００）基板５の、接合部に対応する部分
に基板面に対して４５度の角度を有するＶ溝ｌＯ，（あ
るいは突起）を形成する。点Ｉｓ１１は次に形成される
べき下部超伝導膜パターンを示す、次に％ＢｉＳｒＣａ
ＣｕＯ膜等からなる下部超伝導膜を全面に堆積させ、そ
の後ブリッジ型の場合と同様の方法でアニールを行い、
フォトリソグラフィとドライエッチングによるパターン
加工、並びに表面平坦化処理によって第２図（Ｃ）（平
面図）およびその＾−＾°断面図である第２図（ｄ）に
示すように下部超伝導パターン１２を形成する。これに
より、Ｖ溝以外の部分は２方向をＣ軸とする平板結晶か
ら構成されるが、■溝部はＸ、あるいはＹ方向をＣ軸と
する超伝導結晶から構成される。次に、第２図（ｅ）お
よびその＾−＾°断面である第２図（ｆ）に示すように
、下部超伝導パターン上に絶縁層！３を気相成長法等で
形成した後、表面平坦化処理を行うこと釘より絶縁層の
形成を行い、その上にＢｉＳｒＣａＣｕＯ等の酸化物超
伝導膜を全面に堆積・アニールし、フォトリソグラフィ
とドライエッチング（よって、上部超伝導パターン１４
を形成し、トンネル型ジ１セフソン結合を製造する。但
し、上部超伝導パターンは２方向をＣ軸とする平板結晶
から構成される装 Ｖの結果から明らかなように１ トンネル接合部のみに
膜厚方向（Ｚ方向）をａ、あるいはｂ軸とする結晶が構
成されるため、トンネル電流に関与するコヒーレンス長
は４ｎ■程度となり、Ｃ軸配向では事実上困難であった
、絶縁層によるジョセフソン結合が可能Ｃなる。また、
トンネル接合以外の部分は膜厚方向（Ｚ方向）をＣ軸と
する板状結晶からなるため、接合部以外の超伝導特性は
面内等方性となり、ループ形状の一部にジョセフソン結
合を配置しても問題はない。 以上のように、本発明は金属系超伝導体に比べて短く、
しかも結晶方位によフて大きく異なったコヒーレンス長
を有する酸化物超伝導膜によりてブリッジ型またはトン
ネル型ジョセフソン結合を作成する際に、ＭｇＯ単結晶
基板に溝などを付加することにより、ブリッジ型のリン
ク部、あるいはトンネル型の接合部を構成する超伝導膜
の結晶配向性を局部的に、しかも再現性よく制御できる
。 それにより、従来再現性に乏しか７たブリッジ型ジョセ
フソン結合を、パターン精度を上げることなくしかも制
御性よく形成できる。また、トンネル型では従来困難で
あったジョセフソン結合が可能となり、しかも接合部以
外は面内等方的な超伝導特性を有するため、ＤＣ−ＳＱ
ＩＩＩＤなどで使用されるループ形状に加工しても異方
性の問題はない。 【発明の効果１ 以上説明したように、本発明によれば量子効果を利用し
た超伝導デバイスの基本要素であるジョセフソン結合を
臨界温度の高い酸化物超伝導膜で、＠御性よく、しかも
安定虹形成できるため。 高感度・高効率・高速である高性能超伝導デバイスを歩
留まりよく製造できる利点がある。
デバイスのジョセフソン結合の構成に関するものである
。 【従来の技術］ 量子干渉素子（ＳＱＵＩＤ）に代表される超伝導デバイ
スは、（１） ｌｅ〜２０に程度の臨界温度（τＣ）を
有するＮｂ、Ｐｂ等の金属系超伝導膜、 （２） ｓｏ
〜ＩＩＯＫ程度のＴｃを有するＹＢａＣｕＯ，ＢｉＳｒ
（：ａｃｕｏ等の酸化物超伝導膜、等を主な構成要素と
している。これらの超伝導膜の一部を人為的に、弱い超
伝導状態（ジョセフソン結合）とすることによって、磁
界、光。 マイクロ波等の外部信号に対して応答するセンサ一等の
超伝導デバイスを構成することができる。 薄膜に適したジョセフソン結合に紘、主に第３図に示す
ような超伝導膜の一部を極細のくびれ（リンク）とした
ブリッジ構造および第４図に示すような２枚の超伝導膜
の間に絶縁層を介したトンネル構造がある。′ｓ３図の
構造はバンク！、リンク部２を有し、第４図の構造は、
超伝導膜３および絶縁層４を具えている。金属系超伝導
膜のコヒーレンス長（超伝導に寄与する対電子の位相が
揃う距離）は数十〇■（例えば、Ｎｂ金属では３９ｎｍ
）程度である。ブリッジ構造でジョセフソン結合を実現
する場合、ブリッジの長さ１はコヒーレンス長の３．５
分の−以下が要求されるので、例えばＮｂではｌｅｎｓ
長の平面加工技術が必要となる。一方、トンネＪｌｚ構
造でジョセフソン結合を実現する場合、２〜５１■の均
一でピンホールのない絶縁層を形成しなければならない
。 酸化物超伝導膜のＴｃは金属系に比べ大幅に高いものの
、コヒーレンス長はほぼ１桁短い、また、酸化物超伝導
膜のコヒーレンス長は結晶方位によっても異なり、例え
ばＢｉＳｒＣａＣｕＯ膜結晶のＣ軸方向ＧｆＯ，２１ｎ
ｍ、 Ｃ軸の直角方向つまりａ、ｂ軸方向は４ｒ＋ｓ程
度である。超伝導膜の厚さ方向をＣ軸とする配向膜・単
結晶膜でトンネル型ジョセフソゾ結合を作成するために
は、厚さｔが０．２ｎ膳以下の絶縁層を均−釘形成しな
けれげならず、製造が困難である。そのため、少なくと
もジョセフソン結合部には、厚さ方向（電流方向）をａ
、あるいはｂ軸とする配向膜・単結晶膜が必要である。 また、これらの結合はループ構成の一部として組み込ま
れることが多く、ループ内の超伝導特性は面内等方性で
あることが望ましいため、超伝導膜のＣ軸（またはｂ軸
）配向化・単結晶化はジョセフソン結合部のみに限定さ
れることが要求される。 一方、酸化物超伝導膜によるブリッジ型では、通常幅Ｗ
を数μ園に加工したリンク部に存在する結晶粒界による
ジョセフソン結合が用いられている。しかし結晶粒界は
制御性に乏しいため、超伝導デバイスの信頼性・再現性
が保証できないという問題があった。このため、制御性
・再現性「優れたジョセフソン結合が望まれている。 【発明が解決しようとする課題】 以上のように、ジョセフソン結合を利用した超伝導デバ
イスでは、ブリツジ型、トンネル型のジョセフソン結合
を形成する必要がある。酸化物超伝導膜は金属系超伝導
膜に比ベコヒーレンス長が短いために、これらのジョセ
フソン結合を安定にかつ制御性良く製造することはぎわ
めて困難である。従って、酸化物超伝導膜に適したジョ
セフソン結合の構成が強く望まれている。 本発明は、ジョセフソン結合を基本構成要素とする超伝
導デバイスにおいて、安定でかつ制御性良いジョセフソ
ン結合を実現することによって、高性能な超伝導デバイ
スを提供すること、およびかかるデバイスを製造する方
法を提供することを目的とする。 １課題を解決するための手段１ 本発明デバイスは、Ｃ軸が膜面と垂直方向に配向した酸
化物超伝導薄膜の一部に、Ｃ軸が膜面内に配向したジョ
セフソン結合部を有することを特徴とする特 未発明製造方法は、ＭｇＯ（１００）単結晶基板の一部
に（１１０）結晶面を有する溝あるいは突起を形成する
工程と、前記単結晶基板上に酸化物超伝導薄膜を形成す
る工程と、前記酸化物超伝導薄膜をアニールする工程と
を含むことを特徴とする特ｖ作 用】 本発明において紘、ブリッジ型、トンネル型のジョセフ
ソン結合に相当する基板部分にＭｇＯ（１１０）結晶面
を局部的に形成し、その上に超伝導膜を堆積させアニー
ルすることにより、ジョセフソン結合部における酸化物
超伝導膜のＣ軸を基板面と平行に成長させる。従来の技
術では、高性能超伝導デバイスに必要な局部的結晶配向
制御は困難であり、結晶基板の方位、超伝導膜の作成条
件等釘より超伝導膜全体の配向をｌｉｌＪａシていた。 本発明によれば、超伝導デバイスに必要な配向制御を局
部的に行うことができる。 １実施例】 第１図を参照して、本発明によるブリッジ構造デバイス
の製造方法を説明する。 まず第１図（ａ）に示すよう釘、ＭｇＯ（Ｚｏｏ）単結
晶基板５にドライエッチングおよびウェットエッチング
により、ブリッジのリンクに相当する部分にＶ溝６を形
成する。点線７紘後に形成されるべきブリッジパターン
を示す、基板面に対して４５度の清を付けることにより
、第１図（ｂ）（第１図（ａ）の＾−＾°線断面図）に
示すようにｖ溝の斜面はＭｇＯ（１１０）となり、それ
以外の部分はＭｇＯ（１００）となる。この場合、Ｍｇ
Ｏ（１１０）を局部的に形成することが重要であり、Ｖ
溝だけでなく４５度の角度を有する突起部を設けても同
様の効果があることはもちろんである。次に、基板全面
にＢｉＳｒＣａＣｕＯ膜をスパッタ等の気相成長法によ
り１〜２μ■堆積させ、その後、膜表面に鏡面のＭｇＯ
（１００）単結晶を置いて、７９０〜９２０℃の高温で
アニールを行なう。 このよう（してアニールすると、ＭｇＯ（１００）面に
はＣ軸を膜厚方向（２方向）とする平板状の結晶が、Ｍ
ｇＯ（１１０）面にはＣ軸をＸ方向とする数ミーの結晶
が成長する。さらにこれらの酸化物超伝導膜をバンク８
．リンク９から成るブリッジ形状にパターン加工し、第
１図（Ｃ）のような形状のブリッジ型ジョセフソン結合
を得る。第１図（ｄ）および（ｅ）はそれぞれ第１図（
Ｃ）のＢ−８および＾−Ａ。 断面である。 バンク部の結晶４１ Ｚ方向をＣ軸とするために面内の
超伝導特性は等方性となる。一方、リンク部結晶のＣ軸
はＸ方向であり、この方向のコヒーレンスは数オンクス
ト０−五となる。即ち、Ｘ方向のコヒーレンス長は原子
の直径程度になるため、特殊な細工無しにジョセフソン
結合が形成できる。 従って、リンク長さに関わらず結晶粒とほぼ同程度の幅
を有するブリッジ形状で安定なジョセフソン結合が形成
できる。 この結果から明かなように、本発明は基板の一部に異な
る結晶面を人工的（形成し、その上に形成した酸化物超
伝導膜をアニールすることにより、酸化物超伝導膜の結
晶配向を局部的に制御している。そのため、従来のブリ
ッジ型ジョセフソン結合釘比べ、原子オーダーの加工技
術も必要なく、しかも結晶粒界を使用しないために再現
性・制御性に優れている。 次に第２図を参照して本発明によるトンネル型ジョセフ
ソン結合の製造法を説明する。まず第２図（ａ）および
その＾−＾°線断面を示す第２図（ｂ） ｅ示すようり
、 ＭｇＯ（１００）基板５の、接合部に対応する部分
に基板面に対して４５度の角度を有するＶ溝ｌＯ，（あ
るいは突起）を形成する。点Ｉｓ１１は次に形成される
べき下部超伝導膜パターンを示す、次に％ＢｉＳｒＣａ
ＣｕＯ膜等からなる下部超伝導膜を全面に堆積させ、そ
の後ブリッジ型の場合と同様の方法でアニールを行い、
フォトリソグラフィとドライエッチングによるパターン
加工、並びに表面平坦化処理によって第２図（Ｃ）（平
面図）およびその＾−＾°断面図である第２図（ｄ）に
示すように下部超伝導パターン１２を形成する。これに
より、Ｖ溝以外の部分は２方向をＣ軸とする平板結晶か
ら構成されるが、■溝部はＸ、あるいはＹ方向をＣ軸と
する超伝導結晶から構成される。次に、第２図（ｅ）お
よびその＾−＾°断面である第２図（ｆ）に示すように
、下部超伝導パターン上に絶縁層！３を気相成長法等で
形成した後、表面平坦化処理を行うこと釘より絶縁層の
形成を行い、その上にＢｉＳｒＣａＣｕＯ等の酸化物超
伝導膜を全面に堆積・アニールし、フォトリソグラフィ
とドライエッチング（よって、上部超伝導パターン１４
を形成し、トンネル型ジ１セフソン結合を製造する。但
し、上部超伝導パターンは２方向をＣ軸とする平板結晶
から構成される装 Ｖの結果から明らかなように１ トンネル接合部のみに
膜厚方向（Ｚ方向）をａ、あるいはｂ軸とする結晶が構
成されるため、トンネル電流に関与するコヒーレンス長
は４ｎ■程度となり、Ｃ軸配向では事実上困難であった
、絶縁層によるジョセフソン結合が可能Ｃなる。また、
トンネル接合以外の部分は膜厚方向（Ｚ方向）をＣ軸と
する板状結晶からなるため、接合部以外の超伝導特性は
面内等方性となり、ループ形状の一部にジョセフソン結
合を配置しても問題はない。 以上のように、本発明は金属系超伝導体に比べて短く、
しかも結晶方位によフて大きく異なったコヒーレンス長
を有する酸化物超伝導膜によりてブリッジ型またはトン
ネル型ジョセフソン結合を作成する際に、ＭｇＯ単結晶
基板に溝などを付加することにより、ブリッジ型のリン
ク部、あるいはトンネル型の接合部を構成する超伝導膜
の結晶配向性を局部的に、しかも再現性よく制御できる
。 それにより、従来再現性に乏しか７たブリッジ型ジョセ
フソン結合を、パターン精度を上げることなくしかも制
御性よく形成できる。また、トンネル型では従来困難で
あったジョセフソン結合が可能となり、しかも接合部以
外は面内等方的な超伝導特性を有するため、ＤＣ−ＳＱ
ＩＩＩＤなどで使用されるループ形状に加工しても異方
性の問題はない。 【発明の効果１ 以上説明したように、本発明によれば量子効果を利用し
た超伝導デバイスの基本要素であるジョセフソン結合を
臨界温度の高い酸化物超伝導膜で、＠御性よく、しかも
安定虹形成できるため。 高感度・高効率・高速である高性能超伝導デバイスを歩
留まりよく製造できる利点がある。
第１図は本発明によるブリッジ型ジョセフソン結合の製
造方法を説明する図、 第２図は本発明によるトンネル型ジョセフソン結合の製
造方法を説明する図、 第３図はトンネル型ジョセフソン結合を示す斜視図、 第４図はトンネル型ジョセフソン結合を示す斜視図であ
る。 １・・・バンク部、 ２・・・リンク部、 ３・・・酸化物超伝導膜、 ４・・・絶縁層、 ５−ＭｇＯ（Ｚｏｏ）基板、 ６ ＝−Ｖ溝、 ８・・・ブリッジのバンク部、 ９・・・ブリッジのリンク部、 １０−Ｖ溝、 １２−・・下部超伝導パターン、 １３・・・絶縁層、 １４・・・上部超伝導パターン。
造方法を説明する図、 第２図は本発明によるトンネル型ジョセフソン結合の製
造方法を説明する図、 第３図はトンネル型ジョセフソン結合を示す斜視図、 第４図はトンネル型ジョセフソン結合を示す斜視図であ
る。 １・・・バンク部、 ２・・・リンク部、 ３・・・酸化物超伝導膜、 ４・・・絶縁層、 ５−ＭｇＯ（Ｚｏｏ）基板、 ６ ＝−Ｖ溝、 ８・・・ブリッジのバンク部、 ９・・・ブリッジのリンク部、 １０−Ｖ溝、 １２−・・下部超伝導パターン、 １３・・・絶縁層、 １４・・・上部超伝導パターン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）ｃ軸が膜面と垂直方向に配向した酸化物超伝導薄膜
の一部に、ｃ軸が膜面内に配向したジョセフソン結合部
を有することを特徴とする酸化物超伝導デバイス。 ２）ＭｇＯ（１００）単結晶基板の一部に（１１０）結
晶面を有する溝あるいは突起を形成する工程と、 前記単結晶基板上に酸化物超伝導薄膜を形成する工程と
、 前記酸化物超伝導薄膜をアニールする工程とを含むこと
を特徴とする酸化物超伝導デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1287889A JP2761504B2 (ja) | 1989-11-07 | 1989-11-07 | 酸化物超伝導デバイスおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1287889A JP2761504B2 (ja) | 1989-11-07 | 1989-11-07 | 酸化物超伝導デバイスおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03149885A true JPH03149885A (ja) | 1991-06-26 |
| JP2761504B2 JP2761504B2 (ja) | 1998-06-04 |
Family
ID=17723032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1287889A Expired - Fee Related JP2761504B2 (ja) | 1989-11-07 | 1989-11-07 | 酸化物超伝導デバイスおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2761504B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03234071A (ja) * | 1990-02-09 | 1991-10-18 | Sharp Corp | ジョセフソン素子 |
| US5376624A (en) * | 1991-10-10 | 1994-12-27 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Josephson break junction thin film device |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS6065583A (ja) * | 1983-09-20 | 1985-04-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ジヨセフソン接合素子及びその製法 |
| JPH01161880A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-26 | Toshiba Corp | 超電導素子 |
| JPH01241874A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-26 | Mitsubishi Electric Corp | ジョゼフソン接合素子 |
-
1989
- 1989-11-07 JP JP1287889A patent/JP2761504B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2761504B2 (ja) | 1998-06-04 |
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