JPH03150532A - 反射型液晶表示装置 - Google Patents
反射型液晶表示装置Info
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- JPH03150532A JPH03150532A JP1290515A JP29051589A JPH03150532A JP H03150532 A JPH03150532 A JP H03150532A JP 1290515 A JP1290515 A JP 1290515A JP 29051589 A JP29051589 A JP 29051589A JP H03150532 A JPH03150532 A JP H03150532A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は反射型アクティブマトリックス液晶表示装置の
遮光層の構造に関するー 〔従来の技術〕 従来の遮光層は、透過型アクティブマトリックス液晶表
示装置の場合ではアクティブ素子全体をも覆う必要があ
り、反射型単純マトリックス液晶表示装置ではアクティ
ブ素子を内蔵していないために信号線と走査線のみを覆
えばよかった。
遮光層の構造に関するー 〔従来の技術〕 従来の遮光層は、透過型アクティブマトリックス液晶表
示装置の場合ではアクティブ素子全体をも覆う必要があ
り、反射型単純マトリックス液晶表示装置ではアクティ
ブ素子を内蔵していないために信号線と走査線のみを覆
えばよかった。
また反射型アクティブマトリックス型液晶表示装置では
１９８９年電子情報通信学会秋季全国大会講演論文集分
冊５．３０項に記載されているものがある。これは第５
図に示すように遮光層で信号線と走査線の部分を覆って
いる。
１９８９年電子情報通信学会秋季全国大会講演論文集分
冊５．３０項に記載されているものがある。これは第５
図に示すように遮光層で信号線と走査線の部分を覆って
いる。
液晶表示装置において、信号線、走査線、及びアクティ
ブ素子等の液晶駆動電極が設置できない部分は液晶を駆
動することができないためその周囲ではコントラストが
低下する。このため遮光層を設けて液晶を駆動できない
部分は見えないようにし、コントラストを上げている しかし反射型アクティブマトリックス液晶表示装置にお
いて、通常の方法では液晶駆動電極のスルーホールは凹
型となり平坦にならないので、乱反射によりコントラス
トが低下する。スルーホール部を埋める方法は複雑なた
め、簡単にコントラストを向上させることができないと
いう課題を有する。
ブ素子等の液晶駆動電極が設置できない部分は液晶を駆
動することができないためその周囲ではコントラストが
低下する。このため遮光層を設けて液晶を駆動できない
部分は見えないようにし、コントラストを上げている しかし反射型アクティブマトリックス液晶表示装置にお
いて、通常の方法では液晶駆動電極のスルーホールは凹
型となり平坦にならないので、乱反射によりコントラス
トが低下する。スルーホール部を埋める方法は複雑なた
め、簡単にコントラストを向上させることができないと
いう課題を有する。
本発明はこの課題を解決するもので、その目的とすると
ころは、簡単にコントラストが向上する構造の提供にあ
る。
ころは、簡単にコントラストが向上する構造の提供にあ
る。
本発明の液晶表示装置は、反射型アクティブマトリック
ス液晶表示装置において、２枚の対向する基板のうち、
一方の共通電極を有する基板側に設けた遮光層で、もう
一方の基板にある信号線、走査線、及び液晶駆動電極の
凹部を覆う構造を特徴とする。
ス液晶表示装置において、２枚の対向する基板のうち、
一方の共通電極を有する基板側に設けた遮光層で、もう
一方の基板にある信号線、走査線、及び液晶駆動電極の
凹部を覆う構造を特徴とする。
第１図は本発明の液晶表示装置の断面図である。
第１図の下から順に駆動電極側ガラス基板１０１、アク
ティブ素子を構成する１０２〜１０９、信号線１１１ａ
または走査線１１１ｂ、液晶駆動電極１１０、液晶１１
２、共通電極１１３、遮光層１１４、共通電極側ガラス
基板１１５、である。
ティブ素子を構成する１０２〜１０９、信号線１１１ａ
または走査線１１１ｂ、液晶駆動電極１１０、液晶１１
２、共通電極１１３、遮光層１１４、共通電極側ガラス
基板１１５、である。
これを共通基板側からみたのが第２図、及び第３図であ
る。遮光層１１４は信号線１１１ａと走査線１１１ｂを
覆うと同時に液晶駆動電極１１０の一部を覆っている。
る。遮光層１１４は信号線１１１ａと走査線１１１ｂを
覆うと同時に液晶駆動電極１１０の一部を覆っている。
本発明の構成要素である光反射面を兼ねた液晶駆動電
極には、アクティブ素子との接点であるスルーホール部
に生じた凹部が存在する。この四部によって入射光は乱
反射され、その結果コントラストが低下する。この四部
を遮光層で覆うと常に黒く表示されるものの、重要部の
み表示することでコントラストの低下を防止できる。
極には、アクティブ素子との接点であるスルーホール部
に生じた凹部が存在する。この四部によって入射光は乱
反射され、その結果コントラストが低下する。この四部
を遮光層で覆うと常に黒く表示されるものの、重要部の
み表示することでコントラストの低下を防止できる。
この遮光層は第１図のように単独の層としてもよいし、
カラーフィルターを設けている場合は第４図のようにそ
れと一体化させてもよい。また、遮光層を共通電極の液
晶側に形成することも可能である。さらに図では液晶駆
動電極の四部を覆う遮光部は独立した領域とはなってい
ないがこれを走査線や信号線の遮光部と独立させること
も可能である。
カラーフィルターを設けている場合は第４図のようにそ
れと一体化させてもよい。また、遮光層を共通電極の液
晶側に形成することも可能である。さらに図では液晶駆
動電極の四部を覆う遮光部は独立した領域とはなってい
ないがこれを走査線や信号線の遮光部と独立させること
も可能である。
第１図、第２図、第３図、第４図、第５図ともにアクテ
ィブ素子としてＦＥＴを図示しているがこれを０ＭＯ３
ＦＥＴにしたり、冗長性を持たすためゲート電極を二つ
持ったデュアルゲート型にする、あるいは逆スタガー型
構造の素子にするなど、素子構造を変えたときでも光反
射面を兼ねた液晶駆動電極が素子形成過程で発生した凹
部を持つならば本発明の遮光部は有効である。
ィブ素子としてＦＥＴを図示しているがこれを０ＭＯ３
ＦＥＴにしたり、冗長性を持たすためゲート電極を二つ
持ったデュアルゲート型にする、あるいは逆スタガー型
構造の素子にするなど、素子構造を変えたときでも光反
射面を兼ねた液晶駆動電極が素子形成過程で発生した凹
部を持つならば本発明の遮光部は有効である。
また、液晶駆動素子の材料として多結晶シリコンを挙げ
たが、これはアモルファスシリコンや単結晶シリコン、
あるいは他の物質でもよい。
たが、これはアモルファスシリコンや単結晶シリコン、
あるいは他の物質でもよい。
以上説明した本発明の液晶表示装置は、反射型アクティ
ブマトリックス液晶表示装置において、２枚の対向する
基板のうち、一方の共通電極を有する基板側に設けた遮
光層で、もう一方の基板にある信号線、走査線、及び液
晶駆動電極の凹部を覆う構造により、コントラストを向
上させる効果がある。
ブマトリックス液晶表示装置において、２枚の対向する
基板のうち、一方の共通電極を有する基板側に設けた遮
光層で、もう一方の基板にある信号線、走査線、及び液
晶駆動電極の凹部を覆う構造により、コントラストを向
上させる効果がある。
第１図は本発明の液晶表示装置の断面図。
第２図は本発明の液晶表示装置を共通電極側からみた平
面図。 第３図は本発明の液晶表示装置を共通電極側から１画素
分だけ拡大した平面図。 第４図はカラーフィルターと遮光層とを一体化させた本
発明の液晶表示装置の図。 第５図は従来の反射型アクティブマトリックス液晶表示
装置の断面図。 １０１ ・・・駆動電極側ガラス基板 １０２ ・・・ソース １０３ ・・・多結晶シリコン １０４ ・・・ドレイン １０５ ・・・層間絶縁膜 １０６ ・・・ゲート絶縁膜 １０７ ・・・ゲート １０８ ・・・ソース電極 １０９ ・・・ドレイン電極 １１０ ・・・液晶駆動電極 １１１ａ・・・信号線 １１１ｂ・・・走査線 １１２ ・・・液晶 １１３ ・・・共通電極 １１４ ・・・遮光層 １１５ ・・・共通電極側ガラス基板 ２８１−
面図。 第３図は本発明の液晶表示装置を共通電極側から１画素
分だけ拡大した平面図。 第４図はカラーフィルターと遮光層とを一体化させた本
発明の液晶表示装置の図。 第５図は従来の反射型アクティブマトリックス液晶表示
装置の断面図。 １０１ ・・・駆動電極側ガラス基板 １０２ ・・・ソース １０３ ・・・多結晶シリコン １０４ ・・・ドレイン １０５ ・・・層間絶縁膜 １０６ ・・・ゲート絶縁膜 １０７ ・・・ゲート １０８ ・・・ソース電極 １０９ ・・・ドレイン電極 １１０ ・・・液晶駆動電極 １１１ａ・・・信号線 １１１ｂ・・・走査線 １１２ ・・・液晶 １１３ ・・・共通電極 １１４ ・・・遮光層 １１５ ・・・共通電極側ガラス基板 ２８１−
Claims (1)
- 反射型アクティブマトリックス液晶表示装置において、
２枚の対向する基板のうち、一方の共通電極を有する基
板側に設けた遮光層で、もう一方の基板にある信号線、
走査線、及び液晶駆動電極の凹部を覆う構造を特徴とす
る液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29051589A JP3078554B2 (ja) | 1989-11-08 | 1989-11-08 | 反射型液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29051589A JP3078554B2 (ja) | 1989-11-08 | 1989-11-08 | 反射型液晶表示装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04393099A Division JP3187785B2 (ja) | 1999-02-22 | 1999-02-22 | 反射型液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03150532A true JPH03150532A (ja) | 1991-06-26 |
| JP3078554B2 JP3078554B2 (ja) | 2000-08-21 |
Family
ID=17757024
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29051589A Expired - Lifetime JP3078554B2 (ja) | 1989-11-08 | 1989-11-08 | 反射型液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3078554B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10186399A (ja) * | 1996-12-20 | 1998-07-14 | Sony Corp | 液晶装置 |
| JPH10268340A (ja) * | 1997-03-26 | 1998-10-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| US6603524B1 (en) | 1996-08-05 | 2003-08-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | LCD device having pixel electrodes asymmetrically overlapping gate and/or source signal lines |
| JP2003241224A (ja) * | 2003-03-24 | 2003-08-27 | Seiko Epson Corp | アクティブマトリックス基板、液晶装置、および電子機器 |
| JP2004045970A (ja) * | 2002-07-15 | 2004-02-12 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
| EP1617282A2 (en) | 1995-09-27 | 2006-01-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and display device incorporating the same |
| JP2008181099A (ja) * | 2006-12-26 | 2008-08-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
| US7554616B1 (en) | 1992-04-28 | 2009-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method of driving the same |
| JP2014102510A (ja) * | 2013-12-25 | 2014-06-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010062131A2 (ko) | 2008-11-27 | 2010-06-03 | Chae Soo Joh | 열기관 |
-
1989
- 1989-11-08 JP JP29051589A patent/JP3078554B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7554616B1 (en) | 1992-04-28 | 2009-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method of driving the same |
| EP1617282A3 (en) * | 1995-09-27 | 2006-01-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and display device incorporating the same |
| EP1617282A2 (en) | 1995-09-27 | 2006-01-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and display device incorporating the same |
| US6603524B1 (en) | 1996-08-05 | 2003-08-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | LCD device having pixel electrodes asymmetrically overlapping gate and/or source signal lines |
| JPH10186399A (ja) * | 1996-12-20 | 1998-07-14 | Sony Corp | 液晶装置 |
| JPH10268340A (ja) * | 1997-03-26 | 1998-10-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| JP2004045970A (ja) * | 2002-07-15 | 2004-02-12 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2003241224A (ja) * | 2003-03-24 | 2003-08-27 | Seiko Epson Corp | アクティブマトリックス基板、液晶装置、および電子機器 |
| JP2008181099A (ja) * | 2006-12-26 | 2008-08-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
| US8400590B2 (en) | 2006-12-26 | 2013-03-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| JP2014102519A (ja) * | 2006-12-26 | 2014-06-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JP2015052786A (ja) * | 2006-12-26 | 2015-03-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| JP2016194696A (ja) * | 2006-12-26 | 2016-11-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| JP2017167542A (ja) * | 2006-12-26 | 2017-09-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| JP2017219866A (ja) * | 2006-12-26 | 2017-12-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| JP2019020751A (ja) * | 2006-12-26 | 2019-02-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| JP2014102510A (ja) * | 2013-12-25 | 2014-06-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3078554B2 (ja) | 2000-08-21 |
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