JPH03150709A - 磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ、産東上の利用分野 本発明は磁気ヘッドの製造方法に関するものである。

口、従来技術 従来、磁気テープ、磁気ディスク等の磁気記録媒体は、
ビデオ、オーディオ、ディジタル等の各種電気信号の記
録に幅広く利用されている。基体上に形成された磁性層
（磁気記録層）の面内長手方向における磁化を用いる方
式においては、新規の磁性体や新しい塗布技術等により
高密度化が図られている。また一方、近年、磁気記録の
高密度化に伴い、磁気記録媒体の磁性層の厚さ方向の磁
化（いわゆる垂直磁化）を用いる垂直磁化記録方式が、
最近になって提案されている（例えば、「日経エレクト
ロニクスＪ　１９７８年８月７日号Ｎｏ。

１９２）、この記録方式によれば、記録波長が短くなる
に伴って媒体内の残留磁化に作用する反磁界が減少する
ので、高密度化にとって好ましい特性を有し、本質的に
高密度記録に適した方式であり現在実用化に向けて研究
が行われている。

ハ９発明の目的 本発明の目的は、上記した如き磁気記録方式に好適で高
磁化、抵抗磁力、高耐食性を期待できる磁気ヘッドの製
造方法を提供することにある。

二０発明の構成 即ち、本発明は、鉄からなる複数のターゲットをプラズ
マ発生用真空槽内において互いに対向せしめ、これらの
対向ターゲット間に窒素含有ガスを供給し、前記ターゲ
ットをスパッタするプラズマを発生させ、このプラズマ
によって発生した窒化鉄イオンを加速電界で加速した後
に制御電界でエネルギー制御して前記プラズマ発生用真
空槽よりその外部へ導出し、この導出された窒化鉄イオ
ンを前記プラズマ発生用真空槽の外部に配された磁気ヘ
ッド用基体に導き、透磁層の少なくとも一部を形成する
窒化鉄として前記基体上に堆積させる、磁気ヘッドの製
造方法に係るものである。

ホ、実施例 以下、本発明の実施例を詳細に説明する。

まず、本発明によって製造される磁気ヘッドの構成を説
明する。

第１図は、磁気テープ等の磁気記録媒体１５を垂直磁気
記録するのに使用する磁気ヘッド１６．１７を示すもの
である。このうち、ヘッド１６は補助磁極として働き、
これに対向配置されるヘッド１７は主磁極として機能せ
しめられる。

ここで特徴的なことは、主磁極１７として、ガラス基板
Ｓ上に窒化鉄（ＦｅｘＮ）、特にγ′Ｆｅ５Ｎ又はＣａ
−Ｆｅ＋ｒ’　−Ｆｅａ　Ｎ）からなる磁性膜１４を被
着せしめ、これを別のガラス板等の保持具１８で保護し
た構造のものを使用していることである。磁性膜１４を
構成するＦｅｘＮは、後述することから明らかなように
、飽和磁化が大きくて信号記録を充分に行えると同時に
、ヘッドに要求される低い抗磁力（Ｈｃ）を示す。従っ
て、そうした磁性膜１４を透磁層として有するヘッドの
性能は極めて良好となる。しかも、ＦｅｘＮは窒素の含
有によって耐食性も良好となり、これもヘッド特性の向
上に寄与している。

なお、例えば、この垂直磁気記録方式においては、補助
磁極１６が記録信号により励磁され、そこから媒体１５
側へ磁界が発生し、これにより面内方向に主磁極１７へ
向けてフラックスが集中し、媒体１５の磁性層に主磁極
１７に対応した磁気記録がなされる。

第２図には、他の磁気ヘッド２７を示したが、このヘッ
ドでも、例えばフェライトからなるコア材Ｓの磁気ギャ
ップ２０側の対向面にＦｅｘＮからなる磁性膜１４が夫
々形成されている。なお、ヘッド全面がＦｅｘＮで覆わ
れているヘッドであってもよい、これらのＦｅｘＮより
形成されているヘッドは特に高密度記録に適している。

また、上記のＦｅｘＮ磁性膜１４は、上記以外の磁気ヘ
ッド（例えば薄膜ヘッド）にも形成することができる。

次に、上記の磁気ヘッドの製造方法を説明する。

まず、基板Ｓ（ガラス板、フェライトコア材等）を用意
し、その所定の面上に以下に説明する方法によってＦｅ
ｘＮ膜１４膜形４する。このために、第３図〜第８図に
示すイオンビーム発生装置を使用するのが望ましい。

第３図に示す装置は基本的には、対向ターゲットスパッ
タ部Ａと、このスパッタ部からイオン化粒子を導出する
イオンビーム導出部臼とからなっている。

スパッタ部Ａにおいて、１は真空槽、２は真空管である
。真空槽１の排気系は図示省略した。ターゲット電極は
、ターゲットホルダー４によりＦｅ製の一対のターゲラ
）ＴＩ、Ｔｚを互いに隔てて平行に対向配置した対向タ
ーゲット電極として構成されている。これらのターゲッ
ト間には、外部の磁界発生手段（マグネットコイル）３
による磁界が形成される。なお、図中の５は冷却水導入
管、６は同導出管であり、１３は加速用の電極である。

このように構成されたスパッタ装置において、平行に対
向し合った両ターゲット下８、Ｔ２の各表面と垂直方間
に磁界を形成し、この磁界により陰極降下部（即ち、第
４図に明示する如く、ターゲットＴＩ−Ｔ２間に発生し
たプラズマ雰囲気７と各ターゲラ）ＴＩ及びＴ２との間
の領域８．９）での電界で加速されたスパッタガスイオ
ンのターゲット表面に対する衝撃で放出されたγ電子を
ターゲット間の空間にとじ込め、対向した他方のターゲ
ット方向へ移動させる。他方のターゲット表面へ移動し
たγ電子は、その近傍の陰極降下部で反射される。こう
して、γ電子はターゲットＴ。

Ｔｚ間において磁界に束縛されながら往復運動を繰返す
ことになる。この往復連動の間に、γ電子は中性の雰囲
気ガスと衝突して雰囲気ガスのイオンと電子とを生成さ
せ、これらの生成物がターゲットからのγ電子の放出と
雰囲気ガスのイオン化を促進させる。従って、ターゲラ
）Ｔ、−７２間の空間には高密度のプラズマが形成され
、これに伴ってターゲット物質が充分にスパッタされる
ことになる。

この対向ターゲットスパック装置は、他の飛翔手段に比
べて、高速スパッタによる高堆積速度の製膜が可能であ
り、また基体がプラズマに直接曝されることがなく、低
い基体温度での製膜が可能である。

第３図の装置で注目されるべき構成は、スパッタ部Ａに
おいてターゲットから叩き出されたＦｅと反応ガス（Ｎ
２）とが反応してイオン化された粒子、即ちＦｅｘＮの
イオンを効率良く外部へ導出するための導出部臼を有し
ていることである。

即ち、この導出部臼は、ターゲラ）Ｔｚの外側近傍に配
されたスクリーングリッドＧを有し、これらのターゲッ
トＴ！及びグリッドＧは夫々所定の電位に保持されると
同時に、イオン化粒子１０を通過させるための小孔１１
．１２が夫々対応した数及びパターンに形成されている
。これは、第５図及び第６図に夫々明示した。各小孔１
１．１２は例えば２ｍｎ＋φであって５ＩＩＩＩ１１の
間隔を置いて形成され、グリッドＧの厚みは１ｍｍであ
ってよい。

第７図は、上記装置を動作させる際の電気回路系を概略
的に示すが、加速電極１３に加速電圧Ｖρを印加した状
態で、両ターゲットＴ、、Ｔ２に負電圧Ｖｔを与え、か
つグリッドＧを接地している。

また、イオンビーム導出部８側に配した基板Ｓも接地し
ている。第８図は各部のポテンシャル分布を示シ、Ｖｐ
はＯ〜２００■に、Ｖｔは５００〜１０００Ｖに設定さ
れる。

このような条件で上記装置を動作させると、スパッタ部
Ａ（真空度１０−３〜１０−’Ｔｏｒｒ）において発生
したプラズマ中のイオンは下部ターゲットＴｔの陰極降
下部９（第４図参照）で加速電極１３によって加速され
た後、ターゲット下２−グリッド０間の電界によって減
速されながら上記小孔１１．１２を通過し、基板Ｓとプ
ラズマとの間の電位差に相当するエネルギーを以て導出
される。導出されたイオンビーム１０は、導出部臼（真
空度１Ｏ−ＳＴｏｒｒ以上）側に形成される電界Ｅ（第
３図参照）の作用で効果的に集束せしめられ、上記エネ
ルギーを以て基板Ｓに入射することになる。こうして、
加速電極（又は陽極）１３に加える陽極電圧Ｖｐを変化
させることにより、基板Ｓ上への堆積イオン（ＦｅｘＮ
）のエネルギーを制御しながら、グリッドＧの作用で効
率良くイオンビーム１０を引出し、基板Ｓ上へ導くこと
ができる。また、基板Ｓのある側は１Ｏ−ＳＴｏｒｒ以
上の高真空に引かれているので、クリーンで不純物の少
ない磁性膜を堆積させることができる。

なお、イオンビームを引出す側に配されたターゲットＴ
ｚの小孔１１．１２は必要以上に大きくしない方がよい
が、あまり大きくするとスパッタ部Ａと導出部臼とのガ
ス圧差によって基板Ｓ側へ不要なガスがリークして堆積
膜の純度低下が生じ易く、或いはターゲットＴ２及びグ
リッドＧの強度面でも望ましくな（、しかもターゲット
面積が減少してスパッタ効率も低下し易くなることが考
えられる。

以上に説明した方法及び装置によって、例えば第１図や
第２図に示す如く、基板Ｓ上に厚さ例えば２０００人の
ＦｅｘＮ磁性膜１４を有する磁気ヘッドを作成すること
ができる。この磁気ヘッドは、特に高密度記録用の面内
長手方向記録用や垂直磁気記録用として好適な磁性膜１
４を有したものとなっている。

次に、上記の磁化膜（ＦｅｘＮ）について、実験結果に
基いて更に詳述する。

（Ａ）、ＦｅｘＮ膜の構造 形成された膜は、すべて結晶性を示し、そＣ結晶構造は
窒素ガス混合率、基板温度（Ｔｓ　）及びイオン加速電
圧（Ｖｐ　）に依存して変化した。

第９図に、全圧Ｐｔｏｔａｌ　＝　５　Ｘｌ０−’Ｔｏ
ｒｒＳＶ＝２０Ｖ　（一定）の条件で作製した膜の結晶
構造と、ＰＮ！・Ｔｓの関係を示す（但し、基板は（１
１１）Ｓｉ基板）、　Ｔｓ　＝　２００°Ｃの場合、形
成される結晶相はＰＮ！の上昇とともに、α−Ｆｅと７
’−Ｆｅ、Ｎの混相→ｒ’　　ＦｅａＮ単相→ε−Ｆｅ
、Ｎとζ−Ｆｅ、Ｎの混相→ζ−Ｆｅ、Ｎと変化し、膜
の窒化度が高まっていく。また、α−Ｆｅ、ｒ’　−Ｆ
ｅａ　Ｎの混相膜には、面間隔１．９〜２．０人を持つ
不明の結晶相（Ｕ、　　Ｋ、　）が存在していた。Ｔｓ
が２００℃以上に上昇すると、各Ｎ載量の境界は高ＰＮ
ｚ側に移動する。Ｔｓが２００″Ｃ以下の場合にも、Ｔ
ｓが減少すると膜の窒化度が減少する傾向が見られ、Ｔ
ｓ　＝ＢＯ’Ｃ，ＰＮｚ≦４　Ｘ　１０−’Ｔｏｒｒで
は、α−Ｆｅ相のみが形成された。

第１０図に、種々の条件で形成された膜の一例のＸ線回
折図形を示す、形成される相のうち、ε相及びζ相はラ
ンダムな結晶方位を示したが、ｂｃｃ構造のａ−Ｆｅ相
は＜１１０　＞方向、ｆｃＣ構造の７’−Ｆｅ、Ｎ相は
＜１００＞方向が膜面垂直に強く配向していた。従来、
堆積粒子に中性粒子のみを用いる通常のスパッタ法で作
製されるα−Ｆｅ、γ’−Ｆｅ、Ｎ膜は、雰囲気圧力の
低下とともに各々（１１０）、（１１１）面（各相の最
密充填面）が配向する傾向を示すことから、上述の結果
は、本発明のイオンビームデボジシゴン法では堆積粒子
の持つ高い運動エネルギーと−様な方向性が膜の配向を
促進すること、及び配向する面は堆積粒子の電荷の影響
をうけ、化合物の種類によっては最密充填面以外の面が
配向しやすくなることを示していると言える。

なお、Ｐ　ｔｏｔａｌ　＝　５　Ｘｌ０−’Ｔｏｒｒ、
　ＰＮｚ＝１．５　Ｘ１０−’Ｔｏｒｒ、　７　ｓ　＝
　１５０’Ｃ一定の条件で作製した膜のＸ線回折図形グ
ラｌのＶＰによる変化を調べた。Ｖｐ−ＯＶｔ’は、（
１１０）面が配向したα−Ｆｅ相の回折線のみだが、Ｖ
ｐ　＝４０Ｖではｒ’　　ＦｅｘＮ相（１１１）、（２
００）面画折位置にブロードなピークが明瞭に現れ、Ｖ
ｐ　＝６０Ｖでは再びα−Ｆｅ相（１１０）面の回折線
のみとなる。これらは、Ｖｐ＝０〜４０Ｖの範囲では、
Ｖｐの上昇につれてγ’−Ｆｅ、Ｎ相の量の割合が増大
することを示している。また、ＶＰ　＝４０Ｖ、　Ｔｓ
　＝　１５０℃で堆積した膜のγ′Ｆｅ、Ｎ相の配向性
はランダムで、前述のＶｐ＝２０■、Ｔｓ　＝　２００
℃で堆積した膜中のγ′相が（２００）配向を示したの
と異なっていた。ｖｐの上昇は、堆積イオンの運動エネ
ルギーの上昇をもたらすので、基板の表面温度及び堆積
粒子の基板表面における移動度が増大して、その結果、
鉄−窒素間の反応が促進されたものと考えられる。Ｖｐ
　＝６０Ｖの結果は、イオンの運動エネルギーが過大に
なると、鉄−窒素間の結合が抑制されるか、または−度
結合しても別の粒子による衝撃により、再分離してしま
うことを示すものと考えられる。また、膜の配向性は、
Ｖｐの上昇により生成される高エネルギー粒子の基板衝
撃により、低下すると言える。

（Ｂ）、ＦｅｘＮ膜の飽和磁化 膜の飽和磁化（４πＭｓ　）は、磁気天秤によって測定
した。第１１図、第１２図に４πＭｓと各作製条件の関
係を示す、　Ｐ　ｔｏｔａｌ　＝　５　Ｘｌ０−’Ｔｏ
ｒｒ、　Ｖｓ　＝２０Ｖ　（一定）の条件で作製した膜
の４πＭｓのＰＮＩ及びＴｓ依存性を示す。

４πＭｓは、膜の結晶構造がα−Ｆｅ−ｍＴ’Ｆ　ｅａ
　Ｎ＋Ｕ、に、　（Ｕｎｋｎｏ１１ｎ’）　の混相の場
合及びＴ′相単相の領域で、純鉄の４πＭｓ　　（２１
，６ＫＧ）を上回る値を示し、特に両領域の境界近傍で
は約２５ＫＧと非常に高い値となっている。

この高い４πＭｓは、γ′相及びＵ、　　Ｋ、相に起因
していると言える。この高４πＭｓの領域は、第９図中
に斜線で示したが、この領域では高４πＭｓと同時に低
Ｈｃも得られ、ヘッド材として好適なＦｅｘＮ膜となる
。報告されてぃるγ′相の４πＭｓは、約２４ＫＧであ
り、本発明におけるＴ′単相膜のそれも２２〜２４ＫＧ
でほぼ一致している。従って、膜の４πＭｓが２５ＫＧ
に達するということはＵ、　Ｋ、相の４πＭｓがγ′相
よりも高いことを意味している。高４πＭｓ膜がα＋γ
／　＋Ｕ、　Ｋ、とＴ′単相領域との境界近傍で得られ
たことから、Ｕ、　　Ｋ。

相がＦｅ、Ｎである可能性がある。

Ｐｔｏｔａｌ　＝５　Ｘｌ０−’Ｔｏｒｒ、　Ｖｐ　＝
２０Ｖのもとて高４πＭｓを持つ膜が得られる作製条件
範囲は、Ｔｓ　＝　２５０°Ｃ一定の場合、ＰＮＺ＝　
１．ｌＸｌ０−’〜４．０Ｘ１０″’Ｔｏｒｒ　（窒素
ガス混合比ｐＮｉ／Ｐ　ｔｏｔａｌ　＝　２．０〜８．
０％）　、Ｐｌｂ＝　３　ｘｔｏ−ｓＴｏｒｒ一定の場
合、Ｔｓ　＝　１５０〜２５０℃であった。

これらを通常のＲｆスパッタ装置を用いて堆積した膜で
高い４πＭｓが得られる条件ｐＮｇ／Ｐｔｏｔａｌ　＝
　２．７〜４．０％と比べると窒素ガス混合率の範囲が
広くなっている。高４πＭｓを持つＦｅ、Ｎと考えられ
ている相は、高エネルギー粒子の基板衝撃や基板温度の
上昇に弱いことが報告されているが、通常のＲｆスパッ
タ法の場合、窒素ガス混合比の変動により、プラズマポ
テンシャルやスパッタ効率が変化して高エネルギー粒子
の基板衝撃効果や基板温度の変動が生じ、これらが結晶
の成長を阻害する方向に働く場合（準安定相の破壊など
）、形成範囲が狭くなる。これに対し、本発明のイオン
ビームデポジション法では、窒素ガス混合比を独立に変
化させられるため、高４πＭｓ膜の作製範囲が広がった
ものと考えられる。

また、４πＭｓのＰｔｏｔａｌによる変化を測定したと
ころ、Ｐｔｏｔａｌが上昇するにつれて、裔い４πＭｓ
を持つ膜が得られる基板温度は上昇する傾向を示すこと
が分かった。これは、Ｐｔｏｔａｌの上昇にともなう堆
積粒子のイオンの割合の減少によって、形成される膜の
結晶性が低下するためと考えれらる。

第１３図に、４πＭｓのＶｐによる変化を示す。ここで
の試料は、Ｐ　ｔｏｔａｌ　＝　５　Ｘｌ０−’Ｔｏｒ
ｒ。

Ｔｓ　＝　１５０°Ｃ及びＰｔｏｔａｌ　＝　１　ｘｌ
Ｏ−”τｏｒｒ、　Ｔｓ＝１５０℃の条件で作製したも
のである。４πＭｓは、ｖｐの上昇にともない減少する
傾向を示した。この結果は、Ｆｅ−Ｎ膜では堆積粒子エ
ネルギーが３０ｅ　Ｖ　（Ｖｐ　＝２０Ｖニ対応）を越
えると膜の短距離秩序が急速に低下することを示してい
る。

以上に述べた結果を要約すると、以下のようになる。

（ａ）、各膜堆積条件を独立に制御することにより、Ｆ
ｅ−Ｎ膜の結晶構造の窒素分圧・基板温度依存性が明ら
かとなり、再現性良く膜を形成できる。

Φ）、イオン加速電圧ＶＧＩ　＝２０Ｖの場合、得られ
た結晶のうち、ａ−Ｆｅ、１’　−Ｆｅａ　Ｎ相は、夫
々（１１０）、（２００）面が膜面平行に強く配向して
いた。これは、堆積粒子の持つ高い運動エネルギー、−
様な方向性及び電荷の効果によるものと考えられる。

（Ｃ）、膜の飽和磁化４πＭｓは、結晶構造がα＋Ｔ′
＋　Ｕ　、　　Ｋ　、　（Ｕｎｋｎｏｗｎ）混相状態か
らγ′単相に遷移する作製条件領域で、約２５ＫＧと純
鉄より高い値を示した。

（ｄ）、高い４πＭｓが得られる基板温度は、全圧Ｐｔ
ｏｔａｌの減少にともなって低下し、Ｐｔｏｔａｌが５
　Ｘ　１０−　’Ｔｏｒｒ以下の場合、１５０〜２５０
°Ｃとなった。

これから堆積粒子中のイオンの割合を増加させることに
より、低基板温度でも膜の秩序度を向上させ得ることが
わかった。

このうち、（ａ）は本発明のイオンビームデポジション
法の良好な制御性が、（ｄ）はイオン化の効果が現れた
ものであり、従来の作成法では形成困難な高品位膜を、
このイオンビームデポジション法を用いれば再現性良く
形成できることを示しており、イオンビームデポジショ
ン法が極めて優れた作製法であることの証左である。

また、上記のＦｅｘＮ膜は、窒素の含有によって耐食性
が充分となっており、この点でも優れたものである。

なお、上述した例は種々変形が可能である。

例えば、第３図において、グリッドＧを複数枚セットし
、イオンビームの制御を種々に行うこともできる。また
、下部ターゲットＴ２に小孔１１を形成せず、両ターゲ
ッ）Ｔ、　７２間の側方に上述した如きスクリーングリ
ッドを（縦に）配し、ここからイオンビームを側方へ引
出すようにしてもよい、第３図の例では、基板Ｓ上に直
接Ｆｅｘｈ膜を堆積せしめたが、基板Ｓの代わりに仮想
線で示す如くに第３のターゲットＴ、を配し、このター
ゲットＴ、にイオンビーム１０を衝撃せしめ、叩き出さ
れた（スパッタされた）別のイオン化粒子を上記Ｆｅｘ
Ｎ粒子と一緒に基板Ｓ′上に導き、両者の混合膜を基板
Ｓ土に堆積させることができる０例えば、ターゲットＴ
、としてパーマロイ（Ｎｉ、。Ｆｅｚｏ）を使用すれば
、基板Ｓ′上にはＦｅｘＮとパーマロイとの混合物の薄
膜が得られる。

へ１発明の効果 本発明は上述した如く、透磁層の少なくとも一部が窒化
鉄からなっている（即ち、窒化鉄特有の高磁化、低Ｈｃ
、耐食性を発揮する）高性能のヘッドを製造するに際し
、対向ターゲットスパッタで生じた窒化鉄イオンを加速
電界で加速し、更に制御電界（グリッド電圧）下で制御
してからプラズマ発生用真空槽外へ導出し、基体上に導
いているので、イオンをエネルギー制御しながら効率よ
く引き出すことができ、磁気特性及び耐食性の良好な窒
化鉄膜を形成できる。この場合、制御電界（グリッド電
圧）はイオンのエネルギーを適切にコントロールして真
空槽外へ引き出すのに寄与するため、基体に対するイオ
ンの衝撃を緩らげて結晶の成長を促進し、高磁気特性の
膜を形成することができる。

また、プラズマ発生用真空槽の外部に基体を配している
ので、基体がプラズマに曝されることがなく、低い基体
温度での製膜が可能であると共に、基体温度の変動も生
じない。この結果、上記のエネルギー制御と共に基体温
度を適度に設定でき、結晶成長を十分に進行させて高磁
気特性の膜を再現性よく形成できる。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明の実施例を示すものであって、第１図、第
２図は磁気ヘッドの二側を示す各概略図、 第３図はイオンビーム発生装置の断面図、第４図は対向
ターゲットスパッタの原理図、第５図はイオンビーム導
出側のターゲット及びグリッドの平面図、 第６図は第５図のＸ−Ｘ線断面図、 第７図は上記装置の電気回路系を示す図、第８図は各部
のポテンシャル分布図、 第９図は堆積膜の結晶構造と窒素分圧、基板温度との関
係を示す図、 第１０図は堆積膜のＸ線解析図、 第１１図は堆積膜の飽和磁化及び抗磁力と窒素分圧との
関係を示すグラフ、 第１２図は堆積膜の飽和磁化と基板温度との関係を示す
グラフ、 第１３図は堆積膜の飽和磁化と加速電圧との関係を示す
グラフ である。 なお、図面に示した符号において、 ２・・・・・・・・・ガス導入管 ３・・・・・・・・・マグネットコイル１０・・・・・
・・・・イオンビーム １１．１２・・・・・・・・・小孔 １３・・・・・・・・・陽極（加速電極）１４・・・・
・・・・・磁性（化）膜 ＴＩ、Ｔ！・・・・・・・・・ターゲットＧ・・・・・
・・・・スクリーングリッドＡ・・・・・・・・・スパ
ッタ部 日・・・・・・・・・イオンビーム導出部Ｓ・・・・・
・・・・基板 である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、鉄からなる複数のターゲットをプラズマ発生用真空
   槽内において互いに対向せしめ、これらの対向ターゲッ
   ト間に窒素含有ガスを供給し、前記ターゲットをスパッ
   タするプラズマを発生させ、このプラズマによって発生
   した窒化鉄イオンを加速電界で加速した後に制御電界で
   エネルギー制御して前記プラズマ発生用真空槽よりその
   外部へ導出し、この導出された窒化鉄イオンを前記プラ
   ズマ発生用真空槽の外部に配された磁気ヘッド用基体に
   導き、透磁層の少なくとも一部を形成する窒化鉄として
   前記基体上に堆積させる、磁気ヘッドの製造方法。