JPH03152930A - ＡｌＮ薄膜の製造方法及びその製造装置 - Google Patents
ＡｌＮ薄膜の製造方法及びその製造装置Info
- Publication number
- JPH03152930A JPH03152930A JP29195889A JP29195889A JPH03152930A JP H03152930 A JPH03152930 A JP H03152930A JP 29195889 A JP29195889 A JP 29195889A JP 29195889 A JP29195889 A JP 29195889A JP H03152930 A JPH03152930 A JP H03152930A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- pressure
- mixed
- tma
- ammonia
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 60
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 34
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 19
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 239000002699 waste material Substances 0.000 abstract description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 4
- 238000002128 reflection high energy electron diffraction Methods 0.000 description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野］
本発明は、ＡＱＮ薄膜の製造方法及びその製造装置に関
する。
する。
［従来の技術］
ｍ族元素であるＡＱ（アルミニウム）と■族元素である
Ｎ（窒素）との化合物から成る八〇Ｎ（窒化アルミニウ
ム）膜は、次のような利点を有しているので電子デバイ
スの一種である５ＡＷ（表面弾性波）デバイスに好んで
応用されている。
Ｎ（窒素）との化合物から成る八〇Ｎ（窒化アルミニウ
ム）膜は、次のような利点を有しているので電子デバイ
スの一種である５ＡＷ（表面弾性波）デバイスに好んで
応用されている。
（１）音速が速く、伝播損失が小さいため高周波用に適
する。
する。
（２）ＡＱＮ膜は化学的、物理的に極めて安定であり、
ＳＡＷデバイスに適用した場合素子の温度特性も改善さ
れる可能性が高い。
ＳＡＷデバイスに適用した場合素子の温度特性も改善さ
れる可能性が高い。
（３）音速の周波数分散が小さく広帯域の信号を扱い易
い。
い。
（４）基板としてＳｊ（シリコン）を用いるとＩＣプロ
セスとの整合性があるので、Ｓ１素子を周辺に配置した
モノリシックＳＡＷデバイスを形成できる可能性がある
。
セスとの整合性があるので、Ｓ１素子を周辺に配置した
モノリシックＳＡＷデバイスを形成できる可能性がある
。
■
従来このようなＡＱＮ薄膜を製造するには、ＡＱを含ん
だ■族原料としてＴＭＡ （トリメチルアルミニウム）
を、 またＮを含んだＶ族原料としてアンモニアガスを
各々用意して両者を反応することが行われている。 し
がしＴＭＡとアンモニアガスは気相中で反応し易いので
、両者を混合した後にこの混合ガスを基板に吹き付けて
も、気相中において両者の付加化合物やそれが分解した
へ〇Ｎ粉末を生じてしまうため、ＡρＮ膜を形成するこ
とは困難である。
だ■族原料としてＴＭＡ （トリメチルアルミニウム）
を、 またＮを含んだＶ族原料としてアンモニアガスを
各々用意して両者を反応することが行われている。 し
がしＴＭＡとアンモニアガスは気相中で反応し易いので
、両者を混合した後にこの混合ガスを基板に吹き付けて
も、気相中において両者の付加化合物やそれが分解した
へ〇Ｎ粉末を生じてしまうため、ＡρＮ膜を形成するこ
とは困難である。
このため予め基板内にアンモニアガスを拡散させておい
た状態で、この基板上にＴＭＡを水素キャリアガスによ
って吹き付けてＡＱＮ膜を形成するというように、両者
を予め分離して導入することが考えられている。この場
合ＴＭＡガスを吹き付けるための適当なノズルと、ＴＭ
Ａガスが吹き付けられている条件下でアンモニアガスを
基板内に拡散させるためにアンモニアを多量に流すこと
が必要となる。このため従来方法ではノズルの最適化や
アンモニアの拡散法に種々の工夫が凝らされている。
た状態で、この基板上にＴＭＡを水素キャリアガスによ
って吹き付けてＡＱＮ膜を形成するというように、両者
を予め分離して導入することが考えられている。この場
合ＴＭＡガスを吹き付けるための適当なノズルと、ＴＭ
Ａガスが吹き付けられている条件下でアンモニアガスを
基板内に拡散させるためにアンモニアを多量に流すこと
が必要となる。このため従来方法ではノズルの最適化や
アンモニアの拡散法に種々の工夫が凝らされている。
第４図は従来方法を実施するために用いられる製造装置
を示すもので、１はＴＭＡが収容されている容器、２は
水素キャリアガス供給口、３はＨ，ガス（ＴＭＡバック
アップガス）供給口、４はアンモニアガス供給口、５は
ＭＦＣ１６はパルブタ１１が配置さ九て周囲には誘導加
熱用ワークコイル」２が設けられている。】３は反応済
みガスの排気口である。
を示すもので、１はＴＭＡが収容されている容器、２は
水素キャリアガス供給口、３はＨ，ガス（ＴＭＡバック
アップガス）供給口、４はアンモニアガス供給口、５は
ＭＦＣ１６はパルブタ１１が配置さ九て周囲には誘導加
熱用ワークコイル」２が設けられている。】３は反応済
みガスの排気口である。
このような第４図の製造装置を用いてＡＱＮ薄膜を成長
させた例について次に示す。
させた例について次に示す。
成長条件
ＴＭＡ ６．０ＸＩＯ−Ｓモル７分アンモニア
６．７Ｘ１０−” モル７分水素 １．８ モル
フ分 反応圧力 ７６０ｔｏｒｒ 成長温度 １１５０℃ ＴＭＡノズル内ガス線速度 ０ 、３４ ｍ／ｓｅｅ３
− ４ Ｖ／ｍ比 １１０００ すなわちアンモニア（ｖｉｔＡｙＫ料）トＴＭＡ、（Ｔ
ＩＩ族原料）との比率は１００００以上必要であり、使
用するアンモニアは標準状態換算で１５α／分、水素は
４（ｌｔ／分必要とした。
６．７Ｘ１０−” モル７分水素 １．８ モル
フ分 反応圧力 ７６０ｔｏｒｒ 成長温度 １１５０℃ ＴＭＡノズル内ガス線速度 ０ 、３４ ｍ／ｓｅｅ３
− ４ Ｖ／ｍ比 １１０００ すなわちアンモニア（ｖｉｔＡｙＫ料）トＴＭＡ、（Ｔ
ＩＩ族原料）との比率は１００００以上必要であり、使
用するアンモニアは標準状態換算で１５α／分、水素は
４（ｌｔ／分必要とした。
［発明が解決しようとする課題］
ところで従来のＡＱＮ薄膜の製造方法では、多量の原料
を浪費すると共に大きなＶ／ｍ比を必要とするので極め
て非効率であるという問題がある。
を浪費すると共に大きなＶ／ｍ比を必要とするので極め
て非効率であるという問題がある。
本発明は以上のような問題に対処してなされたもので、
効率よくＡｌＮ薄膜を形成することができるＡＱＮ薄膜
製造方法及びその製造装置を提供することを目的とする
ものである。
効率よくＡｌＮ薄膜を形成することができるＡＱＮ薄膜
製造方法及びその製造装置を提供することを目的とする
ものである。
［課題を解決するための手段］
上記目的を達成するために本発明は、■族元素を含むガ
スと■族元素を含むガスとを反応圧力０．２乃至１０ｔ
ｏｒｒ下で混合せしめ、この混合ガスを０ 、７２ ｍ
／ｓｅｅ以上のガス線速度で基板に吹き付けることを特
徴とするものである。
スと■族元素を含むガスとを反応圧力０．２乃至１０ｔ
ｏｒｒ下で混合せしめ、この混合ガスを０ 、７２ ｍ
／ｓｅｅ以上のガス線速度で基板に吹き付けることを特
徴とするものである。
また本発明はＡＱＮ薄膜の製造装置として、■族元素を
含むガス発生源と、このガス発生源から送出されるガス
圧力を所定の値に調整する第１のガス調整手段と、■族
元素を含むガス発生源と、このガス発生源から送出され
るガス圧力を所定の値に調整する第２のガス調整手段と
、上記第１及び第２のガス調整手段を介したガスを混合
して反応容器に送出するガス混合器と、上記反応容器か
ら所定の圧力で排気する排気手段とを備えたことを特徴
とするものである。
含むガス発生源と、このガス発生源から送出されるガス
圧力を所定の値に調整する第１のガス調整手段と、■族
元素を含むガス発生源と、このガス発生源から送出され
るガス圧力を所定の値に調整する第２のガス調整手段と
、上記第１及び第２のガス調整手段を介したガスを混合
して反応容器に送出するガス混合器と、上記反応容器か
ら所定の圧力で排気する排気手段とを備えたことを特徴
とするものである。
［作用］
成長圧力を０．２乃至１０ｔｏｒｒに規定し、また混合
ガスのガス線速度を０ 、７２ ｍ／ｓｅｅ以上に設定
することにより、■族原料とＶ族原料との気相反応を抑
えることができるので、少量の原料でも高品質のＡＱＮ
薄膜を成長させることができる。
ガスのガス線速度を０ 、７２ ｍ／ｓｅｅ以上に設定
することにより、■族原料とＶ族原料との気相反応を抑
えることができるので、少量の原料でも高品質のＡＱＮ
薄膜を成長させることができる。
従って効率良＜ＡＱＮ薄膜を形成することができる。
［実施例コ
以下図面を参照して本発明実施例を説明する。
第１図は本発明のＡＱＮ薄膜の製造方法を実施５
するために用いられる製造装置の構成を示すもので、１
はＴＭＡを収容している容器、２は水素キャリアガス供
給口、３はＨ２ガス（ＴＭＡバックアップガス）供給口
、４はアンモニアガス供給口、ワークコイル、１３は反
応済みガスの排気口である。また１４は圧力調整ニード
ルバルブ、１５はガス混合器、１６は圧力調整バルブで
ある。
はＴＭＡを収容している容器、２は水素キャリアガス供
給口、３はＨ２ガス（ＴＭＡバックアップガス）供給口
、４はアンモニアガス供給口、ワークコイル、１３は反
応済みガスの排気口である。また１４は圧力調整ニード
ルバルブ、１５はガス混合器、１６は圧力調整バルブで
ある。
ＴＭＡ容器１からバルブ６を通して供給されるＴＭＡ及
び供給１コ４から供給されるアンモニアガスは各々圧力
調整ニードルバルブ１４によって圧力が調整された後、
反応容器７の直上に設けられたガス混合器１５によって
反応直前に混合されて反応容器７内に導入される。この
場合ＴＭＡとアンモニアを分離するための特別なノズル
は不要であり、また反応容器７の形状も特別な形状は必
要でなく単なる円筒型でよい。
び供給１コ４から供給されるアンモニアガスは各々圧力
調整ニードルバルブ１４によって圧力が調整された後、
反応容器７の直上に設けられたガス混合器１５によって
反応直前に混合されて反応容器７内に導入される。この
場合ＴＭＡとアンモニアを分離するための特別なノズル
は不要であり、また反応容器７の形状も特別な形状は必
要でなく単なる円筒型でよい。
反応容器７内は減圧されており、この減圧容器７内に導
入された混合ガスは線速度が高められた状態で基板１０
に吹き付けられる。このように反応容器７内を減圧する
ことによりＴＭＡとアンモニアとの気相反応速度が抑え
られ、またガス線速度を高めたことによりノズルを用い
た場合と同等かそれ以上の効果が得られる。
入された混合ガスは線速度が高められた状態で基板１０
に吹き付けられる。このように反応容器７内を減圧する
ことによりＴＭＡとアンモニアとの気相反応速度が抑え
られ、またガス線速度を高めたことによりノズルを用い
た場合と同等かそれ以上の効果が得られる。
次に本発明の第１の実施例を以下に示す。
（第１の実施例）
ＡＱＮ膜成長条件
’ｒＭＡ ３ 、 ＯＸ １０−’ −ｅＪ
Ｌｉ１分アンモニア Ｌ、５Ｘ１０−３モル／分水
素 ２．４−ＸＩＯ−’乃至２．０Ｘ１０−
’モル／分 反応圧力 ０−２ ＋ １ 、Ｏ＋ １０ ｔｏ
ｒｒ成長温度 ９５０℃ ガス線速度 ０ 、７２ ｍ／ｓｅｃ反応容器形状
円筒型 Ｖ／ＩＩＩ比 ５０ 以上のような条件によってＳｉ基板上に成長したＡＱＮ
薄膜のＲＨＥＥＤ写真を第２図（ａ）。
Ｌｉ１分アンモニア Ｌ、５Ｘ１０−３モル／分水
素 ２．４−ＸＩＯ−’乃至２．０Ｘ１０−
’モル／分 反応圧力 ０−２ ＋ １ 、Ｏ＋ １０ ｔｏ
ｒｒ成長温度 ９５０℃ ガス線速度 ０ 、７２ ｍ／ｓｅｃ反応容器形状
円筒型 Ｖ／ＩＩＩ比 ５０ 以上のような条件によってＳｉ基板上に成長したＡＱＮ
薄膜のＲＨＥＥＤ写真を第２図（ａ）。
（ｂ）、（Ｃ）に示す。各々は反応圧力が異なってい−
８
る６第２図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）から明らかなように
ＡＱＮの構造を示すスポットが観察され、原料ガスを混
合しかつＶ／ｍ比５ｏでも良好な結晶が成長することを
示している。ＩＱｔｏｒｒではＲＨＥＥＤパターンはリ
ング状になって結晶性が多少悪化していることを示して
いる。ガスを混合しているためＩＱｔｏｒｒ程度の反応
圧力では気相反応が進み、ＡＱＮ膜の成長を阻害してい
るものと考えられる。
ＡＱＮの構造を示すスポットが観察され、原料ガスを混
合しかつＶ／ｍ比５ｏでも良好な結晶が成長することを
示している。ＩＱｔｏｒｒではＲＨＥＥＤパターンはリ
ング状になって結晶性が多少悪化していることを示して
いる。ガスを混合しているためＩＱｔｏｒｒ程度の反応
圧力では気相反応が進み、ＡＱＮ膜の成長を阻害してい
るものと考えられる。
Ａｌ２Ｎ薄膜の成長には１Ｑｔｏｒｒ以下であることが
望ましい条件である。このとき使用したアンモニアガス
は標準状態換算で０．０３４Ｑ１分、水素は０．０５４
乃至４．ＥＭｌ／分であり、従来方法に比べて大幅に使
用ガス量が削減されている。アンモニア量は数百分の１
となっている。
望ましい条件である。このとき使用したアンモニアガス
は標準状態換算で０．０３４Ｑ１分、水素は０．０５４
乃至４．ＥＭｌ／分であり、従来方法に比べて大幅に使
用ガス量が削減されている。アンモニア量は数百分の１
となっている。
次に本発明の第２の実施例を以下に示す。
（第２の実施例）
ＡＱＮ膜成長条件
ＴＭＡ ４ Ｘ １０−’ （−／Ｌ／／分
Ｓ アンモニア ２ Ｘ １０”＝モル／分水素
６．７Ｘ１０〜３乃至１．７Ｘ１０−’モル／分 反応圧力 １ ｔ、ｏｒｒ 反応容器形状 円筒型 Ｖ１ｍ比 ５０ 以上のような条件によってＳｉ基板上に成長したＡＱＮ
薄膜のＲＨＥＥＤ写真を第３図（ａ）。
Ｓ アンモニア ２ Ｘ １０”＝モル／分水素
６．７Ｘ１０〜３乃至１．７Ｘ１０−’モル／分 反応圧力 １ ｔ、ｏｒｒ 反応容器形状 円筒型 Ｖ１ｍ比 ５０ 以上のような条件によってＳｉ基板上に成長したＡＱＮ
薄膜のＲＨＥＥＤ写真を第３図（ａ）。
（ｂ）、（ｃ）に示す。各々はガス線速度が異なってい
る。第３図（ａ）、（ｂ）ｌ（ｃ）から明らがなように
、 ０．３１ ｍ／ｓｅｃの線速度ではＡＱＮ薄膜は成
長していない。線速度が小さいと気相反応によって基板
到達前に原料ガスであるＴＭＡが消費されてしまうか、
又はＴＭＡを基板に到達させるに必要なガス線速度が足
りないためと考えられる。いずれにしろ０ 、７２ ｍ
／ｓｅｃ以」二の線速度ではＲＨＥＥＤパターンはＡμ
Ｎの結晶構造を示しており、ガスを混合してもこの線速
度以上であればＡＱＮが成長することを示している。
る。第３図（ａ）、（ｂ）ｌ（ｃ）から明らがなように
、 ０．３１ ｍ／ｓｅｃの線速度ではＡＱＮ薄膜は成
長していない。線速度が小さいと気相反応によって基板
到達前に原料ガスであるＴＭＡが消費されてしまうか、
又はＴＭＡを基板に到達させるに必要なガス線速度が足
りないためと考えられる。いずれにしろ０ 、７２ ｍ
／ｓｅｃ以」二の線速度ではＲＨＥＥＤパターンはＡμ
Ｎの結晶構造を示しており、ガスを混合してもこの線速
度以上であればＡＱＮが成長することを示している。
０
［発明の効果］
以上述へたように本発明によれば、ＩＩＩ族ガスと■族
ガスの浪費を防ぎかつ効率よ＜ＡＱＮ薄膜を形成するこ
とができるので、ＳＡＷデバイスのような電子デバイス
に適用して効果的であり、ＳＡＷモノリシック回路実現
に大きく寄与することができる。
ガスの浪費を防ぎかつ効率よ＜ＡＱＮ薄膜を形成するこ
とができるので、ＳＡＷデバイスのような電子デバイス
に適用して効果的であり、ＳＡＷモノリシック回路実現
に大きく寄与することができる。
第１図は本発明のＡＱＮ薄膜の製造方法を実施するため
に用いられる製造装置の構成図、第２図ために用いられ
た製造装置ｉｆｆの構成図である。 ７・・・ 反応容器、】Ｏ・基鈑、」４・・・・圧力調
整ニーｌ−用バルブ、」５ ・・ガス混合器。
に用いられる製造装置の構成図、第２図ために用いられ
た製造装置ｉｆｆの構成図である。 ７・・・ 反応容器、】Ｏ・基鈑、」４・・・・圧力調
整ニーｌ−用バルブ、」５ ・・ガス混合器。
Claims (2)
- （１）ＩＩＩ族元素を含むガスとＶ族元素を含むガスと
を反応圧力０．２乃至１０ｔｏｒｒ下で混合せしめ、こ
の混合ガスを０．７２ｍ／ｓｅｃ以上のガス線速度で基
板に吹き付けることを特徴とするＡｌＮ薄膜の製造方法
。 - （２）ＩＩＩ族元素を含むガス発生源と、このガス発生
源から送出されるガス圧力を所定の値に調整する第１の
ガス調整手段と、Ｖ族元素を含むガス発生源と、このガ
ス発生源から送出されるガス圧力を所定の値に調整する
第２のガス調整手段と、上記第１及び第２のガス調整手
段を介したガスを混合して反応容器に送出するガス混合
器と、上記反応容器から所定の圧力で排気する排気手段
とを備えたことを特徴とするＡｌＮ薄膜製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29195889A JPH03152930A (ja) | 1989-11-09 | 1989-11-09 | ＡｌＮ薄膜の製造方法及びその製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29195889A JPH03152930A (ja) | 1989-11-09 | 1989-11-09 | ＡｌＮ薄膜の製造方法及びその製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03152930A true JPH03152930A (ja) | 1991-06-28 |
Family
ID=17775665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29195889A Pending JPH03152930A (ja) | 1989-11-09 | 1989-11-09 | ＡｌＮ薄膜の製造方法及びその製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03152930A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5976260A (en) * | 1992-09-07 | 1999-11-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor producing apparatus, and wafer vacuum chucking device, gas cleaning method and nitride film forming method in semiconductor producing apparatus |
| US20130029496A1 (en) * | 2011-07-29 | 2013-01-31 | Asm America, Inc. | Methods and Apparatus for a Gas Panel with Constant Gas Flow |
-
1989
- 1989-11-09 JP JP29195889A patent/JPH03152930A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5976260A (en) * | 1992-09-07 | 1999-11-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor producing apparatus, and wafer vacuum chucking device, gas cleaning method and nitride film forming method in semiconductor producing apparatus |
| US20130029496A1 (en) * | 2011-07-29 | 2013-01-31 | Asm America, Inc. | Methods and Apparatus for a Gas Panel with Constant Gas Flow |
| US8728239B2 (en) * | 2011-07-29 | 2014-05-20 | Asm America, Inc. | Methods and apparatus for a gas panel with constant gas flow |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4539068A (en) | Vapor phase growth method | |
| US4781945A (en) | Process for the formation of phosphosilicate glass coating | |
| JPS61219793A (ja) | 有機金属熱分解法気相成長装置 | |
| JP2023005168A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物結晶の製造装置及びｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法 | |
| JPS6050169A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPH08316151A (ja) | 半導体の製造方法 | |
| JPS60130126A (ja) | 光気相成長法 | |
| JPS60175412A (ja) | 窒化ガリウムの成長方法 | |
| JPH02205316A (ja) | エピタキシャル気相成長装置 | |
| JPH02135736A (ja) | フッ素化シリコン窒化膜の成長方法 | |
| JPH02230720A (ja) | 化合物半導体の気相成長方法およびその装置 | |
| JPH08208385A (ja) | 窒化ガリウム系半導体結晶の成長方法 | |
| JP3006776B2 (ja) | 気相成長方法 | |
| KR950032727A (ko) | 갈륨 나이트라이드 단결정 박막의 제조방법과 그 제조장치 | |
| JPH02126632A (ja) | 化合物半導体結晶層の気相成長方法及びそれに用いる反応管 | |
| JPH06244110A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPS6353160B2 (ja) | ||
| JPH06204145A (ja) | 化合物半導体の有機金属気相成長装置 | |
| JPH0445273A (ja) | Ａｌ薄膜の選択的形成方法 | |
| JPS5930799A (ja) | 化合物半導体結晶成長装置 | |
| JPH02122521A (ja) | 化合物半導体結晶層の製造方法 | |
| JPS58115816A (ja) | 化合物半導体気相成長装置 | |
| JPS62167293A (ja) | 気相結晶成長装置 | |
| JPH03133123A (ja) | 有機金属気相成長法 | |
| JPS5931985B2 (ja) | マグネスピネルの気相成長法 |