JPH03155029A - X線銃 - Google Patents
X線銃Info
- Publication number
- JPH03155029A JPH03155029A JP29554889A JP29554889A JPH03155029A JP H03155029 A JPH03155029 A JP H03155029A JP 29554889 A JP29554889 A JP 29554889A JP 29554889 A JP29554889 A JP 29554889A JP H03155029 A JPH03155029 A JP H03155029A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- anode
- filament
- electrode
- electron beam
- repeller electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は試料面にX1sを照射して試料から放射される
二次放射線を検出する型の分析装置に用いられるX線銃
に関する。
二次放射線を検出する型の分析装置に用いられるX線銃
に関する。
(従来の技術)
Xn銃にはフィラメントとアノードとを対向させた通常
のXn銃とアノードの横にフィラメントを配置し、アノ
ードとフィラメントとの間にウェネルト電極を配置した
ヘンヶ型とかコニカル型のX線銃がある。前者はアノー
ドの電子ビーム照射領域を小さく紋ることができるので
、微小X線源を得るのに遺しているが、アノードとフィ
ラメントとが対向しているため、アノードにフィラメン
トからの蒸発物質が付着してアノード物質の特性X線以
外の不要なX線が発生して分析の妨げととなる。他方ヘ
ンヶ型とかコニカル型のX線銃はフィラメントがアノー
ドの側方にあり、電子はフィラメントよりアノードの正
電位に引かれてウェネルト電極を越えてアノードに入射
できるが、フィラメントからの蒸発物質は直進するため
アノードに入射することなく、アノードの汚染は起らな
い。しかしこの型では電子ビームをアノード表面に小さ
く絞り込むことができないため、微小X線源を得ること
ができない。
のXn銃とアノードの横にフィラメントを配置し、アノ
ードとフィラメントとの間にウェネルト電極を配置した
ヘンヶ型とかコニカル型のX線銃がある。前者はアノー
ドの電子ビーム照射領域を小さく紋ることができるので
、微小X線源を得るのに遺しているが、アノードとフィ
ラメントとが対向しているため、アノードにフィラメン
トからの蒸発物質が付着してアノード物質の特性X線以
外の不要なX線が発生して分析の妨げととなる。他方ヘ
ンヶ型とかコニカル型のX線銃はフィラメントがアノー
ドの側方にあり、電子はフィラメントよりアノードの正
電位に引かれてウェネルト電極を越えてアノードに入射
できるが、フィラメントからの蒸発物質は直進するため
アノードに入射することなく、アノードの汚染は起らな
い。しかしこの型では電子ビームをアノード表面に小さ
く絞り込むことができないため、微小X線源を得ること
ができない。
(発明が解決しようとする課題)
本発明は電子ビームをアノード表面に充分小さく絞るこ
とが可能でしかもフィラメントからの蒸発物質によるア
ノードの汚染の起らないX線銃を提供しようとするもの
である。
とが可能でしかもフィラメントからの蒸発物質によるア
ノードの汚染の起らないX線銃を提供しようとするもの
である。
(課題を解決するための手段)
フィラメントから放出される電子をアノード表面に集中
させる電子光学系内に電子ビームを屈曲させるりペラ電
極を配置した。
させる電子光学系内に電子ビームを屈曲させるりペラ電
極を配置した。
(作用)
リペラ電極がなければ全体はフィラメントとアノードと
を対向させた型のX線源となっており、電子ビームはア
ノード表面の微小領域に絞り込まれる。この電子光学系
にリベラ電極が挿入されているので、電子ビームは屈曲
してアノード表面に入射する。これに対してフィラメン
トからの蒸発物質は直進するので、アノードに入射する
ことができず、汚染が防止される。
を対向させた型のX線源となっており、電子ビームはア
ノード表面の微小領域に絞り込まれる。この電子光学系
にリベラ電極が挿入されているので、電子ビームは屈曲
してアノード表面に入射する。これに対してフィラメン
トからの蒸発物質は直進するので、アノードに入射する
ことができず、汚染が防止される。
(実施例)
第1図に本発明の一実施例を示す。1はフィラメントで
0電位である。2はウェネルト電極でO或は稍々負電位
に設定されている。3は電子引出し電極で数十乃至数百
ポルト、この実施例では+700Vが印加されている。
0電位である。2はウェネルト電極でO或は稍々負電位
に設定されている。3は電子引出し電極で数十乃至数百
ポルト、この実施例では+700Vが印加されている。
4は引出し電極の後方に配置された第2接地電極で0電
位に設定されている。ウェネルト2.引出し電極3.第
2.接地電極4は共通軸上に開口を有し、+10KV程
度に設定されているアノード5に向って電子ビームを集
束させる静電レンズ系となっている。6は第2接地電極
4の後方に置かれたリヘラ電極で、カップ状をなし、そ
の底面の偏心した位置に電子出射開口61が穿たれてお
り、その開口の後方にアノード5が配置されていて、こ
の開口軸とウェネルト、引出し電極、第2接地電極の開
口軸とはずれており、リペラ電極6は負の数百ボルト、
この実施例では一400vが印加されている。このため
フィラメント1からウェネルト2.引出し電極3.第2
接地電極4を通った電子ビームeはリベラ電極6に反撥
されて軌道が曲がり、リペラ電極の偏心した電子出射開
口61よりアノード5表面に収束せられる。フィラメン
ト1から出ている点線の矢印Cはフィラメント蒸発物質
を示し、これは直進するためリベラ電極6の底面に当り
、アノード5には入射できない。
位に設定されている。ウェネルト2.引出し電極3.第
2.接地電極4は共通軸上に開口を有し、+10KV程
度に設定されているアノード5に向って電子ビームを集
束させる静電レンズ系となっている。6は第2接地電極
4の後方に置かれたリヘラ電極で、カップ状をなし、そ
の底面の偏心した位置に電子出射開口61が穿たれてお
り、その開口の後方にアノード5が配置されていて、こ
の開口軸とウェネルト、引出し電極、第2接地電極の開
口軸とはずれており、リペラ電極6は負の数百ボルト、
この実施例では一400vが印加されている。このため
フィラメント1からウェネルト2.引出し電極3.第2
接地電極4を通った電子ビームeはリベラ電極6に反撥
されて軌道が曲がり、リペラ電極の偏心した電子出射開
口61よりアノード5表面に収束せられる。フィラメン
ト1から出ている点線の矢印Cはフィラメント蒸発物質
を示し、これは直進するためリベラ電極6の底面に当り
、アノード5には入射できない。
第2図は上述実施例における電子光学系内の電界分布を
示し、第3図は同じ(電子軌道のシミュレーション結果
を示し、アノード表面に電子が良好に収束していること
が分る。
示し、第3図は同じ(電子軌道のシミュレーション結果
を示し、アノード表面に電子が良好に収束していること
が分る。
(発明の効果)
本発明X線銃は構造的にはフィラメントとアノードとを
対向させた型と同じであって微小X線源を得ることがで
き、他方リベラ電極を設けることによって、アノードか
ら見てフィラメントが直接見えないようになっているた
め、直進するフィラメント蒸発物質によるアノード汚染
が起らない。
対向させた型と同じであって微小X線源を得ることがで
き、他方リベラ電極を設けることによって、アノードか
ら見てフィラメントが直接見えないようになっているた
め、直進するフィラメント蒸発物質によるアノード汚染
が起らない。
第1図は本発明の一実施例X線銃の縦断側面図、第2図
は同実施例の電子光学系内の電界分布を示す図、第3図
は同じく電子軌道の図である。 1・・・フィラメント、2・・・ウェネルト電極、3・
・・電子引出し電極、4・・・第2接地電極、5・・・
アノード、6・・・リベラ電極、e・・・電子ビーム、
C・・・フィラメント蒸発物質。 e・・・電子 C・・・フィラメーF蔗全1勿質
は同実施例の電子光学系内の電界分布を示す図、第3図
は同じく電子軌道の図である。 1・・・フィラメント、2・・・ウェネルト電極、3・
・・電子引出し電極、4・・・第2接地電極、5・・・
アノード、6・・・リベラ電極、e・・・電子ビーム、
C・・・フィラメント蒸発物質。 e・・・電子 C・・・フィラメーF蔗全1勿質
Claims (1)
- フィラメントから放出される電子をアノード表面に集中
させる電子光学系内に電子ビームを屈曲させるリペラ電
極を配置したことを特徴とするX線銃。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29554889A JP2817277B2 (ja) | 1989-11-14 | 1989-11-14 | X線銃 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29554889A JP2817277B2 (ja) | 1989-11-14 | 1989-11-14 | X線銃 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03155029A true JPH03155029A (ja) | 1991-07-03 |
| JP2817277B2 JP2817277B2 (ja) | 1998-10-30 |
Family
ID=17822074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29554889A Expired - Lifetime JP2817277B2 (ja) | 1989-11-14 | 1989-11-14 | X線銃 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2817277B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007103318A (ja) * | 2005-10-07 | 2007-04-19 | Hamamatsu Photonics Kk | X線管 |
| WO2008120541A1 (ja) * | 2007-04-03 | 2008-10-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | X線管 |
| EP3901981A1 (en) * | 2020-04-24 | 2021-10-27 | IMS Nanofabrication GmbH | Charged-particle source |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6138575B2 (ja) | 2013-05-16 | 2017-05-31 | 三菱日立パワーシステムズ株式会社 | 軸流ターボ機械の動翼 |
-
1989
- 1989-11-14 JP JP29554889A patent/JP2817277B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007103318A (ja) * | 2005-10-07 | 2007-04-19 | Hamamatsu Photonics Kk | X線管 |
| WO2007043391A1 (ja) * | 2005-10-07 | 2007-04-19 | Hamamatsu Photonics K.K. | X線管及びそれを含むx線源 |
| US7831020B2 (en) | 2005-10-07 | 2010-11-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | X-ray tube and X-ray source including it |
| TWI427664B (zh) * | 2005-10-07 | 2014-02-21 | Hamamatsu Photonics Kk | X-ray tube and X-ray source containing it |
| WO2008120541A1 (ja) * | 2007-04-03 | 2008-10-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | X線管 |
| EP3901981A1 (en) * | 2020-04-24 | 2021-10-27 | IMS Nanofabrication GmbH | Charged-particle source |
| JP2021174772A (ja) * | 2020-04-24 | 2021-11-01 | アイエムエス ナノファブリケーション ゲーエムベーハー | 荷電粒子源 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2817277B2 (ja) | 1998-10-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6213789B2 (ja) | ||
| JP3333533B2 (ja) | 荷電粒子抽出装置 | |
| JP2013101918A (ja) | 質量分析装置 | |
| EP0838080B1 (en) | Sample analyzer | |
| JPS5958749A (ja) | 複合対物および放射レンズ | |
| EP0084850B1 (en) | Apparatus for irradiation with charged particle beams | |
| JP3399989B2 (ja) | 荷電粒子エネルギー分析装置 | |
| KR20000034962A (ko) | 하전입자의 이중-모드 검출 장치 및 방법 | |
| US3946268A (en) | Field emission gun improvement | |
| US6633034B1 (en) | Method and apparatus for imaging a specimen using low profile electron detector for charged particle beam imaging apparatus including electrostatic mirrors | |
| WO2008017982A2 (en) | X-ray tube and method of voltage supplying of an ion deflecting and collecting setup of an x-ray tube | |
| EP0617452B1 (en) | Charged particle analyser | |
| JP2817277B2 (ja) | X線銃 | |
| US9754772B2 (en) | Charged particle image measuring device and imaging mass spectrometry apparatus | |
| US7394069B1 (en) | Large-field scanning of charged particles | |
| JP3494152B2 (ja) | 走査形電子顕微鏡 | |
| JP2550033B2 (ja) | 荷電粒子引き込み機構 | |
| JP2778227B2 (ja) | イオン源 | |
| JPH0429439Y2 (ja) | ||
| JP2870884B2 (ja) | 電子検出器 | |
| JPS61114453A (ja) | 荷電粒子線装置 | |
| JPH11176372A (ja) | イオン照射装置 | |
| JPH0651100A (ja) | 粒子線照射装置の帯電抑制装置 | |
| JPH0614457B2 (ja) | 電界放射形荷電粒子源 | |
| JPH02112140A (ja) | 低速イオン銃 |