JPH03155525A - 情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】

本発明は情報記録媒体に関する。

【従来の技術】

各種の情報信号を高い記録密度で記録することについて
の要望が高まるのにつれて、近年になって色々な構成原
理や動作原理に基づいて作られた情報記録媒体を用いて
情報信号の高密度記録再生が行われるようになり、従来
から例えば情報記録媒体の記録層に情報信号によって強
度変調された記録用ビームを照射することにより、情報
記録媒体における記録層に情報信号に応じた物理変化あ
るいは化学変化を生じさせて情報信号の記録が行われる
ようにした情報記録媒体として、光学的及びまたは電気
的特性（光の透過率２反射率、吸収率。 電気抵抗、その他の特性）の異なる２つ以上の安定な構
造状態を有しており、外部から光学的、電気的、熱的エ
ネルギの印加によって、前記した安定な構造状態間での
転移を起こす材料（無機材料、有機材料）を、基板上に
蒸着法あるいはスパッタリング法を適用して成膜して記
録層に用いるようにした相変化型に属する情報記録媒体
についても、１回だけユーザが追加して記録できる光デ
ィスク（追記型光ディスク）や消去可能な光ディスクな
どとして、オフィス用ファイルメモリ、その他の用途で
の実用化のために盛んに研究開発が行われている他、光
磁気型、ビット形成型、泡あるいは凹凸形成型、光磁気
型等のように大別できる各種形式のものが提案されてい
ることは周知のとおりであり、また、最近になって記録
の対象にされている情報信号を高解像度の電荷像として
記録できる情報記録媒体として光変調機能を有する電荷
保持層を備えたものについての提案もなされている。

【発明が解決しようとする課題１ ところが、従来の多くの情報記録媒体においては、真空
蒸着法、あるいはスパッタリング法などの適用により記
録層が成膜される必要があるために、製造設備が大掛か
りなものになるという問題点がある他に、所定の特性を
備えている情報記録媒体を歩留り良く大量生産すること
が簡単にはできないという点が問題になり、また、記録
層の構成に使用される記録材料が毒性を有していたり、
記録層の保存性（耐候性）が不良であったりする点など
の問題点も指摘されており、さらに情報記録媒体として
合金系の結晶間の転移を利用するものはエネルギの吸収
効率が悪く、記録感度が低いという欠点があり、さらに
また有機系の記録材料を用いたものでは良好な特性のも
のが得られないという点が問題になっている。 また、記録の対象にされている情報信号を高解像度の電
荷像として記録できる情報記録媒体として光変調機能を
有する電荷保持層を備えたものについても、電荷保持層
上に電荷が保持されていないと記録された電荷像を光学
像として読出すことができないが、電荷保持層上の電荷
を空気中において長期間にわたり保持させることが困難
であるということが問題になった。 前記した問題点を解決するために、本出願人会社では先
に、記録の対象にされている情報と対応する強度を有す
る電界の印加に応じた配向状態となされ、かつ、前記し
た印加電界が除去された状態でも前記の配向状態が保持
される状態となされるように、高分子材料中に室温でネ
マティック相を示す液晶を分散させて構成した高分子一
液晶メモリ膜を備えてなる情報記録媒体を提案した。 そして、前記した既提案の高分子材料中に室温でネマテ
ィック相を示す液晶を分散させて構成した高分子一液晶
メモリ膜を備えてなる情報記録媒体では、それの表面に
記録の対象にされている情報と対応する電荷像を形成さ
せて、高分子一液晶メモリ膜中に分散させである室温で
ネマティック相を示す液晶の配向の状態を、前記した電
荷像による電界強度分布に応じて変化している状態にさ
せた場合には、情報記録媒体の表面に形成させた前記の
電荷が除去された状態においても、記録の対象にされて
いる情報が高分子一液晶メモリ膜中に分散されている室
温でネマティック相を示すネマティック液晶の配向の状
態によって記憶されるために、前記した問題点は良好に
解決することができた。 しかし、前記した既提案の高分子材料中に室温でネマテ
ィック相を示す液晶を分散させて構成した高分子一液晶
メモリ膜を備えてなる情報記録媒体では、高分子一液晶
メモリ膜中に分散されている室温でネマティック相を示
す液晶の配向の状態が時間の経過につれて変化して行く
ために、情報記録媒体から読出される光学的な画像情報
のコントラスト比が時間軸上で次第に低下する傾向を示
すために、それの解決策が求められた。 【課題を解決するための手段１ 本発明は記録の対象にされている情報と対応する強度を
有する電界の印加に応じた配向状態となされ、かつ、前
記した印加電界が除去された状態でも前記の配向状態が
保持される状態となされるように、高分子材料中に液晶
を分散させて構成した高分子一液晶メモリ膜を備えてな
る情報記録媒体において、前記した高分子一液晶メモリ
膜として高分子マトリクス中にスメクティック相を示す
液晶が不定形に分散している状態の高分子一液晶メモリ
膜を用いてなる情報記録媒体、及び記録の対象にされて
いる情報と対応する強度を有する電界の印加に応じた配
向状態となされ、かつ、前記した印加電界が除去された
状態でも前記の配向状態が保持される状態となされるよ
うな高分子一液晶メモリ膜として高分子マトリクス中に
スメクティック相を示す液晶が不定形に分散している状
態の高分子一液晶メモリ膜を備えて構成されている情報
記録媒体における前記した高分子メモリ膜に光導電層部
材を積層させてなる情報記録媒体を提供する。 【作用】 記録の対象にされている情報と対応する強度を有する電
界を情報記録媒体に印加すると、情報記録媒体における
高分子膜中に分散されている室温でスメクティック相を
示す液晶は、それに印加された電界強度に応じた配向状
態とされる。そして前記の配向状態は前記した印加電界
が除去された後においてもそのまま保持される。 前記のようにして記録の対象にされている情報が、情報
記録媒体における高分子一液晶メモリ膜における室温で
スメクティック相を示す液晶の配向状態として記憶され
−でいる記録済み記録媒体は、記録の対象にされている
情報と対応して光の透過状態（または１反射状態）を変
化させるから、情報記録媒体に読出し光を投射すると、
投射された読出し光が高分子一液晶メモリ膜を通過した
透過光（または高分子一液晶メモリ膜からの反射光）は
情報記録媒体における高分子一液晶メモリ、膜における
室温でスメクティック相を示す液晶の配向の状態として
記録されている情報に従って光量が変化している状態の
光として光学像情報が読出される。

【実施例】

以下、添付図面を参照して本発明の情報記録媒体の具体
的な内容を詳細に説明する。第１図及び第２図ならびに
第７図及び第８図は本発明の情報記録媒体のそれぞれ異
なる実施例の側面図、第３図及び第４図ならびに第９図
は情報記録媒体に対する情報の記録動作を説明するため
の記録系のブロック図、第５図は記録済み記録媒体から
の情報の再生動作を説明するためのブロック図、第６図
は情報記録媒体に用いられる高分子一液晶メモリ膜にお
ける光の波長に対する透過率の特性側図である。 まず、第１図及び第２図に示されている本発明の情報記
録媒体ＲＭについて説明する。第１図及び第２図におい
てＢＰは基板、Ｅは透明電極（例えばＩＴＯ膜）、ＨＬ
　Ｍ　ｓは高分子材料中に室温でスメクティック相を示
す液晶を分散させて構成した高分子一液晶メモリ膜であ
り、また、第２図においでＩＬは誘電体層である。 前記した基板ＢＰとしては、適当な高分子材料が用いら
れるが、情報記録媒体ＲＭが透過型のものとして構成さ
れる場合には、基板ＢＰは読出し光に対して透明な材料
が用いられる。また、情報記録媒体ＲＭが反射型のもの
として構成される場合、すなわち、高分子材料中に室温
でスメクティック相を示す液晶を分散させて構成した高
分子一液晶メモリ膜ＨＬ　Ｍ　ｓ中を読出し光が一往復
できるように誘電体ミラーを備えて情報記録媒体ＲＭが
構成される場合には、基板ＢＰとしては読出し光に対し
て不透明なものが使用されてもよい（本明細書中に記載
しである室温とは情報記録媒体に対して記録再生動作が
行なわれている場所での温度である）。 また、前記した高分子材料中に室温でスメクティック相
を示す液晶を分散させて構成した高分子一液晶メモリ膜
ＨＬ　Ｍ　ｓは１例えば、メタクリル樹脂、ポリエステ
ル樹脂、ポリカーボネート樹脂。 塩化ビニール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエチレン樹脂
、ポリプロピレン樹脂、ポリスチレン樹脂、シリコン樹
脂のような体積抵抗率が１０１４Ω１以上の高分子材料
中に、室温でスメクティック相を示す液晶を分散させる
ことによって構成されている。 また、前記した第２図中に示されている誘電体層ＩＬと
しても１例えば、メタクリル樹脂、ポリエステル樹脂、
ポリカーボネート樹脂、塩化ビニール樹脂、ポリアミド
樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリス
チレン樹脂、シリコン樹脂のような体積抵抗率が１０１
４０１以上の高分子材料による薄膜が使用されてもよい
。 次に、高分子材料中に室温でスメクティック相を示す液
晶を分散させて構成した高分子一液晶メモリ膜ＨＬ　Ｍ
　ｓが用いられている本発明の情報記録媒体ＲＭの製作
例について述べると次のとおりである。 メルク・ジャパン社製の室温でスメクティック相を示す
液晶Ｓ６を３グラム計量し、前記した３グラムの室温で
スメクティック相を示す液晶Ｓ６を１０重量％の２０グ
ラムのＰＭＭＡのクロロホルム溶液に添加して攪拌した
後に静置する。 透明電極ＥとしてＩＴＯの膜を形成させた基板ＢＰを充
分に洗浄し、前記した基板ＢＰにおけるＩＴＯｌ［によ
る透明電極Ｅ上に、前記のように静置しておいた室温で
スメクティック相を示す液晶を含むＰＭＭＡのクロロホ
ルム溶液をバーコータによって８ミクロンの厚さに塗布
して高分子一液晶メモリ膜ＨＬ　Ｍ　ａを構成させる。 前記した高分子材料としては前記したＰＭＭＡの他に、
溶剤に溶けてフィルム状に塗布することができる高分子
材料であれば何でもよいが、特に透明度の良好なポリカ
ーボネー′ト、ポリエーテルイミドなとは良好に使用で
きるのである。 このようにして第１図に示されている構成態様の情報記
録媒体ＲＭが作られる。また、第２図示の情報記録媒体
ＲＭは、前記した第１図示の情報記録媒体ＲＭにおける
高分子一液晶メモリ膜ＨＬＭｓ、すなわち、高分子材料
中に室温でスメクティック相を示す液晶を分散させて構
成した高分子一液晶メモリ膜ＨＬ　Ｍ　ｓの上面に例え
ばＰＭＭＡの薄膜によって誘電体層ＩＬを形成させるこ
とによって得られる。 前記のように高分子材料に室温でスメクティック相を示
す液晶を分散させた高分子一液晶メモリ膜ＨＬ　Ｍ　ｓ
は、大面積に成膜することも容易であるために、本発明
の情報記録媒体ＲＭは従来の情報記録媒体ＲＭに比べて
製作が容易である。 前記のようにして作られた本発明の情報記録媒体ＲＭに
おいて、室温でスメクティック相を示す液晶を分散させ
た高分子一液晶メモリ膜ＨＬ　Ｍ　ｓの構成要素の一つ
として用いられている室温でスメクティック相を示す液
晶は、高分子一液晶メモリ膜ＨＬ　Ｍ　ｓの他の構成要
素として用いられている高分子マトリクス中にスメクテ
ィック相を示す液晶が不定形に分散している状態になさ
れているのである。 そして、室温でスメクティック相を示す液晶を分散させ
た前記の高分子一液晶メモリ［１１ＨＬ　Ｍ　ｓにおい
て、室温でスメクティック相を示す液晶を封入させた状
態でランダムに存在している高分子材料膜における無数
の微小な不定形の細孔は、情報記録媒体ＲＭによって高
密度記録再生が実現できるように前記の細孔の径は小さ
い方がよく、前記の細孔が例えば０．５ミクロン程度以
下の径のものとなされることは望ましい実施の態様であ
る。 また、室温でスメクティック相を示す液晶を分散させた
前記の高分子一液晶メモリ膜ＨＬ　Ｍ　ｓの構成のため
に使用される室温でスメクティック相を示す液晶は、室
温でネマティック相を示す液晶に比べて粘度が高いので
、後述のように情報記録媒体ＲＭに記録された記録情報
を既提案の情報記録媒体に比べて高いコントラスト比で
再生させたり、記録性能を高めることができる。 さらに、室温でスメクティック相を示す液晶を分散させ
た前記の高分子一液晶メモリ膜ＨＬ　Ｍ　ｓの構成のた
めに使用される室温でスメクティック相を示す液晶とし
て、高分子材料の融点よりも低い融点のものが使用され
ることは、情報記録媒体ＲＭに記録された情報が消去で
きるような情報記録媒体ＲＭを構成させる上で有利であ
る。なお、室温でスメクティック相を示す前記の高分子
一液晶メモリ膜ＨＬ　Ｍ　ｓの製作例で使用されていた
メルク・ジャパン社製の室温でスメクティック相を示す
液晶Ｓ６の融点的６０℃は、高分子材料として使用され
たＰＭＭＡの融点よりも低いものである。 次に、前記した第１図及び第２図を参照して説明した本
発明の情報記録媒体ＲＭに対する情報信号の記録動作、
情報記録媒体ＩＢＭに記録された情報信号の再生動作、
情報記録媒体ＲＭに記録された情報信号の消去動作など
について順次に説明する。 まず情報記録媒体ＲＭに対する情報信号の記録動作につ
いて、第３図及び第４図に例示されている記録系を参照
して説明すると次のとおりである。 第３図は被写体Ｏの光学像を記録再生の対象にされてい
る情報として情報記録媒体に記録させるようにする場合
の記録系の構成例を示すブロック図であり、また、第４
図は情報信号源ＳＧから供給される情報信号を記録再生
の対象にされている情報として情報記録媒体に記録させ
るようにする場合の記録系の構成例を示すブロック図で
ある。 第３図において０は被写体、Ｌは撮像レンズ、ｖｂは電
源、ＷＨは電極Ｅｔｗと光導電層部材ＰＣＬとの積層構
成からなる書込みヘッド、ＲＭは情報記録媒体である。 なお、第３図及び第４図に示されている記録系−でば第
１図示のような構成形層の情報記録媒体ＲＭに対して情
報の記録動作が行われるものとして図示されているが、
第２図示の構成形態の情報記録媒体ＲＭに対する情報の
記録動作も同様に行われることはいうまでもない。 第３図に示されている記録系において、前記した書込み
ヘッドＷＨにおける透明電極Ｅｔｗには電源ｖｂの正極
が接続されており、また、情報記録媒体ＲＭの電極Ｅに
は電源ｖｂの負極が接続されている。 被写体０の光学像が撮像レンズＬにより書込みヘッドＷ
Ｈの光導電層部材ＰＣＬに結像されると、光導電層部材
ＰＣＬの電気抵抗値は、それに結像された被写体０の光
学像に従って変化する。既述のように、前記した書込み
ヘッドＷＨにおける透明電極Ｅｔと情報記録媒体ＲＭに
おける電極Ｅとの間には電源ｖｂが接続されているから
、前記のように光導電層部材ＰＣＬの電気抵抗値が、そ
れに結像された被写体Ｏの光学像に従って変化すること
により、書込みヘッドＷＨの光導電層部材ＰＣＬと情報
記録媒体ＲＭにおける電極Ｅとの間の電界強度分布は被
写体０の光学像と対応しているものとなる。 それで、前記のように書込みヘッドＷＨの光導電層部材
ＰＣＬと情報記録媒体ＲＭにおける電極Ｅとの間の電界
中に置かれている情報記録媒体ＲＭの高分子一液晶メモ
リ膜ＨＬ　Ｍ　ｓには、被写体０の光学像と対応してい
る強度分布を示す電界が印加されることになる。 なお、第３図においては書込みヘッドＷＨの光導電層部
材ＰＣＬと情報記録媒体ＲＭにおける電極Ｅとの間には
空隙が設けられているように図示されているが、書込み
ヘッドＷＨの光導電層部材ＰＣＬと情報記録媒体ＲＭに
おける電極Ｅとを密着状態にして記録動作が行われるよ
うになされてもよい。 さて、情報記録媒体ＲＭの高分子一液晶メモリ膜ＨＬ’
Ｍｓにおける室温でスメクティック相を示す液晶、すな
わち、情報記録媒体ＲＭの高分子一液晶メモリ膜ＨＬ　
Ｍ　ｓにおける多孔質の高分子材料膜中にランダムに分
布して形成されている無数の微小な細孔のそれぞれの中
に封入された状態の室温でスメクティック相を示す液晶
は、それに印加される電界強度がある閾値を超えている
状態において、それに印加される電界強度が大きくなる
のに従って高分子一液晶メモリ膜ＨＬ　Ｍ　ｓの透明度
が増加している状態となるように電界強度の大きさに従
って配向の状態が変化する。 前記のように室温でスメクティック相を示す液晶を分散
させた高分子一液晶メモリ膜ＨＬ　Ｍ　ｓに印加された
電界によって変化した細孔中の室温でスメクティック相
を示す液晶の配向の状態は、前記した電界が除去されて
もそのままの状態に保持される。 すなわち５本発明の情報記録媒体ＲＭにおいて。 室温でスメクティック相を示す液晶を分散させた高分子
一液晶メモリ膜ＨＬＭｓにおける多孔質の高分子材料膜
中にランダムに分布して形成されている無数の微小な細
孔のそれぞれの中に封入されている室温でスメクテイツ
ク相を示す液晶は、それにある閾値以上の電界が印加さ
れる以前には。 細孔壁表面の力を大きく受けている液晶分子も含めて全
体としてスメクテイツク相の状態で微小な細孔中に封入
された状態になされている（細孔中に封入されている室
温でスメクテイツク相を示す液晶の液晶分子は細孔壁の
表面の力を受けるが。 細孔壁に近いスメクテイツク相の液晶分子になる程前記
の力は大きく加わる。したがって径の小さな細孔になる
程、細孔中に封入されているスメクティック相の液晶分
子に加わる細孔壁の表面の力の影響が大になる）。 前記のように細孔壁の表・面の力を受けている状態で細
孔中に封入されているスメクテイツク相の液晶に対して
、ある閾値以上の電界強度の電界が印加された場合には
、細孔壁の表面からの力を受けている状態で細孔中にス
メクティック相の状態で封入されているスメクティック
相の液晶分子は、前記した細孔壁の表面から加えられて
いる力に抗して電界の方向に配向するように変位する。 そして電界の印加に対応してスメクティック相の液晶分
子に生じる変位の態様は、印加される電界の強度に応じ
て変化し、スメクティック相の液晶に印加される電界が
弱い状態のときは細孔壁の表面から加えられている力が
弱いスメクティック相の液晶分子、すなわち、主として
細孔の中心部付近に位置するスメクティック相の液晶分
子だけが印加された電界の方向に向くような傾向で変位
し、スメクティック相の液晶に印加される電界の強度が
次第に強くなるのにつれて、細孔壁の表面から加えられ
ている力が強いスメクティック相の液晶分子、すなわち
、細孔壁に近くに位置するスメクティック相の液晶分子
も印加された電界の方向にスメクティック相の液晶の分
子軸の方向が向くような傾向で変位するという変位の態
様でスメクティック相の液晶分子が配向する。 このように本発明の情報記録媒体ＲＭでは、それの高分
子一液晶メモリ膜ＨＬ　Ｍ　ｓにおける室温でスメクテ
ィック相を示す液晶、すなわち、情報記録媒体ＲＭの高
分子一液晶メモリ１９　ＨＬ　Ｍ　ｓにおける多孔質の
高分子材料膜中にランダムに分布して形成されている無
数の連続した微小な不定形細孔中に封入されている室温
でスメクティック相を示す液晶分子は、電界の印加時に
前記した細孔壁の表面から加えられている力に抗してス
メクティック相の液晶の分子軸の方向が電界の方向に向
くような傾向で変位するような変位の態様で配向される
が、前記のように印加された電界によって配向されたス
メクティック相の液晶の分子は既述した細孔壁の表面の
力によって、そのままの姿態に保持されるから、前記の
ように電界の印加によって変化されたスメクティック相
の液晶の配向の状態は印加された電界が除去された後に
おいても、そのままの状態に保持されるのであり、本発
明の情報記録媒体ＲＭでは記録の対象にされている情報
が電界強度の変化の形で与えられることにより、その記
録の対象にされている情報を高分子一液晶メモリ膜ＨＬ
　Ｍ　ｓにおける多孔質の高分子材料膜中にランダムに
分布して形成されている無数の連続した微小な不定形細
孔中に封入されているスメクティック相の液晶分子の配
向の状態として記憶できるのである。 そして、前記したスメクティック相の液晶は粘度が高い
ために、前記のように電界の印加によって変化されたス
メクティック相の液晶の”配向の状態は印加された電界
が除去された後においても、長期間にわたってそのまま
の状態に保持されるのである。 第６図は情報記録媒体に用いられる高分子一液晶メモリ
膜における一光の一波長に対する透過率の特性側聞であ
り、第６図の（ａ）は本発明の情報記録媒体、すなわち
、高分子一液晶メモリ膜として高分子材料中に室温でス
メクティック相を、示す液晶を分散させて構成した高分
子一液晶メモリ暎を用いてなる情報記録媒体における高
分子一液晶メモリ膜ＨＬ　Ｍ　ｓにおける光の波長に対
する透過率の特性側聞であり、また、第６図の（ｂ）は
前記した本発明の情報記録媒体で使用されている高分子
一液晶メモリ膜の特性と比較するために示す既提案の高
分子一液晶メモリ膜、すなわち、室温でネマティック相
を示す液晶を高分子材料中に分散させて構成した高分子
一液晶メモリ膜を用いてなる情報記録媒体における高分
子一液晶メモリ膜における光の波長に対する透過率の特
性側聞であって、各図において横軸は光の波長、縦軸は
光の透過率である。 第６図の（ａ）、（ｂ）における曲１ｉ１は成膜した高
分子一液晶メモリ膜に電界を印加する前の状態における
高分子一液晶メモリ膜における光の波長に対する透過率
の特性曲線であり、また、第６図の（ａ）、（ｂ）にお
ける曲線■は成膜した高分子一液晶メモリ膜に、コロト
ロンによりコロナ帯電により電荷を与えて、厚さが８マ
イクロ・メートルの高分子一液晶メモリ膜に２．５　Ｘ
　１０’Ｖ／ｃ＋ｌの電界強度の電界を印加した直後の
状態における高分子一液晶メモリ膜における光の波長に
対する透過率の特性曲線であり、さらに、第６図の（ａ
）における曲線■は成膜した高分子一液晶メモリ膜に前
記のような電界を印加した後に除電を行った状態におけ
る高分子一液晶メモリ膜における光の波長に対する透過
率の特性曲線である。また、第６図の（ｂ）における曲
線■は成膜した高分子一液晶メモリ膜に前記のような電
界を印加してから９０分後の高分子一液晶メモリ膜にお
ける光の波長に対する透過率の特性曲線であり、第６図
の（ｂ）における曲線■は成膜した高分子一液晶メモリ
膜に前記のような電界を印加してから９０分後に除電し
た状態における高分子一液晶メモリ膜における光の波長
に対する透過率の特性曲線である。 第６図の（ａ）、（ｂ）に示されている高分子一液晶メ
モリ膜における光の波長に対する透過率の特性曲線をみ
ると直ちに判かるように、本発明の情報記録媒体ＲＭに
使用されている室温でスメクティック相を示す液晶を分
散させた高分子一液晶メモリ膜ＨＬ　Ｍ　ｓｓは、既提
案の情報記録媒体で使用している高分子材料中に室温で
ネマティック相を示す液晶を分散させて構成した高分子
一液晶メモリ膜に比べて格段に記憶性能に優れていると
ともに、コントラスト比においても格段に優れている。 次に、第４図に例示されている記録系の動作について説
明する。第４図に例示した記録系は第１図示のような構
成態様を有する本発明の情報記録媒体ＲＭに、情報信号
源ＳＧから供給される情報信号を記録再生の対象にされ
ている情報として情報記録媒体に記録させるようにする
場合の記録系の構成例を示すブロック図であり１図にお
いてＥＳは記録針（記録電極）である。 この第４図示の記録系では、情報信号源ＳＧから例えば
アナログ信号形態の記録信号、あるいはデジタル信号形
態の記録信号が記録針Ｅｓに供給されることにより、記
録針Ｅ３と情報記録媒体ＲＭの電極Ｅとの間に記録の対
象にされている情報と対応して強度が変化する電界が印
加されることにより、情報記録媒体ＲＭにおける室温で
スメクティック相を示す液晶を分散させた高分子一液晶
メモリ膜ＨＬ　Ｍ　ｓにおけるスメクティック相の液晶
、すなわち、情報記録媒体ＲＭの高分子一液晶メモリ膜
ＨＬ　Ｍ　ｓにおける多孔質の高分子材料膜中にランダ
ムに分布して形成されている無数の連続した微小な細孔
のそれぞれの中に封入された状態の室温でスメクティッ
ク相を示す液晶は、それに印加さ九る電界強度がある閾
値を超えている状態において、それに印加される電界強
度が大きくなるのに従って高分子一液晶メモリ膜ＨＬ　
Ｍ　ｓの透明度が増加している状態となるように電界強
度の大きさに従って配向の状態が変化し、第３図を参照
して説明した記録系による場合と同様に、記録の対象に
されている情報は、情報記録媒体ＲＭの高分子一液晶メ
モリ膜ＨＬ　Ｍ　ｓにおける多孔質の高分子材料膜中に
ランダムに分布して形成されている無数の連続した微小
な不定形細孔中に封入されている室温でスメクティック
相を示す液晶分子の配向の状態として記憶できるのであ
る。 なお、第４図における記録針Ｅｓと情報記録媒体ＲＭと
は、情報信号の記録時に所定の走査態様となるように相
対的に変位されるものであることはいうまでもない。 前記のようにして記録の対象にされている情報が記録さ
れた記録済み情報記録媒体ＲＭからの記録情報の再生（
読出し）は、記録済み情報記録媒体ＲＭに再生光ＲＬを
照射させることによって行うことができる。 第５図は記録済み情報記録媒体ＲＭに再生光ＲＭを照射
して、記録済み情報記録媒体ＲＭからの透過光を光電変
換装！！ＰＥＣによって電気信号に変換するようにした
場合の再生系の構成例を示すブロック図である。 なお、情報の再生に際しては再生光ＲＭを大面積のもの
とし、光電変換装置ＰＥＣとして２次元イメージセンサ
を用いたり、または、再生光ＲＬを微小面積のものとし
て情報記録媒体ＲＭを所定の走査態様で走査して光電変
換装置ＰＥＣに与えたり、あるいは再生光ＲＬを記録済
み情報記録媒体ＲＭに照射させて得た記録済み情報記録
媒体ＲＭからの反射光を光電変換装置ＰＥＣに供給した
りするなどして、情報を電気信号の形態で得て利用した
り、再生光ＲＬを記録済み情報記録媒体ＲＭに照射させ
て得た記録済み情報記録媒体ＲＭからの透過光、または
再生光ＲＬを記録済み情報記録媒体ＲＭに照射させて得
た記録済み情報記録媒体ＲＭからの反射光などを光情報
出力として利用したりすることができる。 次に、前記した記録済み情報記録媒体ＲＭに記録された
情報は、記録済み情報記録媒体ＲＭの高分子一液晶メモ
リ膜ＨＬ　Ｍ　ｓにおける多孔質の高分子材料膜中にラ
ンダムに分布して形成されている無数の連続した微小な
不定形細孔中に封入されているスメクティック相の液晶
が、その液晶の融点以上で、かつ、高分子材料の融点よ
りも低い温度に加熱されるようにして、前記のスメクテ
ィック相の液晶を等方性相の状態に戻し、それが冷却さ
れた状態でスメクティック相に戻されることにより消去
できる。 すなわち、前記のように記録済み情報記録媒体ＲＭの高
分子一液晶メモリ膜ＨＬ　Ｍ　ｓにおける多孔質の高分
子材料膜中にランダムに分布して形成されている無数の
連続した微小な不定形細孔中に封入されているスメクテ
ィック相の液晶を、その液晶の融点以上で、かつ、高分
子材料の融点よりも低い温度に加熱すると、スメクティ
ック相の液晶分子は細孔壁の表面からの力に打勝つ活発
な熱運動によって等方性相の状態になされ、それが冷却
されてスメクティック相の状態に戻されることにより記
録済み記録媒体ＲＭの消去動作が行われるのであり、情
報記録媒体ＲＭの高分子一液晶メモリ膜ＨＬ　Ｍ　ｓは
不透明状態に戻される。 次に、第７図及び第８図に例示されている本発明の情報
記録媒体ＲＭについて説明する。第７図及び第８図にお
いてＢＰＩ、ＢＦ２は基板、Ｅｔｌ。 Ｅｔ２は透明電極（例えばＩＴＯ膜）、ＰＣＬは光導電
層部材、ＨＬ　Ｍ　ｓは高分子マトリクス中に室温でス
メクティック相を示す液晶が不定形に分散している状態
の高分子一液晶メモリ膜である。 前記した基板ＢＰＩ、ＢＰ２としては適当な高分子材料
が用いられてよく、情報記録媒体ＲＭが透過型のものと
して構成される場合の基板ＢＰＩ。 ＢＦ２は読出し光に対して透明な材料が用いられる。ま
た情報記録媒体ＲＭが反射型のものとして構成される場
合、すなわち、高分子マトリクス中に室温でスメクティ
ック相を示す液晶が不定形に分散している状態の高分子
一液晶メモリ膜ＨＬＭＳ中を読出し光が一往復できるよ
うに誘電体ミラーを備えて構成された情報記録媒体ＲＭ
の基板ＢＰｉ、ＢＰ２としては読出し光に対して不透明
なものが使用されてもよい。 前記した光導電層部材ＰＣＬとしては例えば第７図に例
示されている情報記録媒体ＲＭのように、光導電層部材
ＰＣＬが無機光導電層または有機光導電層による１層構
成のものとなされたり、あるいは例えば第８図に例示さ
れている情報記録媒体ＲＭのように、複数の光導電層の
積層構造を有するものとなされたりすることができる。 そして、１層構成の光導電層部材ＰＣＬは例えばアモル
ファスセレン系材料やアモルファスシリコン系材料など
の無機光導電材料の薄膜によって構成したり、あるいは
ＣｄＳ等の無機顔料またはフタロシアニン顔料、アゾ顔
料等の有機顔料のような光導電性粒子を高分子材料に分
散させた光導電性粒子分散型光導電層、ポリビニルカル
バゾール等の光導電性高分子材料に増感色素を分散また
は溶解させた色素増感型光導電層などによって構成する
ことができる。 また、複数の光導電層の積層構造からなる光導電層部材
ＰＣＬとしては１例えばキャリア発生層（電荷発生層）
と電荷輸送層とを積層させた構成のものが使用できる（
第８図中における１が電荷発生層、２が電荷輸送層であ
る）。そして、電荷発生層としては例えばアモルファス
セレン系材料や。 アモルファスシリコン系材料などによる厚さが１ミクロ
ン以下の薄膜、または光を吸収して電荷を発生する染料
、顔料、あるいは光を吸収して電荷を発生する染料、顔
料を含む高分子マトリックスが使用でき、また電荷輸送
層としては電荷を輸送する電荷輸送剤を高分子材料に分
散または溶解させたりして構成した電荷輸送層、あるい
は電荷輸送能力を有する高分子材料によって構成した電
荷輸送層を使用することができる。 電荷発生層（第８図中の１）と電荷輸送層（第８図中の
２）とを積層させた構成の光導電層部材ＰＣＬの構成例
の幾つかを示すと次のとおりである。 ■例えば５ｉｎ４ガスとＨ，ガスとを容積比で１５＝６
０の割合で混合したガスを流した状態でプラズマＣＶＤ
法を適用して、厚さが０．２ミクロンの水素化アモルフ
ァスシリコン膜を、透明電極Ｅｔｌ上に成膜して電荷発
生層１とする。なお、前記した透明電極Ｅｔｌは、ガラ
ス板あるいはアクリル板よりなる基板ＢＰＩに例えばス
パッタリング法等を適用して構成させたＩＴＯ膜、その
他の透明電極である。 次に、ポリエチレン゛テレフタレート（Ｐ　Ｅ　Ｔ）あ
るいはポリカーボネート等のバインダに電荷輸送剤（２
，４，５，７−チトラニトラフルオレノン（ＴｅＮＦ）
）を均一に分散させたものを、テトラヒドロフラン（Ｔ
ＨＦ）等の溶媒に溶解させてなる塗布液を用いて、ディ
ッピング法またはスピナ法によって前記の透明電極Ｅｔ
ｌ上に厚さが５．５ミクロンの電荷輸送層２を構成させ
る。 ■まず、透明電極Ｅｔｌが形成されている基板ＢＰ１に
おける透明電極Ｅｔｌ上に、プラズマＣＶＤ法により厚
さが０．２ミクロンのボロンドープ水素化アモルファス
シリコン膜を成膜して電荷発生層１とする。 次に、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）あるいは
ポリカーボネート等のバインダに電荷輸送剤（２，４，
７−ドリニトロフルオレノン（ＴＮＦ））を重量比１：
１で均一に分散させたものを、テトラヒドロフラン（Ｔ
ＨＦ）等の溶媒に溶解させてなる塗布液を用いて、ディ
ッピング法またはスピナ法によって前記の透明電極Ｅｔ
ｌ上に厚さが５．５ミクロンの電荷輸送層２を構成させ
る。 有機光導電層として電荷輸送機能を有する電荷輸送剤を
高分子材料中に分散または溶解させたものを用いたり、
あるいは有機光導電層として電荷輸送機能を有する高分
子材料を用いたりする場合に、高分子一液晶メモリ膜Ｈ
Ｌ　Ｍ　ｓに対して相溶性の低い光導電層部材を用いた
り、光導電層部材としてキャリヤ発生層と高分子一液晶
メモリ膜に対して相溶性の低い電荷輸送層との積層構造
のものを用いたりすると、液晶の駆動が良好に行なわれ
たり、コントラスト比の低下が生じることがない等の利
点が得られる。 次に、第７図及び第８図に例示されている情報記録媒体
ＲＭにおける高分子一液晶メモリ膜ＨＬＭ３、すなわち
、高分子マトリクス中に室温でスメクティック相を示す
液晶が不定形に分散している状態の高分子一液晶メモリ
膜ＨＬ　Ｍ　ｓの製作例について説明する。 前記した高分子材料中に室温でスメクテイツク相を示す
液晶を分散させて構成した高分子一液晶メモリ膜ＨＬ　
Ｍ　ｓは、第１図を参照して既述したように、例えば、
メタクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート
樹脂、塩化ビニール樹脂。 ポリアミド樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹
脂、ポリスチレン樹脂、シリコン樹脂のような体積抵抗
率が１０１４Ω１以上の高分子材料中に、室温でスメク
ティック相を示す液晶を分散させることによって構成さ
せることができる。 ［製作例１］ メルク・ジャパン社製の室温でスメクテイツク相を示す
液晶Ｓ６を３グラム計量し、前記した３グラムの室温で
スメクテイツク相を示す液晶Ｓ６を１０重量％の２０グ
ラムのＰＭＭＡのクロロホルム溶液に添加して攪拌した
後に静置する。 透明電極ＥｔｌとしてＩＴＯの膜を形成させた基板ＢＰ
Ｉを充分に洗浄し、前記した基板ＢＰＩにおけるＩＴＯ
膜による透明電極Ｅｔｌ上に、前記のように静置してお
いた室温でスメクテイツク相を示す液晶を含むＰＭＭＡ
のクロロホルム溶液をバーコータによって５．５８ミク
ロンの厚さに塗布して高分子一液晶メモリ膜ＨＬ　Ｍ　
ｓを構成させと、室温でスメクティック相を示す液晶を
分散させた示す液晶は、高分子マトリクス中にスメクテ
イツク相を示す液晶が不定形に分散している状態になさ
れているのである。 ［製作例２コ アクリル系オリゴマ−（日本化薬（株）ＷｉのＫＡＲＡ
ＹＡＤのＭＡＮＤＡ　）と、アクリル酸系モノマー（２
−エチルへキシルアクリレート）とを重量比で５＝５〜
７：３となるように混合した混合物に、ＢＤＨ社製のス
メクティック相を示す液晶Ｓ−６が５０〜７０重量％と
なるように混合し、それに光重合開始剤としてメルク社
製のダロキュア１１７３を全容の３重量％となるように
添加して均一溶液を調整する。 基板ＢＰＩと透明電極Ｅ−ｔｌと光導電層部材ｐｃＬと
が積層されている状態の部材と、基板ＢＰ２と透明電極
Ｅｔ２ととが積層された状態の部材とにおける光導電層
部材ＰＣＬと透明電極Ｅｔ２とを所定の間隔を隔てて対
向配置し、そこに形成させた空間に前記の調整された均
一溶液を注入した後に、１平方センチメートル当り３　
、５　ｍ　Ｗの強１度で波長が４００ｎｍの紫外光を１
〜２分間にわたり照射して相分離を起こさせて高分子マ
トリクス中にスメクティック相を示す液晶が不定形に分
散している状態になされている高分子一液晶メモリ膜Ｈ
ＬＭｓを構成させる。 ［ｌ１作例３］ ３官能のアクリル系オリゴマ−（東亜合成（株）製のア
ロニツクスＭ３０９　）と、アクリル酸系モノマー（２
−エチルへキシルアクリレート）とを重量比で５＝５〜
７：３となるように混合した混合物に、ＢＤＨ社製のス
メクティック相を示す液晶Ｓ−６が５０〜７０重量％と
なるように混合し。 それに光重合開始剤としてメルク社製のダロキュア１１
７３を全容の３重量％となるように添加して均一溶液を
調整する。 基板ＢＰＩと透明電極Ｅｔｌと光導電層部材ＰＣＬとが
積層されている状態の部材と、基板ＢＰ２と透明電極Ｅ
ｔ２ととが積層された状態の部材とにおける光導電層部
材ＰＣＬと透明電極Ｅｔ２とを所定の間隔を隔てて対向
配置し、そこに形成させた空間に前記の調整された均一
溶液を注入した後←、１平方センチメートル当り３　、
５　ｍ　Ｗの強度で波長が４００ｎｍの紫外光を０．５
〜１分間にわたり照射して相分離を起こさせて高分子マ
トリクス中にスメクティック相を示す液晶が不定形に分
散している状態になされている高分子一液晶メモリ膜Ｈ
Ｌ　Ｍ　ｓを構成させる。 ［製作例４］ ６官能のアクリル系オリゴマ−（日本化薬（株）製のＫ
ＡＲＡＹＡＤのＤＰＨＡ　）と、アクリル酸系モノマー
（２−エチルへキシルアクリレート）とを重量比で５：
５〜７：３となるように混合した混合物に、ＢＤＨ社製
のスメクティック相を示す液晶Ｓ−６が５０〜７０重量
％となるように混合し、それに光重合開始剤としてメル
ク社製のダロキュア１１７３を全容の３重量％となるよ
うに添加して均一溶液を調整する。 基板ＢＰＩと透明電極Ｅｔｌと光導電層部材ｐｃＬとが
積層されている状態の部材と、基板ＢＰ２と透明電極Ｅ
ｔ２ととが積層された状態の部材とにおける光導電層部
材ＰＣＬと透明型１１Ｅｔ２とを所定の間隔を隔てて対
向配置し、そこに形成させた空間に前記の調整された均
一溶液を注入した後に、１平方センチメートル当り３．
５ｍＷの強度で波長が４００ｎｍの紫外光を０．５〜１
分間にわたり照射して相分離を起こさせて高分子マトリ
クス中にスメクティック相を示す液晶が不定形に分散し
ている状態になされている高分子一液晶メモリ膜ＨＬ　
Ｍ　ｓを構成させる。 前記した第７図及び第８図に例示した本発明の情報記録
媒体ＲＭは、高分子一液晶メモリｌｌｉＨＬＭｓと光導
電層部材ＰＣＬとの間が密着状態で積層されている構成
態様とされているが、本発明の実施に当っては高分子一
液晶メモリ膜ＨＬ　Ｍ　ｓと光導電層部材ＰＣＬとの間
に空隙を設けた状態で積層した構成態様の情報記録媒体
ＲＭになされてもよい。 前記した第７図及び第８図に例示されている本発明の情
報記録媒体ＲＭに対する情報信号の記録動作、情報記録
媒体ＲＭに記録された情報信号の再生動作、情報記録媒
体ＲＭに記録された情報信号の消去動作などは、第１図
を参照して既述した情報記録媒体ＲＭに対する情報信号
の記録動作、情報記録媒体ＲＭに記録された情報信号の
再生動作、情報記録媒体ＲＭに記録された情報信号の消
去動作などの基本的な点は第３図乃至第５図を参照して
既述したところと同様であるから、その詳細な説明は省
略する。 第９図は被写体Ｏの光学像を記録再生の対象とする情報
として、第７図あるいは第８図に例示されている情報記
録媒体ＲＭに記録させるようにする場合の記録系の構成
例を示すブロック図であり、第９図において０は被写体
、Ｌは撮像レンズ、Ｖｂは電源、ＲＭ’は情報記録媒体
で、第９図中に示されている情報記録媒体ＲＭは第７図
に例示しである構成態様の情報記録媒体ＲＭ、すなわち
、基板ＢＰＩと透明電極Ｅｔｌと光導電層部材ＰＣＬと
高分子一液晶メモリ膜ＨＬ　Ｍ　ｓと透明電極Ｅｔ２と
基板ＢＰ２とが積層構成されている構成のものであるが
、第９図に示されている記録系においては第８図示のよ
うな構成態様の情報記録媒体ＲＭに対する記録動作も良
好に行なわれ得ることは勿論である。 第９図に示されている記録系において、情報記録媒体Ｒ
Ｍにおける２つの透明電極Ｅｔ１．　Ｅｔ２間には電源
ｖｂが接続されており、被写体０の光学像が撮像レンズ
Ｌにより情報記録媒体ＲＭの光導電層部材ＰＣＬに結像
されると、光導電層部材ＰＣＬの電気抵抗値は、それに
結像された被写体０の光学像に従って変化する。 前記のように光導電層部材ＰＣＬの電気抵抗値が、それ
に結像された被写体Ｏの光学像に従って変化することに
より、光導電層部材ＰＣＬと高分子一液晶メモリ膜ＨＬ
　Ｍ　ｔｉには、被写体０の光学像と対応している強度
分布を示す電界が印加されることになる。 情報記録媒体ＲＭの高分子一液晶メモリｌｌｌＨＬＭｓ
における室温でスメクティック相を示す液晶、すなわち
、情報記録媒体ＲＭの高分子一液晶メモリ膜ＨＬ　Ｍ　
ｓにおける多孔質の高分子材料膜中にランダムに分布し
て形成されている無数の連続した微小な不定形状の細孔
のそれぞれの中に封入された状態の室温でスメクティッ
ク相を示す液晶は。 それに印加される電界強度がある閾値を超えている状態
において、それに印加される電界強度が大きくなるのに
従って高分子一液晶メモリ膜ＨＬＭＳの透明度が増加し
ている状態となるように電界強度の大きさに従って配向
の状態が変化する。 前記のように室温でスメクティック相を示す液晶を分散
させた高分子一液晶メモリ膜ＨＬ　Ｍ　ｓに印加された
電界によって変化した細孔中の室温でスメクティック相
を示す液晶の配向の状態は、前記した電界が除去されて
もそのままの状態に保持される。 このように第７図及び第８図に示されている本発明の情
報記録媒体ＲＭにおいても、それの高分子−メモリ膜Ｈ
Ｌ　Ｍ　ｓにおける室温でスメテイック相を示す液晶、
すなわち、情報記録媒体ＲＭの高分子一液晶メモリ膜Ｈ
Ｌ　Ｍ　ｓにおける多孔質の高分子材料膜中にランダム
に分布して形成されている無数の連続した微小な細孔中
に封入されている室温でスメクティック相を示す液晶分
子は、電界の印加時に前記した細孔壁の表面から加えら
れている力に抗してスメクティック相の液晶の分子軸の
方向が電界の方向に向くような傾向で変位するような変
位の態様で配向されるが、前記のように印加された電界
によって配向されたスメクティック相の液晶の分子は既
述した細孔壁の表面の力によって、そのままの姿態に保
持されるから、前記のように電界の印加によって変化さ
れたスメクティック相の液晶の配向の状態は印加された
電界が除去された後においても、そのままの状態に保持
されるのであり１本発明の情報記録媒体ＲＭでは記録の
対象にされている情報が電界強度の変化の形で与えられ
ることにより、その記録の対象にされている情報を高分
子一液晶メモリ膜ＨＬ　Ｍ　ｓにおける多孔質の高分子
材料膜中にランダムに分布して形成されている無数の連
続した微小な不定形の細孔中に封入されているスメクテ
ィック相の液晶分子の配向の状態として記憶できるので
ある。 なお、第９図に示されている記録系によって情報が記録
された情報記録媒体ＲＭからの記録情報の読出し動作及
び記録情報の消去動作は、第１図示の情報記録媒体ＲＭ
を参照して行なわれた情報記録媒体ＲＭからの記録情報
の読出し動作及び記録情報の消去動作と同じであるから
、その説明は省略する。

【発明の効果】

以上、詳細に説明したところから明らかなように本発明
の情報記録媒体は、記録の対象にされている情報と対応
する強度を有する電界の印加に応じた配向状態となされ
、かつ、前記した印加電界が除去された状態でも前記の
配向状態が保持される状態となされるように、高分子材
料中に液晶を分散させて構成した高分子一液晶メモリ膜
を備えてなる情報記録媒体において、前記した高分子一
液晶メモリ膜として高分子マトリクス中にスメクティッ
ク相を示す液晶が不定形に分散している状態の高分子一
液晶メモリ膜を用いてなる情報記録媒体、及び記録の対
象にされている情報と対応する強度を有する電界の印加
に応じた配向状態となされ、かつ、前記した印加電界が
除去された状態でも前記の配向状態が保持される状態と
なされるような高分子一液晶メモリ膜として高分子マト
リクス中にスメクティック相を示す液晶が不定形に分散
している状態の高分子一液晶メモリ膜を備えて構成され
ている情報記録媒体における前記した高分子メモリ膜に
無機光導電層と有機光電層との積層構造を有する光導電
層部材を積層させてなる情報記録媒体、すなわち、情報
記録媒体ＲＭの高分子一液晶メモリ膜における多孔質の
高分子材料膜中にランダムに分布して形成されている無
数の連続した微小な細孔中にスメクティック相の状態で
封入されている液晶分子は、電界の印加時に前記した細
孔壁の表面から加えられている力に抗して液晶の分子軸
の方向が電界の方向に向くような傾向で変位するような
変位の態様で配向されるが、前記のように印加された電
界によって配向された液晶の分子は既述した細孔壁の表
面の力によって、そのままの姿態に保持されるから、前
記のように電界の印加によって変化された液晶の配向の
状態は印加された電界が除去された後においても、その
ままの状態に保持されるのであり、本発明の情報記録媒
体では、記録の対象にされている情報が電界強度の変化
の形で与えられることにより、その記録の対象にされて
いる情報を高分子一液晶メモリ膜における多孔質の高分
子材料膜中にランダムに分布して形成されている無数の
連続した微小な不定形の細孔中にスメクティック相の状
態で封入されている液晶分子の配向の状態として記憶で
きるのであり、また、前記した記録済み情報記録媒体Ｒ
Ｍに記録された情報は、そられに光を照射することによ
り情報によって光が強度変調された状態の信号として容
−易に一再生でき、さらに、前記した記録済み情報記録
媒体に記録された情報は、記録済み情報記録媒体の高分
子一液晶メモリ膜における多孔質の高分子材料膜中にラ
ンダムに分布して形成されている無数の連続した微小な
不定形の細孔中に封入されている液晶が、その液晶の融
点以上で、かつ、高分子材料の融点よりも低い温度に加
熱されるようにすることにより前記の液晶を等方性相と
してから冷却してスメクティック相の状態に戻して消去
することができるので、本発明の情報記録媒体によれば
既述した諸問題点が良好に解決される情報記録媒体を容
易に提供することができ、さらにまた、本発明の情報記
録媒体では高い解像度の画像情報の記録再生が容易にで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図ならびに第７図及び第８図は本発明の
情報記録媒体のそれぞれ異なる実施例の側面図、第３図
及び第４図ならびに第９図は情報記録媒体に対する情報
の記録動作を説明するための記録系のブロック図、第５
図は記録済み記録媒体からの情報の再生動作を説明する
ためのブロック図、第６図は情報記録媒体に用いられる
高分子一液晶メモリ膜における光の波長に対する透過率
の特性側図である。 ＲＭ・・・情報記録媒体、ＢＰ・・・基板、Ｅ、Ｅｔｗ
・・・透明電極、ＨＬＭ・・・高分子一液晶メモリ膜、
ＩＬ・・・誘電体層、０・・・被写体、ＳＧ・・・情報
信号源、Ｌ・・・撮像レンズ、ｖｂ・・・電源、ＷＨ・
・・書込みヘッド、ＰＣＬ・・・光導電層部材、ＰＥＣ
・・・光電変換装置、

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、記録の対象にされている情報と対応する強度を有す
   る電界の印加に応じた配向状態となされ、かつ、前記し
   た印加電界が除去された状態でも前記の配向状態が保持
   される状態となされるように、高分子材料中に液晶を分
   散させて構成した高分子−液晶メモリ膜を備えてなる情
   報記録媒体において、前記した高分子−液晶メモリ膜と
   して高分子マトリクス中にスメクティック相を示す液晶
   が不定形に分散している状態の高分子−液晶メモリ膜を
   用いてなる情報記録媒体 ２、記録の対象にされている情報と対応する強度を有す
   る電界の印加に応じた配向状態となされ、かつ、前記し
   た印加電界が除去された状態でも前記の配向状態が保持
   される状態となされるように、高分子材料中に前記の高
   分子材料よりも低い融点を有するスメクティック相を示
   す液晶を分散させて構成した高分子−液晶メモリ膜を備
   えてなる情報記録媒体 ３、記録の対象にされている情報と対応する強度を有す
   る電界の印加に応じた配向状態となされ、かつ、前記し
   た印加電界が除去された状態でも前記の配向状態が保持
   される状態となされるような高分子−液晶メモリ膜とし
   て、アクリル系オリゴマ−とアクリル酸系モノマとスメ
   クティック相を示す液晶とにより、高分子マトリクス中
   にスメクティック相を示す液晶が不定形に分散している
   状態の高分子−液晶メモリ膜を備えてなる情報記録媒体 ４、記録の対象にされている情報と対応する強度を有す
   る電界の印加に応じた配向状態となされ、かつ、前記し
   た印加電界が除去された状態でも前記の配向状態が保持
   される状態となされるような高分子−液晶メモリ膜とし
   て高分子マトリクス中にスメクティック相を示す液晶が
   不定形に分散している状態の高分子−液晶メモリ膜を備
   えて構成されている情報記録媒体における前記した高分
   子メモリ膜に光導電層部材を積層させてなる情報記録媒
   体 ５、記録の対象にされている情報と対応する強度を有す
   る電界の印加に応じた配向状態となされ、かつ、前記し
   た印加電界が除去された状態でも前記の配向状態が保持
   される状態となされるような高分子−液晶メモリ膜とし
   て高分子マトリクス中にスメクティック相を示す液晶が
   不定形に分散している状態の高分子−液晶メモリ膜を備
   えて構成されている情報記録媒体における前記した高分
   子メモリ膜に空隙を介して光導電層部材を積層させてな
   る情報記録媒体 ６、光導電層部材として無機光導電層と有機光導電層と
   の積層構造を有するものを用いた請求項４あるいは５の
   情報記録媒体 ７、無機光導電層としてアモルファスシリコン膜を用い
   た請求項４あるいは５の情報記録媒体８、有機光導電層
   として電荷輸送機能を有する電荷輸送剤を高分子材料中
   に分散または溶解させたものを用いた請求項４あるいは
   ５の情報記録媒体 ９、有機光導電層として電荷輸送機能を有する高分子材
   料を用いた請求項４あるいは５の情報記録媒体 １０、高分子−液晶メモリ膜に対して相溶性の低い光導
   電層部材を用いた請求項４の情報記録媒体 １１、光導電層部材としてキャリヤ発生層と高分子−液
   晶メモリ膜に対して相溶性の低い電荷輸送層との積層構
   造のものを用いた請求項４の情報記録媒体