JPH03158001A - 誘電体フィルタ - Google Patents
誘電体フィルタInfo
- Publication number
- JPH03158001A JPH03158001A JP1296121A JP29612189A JPH03158001A JP H03158001 A JPH03158001 A JP H03158001A JP 1296121 A JP1296121 A JP 1296121A JP 29612189 A JP29612189 A JP 29612189A JP H03158001 A JPH03158001 A JP H03158001A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- hole
- substrate
- coupling capacitor
- transmission line
- Prior art date
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- Pending
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、小形で高減衰量特性を実現できる誘電体フィ
ルタに関するものである。
ルタに関するものである。
（従来の技術）
従来の誘電体フィルタを第４図によって説明する。
誘電体同軸共振器１ａ、 ｌｂ、 ｌｅ、 ｌｄは誘電
体角筒からなり、開放端面以外の片端面、外周面及び内
局面全体に電極が銀メタライズ等により形成されている
。誘電体同軸共振器１ａ、 ｌｂ、 ｌｃ、 ｌｄの内
周には金属からなる中心金具２が挿入され半田句り等で
取り付けられている。結合コンデンサ基板３は第６図（
Ａ）〜（Ｃ）に示すようにアルミナのような高周波特性
のすぐれた誘電体基板からなり誘電体同軸共振器１ａ、
ｌｂ、 ｌｅ、 ｌｄの中心金具２及び入出力端子５
との接続用の孔３ｂ、３ａが設けられている。入出力端
子５との結合容量は結合コンデンサ基板３の表裏の電極
３ｅ、 ３ｆ間にて形成されている。
体角筒からなり、開放端面以外の片端面、外周面及び内
局面全体に電極が銀メタライズ等により形成されている
。誘電体同軸共振器１ａ、 ｌｂ、 ｌｃ、 ｌｄの内
周には金属からなる中心金具２が挿入され半田句り等で
取り付けられている。結合コンデンサ基板３は第６図（
Ａ）〜（Ｃ）に示すようにアルミナのような高周波特性
のすぐれた誘電体基板からなり誘電体同軸共振器１ａ、
ｌｂ、 ｌｅ、 ｌｄの中心金具２及び入出力端子５
との接続用の孔３ｂ、３ａが設けられている。入出力端
子５との結合容量は結合コンデンサ基板３の表裏の電極
３ｅ、 ３ｆ間にて形成されている。
また、誘電体同軸共振器１ａ、 ｌｂ、 ｌｅ、 ｌｄ
間の結合容量は結合コンデンサ基板３の同一表面に電極
３ｅ。
間の結合容量は結合コンデンサ基板３の同一表面に電極
３ｅ。
３ｄ、３ｅが形成されている。副伝送路基板４は第５図
（Ａ）〜（Ｃ）に示すように高周波特性のすぐれた誘電
体基板からなり誘電体同軸共振器１ａ、 ｌｂ、 ｌｅ
。
（Ａ）〜（Ｃ）に示すように高周波特性のすぐれた誘電
体基板からなり誘電体同軸共振器１ａ、 ｌｂ、 ｌｅ
。
１ｄの中心金具２との接続及び貫通用の孔４ａ、 ４ｂ
が設けられている。基板の表面に、入力電極、出力電極
を形成するための電極４Ｃ＊ ｔ ４ｅ、 ｔストリッ
プ線路を形成するための電極４ｄが銀メタライズ等によ
り施されている。入力結合容量は入力電極４ｅ。
が設けられている。基板の表面に、入力電極、出力電極
を形成するための電極４Ｃ＊ ｔ ４ｅ、 ｔストリッ
プ線路を形成するための電極４ｄが銀メタライズ等によ
り施されている。入力結合容量は入力電極４ｅ。
とストリップ線路電極４ｄによって形成され、出力結合
容量は出力電極４ｃ、とストリップ線路電極４ｄによっ
て形成される。基板の裏面に、アース電極を形成するた
めの電極４ｅが銀メタライズ等により施されている。第
４図において、誘電体同軸共振器１ａ、 ｌｂ、 ｌｃ
、 ｌｄの中心金具２は副伝送路基板４の貫通孔４ａ、
４ｂを介して結合コンデンサ基板３に設けらけた孔３
ｂに挿入し半田付けをしている。又。
容量は出力電極４ｃ、とストリップ線路電極４ｄによっ
て形成される。基板の裏面に、アース電極を形成するた
めの電極４ｅが銀メタライズ等により施されている。第
４図において、誘電体同軸共振器１ａ、 ｌｂ、 ｌｃ
、 ｌｄの中心金具２は副伝送路基板４の貫通孔４ａ、
４ｂを介して結合コンデンサ基板３に設けらけた孔３
ｂに挿入し半田付けをしている。又。
誘電体同軸共振器１ａ、 ｌｄの中心金具２は副伝送路
基板４と半田付けをしている。入出力端子５は結合コン
デンサ基板３の孔３ａに挿入し半田付けをしている。
基板４と半田付けをしている。入出力端子５は結合コン
デンサ基板３の孔３ａに挿入し半田付けをしている。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上記従来の技術では、副伝送路基板４設
置のため、誘電体同軸共振器１ａ、 ｌｂ、 ｌｃ。
置のため、誘電体同軸共振器１ａ、 ｌｂ、 ｌｃ。
ｌｄと結合コンデンサ基板３間に十分なスペースが必要
となり、誘電体フィルタの形状が高くなるという問題が
あった。
となり、誘電体フィルタの形状が高くなるという問題が
あった。
本発明はこのような問題点を解決するものであり、小型
で高減衰量特性の誘電体フィルタを提供することを目的
とするものである。
で高減衰量特性の誘電体フィルタを提供することを目的
とするものである。
（課題を解決するための手段）
上記の問題点を解決するために本発明の誘電体フィルタ
は、ＳＩＲ誘電体同軸共振器を副伝送路基板の貫通孔を
介して、結合コンデンサ基板と接続させた構造としたも
のである。
は、ＳＩＲ誘電体同軸共振器を副伝送路基板の貫通孔を
介して、結合コンデンサ基板と接続させた構造としたも
のである。
（作 用）
この技術的手段により、副伝送路基板がＳＩＲ誘電体同
軸共振器のスペースに構成でき、高さの低い構造の副伝
送路を有する誘電体フィルタを構成することとなる。
軸共振器のスペースに構成でき、高さの低い構造の副伝
送路を有する誘電体フィルタを構成することとなる。
（実施例）
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明の一実施例における誘電体フィルタの断
面図、第２図（Ａ）〜（Ｃ）は同実施例における副伝送
路基板８を示すものである。副伝送路基板８は高周波特
性のすぐれた誘電体基板からなり、接続端子１１を挿入
するための孔８ａ、ＳＩＲ誘電体同軸共振器の貫通用の
孔８ｂを設けている。基板の表面には入力電極、出力電
極を形成するための電極８ｃｉ、８ｃ、ストリップ線路
を形成するための電極８ｄが銀メタライズ等により施さ
れている。入力結合容量は入力電極８ｃ１とストリップ
線路８ｄによって形成され、出力結合容量は出力電極８
ｃ、とストリップ線路８ｄによって形成される。また基
板の裏面にはアース電極を形成するための電極８ｅが銀
メタライズ等により施されている。第３図（Ａ）〜（Ｃ
）は上記実施例における結合コンデンサ基板７を示すも
のであり、アルミナのような高周波特性のすぐれた誘電
体基板からなり、中心金具９を挿入するための孔７ｃ、
接続端子１１を挿入するための孔７ａ及び入出力端子１
０を挿入するための孔７ｂを設けている。基板の表面に
は、結合容量を形成するための電極７ｄ、 ７ｅ、 ７
ｆが銀メタライズ等により施されている。ＳＩＲ誘電体
同軸共振盪と入出力端子の結合容量は表裏の電極間７ｄ
と７ｇによって形成される。ＳＩＲ誘電体同軸共振器間
の結合容量は同一表面の電極間７ｄと７ｅ、 ７ｅと７
ｆ、 ７ｆと７ｄによって形成される。第１図は上記副
伝送路基板８と結合コンデンサ基板７を用いて、４段の
誘電体フィルタを構成した場合の断面図である。ＳＩＲ
誘電体同軸共振器６ａ、 ６ｂ、 ６ｃ、 ６ｄは誘電
体角筒からなり、開放端面以外の片端面、外周面及び内
周面全体には銀メタライズ等が施されている。ＳＩＲ誘
電体同軸共振器は副伝送路基板８の孔８ｂを介して貫通
し、結合コンデンサ基板７と接続するための金属から成
る中心金具９がＳＩＲ誘電体同軸共振器６ａ、 ６ｂ、
６ｃ、 ６ｄの内部導体及び結合コンデンサ基板７の
孔７ｄにそれぞれ挿入されて半田１２により半田付けさ
れている。金属からなる入出力端子１０は、結合コンデ
ンサ基板７の孔７ｂに挿入されて半田１２により半田付
けされている。結合コンデンサ基板７と副伝送路基板８
を接続するために金属から成る接続金具１１が結合コン
デンサ基板７の孔７ａ及び副伝送路基板８の孔８ａにそ
れぞれ挿入されて半田１２により半田付けされている。
面図、第２図（Ａ）〜（Ｃ）は同実施例における副伝送
路基板８を示すものである。副伝送路基板８は高周波特
性のすぐれた誘電体基板からなり、接続端子１１を挿入
するための孔８ａ、ＳＩＲ誘電体同軸共振器の貫通用の
孔８ｂを設けている。基板の表面には入力電極、出力電
極を形成するための電極８ｃｉ、８ｃ、ストリップ線路
を形成するための電極８ｄが銀メタライズ等により施さ
れている。入力結合容量は入力電極８ｃ１とストリップ
線路８ｄによって形成され、出力結合容量は出力電極８
ｃ、とストリップ線路８ｄによって形成される。また基
板の裏面にはアース電極を形成するための電極８ｅが銀
メタライズ等により施されている。第３図（Ａ）〜（Ｃ
）は上記実施例における結合コンデンサ基板７を示すも
のであり、アルミナのような高周波特性のすぐれた誘電
体基板からなり、中心金具９を挿入するための孔７ｃ、
接続端子１１を挿入するための孔７ａ及び入出力端子１
０を挿入するための孔７ｂを設けている。基板の表面に
は、結合容量を形成するための電極７ｄ、 ７ｅ、 ７
ｆが銀メタライズ等により施されている。ＳＩＲ誘電体
同軸共振盪と入出力端子の結合容量は表裏の電極間７ｄ
と７ｇによって形成される。ＳＩＲ誘電体同軸共振器間
の結合容量は同一表面の電極間７ｄと７ｅ、 ７ｅと７
ｆ、 ７ｆと７ｄによって形成される。第１図は上記副
伝送路基板８と結合コンデンサ基板７を用いて、４段の
誘電体フィルタを構成した場合の断面図である。ＳＩＲ
誘電体同軸共振器６ａ、 ６ｂ、 ６ｃ、 ６ｄは誘電
体角筒からなり、開放端面以外の片端面、外周面及び内
周面全体には銀メタライズ等が施されている。ＳＩＲ誘
電体同軸共振器は副伝送路基板８の孔８ｂを介して貫通
し、結合コンデンサ基板７と接続するための金属から成
る中心金具９がＳＩＲ誘電体同軸共振器６ａ、 ６ｂ、
６ｃ、 ６ｄの内部導体及び結合コンデンサ基板７の
孔７ｄにそれぞれ挿入されて半田１２により半田付けさ
れている。金属からなる入出力端子１０は、結合コンデ
ンサ基板７の孔７ｂに挿入されて半田１２により半田付
けされている。結合コンデンサ基板７と副伝送路基板８
を接続するために金属から成る接続金具１１が結合コン
デンサ基板７の孔７ａ及び副伝送路基板８の孔８ａにそ
れぞれ挿入されて半田１２により半田付けされている。
また、副伝送路基板８のアース電極８ｅとＳＩＲ誘電体
同軸共振器６ａ、 ６ｂ、 ６ｃ、 ６ｄの外部電極と
半田付けし、かつ、ケースのアース側の箇所を折り曲げ
て、副伝送路基板８を固定するとともに、半田付けをす
る。
同軸共振器６ａ、 ６ｂ、 ６ｃ、 ６ｄの外部電極と
半田付けし、かつ、ケースのアース側の箇所を折り曲げ
て、副伝送路基板８を固定するとともに、半田付けをす
る。
このことにより、アース状態が良くなり、減衰量域にお
ける高周波特性が改善される効果も得られた。
ける高周波特性が改善される効果も得られた。
（発明の効果）
以上のように本発明によれば、ＳＩＲ誘電体同軸共振器
を副伝送路基板の孔を貫通させて、結合コンデンサ基板
と接続させた構成を設けることにより、高さが低い形状
で高減衰量特性の誘電体フィルタを提供することができ
る。
を副伝送路基板の孔を貫通させて、結合コンデンサ基板
と接続させた構成を設けることにより、高さが低い形状
で高減衰量特性の誘電体フィルタを提供することができ
る。
第１図は本発明の一実施例における誘電体フィルタの断
面図、第２図（Ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例におけ
る副伝送路基板の上面図、側面図及び下面図、第３図（
Ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例における結合コンデン
サ基板の上面図、側面図及び下面図、第４図は従来例に
おける誘電体フィルタの断面図、第５図（Ａ）〜（Ｃ）
は従来例による副伝送路基板の上面図、側面図及び下面
図、第６図（Ａ）〜（Ｃ）は従来例による結合コンデン
サ基板の上面図、側面図及び下面図を示す。 ６ａ、 ６ｂ、 ６ｃ、 ６ｄ−Ｓ Ｉ Ｒ誘電体同軸
共振器、７・・・結合コンデンサ基板、 ８・・・副伝
送路基板、 ９・・・中心金具、ｌｏ・・・入出力端子
。 １１・・・接続端子。
面図、第２図（Ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例におけ
る副伝送路基板の上面図、側面図及び下面図、第３図（
Ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例における結合コンデン
サ基板の上面図、側面図及び下面図、第４図は従来例に
おける誘電体フィルタの断面図、第５図（Ａ）〜（Ｃ）
は従来例による副伝送路基板の上面図、側面図及び下面
図、第６図（Ａ）〜（Ｃ）は従来例による結合コンデン
サ基板の上面図、側面図及び下面図を示す。 ６ａ、 ６ｂ、 ６ｃ、 ６ｄ−Ｓ Ｉ Ｒ誘電体同軸
共振器、７・・・結合コンデンサ基板、 ８・・・副伝
送路基板、 ９・・・中心金具、ｌｏ・・・入出力端子
。 １１・・・接続端子。
Claims (1)
- 複数個の１／４波長ＳＩＲ誘電体同軸共振器を、複数
個の貫通孔を有し、結合容量，ストリップ線路を構成し
た第１の誘電体基板に貫通させて配置するとともに、上
記ＳＩＲ誘電体同軸共振器の結合容量を有する第２の誘
電体基板と接続し、上記第１の誘電体基板と第２の誘電
体基板を電気的に並列接続したことを特徴とする誘電体
フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1296121A JPH03158001A (ja) | 1989-11-16 | 1989-11-16 | 誘電体フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1296121A JPH03158001A (ja) | 1989-11-16 | 1989-11-16 | 誘電体フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03158001A true JPH03158001A (ja) | 1991-07-08 |
Family
ID=17829410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1296121A Pending JPH03158001A (ja) | 1989-11-16 | 1989-11-16 | 誘電体フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03158001A (ja) |
-
1989
- 1989-11-16 JP JP1296121A patent/JPH03158001A/ja active Pending
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