JPH03159972A - セラミックス被覆層のコーティング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 本発明は、基材の表面にセラミックス被覆層をコーティ
ングするセラミックス被覆層のコーティング方法に関す
る。

「従来の技術」 従来、基材の表面にセラミックス被覆層をコティングす
るには、一般的には上記基材とセラミックス被覆層とを
加熱炉内に搬入し、該加熱炉でセラミックス被覆層を加
熱して基材に接着するようにしている。

またその他のセラミックス被覆層のコーティング方法と
して、レーザをセラミックス被覆層にｐ召射して加熱接
着することも行なわれている。

「発明が解決しようとする課題」 しかしながら、従来のいずれの方法もエネルギ効率が悪
いためセラミックス被覆層を加熱するのに大きなエネル
ギを必要とし、ランニングコスｌ・が高いという欠点が
ある。また、レーザを用いるものにあっては、レーザ装
置が大型で高価であるという欠点もある。

「課題を解決するための手段」 本発明はそのような事情に鑑み、安価なランニングコス
トでセラミックス被覆層を加熱することができる新規な
セラミックス被覆層のコーティング方法を提供するもの
である。

すなわち本発明のコーティング方法は、基材の表面にセ
ラミックス材料を含有するセラミックス被覆層を形成し
た後、該セラミックス被覆層に直流、交流またはマイク
ロウェーブ電流を流し、該？ラミックス被覆層を自己抵
抗発熱により加熱して基材に接着させるようにしたもの
である。

「作用」 セラミックス材料は温度が上昇すると電気抵抗値が低下
するのでその状態でセラミックス材料に直流、交流また
はマイクロウェーブ電流を流すことができ、セラミック
ス材料に上記電流を流すと自己抵抗発熱により温度が上
昇して軟化ないしは溶融するので、それによってセラミ
ックス被覆層を基材に接着することができる。

そして上記自己抵抗発熱によりセラミックス被覆層を加
熱するのに必要な電流は後述するように比較的小さくて
よいので、加熱炉やレーザによってセラミックス被覆層
を加熱する場合に比較して、ランニングコストの低減を
図ることができる。

なお、上記セラミックス材料としては、例えば、Ｓ１０
２、Ａｌ２０．が主成分で、ＴｉＯ■、Ｆｅｚｅｓ、Ｃ
ａｎ　、ＭｇＯ　、Ｋ２０　、Ｎａ２０等が若干含まれ
る、焼成色が灰白色である粘土を用いることができる。

また、耐アルカリ性セラミックス材料として、長石およ
び石英に、必要に応じてＭｇＯを主成分とするマグネサ
ンド又はドロマイトと、Ｔ　１０　２とを添加したもの
を使用することができる。その他、セラミックス材料と
して高炉セメント等、従来周知の種々のものが使用でき
ることは明らかであるが、ガラス化するセラミックス材
料を使用することが望ましい。

「実施例」 以下本発明の一実施例を図に基づいて説明する。第１図
に示す実施例はセラミックス被覆層の全域を一挙に加熱
するようにしたもので、本実施例においては、基材１上
にセラミックス材料を含有するセラミックス被覆層２を
形成し、このセラミックス被覆層２の両側に接触させて
一対の電極３を平行に配置している。そして各電極３は
、通電時間や電圧を制御する４を介して例えば５０Ｈｚ
の交流電源部５に接続している。なお、この電源部５は
直流電源部であってもよい。

本実施例においては、上記基材ｌとして、縦５０ｍｍ、
横５０ｍｍ、厚さ１　５ｍｍの珪酸カルシウム板を用い
た。またセラミックス被覆層２として、重量比で、６０
％のガラスフリット、１０％のＮｉ○、２０％のＳｎＯ
２．５％のＦｅ、５％のＳｉＣからなる材料を用い、そ
れらをボールミルにより粉砕混合した後、該混合粉体を
１ｍｍの厚さで上記基材１の表面に均一に散布して上記
セラミックス被覆層２を形成した。上記Ｎｉｐ．ＳｎＯ
２．Ｆｅ．ＳｉＣは、セラミックス被覆層２の導電性を
向上させる目的で添加したものである。さらに、上記セ
ラミックス被覆層２の表面に、通電を容易にするために
粉体のカーボン６を約３０μｍ厚で均一に散布した。

上記電極３はカーボングラファイトにより長さ５０＋ｎ
ｍ、高さ３ｍｍ、厚さ１ｍｍの帯状に形成し、これをセ
ラミックス被覆層２の両側とその上面のカボン６とに接
触させて基材１に取付けた。

上記通電制御部４は、初期通電時には２０ＫＶ、ＩＫＡ
の電流を２マイクロ秒間供給し、引き続き５００Ｖ、２
５Ａの交流電流を２秒間供給して通電を停止するように
設定した。この通電により、上記セラミックス被覆層２
は自己抵抗発熱によりその全域が加熱溶融されるように
なり、通電停止後に自然冷却されて硬化し、基材ｌの表
面に接着した。その結果、この基材１は約０．３ｍｍの
厚さの淡緑色のセラミックスによってコーティングされ
た。

次に第２図、第３図に示す第２実施例は、上記第１実施
例が基材１と電極３とを固定していたのに対し、基材ｌ
１を左右一対の電極ｌ３に対して移動させ、その移動方
向に沿ってより広い範囲に渡ってセラミックス被覆層ｌ
２を加熱できるようにしたものである。

本実施例においては、細長い基材ｌ１を搬送コンベヤｌ
７上に載置させ、該搬送コンベヤｌ７によって基材１ｌ
をその長手方向に搬送できるようにしている。上記搬送
コンベヤｌ７はサーボモータｌ８によって駆動され、該
サーボモータｌ８の回転速度に応じて基材１１の搬送速
度を調整することができるようになっている。

」二記一対の電極ｌ３は棒状に形成してその下端部をセ
ラミックス被覆層１２の両側部分に接触させ、かつ一対
の電極１３を、セラミックス被覆層１２の端部から他端
部に、基材１ｌの搬送によって相対的に移動させること
ができるようにしている。

なお、基材ｌ１を移動させる代りに、電極１３を移動さ
せるようにしてもよいことは勿論である。

上記一対の電極１３は昇降フレームｌ９に取付けてあり
、この昇降フレームｌ９は例えば昇降フレームに螺合し
たねじ軸とこれを回転駆動するサーボモタとからなる昇
降機構２０によって昇降されるようになっている。上記
昇降フレーム１９には、上記電極１３の相対的な前進方
向を基準としてその後方側に、上記昇降フレーム１９と
セラミックス被覆層ｌ２との間のクリアランスを検出す
るクリアランスセンサ２ｌを設けてあり、このクリアラ
ンスセンサ２ｌからの信号を入力する制御装置２２によ
って上記昇降機構２０を制御させることにより、セラミ
ックス被覆層１２の加熱中は、上記電極ｌ３の下端部を
セラミックス被覆層ｌ２の深さ方向のほぼ中央に維持で
きるようにしている。

また上記基材１ｌには、通電を開始ずる際に電極１３に
隣接する側の端部にヒーク２５を取付けてあり、このヒ
ータ２５によってセラミックス被覆層１２を予備加熱し
て該セラミックス被覆層ｌ２の電気抵抗値を低下させ、
それによって電極１３間の通電を容易に開始させること
ができるようにしている。

そしてこのヒータ２５と上記電極１３とは交流電源部ｌ
５に接続した通電制御部１４によってそれぞれ通電状態
が制御され、かつ通電制御部ｌ４は、上記制御装置２２
からの制御信号に基づいて上記通電状態を制御するよう
になっている。

さらに上記昇降フレーム１９には、上記電極ｌ３の間に
多数の量子型赤外線温度センサ２６をマトリックス状に
設けてあり、各温度センサ２６により電極１３間のセラ
ミックス被覆層１２の温度を多数点で計測するとともに
、両電極ｌ３の進行方向前方側のセラミックス被覆層１
２の温度も多数点で計測することができるようにしてい
る。

上記各温度センサ２６からの信号は上記制御装置２２に
入力され、この制御装置２２は各温度センサ２６によっ
て計測された温度と、上記通電制御部１４から受ける電
極１３間の通電電流値とから上記基材ｌ１の搬送速度を
算出し、その算出値に基づいて上記サーボモータ１８の
回転速度を制御できるようになっている。

次に、本実施例においては上記基材ｌ１として、縦１０
０ｍｍ、横６３ｍｍ、厚さ３５ｍｍのＡＬＣコンクリト
を用い、またセラミックス被覆層１２としてガラスフリ
ットをボールミルで粉砕して粉体とし、この粉体を１ｍ
ｍの厚さで上記基材１ｌの表面に均一に散布した。また
上記ヒータ２５としては２ＫＷのカーボンヒークを用い
た。

上記制御装置２２に運転開始指令信号を与えると、該制
御装置２２は通電制御部１４を介して上記ヒータ２５に
通電し、上記セラミックス被覆層１２を加熱する。これ
と同時に、通電制御部１４は電極１３に６００■の電圧
を印加する。このとき、各電極ｌ３はタングステンによ
り直径１ｍｍの棒状に形成し、両者の間隔を６０ｍｍと
することにより、各電極１３をセｑ ラミックス被覆層１２の両側縁部からそれぞれ１．５ｍ
ｍだけ内側に位置するようにした。

上記ヒータ２５の熱によりセラミックス被覆層ｌ２が加
熱され、それによってセラミックス被覆層１２の電気抵
抗値が低下して電極１３間に電流が流れるようになると
、上記セラミックス被覆層ｌ２は自己抵抗発熱により加
熱され、やがて溶融されるようになる。

そして上記セラミックス被覆層１２に電流が流れると、
通電制御部１４はその電流値を上記制御装置２２にフィ
ードバックさせ、該制御装置２２はその値が所定値とな
ると通電制御部１４を介してヒータ２５への通電を停止
させる。

ところで、上記電極ｌ３間に過大な電流および電圧を与
えると、電流はセラミックス被覆層ｌ２内だけではなく
、基材１１であるＡＬＣコンクリート内にも拡散した状
態で流れるようになり、それによってＡＬＣコンクリー
トが加熱溶融されて熱焼損されるようになる。

しかしながら、上記セラミックス被覆層１２は温１０ 度が上昇すれば導電率が増大して通電され易くなり、温
度が下降すれば導電率も低下するので、この正帰還作用
により電極１３間に最適な電流および電圧を与えると、
上記電極１３間の最短距離を結ぶ直線状に電流を流すこ
とができ、それによってセラミックス被覆層１２の任意
の一部分に直線状の溶融状態を形成することができる。

そして上記電極１３を相対的に前進させて電極１３間の
通電部分を前進させる際には、上記直線状の溶融部を、
電極ｌ３間の通電部分の進行方向先端縁を越えてさらに
前方側に形成することが望ましく、それによって上記通
電部分を常に溶融部内に位置させて電流の変動を防止し
て、溶融部の温度を一定に保つことができる。

また、上記電極１３間の通電部分を前進させる際には、
基材１ｌであるＡＬＣコンクリートを損傷させることの
ない範囲で相対的に大きな電流および電圧を与え、予め
上記溶融部分を拡大して上記通電部分の大きな前進距離
を確保し、その前進後に電流および電圧を低下させてＡ
ＬＣコンクリート１ ｌ の損傷を防止させ、以後これを繰返して電極１３を前進
させることができる。

そしてセラミックス被覆層ｌ２の一部に直綿状の溶融状
態を形成することができれば、基材ｌ１に電流が流れて
該基材１ｌが熱焼損されるのを防止できるとともに、セ
ラミックス被覆層ｌ２の加熱位置を制御することができ
、その加熱位置と加熱時間とを制御すれば好適な焼成状
態を得ることが容易となる。

このため、上記制御装置２２は通電制御部１４からの信
号により電極１３間に流れる電流値の大きさを常に監視
しており、本実施例では電極１３間に流れる電流が直線
状となるように、その電流値の大きさが１．　２Ａとな
るように基材１．１の搬送速度を設定している。

すなわち、本実施例では電極１３間に流れる電流値の大
きさが１．２Ａの時にセラミックス被覆層１２の好適な
溶融焼成状態が得られており、基材ｌ１の搬送速度が早
くなると、電極ｌ３との相対・的な移動速度つまり直線
状の溶融部分の移動速度が早くな１ ２ るので、セラミックス被覆層ｌ２の溶融部分の温度が低
下し、電気抵抗値が増大するので電流値の大きさが１．
２Ａを下回るようになり、この状態では焼成が不完全と
なる。また、基材１１の搬送速度を遅くしても電極１３
間に流れる電流値の大きさが１．２Ａを下回るときは、
上記制御装置２２電圧を上げて上記１．２Ａの電流値を
確保するように機能する。

これに対し、基材ｌ１の搬送速度が遅くなるとセラミッ
クス被覆層１２の温度が増大し、電気抵抗値が減少する
ので電流値の大きさが１．２Ａを上回るようになり、こ
の場合には電流経路が拡散するとともに加熱時間が長く
なるのでセラミックス被覆層１２が加熱されすぎて基材
ｌ１であるＡＬＣコンクリートを焼損させるようになる
。

このように、上記制御装置２２は電極１３間に流れる電
流値の大きさを検出してその値が一定となるように基材
１ｌの搬送速度を設定しているが、その際、温度センサ
２６からの信号により、特に両電極１３の進行方向前方
側の溶融領域内におけるセラミｌ３ ックス被覆層１２の温度を計測し、その部分の温度の大
きさを考慮しながら上記基材１１の搬送速度を設定して
いる。

また上記制御装置２２は上記温度センサ２６により電極
１３間のセラミックス被覆層１２の温度も計洞しており
、局部的に温度の低い部分が発生した場合には、基材１
１の搬送速度を一時的に遅らせ、その局部的に温度の低
い部分が加熱されるのを待ってから、すなわち電流経路
を確立してから基材１１の搬送速度を元に戻すようにし
ている。この場合にも、基材１１の搬送速度を遅らせる
代わりに、電圧を上昇させるようにしてもよい。

本実施例においては、上記基材１ｌと電極１３との相対
移動速度は平均５ＩＴｌｍ／秒であった。そして上記基
材１１を約０．３ｍｍの厚さの淡緑色のセラミックスに
よってコーティングすることができ、また電極１３の通
過跡は認められなかった。

ところで、上記セラミックス被覆層１２は加熱前は１ｍ
ｍ厚さの粉体であり、加熱溶融されると０．３ｍｍの厚
さのガラス状のセラミックス被覆層ｌ２１　４ となる。その厚さの変動を補償するため上記クリアラン
スセンサ２ｌを設けてある。すなわちこのクリアランス
センサ２１は、昇降フレーム１９とセラミックス被覆層
１２との間のクリアランスを検出しており、制御装置２
２は、上記電極ｌ３の下端部をセラミックス被覆層ｌ２
に約０．１５ｍｍ挿入するように昇降フレーム１９の高
さ位置を制御している。その結果、セラミックス被覆層
１２が扮体である最初の通電時を除き、電極ｌ３の下端
部をセラミックス被覆層１２の深さ方向のほぼ中央に維
持することができ、それによって上記電極１３間を直線
状に流れる電流の深さがその深さとなるようにしている
。

第４図に示す第３実施例は、上記第２実施例を基礎とし
て多数の電極３３を並設し、またセラミックス被覆層３
２を中間に電気絶縁層を含む３層構造とすることにより
、基材３１として導電性を有する鉄板を用いることがで
きるようにしたものである。

上記セラミックス被覆層３２は、基材３１の表面に形成
した接着層３２ａと、この接着層３２ａの表面にｌ ５ 形成した上記電気絶縁層３２ｂと、さらにこの電気絶縁
層３２ｂの表面に形成した表面層３２ｃとからなってい
る。

また上記多数の電極３３はそれぞれ棒状に形成してあり
、その下端部をセラミックス被覆層３２の表面層３２ｃ
の中間深さまで一定の間隔で挿入できるようにしている
。上記各電極３３はそれぞれ通電制御部３４に接続して
あり、この通電制御部３４は、側から順に第１＠目の電
極と第２＠目の電極とに電流を通電した後、第２番目の
電極と第３番目の電極とに電流を通電し、引き続き第３
番目の電極と第４番目の電極とに電流を通電するといっ
たように、隣接した電極間に一定の順番で電流を通電す
ることができるようになっている。

各電極３３間には、第２実施例と同様に多数の量子型赤
外線温度センサ４６をマトリックス状に設けてあり、そ
の信号を入力する制御装置４２は、特定の電極間におけ
るセラミックス被覆層３２の温度が低いことを検出した
場合に、上記一定の順番の中にその特定の電極に電流を
通電する指令を挿入１ ６ ？、それによって各電極間のセラミックス被覆層３２の
温度が実質的に同一となるように制御できるようになっ
ている。

その他の構成は、ヒータ２５を省略した点を除いて第２
実施例と実質的に同一に構成してあり、第４図において
、３５は交流電源部、３７は搬送コンベヤ、３８はサー
ボモータ、３９は昇降フレーム、４０は昇降機構、４１
はクリアランスセンサである。

本実施例においては、基材３ｌとして縦１００ｍｍ、横
６３ｍｍ、厚さ３．２ｍｍの鉄板を用いた。またセラミ
ックス被覆層３２の接着層３２ａはガラスフリットの扮
体とし、電気絶縁層３２ｂとしてはジルコニアの粉体と
した。なお、電気絶縁層３２ｂのその他の例としては、
Ｓｉ○２やＡ１■０３などを使用することができる。

さらに上記表面層３２ｃは、重量比で、６０％のガラス
フリット、２０％のカリウムを大量に含有するガラスフ
リット、ｌＯ％のＴｉ、１０％のＴ　ｉ　Ｎ　２からな
る混合粉体を用いた。上記カリウムはイオン化により導
電性を向上させる目的で、またＴｉ、１　７ Ｔ　ｉ　Ｎ　２も導電性を向上させる目的で添加したも
のである。特にＴｉ，Ｆｅ．Ａ１等の遷移金属は、溶融
された表面Ｎ３２ｃに隣接する未溶融部分において酸化
し、その酸化熱により表面層３２ｃを加熱してその部分
の電気抵抗値を低下させ、それによって導電性を向上さ
せ、電極を相対的に前進させる際に、溶融部分を前進方
向に滑らかに拡大させる働きがある。

そして上記接着層３２ａ、電気絶縁層３２ｂおよび表面
層３２ｃをそれぞれ均等ずつの厚さでその順に基材３ｌ
上に積層し、全体として約１ｍｍの厚さとした。

上記各電極３３はそれぞれカーボングラファイトにより
直径１ｍｍの棒状に形成し、各間隔を１０ｍｍとして７
本の電極を設けることにより、両端部の電極をセラミッ
クス被覆層３２の両側縁部からそれぞれ３ｍｍだけ内側
に位置するようにした。

また本実施例では、第２実施例のヒータ２５を省略した
代わりに、上記セラミックス被覆層３２の表面に通電を
容易にするために粉体のカーボン３６を１　８ 均一に散布し、通電制御部３４によって、初期通電時に
は各一対の電極３３毎に、２０ＫＶ、４０Ａの電流を２
マイクロ秒づつ供給した。

これによってセラミックス被覆層３２の温度が上昇し、
その温度が所定値以上となった後は、各電極３３間に６
００Ｖ、　１．５Ａの電流を１ｍｍ秒毎にスイッチング
しながら供給するようにし、　１．　５Ａの電流を維持
するようにするとともに、温度センサ４６によりセラミ
ックス被覆層３２の温度を監視しながら、基材３ｌを前
進させた。またこの際、上記６００Ｖ、　１．５Ａの電
流を通電した電極３３間に流れる電流値の他に、その他
の各一対となる電極間にも微少電流を流すことによって
その電極３３間の通電状態を監視することができ、その
通電状態からその電極３３間のセラミックス被覆層３２
の温度が極端に低下したことを早期に検出することがで
きる。

本実施例においては、基材３ｌが鉄板であるにも拘らず
、セラミックス被覆層３２に電気絶縁層３２ｂを設けて
いるので電流が基材３１に逃げることを防止して表面層
３２ｃを自己抵抗発熱により加熱溶融１ ９ させることができる。そしてその熱により電気絶縁層３
２ｂを介して接着層３２ａを加熱し、該接着層３２ａを
軟化ないしは溶融させて該接着層３２ａを基材３１に接
着させ、それにより上記基材３ｌを全体の厚さが約０．
３ｍｍの淡緑色のセラミックス被覆層３２によってコー
ティングすることができた。またそのセラミックス被覆
層３２には各電極３３の通過跡は認められなかった。

なお本実施例では、上記クリアランスセンサ４１による
各電極３３の挿入深さを０．　１ｍｍに設定し、各電極
３３の先端が溶融されたセラミックス被覆層ｌ２におけ
る電気絶縁層３２ｂの表面程度の深さとなるようにし、
各電極３３の先端がその電気絶縁層３２ｂを突き抜ける
ことがないようにしている。

第５図は本発明の第４実施例を示したもので、本実施例
は上述の第２実施例を基礎として、電極５３の相対的な
移動方向前方側にアシストヒータ５４を、また後方側に
緩冷却ヒータ５５を設けたものである。

上記アシストヒータ５４は電極５３の前方部分のセ２　
０ ラミックス被覆層５２を加熱することにより、電極５３
による加熱に先立ってその部分の加熱を補助し、また緩
冷却ヒーク５５は電極５３の通過後に溶融されたセラミ
ックス被覆層５２が急激に冷却されるのを防止し、それ
によって被覆層の色の再現性の向上や熱歪の改善を図る
ことができる。

本実施例では基材５１として、縦１００ｍｍ、横６３ｍ
ｍ、厚さ３５ｍｍのＡＬＣコンクリートを用い、またセ
ラミックス被覆層５２として、重量比で、７０％のガラ
スフリット、１５％のＺｎＯ２、１５％のＳｎｏｗから
なる１ｍｍ厚の混合粉体を用いた。

上記アシストヒータ５４としては３００Ｗの赤外線ヒー
タを、緩冷却ヒータ５５−とじては２００Ｗの放物綿状
反射鏡を有する赤外線ヒータを用いた。上記放物線状反
射鏡は、セラミックス被覆層５２を電極５３に近接した
位置で強く加熱し、その電極の相対移動方向後方側に離
れるに従って弱く加熱できるようになっている。さらに
第２実施例のヒータ２５に相当するヒータ５６としては
２ＫＷのカーボンヒータを用いた。

２ｌ 本実施例においては、上記基材５１を約０．　３ｍｍの
淡緑色のセラミックス被覆層５２によってコーティング
することができた。また、そのセラミックス被覆層５２
には各電極５３の通過跡は認められず、その表面はきわ
めて滑らかであった。

なお、上述の第３実施例を基礎として本実施例のアシス
トヒータ５４や緩冷却ヒータ５５を設けることができる
ことは勿論である。

さらに、第６図は本発明の第５実施例を示したもので、
本実施例ではセラミックス被覆層に流す交流電流として
マイクロウェーブを用い、それによって電極を省略でき
るようにしたものである。

第６図において、表面にセラミックス被覆層６２を形成
した基材６ｌは搬送コンベヤ６４上に載置してあり、こ
の搬送コンベヤ６４によって間欠的に搬送できるように
している。搬送コンベヤ６４の上方にはマイクロウェー
ブを発振するマグネトロン６５を設けてあり、このマグ
ネトロン６５を取付けた導波管６６の下端開口部を所定
の間隙をあけてセラミッ２２ クス被覆層６２の表面に対向させ、該セラミックス被覆
層６２にマイクロウェーブを照射することができるよう
にしている。また、上記セラミックス被覆層６２の移動
範囲に渡って、上記マイクロウエブが外部に漉洩するの
を防止するシールドカーテン６７を設けている。

上記基材６１は縦１００ｍｍ、横５０ｍｍ、厚さ３５ｍ
ｍのＡＬＣコンクリートを用い、またセラミックス被覆
層６２は、上記マイクロウェーブによって基材６ｌのＡ
ＬＣコンクリートが加熱されて損傷されるのを防止する
ため、中間層にマイクロウェーブの絶縁反射層６２ｂを
設けた３層構造とした。

すなわち上記基材６１の表面に形成した接着層６２ａは
ガラスフリットの粉体とし、この接着層６２ａの上に形
成した上記マイクロウェーブの絶縁反射ｉ６２ｂはＡ１
２０３の粉体とした。さらに、上記反射層６２ｂの上に
形成した表面層６２ｃは、重量比で、５０％のガラスフ
リット、１５％のＮｉ○、１５％のＳｎ○２、２０％の
ＳｉＣからなる混合扮体を用いた。上記表面層５２ｃの
ＮｉＯ．Ｓｎ○２、２３ ＳｉＣぱ、表面層６２ｃのイオン化を促進し、また導電
率を向上させてマイクロウェーブの照射時に該表面層６
２ｃのみに交流電流を流して加熱溶融させ、それによっ
て基材６１のΔＬＣコンクリ−１〜が加熱されるのを防
止する目的で添加したものである。

そして上記接着層６２ａ、反射層６２ｂＪよび表面層６
２ｃをそれぞれ均等ずつの厚さでその順に基材６工上に
積層し、全体として約１　ｍｍの厚さとした。

上記マグネトロン６５としては発振周波数２４５０ＭＨ
ｚ、出力５．３ＫＷのものを用い、導波管６６は、１．
２ｍｍ厚のアルミニウム板からなり、外形寸法が縦５０
ｍｍ、横５０ｍｍ、高さ９８ｍｍの直方体形状のものを
用いた。

本実施例では、セラミックス被覆層６２の表面積に対し
て導波管６６の開口面積を実質的に１／２としているの
で、セラミックス被覆層６２の半分毎にそれぞれ７０秒
間づつマイクロウェーブを照射することにより該セラミ
ックス被覆層６２に交流電流を２　４ 流し、それによってセラミックス被覆層６２を自己抵抗
発熱により加熱溶融させて基材６１に接着させた。

本実施例においても、上記基材６１を約０．３ｍｍの淡
緑色のセラミックス被覆層６２によってコーティングす
ることができた。

なお、交流には高周波ないし超高周波を含むことは勿論
である。

「発明の効果」 以上のように、本発明においては、セラミックス被覆層
を自己抵抗発熱により加熱しているので、従来の加熱炉
やレーザによってセラミックス被覆層を加熱する場合に
比較して、ランニングコストの低減を図ることができ、
しかも本発明のコティング方法を実施するための装置も
安価に製造することができるという効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第ｌ図は本発明の第１実施例を示す斜視図、第２図は本
発明の第２実施例を示す概略正面図、第３図は第２図の
側面図、第４図は本発明の第３実２５ 施例を示す概略正面図、第５図は本発明の第４実施例を
示す概略正面図、第６図は本発明の第５実施例を示す概
略正面図である。 １、１１、３１．　５１、６ｌ・・・基材２、１２、３
２、５２、６２・・・セラミックス被覆層３、１３、３
３、５３・・・電極 ４、１４、３４・・通電制御部 ５、工５、３５・・・電源部 工７・・・搬送コンベヤ ６５・・・マグネトロン ６６・・・導波管

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基材の表面にセラミックス材料を含有するセラミックス
   被覆層を形成した後、該セラミックス被覆層に直流、交
   流またはマイクロウェーブ電流を流し、該セラミックス
   被覆層を自己抵抗発熱により加熱して基材に接着させる
   ことを特徴とするセラミックス被覆層のコーティング方
   法。