JPH03161928A - 半導体装置の製造方法及び製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔目次〕 概要 産業上の利用分野 従来の技術（第６図．第７図） 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段 作用 実施例 （ａ）本発明の第１の実施例の説明（第１図，第２図，
第３図） （ｂ）本発明の第２の実施例の説明（第３図，第４図，
第５図） （ｃ）本発明の他の実施例の説明 発明の効果 〔概　要〕 電子サイクロトロン共鳴によってプラズマを発生させて
ターゲットに供給する半導体装置の製造方法およびＥＣ
Ｒプラズマエッチング装置やＦ，　ＣＲプラズマＣＶＤ
装置のように、電子サイクロトロン共鳴によってプラズ
マを発生させてターゲットに供給する機構を備えた半導
体製造装置に関し、膜のエッチング速度や膜成長速度を
大きくすることを目的とし、 共鳴磁界が発生した領域にマイクロ波及び反応ガスを導
入して前記反応ガスのプラズマを発生させ、前記プラズ
マを被処理基板表面に移動させて前記被処理基板の処理
を施す半導体装置の製造方法において、 共鳴磁界発生領域から前記被処理基板に向けて形成され
る磁界の強度を緩やかに減少させることを含み構或し、 または、共鳴磁界が発生した領域にマイクロ波及び反応
ガスを導入して前記反応ガスのプラズマを発生させ、前
記プラズマを被処理基板の表面に移動させて前記被処理
基板に処理を施す半導体装置の製造方法において、 共鳴磁界発生領域から被処理基板までの間で５ラー磁界
を発生させ、且つ前記ミラー磁界は、共鳴磁界発生領域
から被処理基板までの間の二分の一の地点から共鳴磁界
発生領域側で、極小値から極大値へと変化し、再び減少
を開始することを含み構或する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、半導体装置の製造方法および半導体製造装置
に関し、より詳しくは、電子ザイクロトロン共鳴によっ
てプラズマを発生させてターゲットに供給する半導体装
置の製造方法およびＥＣＲプラズマエッチング装置やＥ
ＣＲプラズマＣＶＤ装置のように、電子サイクロトロン
共鳴によってプラズマを発生させてターゲットに供給す
る機構を備えた半導体製造装置に関する。

〔従来の技術〕

半導体装置を形成する場合のエッチング工程や威膜工程
においては、電子サイクロトロン共鳴によるプラズマを
利用したＥ　Ｃ　Ｒ　（ｅｌｅｃｔｒｏｎ　ｃｙｃｌｏ
ｔｒｏｎ　ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）プラズマＣＶＤ装置や
ＥＣＲプラズマエッチング装置が採用されている。

例えば、ＥＣＲプラズマエッチング装置は、第６図に示
すように、プラズマ発生室５０をマグネット５１で囲み
、その中に共鳴磁界を発生させるとともに、プラズマ発
生室５０にマイクロ波導入口５２を設けて磁界Ｈの方向
にマイクロ波を導入し、マイクロ波により励起したガス
をサイクロトロン共鳴によりプラズマ化し、これを電界
Ｅにより搬送して反応室５３内の基板Ｗに供給し、基板
Ｗ上の膜をエッチングするように構威されている。

〔発明が解決しようとする課題］ しかし、プラズマ発生室５０で発生した磁界の強度は、
第７図に例示するように、反応室５３内において急速に
減少するために、ターゲット付近でプラズマ密度が急速
に下がり、電界已によるプラズマの輸送効率が悪くなっ
て基仮Ｗに到達する量が大幅に減少し、エソチング速度
が小さくなるといった問題がある。

また、ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置により膜を形成する場
合にも、基板Ｗに到達するガスプラズマの量が少なくな
り、膜の或長速度が遅くなるといった不都合がある。

もとより、基板Ｗをプラズマ発生室５０に近づけてエッ
チングや威膜に達するプラズマの量を増やすことも可能
であるが、プラズマ発生点から近い領域においては、イ
オンの方向性が乱れているためイオンが基板Ｗ面に対し
て垂直にならず、サイドエッチングが発生したり、形成
された膜の質が悪くなるといった不都合がある。

本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであって
、膜のエッチング速度や膜成長速度を速くすることがで
きる半導体装置の製造装置を提供することを目的とする
。

〔課題を解決するための手段〕

上記した課題は、第１図に例示するように、共鳴磁界が
発生した領域にマイクロ波及び反応ガスを導入して前記
反応ガスのプラズマを発生させ、前記プラズマを被処理
基板表面に移動させて前記被処理基板の処理を施す半導
体装置の製造方法において、共鳴磁界発生領域から前記
被処理基板に向けて形成される磁界の強度を緩やかに減
少させることを特徴とする第１の発明の半導体装置の製
造方法、 または、共鳴磁界を発生させる磁界発生器と、該共鳴磁
界の発生領域にマイクロ波を導入するマ９ イクロ波導入部と、前記共鳴磁界の発生領域において生
成されたプラズマを被処理基板に向けて移動させる電界
を形成する電界発生器と、前記共鳴磁界発生領域から前
記被処理基板に向けて形成される磁界の強度を緩やかに
減少させる磁界調整器とを備えたことを特徴とする第２
の発明の半導体製造装置により、 または、第４図に例示するように、共鳴磁界が発生した
領域にマイクロ波及び反応ガスを導入して前記反応ガス
のプラズマを発生させ、前記プラズマを被処理基板の表
面に移動させて前記被処理基板に処理を施す半導体装置
の製造方法において、共鳴磁界発生領域から被処理基板
までの間でミラー磁界を発生させ、且つ前記ミラー磁界
は、共鳴磁界発生領域から被処理基板までの間の二分の
一の地点から共鳴磁界発生領域側で、極小値から極大値
へと変化し、再び減少を開始することを特徴とする第３
の発明の半導体装置の製造方法、または、共鳴磁界を発
生させる共鳴磁界発生手段及び該共鳴磁界の発生領域近
傍にミラー磁界を１０ 発生させるミラー磁界発生手段と、前記共鳴磁界の発生
領域にマイクロ波を導入するマイクロ波導入部と、前記
共鳴磁界の発生領域において生成されたプラズマを、前
記ミラー磁界を通して被処理基板に向けて移動させる電
界を形成する電界発生器とを備え、前記ミラー磁界発生
手段は、共鳴磁界発生領域から被処理基板までの間の二
分のーの地点から共鳴磁界側でミラー磁界が極小値から
極大値に変化、再び減少を開始する様に設定されること
を特徴とする第４の発明の半導体装置の製造装置により
解決する。

〔作　用〕

第ｌ図に示すように、第１および第２の発明によれば、
共鳴磁界からターゲッｌ−１３への磁界の減少を緩やか
にする磁界調整器９を設けたので、プラズマを効率良く
輸送し、ターゲット１３に到達するイオンの量を増加す
るとともに、イオンがターゲット１３に到達する際に、
垂直に移動させることになる。

１１ この結果、多くのプラズマをターゲット１３に垂直に供
給することが可能になり、エッチングや或膜に寄与する
ガズプラズマの量を増加させてエッチング速度や膜成長
速度を高くすることになる。

また、第４図に示すように、第３および第４の発明によ
れば、共鳴磁界の近傍にミラー磁界を発生させるマグネ
ット２７、２８を設けたので、共鳴磁界で発生したプラ
ズマを鴫ラー磁界により閉じ込めてプラズマの密度を高
めることができ、電界によってターゲット１３に移動さ
れるプラズマの量を増加させることになる。

したがって、多くのプラズマをターゲット１３に供給す
ることが可能になり、エッチングや成膜に寄与するガズ
プラズマの量が増加してエッチング速度や膜成長速度を
高くすることになる。

さらに、これら第１〜第４の発明を組み合わせて、ミラ
ー磁場形状を緩やかに減少させることにより、よりエッ
チングや或膜に寄与するガスプラズマの量を増加させ、
エッチング速度や膜成長速度を高くすることになる。

１２ ［実施例］ そこで、以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。

（ａ）本発明の第１の実施例の説明 第１図は、本発明の一実施例を示ずＥＣＲプラズマエン
チング装置の構或図であって、図中符号１は、共鳴サイ
クロトロン現象によりプラズマを発生させる円筒状のプ
ラズマ生戒室で、その周囲には、マグネット２が取り付
けられており、このマグネット２によりプラズマ生或室
１内で共鳴磁界Ｈ，を発生させて、荷電粒子を磁界Ｈ，
の周りにサイクロトロン振動数で円運動させるように構
威されている。

３は、プラズマ生或室ｌの外端部に接続されるマイクロ
波導入管で、その接続部分には石英等よりなるマイクロ
波導入口４が設けられており、プラズマ生成室１に導入
された酸素等のガスを励起するように構威されている。

５は、プラズマ生或室１の磁界Ｈ方向側に隣設１３ された反応室で、プラズマ生戒室１との間に設けた仕切
板６にはガスプラズマを通すための開口７が設けられ、
また、開口７に対向する位置には電極８が取付けられ、
さらに、反応室５の外周のうちのプラズマ生成室１寄り
にはマグネット９が取付けられており、開口７を通して
プラズマ生或室１から出た磁界を反応室５内で緩やかに
減少させることにより（第２図）、ガスプラズマの発散
を抑制して電極８上の基板ｌ３に到達する量を多くする
ように構威されている。

１０は、電極８と接地線ＧＮＤの間に接続される高周波
バイアス電源で、この電源１０と電極８の間にはブロッ
キングコンデンサ１１が接続されており、プラズマ生或
室１から電極８に向けて電界Ｅを発生させるように構威
されている。

なお、図中符号１２は、プラズマ生成室１に設けられた
ガス導入口、１８は、反応室５に形成された排気口を示
している。

次に、上記した装置を使用して、基板１３上のレジスト
膜をパターニングする場合について説明１４ ？る。

まず前処理として、第３図に示すように、基板１３の上
にアルミニウム膜１４を形成し、その上に、エッチング
対象となる２μｍの有機系レジスト膜１５と、エッチン
グストッパーとなる３００ｎｍのＳＯＧ膜１６と、１μ
ｍの有機系レジスト膜１７とを順に形成する。

そして、第３図（ａ）に示すように、上層のレジスト膜
ｌ７を露光、現像して窓１８を形成し（第３図（ｂ））
、この後に、窓１８から露出したＳＯＣ膜１６を高周波
プラズマエッチング法等によってパターニングする（第
３図（Ｃ）〉。このエッチングには、ＣＦ．とＣｌｌｈ
を含むガスを使用する。

そして、このような処理を終えた基板１３を仕切板６か
ら２０ｃｍ程度離して反応室５の電極８の上に置いて該
基板１３を常温以下に冷却し、ついで、プラズマ生成室
１内及び反応室５内の圧力をＩ　Ｘ　１　０−’Ｔｏｒ
ｒに減圧するとともに、ガス導入口１２から酸素（０■
）を導入する。

また、マイクロ波導入口４を通してプラズマ生１５ 或室１内に１問のマイクロ波を照射するとともに、マイ
クロ波導入口４から数ｃｍ離れたプラズマ生或室１内の
磁界Ｈ１が８７５Ｇｓとなるようにマグネット２を調整
して、ここで共鳴磁界を発生さゼる。

この場合の磁界は、反応室５内の電極２９向きに発生さ
せる。

さらに、高周波電源１０に６０Ｗ、２００ｋＨｚの電力
を供給することにより、プラズマ生或室１から反応室５
内に到る方向に電界Ｈを発生さセる。

このような状態で、反応室５周囲のマグネット９によっ
て生じる磁界Ｈ２を調整することにより、第２図に示す
ように、共鳴磁界発生領域と基板ｌ３表面との中間点Ｌ
における磁束密度が共鳴磁界の磁束密度の１／３程度と
なるようにする。

そして、このような条件の下では、共鳴磁界発生領域か
ら基板１３にかけて存在する磁界の強度が、基板１３に
向けて緩やかに減少することになる。

この結果、プラズマを効率良く基板１３まで輸送できる
ことになる。

１６ このため、下層のレジスト膜１５に対して垂直方向に進
むイオンの量が従来に比べて増加することになり、レジ
スト膜１５に多くの方向性の揃った酸素イオンが供給さ
れ、その断面形状が垂直にパターニングされる（第３図
（ｄ））。この場合のエノヂング速度は３０００人／ｍ
ｉｎとなり、従来装置によるエソチング速度１５００人
／ｍｉｎの２倍の大きさとなることが確認された。

また、反応室５周囲のマグネット９による磁界の強さを
調整し、中間点ｔの磁束密度を変えてエチングレートと
断面形状を調査したところ、第１表に示すような結果が
得られた。

なお、中間点ｔの磁束密度を８００Ｇｓにすると、磁界
による円運動が減少しないために、方向性の乱れたイオ
ンが存在するため、サイドエッチングが生じる。

（以下、余白） １７ 表 １ （ｂ）本発明の第２の実施例の説明 第４図は、本発明の第２の実施例を示す装置の構或図で
あって、図中符号２ｌは、共鳴サイクロトロン現象によ
りプラズマを発生させる円筒状のプラズマ生戒室で、そ
の一端には、マイクロ波導入管２２に通じるマイクロ波
導入口２３が設けられ、他端には、隣接した反応室２４
との境界をなす仕切板２５が設けられており、また、仕
切板２５には、プラズマを反応室２４に供給するための
開口２６が形成されている。

１８ ？らに、プラズマ生或室２１の周囲には、一定の間隔を
おいて２つのマグネット２７、２日が設けられており、
これらのマグネント２７、２８によってプラズマ生或室
１内で共鳴磁界Ｈ，を発生させるとともに、第５図に示
すように、共鳴磁界よりも強度の小さな極小磁界Ｈ１、
７及び極大磁界Ｈ■８を共鳴磁界発生領域から仕切板２
５にかけて順に発生させ、共鳴磁界Ｈ３と極大磁界Ｈ　
Ｉ１ａＸとの間にミラー磁界が生じるように構威されて
いる。

２９は、仕切板２５の開口２６に対向する反応室２４に
設けられた電極で、この電極２９と接地線ＧＮＤの間に
は高周波バイアス電源３０が接続され、また、高周波バ
イアス電Ｂ３０と電極２９の間にはブロンキングコンデ
ンサ３１が接続されており、プラズマ生或室１から電極
２９に到る方向に電界Ｅを発生させるように構威されて
いる。

なお、図中符号３２は、プラズマ生成室２１に設けられ
たガス導入口、３３は、反応室２４に設けられた排気口
、１３は、電極２９上に載置され１９ ？基ヰ反を示している。

次に、上記した装置を使用して、基板１３上に形成され
たレジスト膜をパターニングする場合について説明する
。

まず前処理として、第１実施例と同様な処理を行い、基
板１３の上にアルごニウム膜１４、レジスト膜１５、Ｓ
ＯＧ膜ｌ６及びレジスト膜１７を順に積層した後（第３
図（ａ））、上層のレジスト膜ｌ７を露光、現像して窓
１８を形成し（第３図（ｂ）〉、この後に、窓１８から
露出したＳＯＣ膜１６をエッチングする（第３図（Ｃ）
）。

そして、このような処理を終えた基板ｌ３を仕切板２５
から２０ｃｍ程度離して反応室２４の電極２９の上に置
き、ついで、プラズマ生或室２１内及び反応室２４内の
圧力をＩ　Ｘ　１　０　−’Ｔｏｒｒに減圧するととも
に、ガス導入口３２から酸素（０■）を導入する。

また、マイクロ波導入口２３からプラズマ生或室２１内
に１ｋＨのマイクロ波を照射する一方、マイクロ波導入
口２３から数ｃｍ程度プラズマ生戒室２０ ２ｌに入った領域の磁束密度が８７５Ｇｓとなるように
マグネット２７、２８を調整し、その領域で共鳴磁界を
発生させるとともに、第５図に示すように、仕切板２５
方向に極小磁界Ｈ．，１と極大磁界Ｈ．．．を順に発生
させる。この場合、極小磁界Ｈ，．７における磁束密度
を４３７．５０ｓ　、極大磁界Ｈ　ｍａｘの磁束密度を
７００Ｇｓとする。

この場合の極大磁界は、共鳴磁界と基板１３との中間点
よりも共鳴磁界寄りに発生させてもよい。

さらに、高周波電源３０に６０Ｗ、２００ｋＨｚの電力
を供給し、プラズマ生或室２１から反応室２４内に出る
磁界と同一方向の電界Ｅを発生させる。

このような条件において、プラズマ発生室２１に生じた
極小磁界Ｉ１。，７の近傍でプラズマが閉じ込められた
状態になり、高密度の酸素プラズマが発生するために、
電界已により基板１３に引かれるプラズマの量が増大す
る。

この結果、エッチングに寄与する酸素プラズマの量が増
え、しかも、これらの酸素プラズマが電２１ 界により十分に加速されて基板１３面に垂直となる方向
に進むことになるため、磁界が反応室５内で象、峻に減
衰しても、下層のレジスト膜１５の断面形状が垂直にパ
ターニングされることになる（第３図（ｄ））。この場
合の、エソチング速度は４０００人／ｍｉｎとなり、従
来装置によるエッチング速度１５００入／　ｍ　ｉ　ｎ
の２倍以上の大きさが得られた。

また、極小磁界Ｈ１。と極大磁界Ｈ−８とを変えて、エ
ッチングレートを調査すると、第２表に示すような結果
が得られ、極小磁界Ｈ　ｍ　＋　ｎをある程度以上大き
くするとエッチングレートが小さくなることが明らかに
なった。これは、極小磁界Ｈい．。を大きくすることに
より、共鳴磁界発生領域が広がり、ミラー磁界によるプ
ラズマの閉込め効果が少なくなるからと考えられる。

（以下余白） ２２ 表 ２ なお、この実施例においては、プラズマ発生室２１周囲
のマグネント２７、２８を間隔をおいて２つ設けたが、
２つマグネソト２７、２８の間に逆向きの磁界を発生す
る第３のマグネットを設けてミラー磁界を発生させるこ
とも可能である。

さらに、第１実施例と組み合わせて、ミラー磁場形状を
緩やかに減少させることにより、より高速なエッチング
速度を得ることが可能となる。

２３ （ｃ）本発明の他の実施例の説明 上記した実施例では、ＥＣＲプラズマエッチング装置に
ついて説明したが、膜形戒用のガスを供給するためのガ
ス導入口を反応室５、２４に設け（図示せず）、ＥＣＲ
プラズマＣＶＤ装置として使用することも可能である。

例えば、プラズマ発生室１、２１のガス導入口１２、３
２から窒素を導入し、窒素プラズマを生成してこれを基
板１３に垂直に供給するとともに、反応室５、２４にシ
ランガスを導入して基板１３に供給すれば、基板１３に
窒化膜が形成されることになり、この膜の威長速度が速
くなり、膜質も向上する。

また、上記した実施例では、レジスト膜１５をパターニ
ングする場合について説明したが、多結晶シリコン、タ
ングステン、モリブデン、チタン、タンタル、チタンシ
リザイド、モリブデンシリサイド、タンタルシリサイド
、チタンシリサイド、アルミニウム、アルξニウム合金
、シリコン、酸化シリコン等の膜をエッチングする場合
にも上記２４ ？置を適用することができる。

さらに、ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置により膜を形成する
場合には、窒化膜だけでな＜、ＳｉＯ■膜、ＰＳＧ膜等
を堆積することも可能である。

〔発明の効果〕

以上述べたように第１の発明によれば、共鳴磁界からタ
ーゲソトへの磁界の減少を緩やかにする磁界調整器を設
けたので、プラズマを電界により加速するにしたがい、
磁界による拘束を徐々に解くことができ、ターゲットに
到達するイオンの量を増加するとともに、イオンがター
ゲットに到達する際に、垂直に移動させることが可能に
なる。

この結果、多くのイオンをターゲットに垂直に供給する
ことが可能になり、エッチングや或膜に寄与するガズプ
ラズマの量を増加させてエッチング速度や膜成長速度を
高くすることができる。

また、第２の発明によれば、共鳴磁界の近傍に旦ラー磁
界を発生させるマグネットを設けたので、共鳴磁界で発
生したプラズマをミラー磁界により２５ 閉し込めてプラズマの密度を高めることができ、電界に
よってターゲットに移動されるイオンの量を増加させる
ことが可能になる。

したがって、多くのイオンをターゲントに供給すること
が可能になり、エッチングや或膜に寄与するガズプラズ
マの量が増加してエノチング速度や膜成長速度を高くす
ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の第１実施例を示すＥＣＲプラズマエ
ッチング装置の構威図、 第２図は、本発明の第１実施例装置における磁束密度の
分布図、 第３図は、本発明装置により膜をエソチングする一例を
示す断面図、 第４図は、本発明の第２実施例を示すＥＣＲプラズマエ
ッチング装置の構或図、 第５図は、本発明の第２実施例装置における磁束密度の
分布図、 第６図は、従来のＥＣＲプラズマエッチング装置の構或
図、 ２６ 第７図は、従来装置における磁束密度の分布図である。 （符号の説明） １・・・プラズマ生戒室、 ２・・・マグネット、 ４・・・マイクロ波導入口、 ５・・・反応室、 ８・・・電極、 ９・・・マグネット、 １０・・・高周波電源、 １１・・・フロッキングコンデンサ、 １３・・・基板（ターゲット）、 ２ｌ・・・プラズマ生戊室、 ２３・・・マイクロ波導入口、 ２４・・・反応室、 ２７、２日・・・マグネット、 ２９・・・電極、 ３０・・・高周波電源、 ３１・・・プロッキングコンデンサ。 ２７ 峙

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. （１）共鳴磁界が発生した領域にマイクロ波及び反応ガ
   スを導入して前記反応ガスのプラズマを発生させ、前記
   プラズマを被処理基板表面に移動させて前記被処理基板
   の処理を施す半導体装置の製造方法において、 共鳴磁界発生領域から前記被処理基板に向けて形成され
   る磁界の強度を緩やかに減少させることを特徴とする半
   導体装置の製造方法。
2. （２）前記共鳴磁界発生領域から前記被処理基板に向け
   て形成される磁界の強度は、前記共鳴磁界発生領域から
   前記被処理基板までの二分の一の地点において、前記共
   鳴磁界発生領域に於ける磁界の三分の一以上であること
   を特徴とする請求項（１）記載の半導体装置の製造方法
   。
3. （３）共鳴磁界が発生した領域にマイクロ波及び反応ガ
   スを導入して前記反応ガスのプラズマを発生させ、前記
   プラズマを被処理基板の表面に移動させて前記被処理基
   板に処理を施す半導体装置の製造方法において、 共鳴磁界発生領域から被処理基板までの間でミラー磁界
   を発生させ、且つ前記ミラー磁界は、共鳴磁界発生領域
   から被処理基板までの間の二分の一の地点から共鳴磁界
   発生領域側で、極小値から極大値へと変化し、再び減少
   を開始することを特徴とする半導体装置の製造方法。
4. （４）反応ガスのプラズマがエッチング性を有しており
   、被処理基板に対してエッチング処理を施すことを特徴
   とする請求項（１）又は（３）記載の半導体装置の製造
   方法。
5. （５）前記基板を常温以下に冷却することを特徴とする
   請求項（４）記載の半導体装置の製造方法。
6. （６）反応ガスが酸素を含むガスであることを特徴とす
   る請求項（４）又は（５）記載の半導体装置の製造方法
   。
7. （７）反応ガスのプラズマが膜堆積性を有しており、被
   処理基板上に膜成長を行うことを特徴とする請求項（１
   ）又は（３）記載の半導体装置の製造方法。
8. （８）前記被処理基板を常温以上に加熱することを特徴
   とする請求項（７）記載の半導体装置の製造方法。
9. （９）共鳴磁界を発生させる磁界発生器と、該共鳴磁界
   の発生領域にマイクロ波を導入するマイクロ波導入部と
   、 前記共鳴磁界の発生領域において生成されたプラズマを
   被処理基板に向けて移動させる電界を形成する電界発生
   器と、 前記共鳴磁界発生領域から前記被処理基板に向けて形成
   される磁界の強度を緩やかに減少させる磁界調整器とを
   備えたことを特徴とする半導体製造装置。
10. （１０）前記磁界調整器は、共鳴磁界発生領域から被処
    理基板までの距離の二分の一の地点に於ける磁界を前記
    共鳴磁界発生領域に於ける磁界の三分の一以上にせしめ
    ることを特徴とする請求項（９）記載の半導体製造装置
    。
11. （１１）共鳴磁界を発生させる共鳴磁界発生手段及び該
    共鳴磁界の発生領域近傍にミラー磁界を発生させるミラ
    ー磁界発生手段と、 前記共鳴磁界の発生領域にマイクロ波を導入するマイク
    ロ波導入部と、 前記共鳴磁界の発生領域において生成されたプラズマを
    、前記ミラー磁界を通して被処理基板に向けて移動させ
    る電界を形成する電界発生器とを備え、 前記ミラー磁界発生手段は、共鳴磁界発生領域から被処
    理基板までの間の二分の一の地点から共鳴磁界側でミラ
    ー磁界が極小値から極大値に変化、再び減少を開始する
    様に設定されることを特徴とする半導体装置の製造装置
    。