JPH03165102A - マイクロ波回路モジュール - Google Patents
マイクロ波回路モジュールInfo
- Publication number
- JPH03165102A JPH03165102A JP30393789A JP30393789A JPH03165102A JP H03165102 A JPH03165102 A JP H03165102A JP 30393789 A JP30393789 A JP 30393789A JP 30393789 A JP30393789 A JP 30393789A JP H03165102 A JPH03165102 A JP H03165102A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- dielectric plate
- microwave
- circuit
- microwave device
- Prior art date
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- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
誘電体板を積層して成るマイクロ波回路モジュールに関
し、 小形化が図れ、且つ組立工数を削減して信頼性及び経済
性か図れるマイクロ波回路モジュールを提供することを
目的とし、 2個の誘電体板を積層し、下層の誘電体板は、下面を全
面メタライズした接地導体層とし、マイクロ波用デバイ
スを収容する貫通孔又は切り欠きか設けられ、前記誘電
体板に重ねる誘電体板は、下面にマイクロストリップラ
インを構成するストリップ導体や、他の回路パターン、
コンデンサ用電極や膜構成のインダクタンスか同一導体
材のバターニングで設けられ、上面にも下面と同種の構
成を行い、且つ、膜構成の抵抗、外部接続用の端子電極
か設けられ、前記の誘電体板を積み重ね、層間接続をビ
アやスルーホールにて行い一体に形成され、マイクロ波
用デバイスを貫通孔又は切り欠きに収容し、突き当たり
の誘電体板の回路パターンに端子接続させて、マイクロ
波集積回路を構成させる。
し、 小形化が図れ、且つ組立工数を削減して信頼性及び経済
性か図れるマイクロ波回路モジュールを提供することを
目的とし、 2個の誘電体板を積層し、下層の誘電体板は、下面を全
面メタライズした接地導体層とし、マイクロ波用デバイ
スを収容する貫通孔又は切り欠きか設けられ、前記誘電
体板に重ねる誘電体板は、下面にマイクロストリップラ
インを構成するストリップ導体や、他の回路パターン、
コンデンサ用電極や膜構成のインダクタンスか同一導体
材のバターニングで設けられ、上面にも下面と同種の構
成を行い、且つ、膜構成の抵抗、外部接続用の端子電極
か設けられ、前記の誘電体板を積み重ね、層間接続をビ
アやスルーホールにて行い一体に形成され、マイクロ波
用デバイスを貫通孔又は切り欠きに収容し、突き当たり
の誘電体板の回路パターンに端子接続させて、マイクロ
波集積回路を構成させる。
本発明は、誘電体板を積層して成るマイクロ波回路モジ
ュールに関する。
ュールに関する。
近年の無線通信は、小形化、高性能化により、移動通信
分野をはじめ固定通信分野においても、目覚ましい発展
か成されている。
分野をはじめ固定通信分野においても、目覚ましい発展
か成されている。
例えば、自動車電話、携帯電話或いは宅内用ワイヤレス
電話が急速に普及しつつある。
電話が急速に普及しつつある。
これら移動無線機に使用するマイクロ波集積回路は、誘
電体材料の進歩で、誘電体損失か小さく、誘電率も大き
な幅て選べ、且つ温度特性か安定した材料か開発され、
小形化、高性能化が促進され、且つ経済性が強(要望さ
れている。
電体材料の進歩で、誘電体損失か小さく、誘電率も大き
な幅て選べ、且つ温度特性か安定した材料か開発され、
小形化、高性能化が促進され、且つ経済性が強(要望さ
れている。
第2図に従来の一例のマイ、クロ波回路モジュールの斜
視図を示す。
視図を示す。
従来の一例のマイクロ波回路モジュールは、第2図に示
す如く、アルミナ基板の誘電体板92に、マイクロスト
リップラインを構成するストリップ導体92や、他の回
路パターン94か同一導体材料でバターニングして設け
られ、更に、抵抗やコンデンサ等の個別部品95、トラ
ンジスタやダイオードその他等のマイクロ波用デバイス
3を搭載、回路パターン94に半田付は接続して回路構
成している。
す如く、アルミナ基板の誘電体板92に、マイクロスト
リップラインを構成するストリップ導体92や、他の回
路パターン94か同一導体材料でバターニングして設け
られ、更に、抵抗やコンデンサ等の個別部品95、トラ
ンジスタやダイオードその他等のマイクロ波用デバイス
3を搭載、回路パターン94に半田付は接続して回路構
成している。
この誘電体板92の反対面を筐体の金属ベース91に密
着固定させ、金属カバー96て完全に覆い遮蔽している
。
着固定させ、金属カバー96て完全に覆い遮蔽している
。
しかしながら、
■ 個別部品95は、形状の小さいチップ型か特性的に
好ましく、この実装を人手で行うには小形化の限界があ
り、信頼性の点から専用の自動実装機が必要となる。
好ましく、この実装を人手で行うには小形化の限界があ
り、信頼性の点から専用の自動実装機が必要となる。
■ 又、個数も多く使用しており、この部品95の実装
に時間を要し、マイクロ波回路モジュールの組立工数が
掛かる。
に時間を要し、マイクロ波回路モジュールの組立工数が
掛かる。
■ かくして、組立に工数を要し、小形化を優先すれば
自動実装機が要るので高価に付く。
自動実装機が要るので高価に付く。
等の問題点があった。
本発明は、かかる問題点に鑑みて、小形化が図れ、且つ
組立工数を削減して信頼性及び経済性が図れるマイクロ
波回路モジュールを提供することを目的とした。
組立工数を削減して信頼性及び経済性が図れるマイクロ
波回路モジュールを提供することを目的とした。
上記問題点は、第1図に示す如く、
(1)2個の誘電体板11.12を積層し、下層の誘電
体板11は、下面を全面メタライズした接地導体層2と
し、マイクロ波用デバイス3を収容する貫通孔4又は切
り欠きか設けられ、前記誘電体板11に重ねる誘電体板
12は、下面にマイクロストリップラインを構成するス
トリップ導体21や、他の回路パターン、コンデンサ用
電極51や膜構成のインダクタンスが同一導体材のバタ
ーニングで設けられ、上面にも下面と同種の構成を行い
、且つ、膜構成の抵抗53、外部接続用の端子電極23
が設けられ、前記の誘電体板11.12を積み重ね、層
間接続をビアやスルーホール42にて行い一体に形成さ
れ、マイクロ波用デバイス3を、貫通孔4又は切り欠き
に収容し、突き当たりの誘電体板12の回路パターンに
端子接続させて、マイクロ波集積回路を構成させる、本
発明のマイクロ波回路モジュールにより解決される。
体板11は、下面を全面メタライズした接地導体層2と
し、マイクロ波用デバイス3を収容する貫通孔4又は切
り欠きか設けられ、前記誘電体板11に重ねる誘電体板
12は、下面にマイクロストリップラインを構成するス
トリップ導体21や、他の回路パターン、コンデンサ用
電極51や膜構成のインダクタンスが同一導体材のバタ
ーニングで設けられ、上面にも下面と同種の構成を行い
、且つ、膜構成の抵抗53、外部接続用の端子電極23
が設けられ、前記の誘電体板11.12を積み重ね、層
間接続をビアやスルーホール42にて行い一体に形成さ
れ、マイクロ波用デバイス3を、貫通孔4又は切り欠き
に収容し、突き当たりの誘電体板12の回路パターンに
端子接続させて、マイクロ波集積回路を構成させる、本
発明のマイクロ波回路モジュールにより解決される。
(2)又、(1)項記載の誘電体板aυazの中間に、
下面にマイクロストリップラインを構成するストリップ
導体や、他の回路パターン、コンデンサ用電極や膜構成
のインダクタンスが同一導体材のバターニングで設けら
れ、更に必要によりマイクロ波用デバイスを収容する貫
通孔又は切り欠きが、最下層の誘電体板のものと重なる
位置に設けられた、誘電体板の少なくとも1個を中間に
積層させ、層間接続をビアやスルーホールにて行い一体
に形成させ、マイクロ波用デバイスを貫通孔又は切り欠
きに収容し、突き当たりの誘電体板の回路パターンに端
子接続させて、マイクロ波集積回路を構成させる、本発
明のマイクロ波回路モジュールにより解決される。
下面にマイクロストリップラインを構成するストリップ
導体や、他の回路パターン、コンデンサ用電極や膜構成
のインダクタンスが同一導体材のバターニングで設けら
れ、更に必要によりマイクロ波用デバイスを収容する貫
通孔又は切り欠きが、最下層の誘電体板のものと重なる
位置に設けられた、誘電体板の少なくとも1個を中間に
積層させ、層間接続をビアやスルーホールにて行い一体
に形成させ、マイクロ波用デバイスを貫通孔又は切り欠
きに収容し、突き当たりの誘電体板の回路パターンに端
子接続させて、マイクロ波集積回路を構成させる、本発
明のマイクロ波回路モジュールにより解決される。
即ち、個別部品の抵抗、コンデンサ、インダクタンスは
、誘電率、誘電体損失、温度特性等の特性を選択した誘
電体板、例えばセラミック板てコンデンサには誘電率が
大きい材料、抵抗やインダクタンスには誘電体損失が小
さい材料等を用い、誘電体板上に膜構成、或いは誘電体
板を挟んで対向電極を膜構成させて、所望の定数のもの
が得られるので、チップ型の回路部品を使用せずに済む
。
、誘電率、誘電体損失、温度特性等の特性を選択した誘
電体板、例えばセラミック板てコンデンサには誘電率が
大きい材料、抵抗やインダクタンスには誘電体損失が小
さい材料等を用い、誘電体板上に膜構成、或いは誘電体
板を挟んで対向電極を膜構成させて、所望の定数のもの
が得られるので、チップ型の回路部品を使用せずに済む
。
トランジスタやダイオード等のマイクロ波用デバイス3
は、前記個別部品と同様に誘電体板11゜12に形成さ
せることは、未だ特性的に不十分てあり、従来と同じ半
導体部品を用いるので、この実装用に誘電体板11.1
2に貫通孔4や切り欠きを設けて収容させ、突き当たり
の誘電体板12の回路パターンに端子接続させる。
は、前記個別部品と同様に誘電体板11゜12に形成さ
せることは、未だ特性的に不十分てあり、従来と同じ半
導体部品を用いるので、この実装用に誘電体板11.1
2に貫通孔4や切り欠きを設けて収容させ、突き当たり
の誘電体板12の回路パターンに端子接続させる。
各誘電体板12及び中間層の誘電体板には、回路部品以
外にストリップ導体21や回路パターンが設けられ、積
層間の接続用にスルーホール42やビアか形成されなか
ら積層され一体に形成される。
外にストリップ導体21や回路パターンが設けられ、積
層間の接続用にスルーホール42やビアか形成されなか
ら積層され一体に形成される。
例えば、セラミック板の誘電体板11.12を用い、抵
抗53を除く他の導体層のパターンは凡て同一材料で、
焼成前の生状態の板に厚膜構成させ、これらを積み重ね
て、一体に焼成して形成させることか出来る。
抗53を除く他の導体層のパターンは凡て同一材料で、
焼成前の生状態の板に厚膜構成させ、これらを積み重ね
て、一体に焼成して形成させることか出来る。
この際、抵抗53は膜材料が他の導体材料と異なり作成
処理も違い、一体に積層形成は難しくなるので、内部の
中間層には設けずに、積層成形後に最上層にのみ設けて
いる。
処理も違い、一体に積層形成は難しくなるので、内部の
中間層には設けずに、積層成形後に最上層にのみ設けて
いる。
かくして、完成したマイクロ波回路モジュールは、最下
層の下面全面が接地導体層2としてありこの面をユニッ
トの金属基板に半田付けにて密着固定させ、最上層の上
面の端子電極23に入出力配線や電源供給配線を接続さ
せて、使用する。
層の下面全面が接地導体層2としてありこの面をユニッ
トの金属基板に半田付けにて密着固定させ、最上層の上
面の端子電極23に入出力配線や電源供給配線を接続さ
せて、使用する。
この際、接地導体層2の全面半田付けにより、マイクロ
波用デバイス3を実装した貫通孔4は密閉されるので、
マイクロ波用デバイス3はパッケージのないペアチップ
の状態でも差支えなく、更に、貫通孔4の内部を樹脂封
止すれば、より高い信頼性か簡単に得られる。
波用デバイス3を実装した貫通孔4は密閉されるので、
マイクロ波用デバイス3はパッケージのないペアチップ
の状態でも差支えなく、更に、貫通孔4の内部を樹脂封
止すれば、より高い信頼性か簡単に得られる。
又、マイクロ波用デバイス3のペアチップは極めて小さ
くなり、小形化に寄与出来る。
くなり、小形化に寄与出来る。
かくして、小形化が図れ、且つ組立工数を削減して信頼
性及び経済性が図れるマイクロ波回路モジュールを提供
することが可能となる。
性及び経済性が図れるマイクロ波回路モジュールを提供
することが可能となる。
以下図面に示す実施例によって本発明を具体的に説明す
る。全図を通し同一符号は同一対象物を示す。第1図(
a)に本発明の一実施例の構成図、同図(b)に同回路
図を示す。
る。全図を通し同一符号は同一対象物を示す。第1図(
a)に本発明の一実施例の構成図、同図(b)に同回路
図を示す。
本実施例は2個の誘電体板を積層させ、第1図(b)の
回路図に示す如く、2〜4GHz用の一段増幅回路を構
成させたものである。
回路図に示す如く、2〜4GHz用の一段増幅回路を構
成させたものである。
入力は直流電源カットのコンデンサCIを通り、マイク
ロストリップラインを経てマイクロ波用デバイス3のベ
ースに接続され、コレクタからの出力はマイクロストリ
ップラインを通りコンデンサC2を経て外部に接続され
る。
ロストリップラインを経てマイクロ波用デバイス3のベ
ースに接続され、コレクタからの出力はマイクロストリ
ップラインを通りコンデンサC2を経て外部に接続され
る。
マイクロ波用デバイス3への電源供給は、抵抗R2,R
3て分圧したバイアス電圧が、直列の抵抗R1とインダ
クタンスを介してベース電極に供給され、各抵抗端にバ
イパスコンデンサC3,C4を接続している。
3て分圧したバイアス電圧が、直列の抵抗R1とインダ
クタンスを介してベース電極に供給され、各抵抗端にバ
イパスコンデンサC3,C4を接続している。
又、コレクタ電圧は直列の抵抗R4とインダクタンスに
より供給し、前後にバイパスコンデンサC5C6か接続
しである。
より供給し、前後にバイパスコンデンサC5C6か接続
しである。
従って、本実施例は4個の抵抗と、6個のコンデンサと
、1個のトランジスタから構成される。
、1個のトランジスタから構成される。
この回路の構成は、第1図(a)に示す如く、2個の誘
電体板II、12とマイクロ波用デバイス3とて構成し
、個別部品の抵抗、コンデンサは1個も使用していない
。
電体板II、12とマイクロ波用デバイス3とて構成し
、個別部品の抵抗、コンデンサは1個も使用していない
。
下層の誘電体板!1は、20×201!1ffl厚0.
65mmの誘電率約lOのセラミック板て、下面は全面
メタライズして接地導体層2としてあり、中央部に8m
m口の貫通孔4か明けられ、尚、中央を6mmの帯状に
残して、他の全面に4mmピッチにスルーホール42が
設けである。
65mmの誘電率約lOのセラミック板て、下面は全面
メタライズして接地導体層2としてあり、中央部に8m
m口の貫通孔4か明けられ、尚、中央を6mmの帯状に
残して、他の全面に4mmピッチにスルーホール42が
設けである。
誘電体板11の上に積層する誘電体板12は、20×2
011Iffl厚0.3aunの誘電率約30のセラミ
ック板て、下面は、中央に6mmの帯状を残して左右全
面を接地導体層2とし、帯状部の中心線に2個のストリ
ップ導体21と、その端部にコンデンサCI、C2用の
電極51が導体パターン形成され、上面には、コンデン
サC1,C2に対応して一部が誘電体板12の縁まで伸
びて入出力用の端子電極23としたコンデンサ用電極5
1と、左右の接地導体層2の区域に夫々コンデンサC3
,C4用電極51、及びコンデンサC5用電極51と一
部を出張らせて外部接続用の端子電極23としたコンデ
ンサC6用電極51と、コンデンサC3,C5用電極5
1から各ストリップ導体21に設けたスルーホール42
に至る配線と、コンデンサC3,C4間に厚膜構成の抵
抗(R1)53と、同様にコンデンサC5,C6間に抵
抗(R4)と、コンデンサC4,C6間に抵抗(R3)
と、コンデンサC4と接地導体層2に設けたスルーホー
ル42との間に抵抗(R2)とが形成しである。
011Iffl厚0.3aunの誘電率約30のセラミ
ック板て、下面は、中央に6mmの帯状を残して左右全
面を接地導体層2とし、帯状部の中心線に2個のストリ
ップ導体21と、その端部にコンデンサCI、C2用の
電極51が導体パターン形成され、上面には、コンデン
サC1,C2に対応して一部が誘電体板12の縁まで伸
びて入出力用の端子電極23としたコンデンサ用電極5
1と、左右の接地導体層2の区域に夫々コンデンサC3
,C4用電極51、及びコンデンサC5用電極51と一
部を出張らせて外部接続用の端子電極23としたコンデ
ンサC6用電極51と、コンデンサC3,C5用電極5
1から各ストリップ導体21に設けたスルーホール42
に至る配線と、コンデンサC3,C4間に厚膜構成の抵
抗(R1)53と、同様にコンデンサC5,C6間に抵
抗(R4)と、コンデンサC4,C6間に抵抗(R3)
と、コンデンサC4と接地導体層2に設けたスルーホー
ル42との間に抵抗(R2)とが形成しである。
このような両誘電体板II、12を、焼成前の生状態で
重ね合わせて一体に焼成形成させる。但し各抵抗は積層
形成後に膜構成させる。
重ね合わせて一体に焼成形成させる。但し各抵抗は積層
形成後に膜構成させる。
これにより、誘電体板12の接地導体層2は、誘電体板
11のスルーホール42を介して下面の接地導体層2に
接続される。
11のスルーホール42を介して下面の接地導体層2に
接続される。
次に、ペアチップのマイクロ波用デバイス3を貫通孔4
に収容し、突き当たりの誘電体板12の下面の2個のス
トリップ導体21間に接着固定し、各錫部及び両脇の接
地導体層2と、各電極とをワイヤボンディング接続し、
内部をエポキシ樹脂で充填させて出来上かる。
に収容し、突き当たりの誘電体板12の下面の2個のス
トリップ導体21間に接着固定し、各錫部及び両脇の接
地導体層2と、各電極とをワイヤボンディング接続し、
内部をエポキシ樹脂で充填させて出来上かる。
上記実施例は、−例のマイクロ波回路モジュールとして
1段増幅回路を示したが、構成回路はこれに限定するも
のではなく、他の回路でも同様に適用出来ることは明ら
かである。
1段増幅回路を示したが、構成回路はこれに限定するも
のではなく、他の回路でも同様に適用出来ることは明ら
かである。
又、誘電体板it、 12は2個積層であったが、その
債層数、誘電体板の材料、特性、寸法、及び各作成パタ
ーンの形状、大きさは、上記のものに限定するものでは
ない。
債層数、誘電体板の材料、特性、寸法、及び各作成パタ
ーンの形状、大きさは、上記のものに限定するものでは
ない。
以上の如く、本発明により、小形化か図れ、且つ組立工
数を大幅に削減して信頼性及び経済性が図れるマイクロ
波回路モジュールが得られ、その効果は大なるものがあ
る。
数を大幅に削減して信頼性及び経済性が図れるマイクロ
波回路モジュールが得られ、その効果は大なるものがあ
る。
第1図は本発明の一実施例、
第2図は従来の一例のマイクロ波回路
モジュールでの斜視図である。
図において、
2は接地導体層、
3はマイクロ波用デバイス、
4は貫通孔、 11.12.92は誘電体板、
21、9eはストリップ導体、
21、9eはストリップ導体、
Claims (2)
- (1)2個の誘電体板(11)(12)を積層し、下層
の誘電体板(11)は、下面を全面メタライズした接地
導体層(2)とし、マイクロ波用デバイス(3)を収容
する貫通孔(4)又は切り欠きが設けられ、前記誘電体
板(11)に重ねる誘電体板(12)は、下面にマイク
ロストリップラインを構成するストリップ導体(21)
や、他の回路パターン、コンデンサ用電極(51)や膜
構成のインダクタンスが同一導体材のパターニングで設
けられ、 上面にも下面と同種の構成を行い、且つ、膜構成の抵抗
(53)、外部接続用の端子電極(23)が設けられ、 前記の誘電体板(11)(12)を積み重ね、層間接続
をビアやスルーホール間にて行い一体に形成され、該マ
イクロ波用デバイス(3)を、該貫通孔(4)又は切り
欠きに収容し、突き当たりの誘電体板(12)の回路パ
ターンに端子接続させて、マイクロ波集積回路を構成さ
せることを特徴とするマイクロ波回路モジュール。 - (2)請求項(1)記載の誘電体板(11)(12)の
中間に、下面にマイクロストリップラインを構成するス
トリップ導体や、他の回路パターン、コンデンサ用電極
や膜構成のインダクタンスが同一導体材のパターニング
で設けられ、更に必要によりマイクロ波用デバイスを収
容する貫通孔又は切り欠きが、最下層の誘電体板のもの
と重なる位置に設けられた、誘電体板の少なくとも1個
を積層させ、層間接続をビアやスルーホールにて行い一
体に形成させ、 該マイクロ波用デバイスを、該貫通孔又は切り欠きに収
容し、突き当たりの誘電体板の回路パターンに端子接続
させて、マイクロ波集積回路を構成させることを特徴と
するマイクロ波回路モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30393789A JP2671527B2 (ja) | 1989-11-22 | 1989-11-22 | マイクロ波回路モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30393789A JP2671527B2 (ja) | 1989-11-22 | 1989-11-22 | マイクロ波回路モジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03165102A true JPH03165102A (ja) | 1991-07-17 |
| JP2671527B2 JP2671527B2 (ja) | 1997-10-29 |
Family
ID=17927080
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30393789A Expired - Lifetime JP2671527B2 (ja) | 1989-11-22 | 1989-11-22 | マイクロ波回路モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2671527B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05267497A (ja) * | 1992-03-23 | 1993-10-15 | Japan Radio Co Ltd | 電子部品パッケージ |
| JP2011044847A (ja) * | 2009-08-20 | 2011-03-03 | Oki Electric Industry Co Ltd | 多層回路及びパッケージ |
-
1989
- 1989-11-22 JP JP30393789A patent/JP2671527B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05267497A (ja) * | 1992-03-23 | 1993-10-15 | Japan Radio Co Ltd | 電子部品パッケージ |
| JP2011044847A (ja) * | 2009-08-20 | 2011-03-03 | Oki Electric Industry Co Ltd | 多層回路及びパッケージ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2671527B2 (ja) | 1997-10-29 |
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