JPH03165348A - Ｓｔｍメモリ装置およびその記録再生方法 - Google Patents
Ｓｔｍメモリ装置およびその記録再生方法Info
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- JPH03165348A JPH03165348A JP30458089A JP30458089A JPH03165348A JP H03165348 A JPH03165348 A JP H03165348A JP 30458089 A JP30458089 A JP 30458089A JP 30458089 A JP30458089 A JP 30458089A JP H03165348 A JPH03165348 A JP H03165348A
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- probe
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B9/1472—Record carriers for recording or reproduction involving the use of microscopic probe means characterised by the form
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は異種原子層が交互に操り返される円筒状の内周
面を記録トラックとするＳＴＭメモリ装置およびその記
録再生方法に関する。
面を記録トラックとするＳＴＭメモリ装置およびその記
録再生方法に関する。
近年、情報化社会の進展に伴って使用される情報量が著
しく増大しつつある。情報を蓄える必要があるのは単に
大規模で中央集権的な情報装置のセンタ装置のみではな
く、最近の傾向としては各個人毎、またはユーザ毎にデ
ータベースを持つ、いわゆる分散情報保持の割合が高く
なっている。
しく増大しつつある。情報を蓄える必要があるのは単に
大規模で中央集権的な情報装置のセンタ装置のみではな
く、最近の傾向としては各個人毎、またはユーザ毎にデ
ータベースを持つ、いわゆる分散情報保持の割合が高く
なっている。
このため、大容量記録を可能とするもので、従来使用さ
れていた磁気ディスク、光ディスクよりも遥かに大容量
でしかも小型、軽量で携帯可能な情報記録装置が望まれ
ている。
れていた磁気ディスク、光ディスクよりも遥かに大容量
でしかも小型、軽量で携帯可能な情報記録装置が望まれ
ている。
（従来の技術）
従来、情報の記憶装置として使用されてきたものには、
磁気ディスク（ハードディスク）、光ディスク、磁気テ
ープ、バブルメモリ、フロッピーディスク等がある。こ
れらの装置の記録密度は最高のものであっても！ ０６
ｍｍ”程度である。原理的な面から考えると、磁気関連
技術において０．１μｍ程度が反磁界の作用等の理由に
よって記録密度の限界となる。また、光を利用する記録
方式は光の回折限界から短い波長の光を使用する必要が
あるが、このことが記録密度を制限し、１０’ｍｍ２程
度の記録密度が限界である。
磁気ディスク（ハードディスク）、光ディスク、磁気テ
ープ、バブルメモリ、フロッピーディスク等がある。こ
れらの装置の記録密度は最高のものであっても！ ０６
ｍｍ”程度である。原理的な面から考えると、磁気関連
技術において０．１μｍ程度が反磁界の作用等の理由に
よって記録密度の限界となる。また、光を利用する記録
方式は光の回折限界から短い波長の光を使用する必要が
あるが、このことが記録密度を制限し、１０’ｍｍ２程
度の記録密度が限界である。
ところで、材料表面の微細構造を研究する手段としてＳ
ＴＭ技術がある。この技術は機械的にピッチを定め、探
針をｘｙ力方向走査することによって表面の原子像が観
察できることで知られている。測定プローブとして使用
されるのは単純な金属針であり、試料と針の間に流れる
微小なトンネル電流を観察しながらこの値をＺ方向サー
ボとして用いる技術がＳＴＭ技術である。
ＴＭ技術がある。この技術は機械的にピッチを定め、探
針をｘｙ力方向走査することによって表面の原子像が観
察できることで知られている。測定プローブとして使用
されるのは単純な金属針であり、試料と針の間に流れる
微小なトンネル電流を観察しながらこの値をＺ方向サー
ボとして用いる技術がＳＴＭ技術である。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、この従来のＳＴＭ技術においては、ｘｙ
力方向はサーボが行えず、単なる表面状態観察手段とし
ての用いられ方しかされていない。
力方向はサーボが行えず、単なる表面状態観察手段とし
ての用いられ方しかされていない。
そこで、この探針に電圧パルスを印加し、材料に非結晶
材料を使用した場合に、１０ｎｍ程度のバンブ（隆起）
が形成されるので、これが記録方式として使用できると
する提案があるが、基本的にはｘｙ力方向サーボの方法
については提案されていないのが現状である。そして、
従来方法を使用する限りにおいては、いかにＳＴＭ技術
でもその記録密度に限界があり、これを突き崩すことは
できない。
材料を使用した場合に、１０ｎｍ程度のバンブ（隆起）
が形成されるので、これが記録方式として使用できると
する提案があるが、基本的にはｘｙ力方向サーボの方法
については提案されていないのが現状である。そして、
従来方法を使用する限りにおいては、いかにＳＴＭ技術
でもその記録密度に限界があり、これを突き崩すことは
できない。
本発明は前記従来の課題を解消し、記録ピットを小さく
し、ＳＴＭ技術を応用して記録・再生を行おうとするも
のであり、層構造を持つ材料系においてこの層構造を記
録トラックとすることによって、探針の操作性を付与す
ることにより、超大容量の情報記憶が可能で、かつ小型
で軽量の優れたＳＴＭメモリ装置およびその記録再生方
法を提供することを目的とするものである。
し、ＳＴＭ技術を応用して記録・再生を行おうとするも
のであり、層構造を持つ材料系においてこの層構造を記
録トラックとすることによって、探針の操作性を付与す
ることにより、超大容量の情報記憶が可能で、かつ小型
で軽量の優れたＳＴＭメモリ装置およびその記録再生方
法を提供することを目的とするものである。
（課題を解決するための手段）
前記目的を達成する本発明のＳＴＭメモリ装置は、異種
原子層が交互に繰り返される層状化合物や、２種の元素
を交互に１原子層以上堆積させて形成した多層構成の材
料に、円筒状の穴を層に直交方向に形成した記録媒体と
、この記録媒体の円筒状の内周面に情報を書き込み、あ
るいは内周面に書かれた情報を読み出す記録・再生用プ
ローブと、この記録・再生用プローブを前記内周面に垂
直な方向に移動させる第１の移動手段と、前記記録・再
生用プローブを前記円筒状の穴の軸線方向に移動させる
第２の移動手段と、前記記録・再生用プローブと前記内
周面とを、相対的に円周方向に移動させる第３の移動手
段とを備えていることを特徴としている。
原子層が交互に繰り返される層状化合物や、２種の元素
を交互に１原子層以上堆積させて形成した多層構成の材
料に、円筒状の穴を層に直交方向に形成した記録媒体と
、この記録媒体の円筒状の内周面に情報を書き込み、あ
るいは内周面に書かれた情報を読み出す記録・再生用プ
ローブと、この記録・再生用プローブを前記内周面に垂
直な方向に移動させる第１の移動手段と、前記記録・再
生用プローブを前記円筒状の穴の軸線方向に移動させる
第２の移動手段と、前記記録・再生用プローブと前記内
周面とを、相対的に円周方向に移動させる第３の移動手
段とを備えていることを特徴としている。
また、前記目的を達成する本発明のＳＴＭメモリ装置の
記録再生方法は、＠述のように構成されたＳＴＭメモリ
装置において、記録・再生用プローブを半固定させ、円
筒状の記録媒体を回転させるか、または、円筒状の記録
媒体を固定させ、記録・再生用プローブを円筒内で回転
させることによりトラックサーチ、位置決めを行ない、
記録・再生用プローブにより前記記録媒体の円周方向に
記録・再生を行うことを特徴としている。
記録再生方法は、＠述のように構成されたＳＴＭメモリ
装置において、記録・再生用プローブを半固定させ、円
筒状の記録媒体を回転させるか、または、円筒状の記録
媒体を固定させ、記録・再生用プローブを円筒内で回転
させることによりトラックサーチ、位置決めを行ない、
記録・再生用プローブにより前記記録媒体の円周方向に
記録・再生を行うことを特徴としている。
（作用）
本発明によれば、層状化合物単結晶等の層構造を持つ材
料系において、層に対して直交する方向に円筒状の穴を
形成し、その穴の軸線方向の内周面に異種原子層が交互
に露出するものを記録媒体とし、先端を細くしたタング
ステンチップを記録・再生用プローブとして、記録媒体
か記録・再生用プローブかの何方かを固定、他方を回転
させて両者を相対的に移動させ、記録・再生用プローブ
を用いて記録媒体の円周方向に記録・再生するので、こ
の層構成が記録トラックとなって記録ピットが小さくな
ると共に、探針の操作性も良くなる。
料系において、層に対して直交する方向に円筒状の穴を
形成し、その穴の軸線方向の内周面に異種原子層が交互
に露出するものを記録媒体とし、先端を細くしたタング
ステンチップを記録・再生用プローブとして、記録媒体
か記録・再生用プローブかの何方かを固定、他方を回転
させて両者を相対的に移動させ、記録・再生用プローブ
を用いて記録媒体の円周方向に記録・再生するので、こ
の層構成が記録トラックとなって記録ピットが小さくな
ると共に、探針の操作性も良くなる。
この結果、大容量記憶が可能となり、小型で携帯性の良
い情報記録装置が実現できる。
い情報記録装置が実現できる。
（実施例）
以下添付図面を用いて本発明の詳細な説明するが、本発
明の装置構成を説明する前に、本発明におけるＳＴＭ技
術について説明する。
明の装置構成を説明する前に、本発明におけるＳＴＭ技
術について説明する。
探針が特定の原子に近接した場合に、その原子特有の電
流電圧特性が得られる。電流値、即ち、電子の伝搬する
数は金属探針の電子の波動関数と被検査原子上の電子の
波動関数の重なりによるホッピング確率で決定されるも
のであり、これによって得られる微小な電流はいわゆる
トンネル電流と呼ばれるものである。この電流値は探針
と基板材料との原子間距離ｄに依存することになり、は
ぼｅｘｐ （−αｄ）の式で記述できる。この定数αは
原子の種類あるいは結合状態に関する依存性を持ってい
るので、探針が観測している原子が何であるかを特定す
ることができる。このようなＳＴＭ技術は公知であり、
この技術を用いたＧ ａ Ａ ｓ （１１１）面の観測
例もすでに公表されている。
流電圧特性が得られる。電流値、即ち、電子の伝搬する
数は金属探針の電子の波動関数と被検査原子上の電子の
波動関数の重なりによるホッピング確率で決定されるも
のであり、これによって得られる微小な電流はいわゆる
トンネル電流と呼ばれるものである。この電流値は探針
と基板材料との原子間距離ｄに依存することになり、は
ぼｅｘｐ （−αｄ）の式で記述できる。この定数αは
原子の種類あるいは結合状態に関する依存性を持ってい
るので、探針が観測している原子が何であるかを特定す
ることができる。このようなＳＴＭ技術は公知であり、
この技術を用いたＧ ａ Ａ ｓ （１１１）面の観測
例もすでに公表されている。
本発明はこのＳＴＭ技術を記録技術に応用してなされた
ものであり、この観測可能な原子が一次元に配列してい
るならば、この配列は記録技術においては記録トラック
と考えることができることを利用している。従って、−
次元の配列を持った結晶構造、もしくは人工構造を有す
る材料を用いれば、原子列トラックに沿ったサーボが実
現でき、短パルス印加によって材料表面に何らかの変化
、例えば異種原子の付着、あるいは部分的な配列の破壊
によってピット状に点列を書き込むことができ、メモリ
装置を構成できることになる。この方法を用いることに
よってトラックと直交した方向にのみサーボをかけるこ
とになり、従来のＳＴＭ技術のような二次元位置決めの
サーボを必要としないので、機構自体を簡略化できる長
所を持っている。
ものであり、この観測可能な原子が一次元に配列してい
るならば、この配列は記録技術においては記録トラック
と考えることができることを利用している。従って、−
次元の配列を持った結晶構造、もしくは人工構造を有す
る材料を用いれば、原子列トラックに沿ったサーボが実
現でき、短パルス印加によって材料表面に何らかの変化
、例えば異種原子の付着、あるいは部分的な配列の破壊
によってピット状に点列を書き込むことができ、メモリ
装置を構成できることになる。この方法を用いることに
よってトラックと直交した方向にのみサーボをかけるこ
とになり、従来のＳＴＭ技術のような二次元位置決めの
サーボを必要としないので、機構自体を簡略化できる長
所を持っている。
このサーボの方法としては、前述のαを常時検出する必
要があるので、探針を上下に細かく移動させなければな
らない。また、異種原子に近づいて時のこの値が変化す
ることを検出し、正しくトラック上に深針が位置するよ
うに横方向に移動可能でなくてはならない。
要があるので、探針を上下に細かく移動させなければな
らない。また、異種原子に近づいて時のこの値が変化す
ることを検出し、正しくトラック上に深針が位置するよ
うに横方向に移動可能でなくてはならない。
第１図は本発明のＳＴＭメモリ装置の一実施例の装置構
成を模式的に示すものである。図において、１は記録円
筒であり、異種原子層が交互に繰り返される層状化合物
単結晶や、２種の元素を交互に１原子層以上堆積するこ
とによって形成された多層構成の材料から形成されてい
る。そして、この記録円筒ｌにはその異種原子層に対し
て垂直な方向に円柱状の穴１ａが設けられており、その
内周の表面には前述の異種原子層が交互に露出している
。２は穴１ａの内周面（記録面）に記録・再生を行う探
針であり、先端を細くしたタングステンチップからなる
タングステン探針が一般に使用される。そして、この探
針２は記録面に存在する原子列に垂直方向に強制振動を
加えるものである。
成を模式的に示すものである。図において、１は記録円
筒であり、異種原子層が交互に繰り返される層状化合物
単結晶や、２種の元素を交互に１原子層以上堆積するこ
とによって形成された多層構成の材料から形成されてい
る。そして、この記録円筒ｌにはその異種原子層に対し
て垂直な方向に円柱状の穴１ａが設けられており、その
内周の表面には前述の異種原子層が交互に露出している
。２は穴１ａの内周面（記録面）に記録・再生を行う探
針であり、先端を細くしたタングステンチップからなる
タングステン探針が一般に使用される。そして、この探
針２は記録面に存在する原子列に垂直方向に強制振動を
加えるものである。
この探針２は記録面に垂直に移動可能なピエゾ素子５の
先端部に突設されており、このピエゾ素子５は記録面へ
の垂直移動によりトンネル電流制御及び記録信号再生を
行う。また、このピエゾ素子５はピエゾ素子４を介して
ベース６に取り付けられている。そして、ベース６は粗
移動機構３によって穴１ａの軸線方向（トランク方向）
に粗く移動できるようになっており、ピエゾ素子４はト
ラック方向に僅かに移動できるようになっている。
先端部に突設されており、このピエゾ素子５は記録面へ
の垂直移動によりトンネル電流制御及び記録信号再生を
行う。また、このピエゾ素子５はピエゾ素子４を介して
ベース６に取り付けられている。そして、ベース６は粗
移動機構３によって穴１ａの軸線方向（トランク方向）
に粗く移動できるようになっており、ピエゾ素子４はト
ラック方向に僅かに移動できるようになっている。
従って、記録・再生用プローブ２は、ベース６の移動に
より粗位置決めされ、ピエゾ素子４の移動により精密位
置決めされて記録面の所定トランクの上に到り、ピエゾ
素子５により記録面に達することができる。
より粗位置決めされ、ピエゾ素子４の移動により精密位
置決めされて記録面の所定トランクの上に到り、ピエゾ
素子５により記録面に達することができる。
以上のような構成の装置において、第１の実施例として
記録円筒ｌにＭｏｂ、の単結晶を使用し、屡の面と直交
する方向を中心軸とする直径１０ｍｍの穴１ａを形成し
た。このＭ ｏ Ｓ ２は層状の化合物単結晶であり、
ＭＯの層とＳの層が順次重なった構造を持っている。機
械加工によって穴１ａを形成した後、ケミカル研磨法を
用いて表面処理を行い、清浄面とした。タングステンの
探針２を用いてＭｏｂ、の表面に近接させ、穴１ａの中
心軸方向に走査した。この際に、探針２とＭ ｏ Ｓ
ｚの間に加える電圧にＡＣバイアスをかけながら走査す
ることによって電流値を観測したところ、第２図のよう
な波形が得られた。この図から分かるように、波形の振
幅の違いによりＭｏ層と８層とが区別できる。この振幅
の相違はＭＯとＳとの波動関数の広が−りに起因するも
のであって、他の物質においても同様の結果が得られる
。この振幅が先に述べたαを反映するものであって、こ
の値を用いてサーボを行うことができる。
記録円筒ｌにＭｏｂ、の単結晶を使用し、屡の面と直交
する方向を中心軸とする直径１０ｍｍの穴１ａを形成し
た。このＭ ｏ Ｓ ２は層状の化合物単結晶であり、
ＭＯの層とＳの層が順次重なった構造を持っている。機
械加工によって穴１ａを形成した後、ケミカル研磨法を
用いて表面処理を行い、清浄面とした。タングステンの
探針２を用いてＭｏｂ、の表面に近接させ、穴１ａの中
心軸方向に走査した。この際に、探針２とＭ ｏ Ｓ
ｚの間に加える電圧にＡＣバイアスをかけながら走査す
ることによって電流値を観測したところ、第２図のよう
な波形が得られた。この図から分かるように、波形の振
幅の違いによりＭｏ層と８層とが区別できる。この振幅
の相違はＭＯとＳとの波動関数の広が−りに起因するも
のであって、他の物質においても同様の結果が得られる
。この振幅が先に述べたαを反映するものであって、こ
の値を用いてサーボを行うことができる。
次に、記録円筒１にＭｏＳ２の単結晶を使用した上述の
装置において、記録円筒１であるＭ ｏ Ｓ ｚを回転
させた。そして、探針２がＭｏ層に位置決めされるよう
にサーボをかけ、実際にサーボがかかることを確認した
。この場合、振幅が最大となる部位に位置決めすること
になるが、前もって定めた値よりも小さな振幅が得られ
た場合には、ピエゾど子４によって探針２を前後に僅か
に位置を変化させ、それぞれの位置で振幅を測定した。
装置において、記録円筒１であるＭ ｏ Ｓ ｚを回転
させた。そして、探針２がＭｏ層に位置決めされるよう
にサーボをかけ、実際にサーボがかかることを確認した
。この場合、振幅が最大となる部位に位置決めすること
になるが、前もって定めた値よりも小さな振幅が得られ
た場合には、ピエゾど子４によって探針２を前後に僅か
に位置を変化させ、それぞれの位置で振幅を測定した。
そして、測定して得られた最大値とその前後の値の３値
の、最大値の部位に探針２の位置を移動する方法を用い
た。これにより、Ｍｏ層を記録トランクとして選択でき
、このＭｏ層に探針２を用いてトラッキングを行えるこ
とが分かった。
の、最大値の部位に探針２の位置を移動する方法を用い
た。これにより、Ｍｏ層を記録トランクとして選択でき
、このＭｏ層に探針２を用いてトラッキングを行えるこ
とが分かった。
更に、以上のような状態で、Ｍｏ層に短いパルス状の２
０Ｖの電界をかけたところ、Ｍｏ層が局所的な構造変化
を発生し、その部位を再生したところ、振幅に変化が見
られた。この変化は探針を駆動するピエゾ素子５のサー
ボ信号に現れ、このことは現在探針２が位置しているＭ
ｏ層が局所的にその形状が変化していることを示してい
る。このようにしてピエゾ素子５により検出された再生
信号の波形例を第３図に示す。この図から分かるように
、再生波形にはＡＣバイアス印加に伴うノイズ成分が発
生するが、これは周期が一定の信号であり、容易に取り
除くことができる。
０Ｖの電界をかけたところ、Ｍｏ層が局所的な構造変化
を発生し、その部位を再生したところ、振幅に変化が見
られた。この変化は探針を駆動するピエゾ素子５のサー
ボ信号に現れ、このことは現在探針２が位置しているＭ
ｏ層が局所的にその形状が変化していることを示してい
る。このようにしてピエゾ素子５により検出された再生
信号の波形例を第３図に示す。この図から分かるように
、再生波形にはＡＣバイアス印加に伴うノイズ成分が発
生するが、これは周期が一定の信号であり、容易に取り
除くことができる。
従って、以上のように構成されたＳＴＭ装置により、穴
１ａに露出するＭｏ層の各層に情報を記録し、かつＭｏ
層に記録された情報を再生することができることが分か
る。
１ａに露出するＭｏ層の各層に情報を記録し、かつＭｏ
層に記録された情報を再生することができることが分か
る。
前述の実施例では記録円筒ｌを回転させてＭ。
層に記録、再生を行ったが、以下に述べる第２の実施例
では、タングステンの探針２を具備したピエゾ素子５を
回転する構造とし、前述の実施例と同じ操作を行ったと
ころ、第２図、第３図に示した波形と同じ結果が得られ
、動作することがｉ！ 認できた。この場合、電界印加
は回転ブラシを介することによって実現した。
では、タングステンの探針２を具備したピエゾ素子５を
回転する構造とし、前述の実施例と同じ操作を行ったと
ころ、第２図、第３図に示した波形と同じ結果が得られ
、動作することがｉ！ 認できた。この場合、電界印加
は回転ブラシを介することによって実現した。
なお、以上説明した実施例ではＭ ｏ Ｓ ２の層状化
合物単結晶を層状物質として記録円筒１に使用したが、
この層状物質としては、人工多層膜であるＷ−Ｃ多層膜
でも良い。また、ＧａＰ、ＧａＮ。
合物単結晶を層状物質として記録円筒１に使用したが、
この層状物質としては、人工多層膜であるＷ−Ｃ多層膜
でも良い。また、ＧａＰ、ＧａＮ。
ＧａＡｓ、ｒｎＰ、ＩｎＳｅ、ＩｎＳｂ、ＺｎＳ。
ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅのズィンクブレンド、あるいはウル
ツァイト構造を有するＩＩＩ−Ｖ族、ｎ−ＩＶ族上半導
体化合物単結晶記録円筒１として使用し、その（１１１
）方向を中心軸とする円筒状の穴１ａを形成し、その内
壁に出現する原子列を記録トラックとしても良い。この
場合、Ｇａ系ではＧａ。
ツァイト構造を有するＩＩＩ−Ｖ族、ｎ−ＩＶ族上半導
体化合物単結晶記録円筒１として使用し、その（１１１
）方向を中心軸とする円筒状の穴１ａを形成し、その内
壁に出現する原子列を記録トラックとしても良い。この
場合、Ｇａ系ではＧａ。
Ｉｎ系ではｉｎ、またＺｎ系ではＺｎの原子列を記録ト
ラックとし、この記録トラックにパルス電界を印加する
ことによって表面構造変化を発生させ、記録ピットとす
ることによって記録、再生が可能であることを確認した
。
ラックとし、この記録トラックにパルス電界を印加する
ことによって表面構造変化を発生させ、記録ピットとす
ることによって記録、再生が可能であることを確認した
。
〔発明の効果］
以上説明したように本発明におけるＳＴＭ技術をベース
とした記憶装置は、超大容量の情報記憶が可能であり、
小型かつ軽量の記憶装置が実現できるという効果がある
。
とした記憶装置は、超大容量の情報記憶が可能であり、
小型かつ軽量の記憶装置が実現できるという効果がある
。
第１図は本発明のＳＴＭメモリ装置の一実施例の構成を
模式的に示した斜視図、第２図は探針とＭｏＳ、の間に
ＡＣバイアスをかけた電圧を印加して探針を走査した時
に得られる電流の観測波形を示す波形図、第３図はＭＯ
層に短いパルス状の２０Ｖの電界をかけた時の記録ピッ
トの再生信号の検出例の波形図である。 １・・・記録円筒、２・・・記録・再生用のタングステ
ン探針、３・・・トラック方向粗動機構、４・・・トラ
ック方向精密位置決め用ピエゾ素子、５・・・トンネル
電流制御及び記録信号再生用のピエゾ素子、６・・・ベ
ース。
模式的に示した斜視図、第２図は探針とＭｏＳ、の間に
ＡＣバイアスをかけた電圧を印加して探針を走査した時
に得られる電流の観測波形を示す波形図、第３図はＭＯ
層に短いパルス状の２０Ｖの電界をかけた時の記録ピッ
トの再生信号の検出例の波形図である。 １・・・記録円筒、２・・・記録・再生用のタングステ
ン探針、３・・・トラック方向粗動機構、４・・・トラ
ック方向精密位置決め用ピエゾ素子、５・・・トンネル
電流制御及び記録信号再生用のピエゾ素子、６・・・ベ
ース。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、異種原子層が交互に繰り返される層状化合物や、２
種の元素を交互に１原子層以上堆積させて形成した多層
構成の材料に、円筒状の穴を層に直交方向に形成した記
録媒体と、この記録媒体の円筒状の内周面に情報を書き
込み、あるいは内周面に書かれた情報を読み出す記録・
再生用プローブと、 この記録・再生用プローブを前記内周面に垂直な方向に
移動させる第１の移動手段と、 前記記録・再生用プローブを前記円筒状の穴の軸線方向
に移動させる第２の移動手段と、前記記録・再生用プロ
ーブと前記内周面とを、相対的に円周方向に移動させる
第３の移動手段と、を備えたＳＴＭメモリ装置。 ２、前記記録媒体としてＭｏＳ＿２の層状化合物、Ｇａ
Ｐ、ＧａＮ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＳｅ、ＩｎＳｂ、
ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅのズィンクブレンド、ある
いはウルツァイト構造を有するIII−Ｖ族、II−IV族半
導体化合物のいずれかを使用し、その単結晶において（
１１１）方向を中心軸とする円筒状の穴を形成し、前記
記録・再生用プローブとして先端を細くしたタングステ
ンチップを使用した特許請求の範囲第１項に記載のＳＴ
Ｍメモリ装置。 ３、特許請求の範囲第１項または第２項に記載の装置に
おいて、前記記録・再生用プローブを半固定させ、前記
円筒状の記録媒体を回転させてトラックサーチ、位置決
めを行うことにより、前記プローブにより前記記録媒体
に記録・再生することを特徴とするＳＴＭメモリ装置の
記録・再生方法。 ４、特許請求の範囲第１項または第２項に記載の装置に
おいて、前記円筒状の記録媒体を固定させ、前記記録・
再生用プローブを円筒内で回転させてトラックサーチ、
位置決めを行うことにより、前記プローブにより前記記
録媒体に記録・再生することを特徴とするＳＴＭメモリ
装置の記録再生 方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30458089A JP2961172B2 (ja) | 1989-11-24 | 1989-11-24 | Ｓｔｍメモリ装置およびその記録再生方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30458089A JP2961172B2 (ja) | 1989-11-24 | 1989-11-24 | Ｓｔｍメモリ装置およびその記録再生方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03165348A true JPH03165348A (ja) | 1991-07-17 |
| JP2961172B2 JP2961172B2 (ja) | 1999-10-12 |
Family
ID=17934703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30458089A Expired - Fee Related JP2961172B2 (ja) | 1989-11-24 | 1989-11-24 | Ｓｔｍメモリ装置およびその記録再生方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2961172B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0665541A3 (en) * | 1994-01-31 | 1996-11-20 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Information recording and reproducing apparatus. |
-
1989
- 1989-11-24 JP JP30458089A patent/JP2961172B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0665541A3 (en) * | 1994-01-31 | 1996-11-20 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Information recording and reproducing apparatus. |
| US6101164A (en) * | 1994-01-31 | 2000-08-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High density recording by a conductive probe contact with phase change recording layer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2961172B2 (ja) | 1999-10-12 |
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Legal Events
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