JPH03165711A - 美容脱毛装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は美容脱毛装置に関し、特にむだ毛を永久脱毛す
る場合に適用して好適なものである。

〔発明の概要〕

本発明は、美容脱毛装置において、脱毛出力のエンベロ
ープ波形についてのプログラム設定情報を発生するよう
にしたことにより、被施術者の体調、体質などや、施術
する部位、皮膚の種類、状態、脱毛すべき毛の質などの
脱毛施術の条件に適合するような美容脱毛施術をするこ
とができる。

〔従来の技術〕

従来むだ毛を脱毛する方法として、シェービング、カッ
ティング、ツイージング、除毛剤、ワックス等の一時的
脱毛法と、高周波電流又は直流電流を用いて毛根組織を
破壊する永久脱毛法とがあり、永久脱毛法は美容効果を
長期に亘って維持できる利点がある。

ここで直流電流及び高周波電流を用いて永久脱毛をする
方法は、電気的エネルギーを用いて毛包内の毛根組織を
破壊しようとするもので、直流電流を用いる方法（電気
分解脱毛法と呼ばれている）においては毛包内に挿入し
た陰極を介して直流電流を流すことにより、毛包内のＮ
ａＣ１を電気分解することによりＮａＯＨを生成し、当
該Ｎ、ａＯＨの強アルカリ作用により毛根組織を化学的
に破壊することを原理とする。

これに対して高周波電流を流す方法（高周波脱毛法と呼
ばれている）は、毛包内に高周波電流を流して毛根組織
の内部において熱エネルギーに変換することにより、毛
根組織に蛋白質の凝固を生じさせることを原理とする。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところが当該電気分解脱毛法又は高周波脱毛法によって
比較的短い時間の間に脱毛施術をしようとすれば、毛包
内に流す電流をかなり大きくする必要があるため、美容
脱毛に適用した場合不適切になるおそれがある。

因に毛包内に流す電流を大きくすると、脱毛施術を受け
ている被施術者に痛みなどの不快感を与えるおそれがあ
り、人の生活に不可欠な医療のための脱毛施術とは異な
り、美容脱毛においては被施術者に生理的ないし心理的
に悪影響を与えるような脱毛方法は回避することが望ま
しい。

そこで、毛包内に流す高周波電流値又は直流電流値を低
減させて美容脱毛に適用することも考えられるが、この
ようにすると美容脱毛施術時間が長大になる問題がある
。

本発明は以上の点を考慮してなされたもので、施術する
部位、皮膚の種類、状態、脱毛すべき毛の質等の脱毛施
術条件に最適な施術条件パターンを選択できるようにす
ることにより、実用上被施術者に生理的ないし心理的な
悪影響を生じさせるおそれを有効に回避しながら効率良
く永久脱毛の施術をし得るようにした美容脱毛装置を提
案しようとするものである。

〔問題点を解決するための手段〕

かかる問題点を解決するため本発明においては、毛包に
差し込んだ針状導子４Ａに脱毛出力Ｓ５を供給して電流
を流すことにより当該毛包について永久脱毛をする美容
脱毛装置において、　脱毛出力Ｓ５にエンベロープ波形
を付与するエンベロープ付与手段５１〜５４．６１〜６
４と、エンベロープ波形が付与された脱毛出力Ｓ５に所
定の変化を生じさせるための条件を表すパターン設定情
報５ＰＩ１１ｉを発生するパターン設定手段１５とを設
けるようにする。

〔作用〕

針状導子４Ａに供給する脱毛出力Ｓ５にエンベロープ波
形を付与すると、実質上十分な脱毛出力レベルを供給す
るにつき、被施術者に不快感を与えることなく効率良く
美容脱毛施術をすることができる。

かくするにつき、エンベロープ波形に変化を生じさせる
ための条件をパターン設定情報として用いるようにした
ことにより、多様な脱毛施術条件に対して容易に適応で
きる美容脱毛装置を実現し得る。

〔実施例〕

以下図面について、本発明の一実施例を詳述する。

（１）全体の構成 第１図において、１は全体として美容脱毛装置を示し、
脱毛器本体２からの脱毛出力をケーブル３を介してプロ
ーブ４に供給する。

脱毛器本体２は高周波脱毛出力Ｓ１を発生する高周波脱
毛出力形成部１１と、直流脱毛出力Ｓ２を送出する直流
脱毛出力形成部１２と、光脱毛出力Ｓ３を送出する光脱
毛出力形成部１３と、冷却風出力Ｓ４を送出する冷却風
形成部１４と、脱毛施術条件設定信号Ｓ□６を脱毛器本
体２に供給するパターン設定装置部１５とを有する。

直流脱毛出力形成部１２は、直流発生回路２１において
例えば商用電源から発生させた直流電流ＳＯＩを直流出
力回路２２において例えば０〜−１５（Ｖ）程度の直流
電流でなる直流脱毛出力Ｓ２に変換する。

この実施例の場合直流出力回路２２は脱毛施術者が直流
用フットスイッチ２３をオンオフ操作したとき生ずるオ
ンオフ出力Ｓｌｌを時間制御回路２４に与え、この時間
制御回路２４に予め設定された所定の遅延時間だけ遅延
して得られる遅延オンオフ信号Ｓ１２を直流出力回路２
２に与えることによりそのタイミングで直流脱毛出力Ｓ
２を出力できるようになされている。

また高周波脱毛出力形成部１１は例えば２７〔Ｍセ〕の
高周波信号ＳＯ２を高周波発生回路２５において商用電
源から発生して高周波出力回路２６に供給し、当該高周
波出力回路２６において施術者が高周波用フットスイッ
チ２７を操作したときそのタイミングで高周波脱毛出力
Ｓｌに変換するようになされている。

ここで直流脱毛出力Ｓ２は、電気分解脱毛法に基づいて
毛包内に電気分解を生じさせるにつき、被施術者に不快
感を与えない程度に比較的小さい値に選定され、また高
周波脱毛出力Ｓｔは、直流脱毛出力Ｓ２によって毛包内
に生じたアルカリ液（すなわち電気分解によって生じた
ＮａＯＨ液）を加熱することより反応速度を高めること
ができる程度の熱を、高周波加熱法によって発生させる
に適した周波数（例えば２７　（ＭＨｚ）　）及び強さ
を選定するようになされている。

直流脱毛出力Ｓ２はブレンド出力回路２８において高周
波脱毛出力Ｓ１と合成されてブレンド脱毛出力Ｓ５とし
てケーブル３のブレンド脱毛出力ライン３Ａに送出され
、かくしてプローブ４の針状導子４Ａに供給される。

ブレンド出力回路２Ｂのアース側出力端はアースケーブ
ル３１を通じて握り導子３２に接続され、被施術者が握
り導子３２を手で握った状態で施術者が針状導子４Ａを
脱毛しようとする毛の毛包内に挿入したとき、当該針状
導子４Ａを陰極とし、かつ握り導子３２を陽極として毛
包内に電気分解の反応を発生させるようになされている
。

また光脱毛出力形成部１３はレーザ、キセノンランプ等
の高輝度発光源を有する光源部３５によって発生した施
術光束ＳＯ３を集光光学系３６において光脱毛出力Ｓ３
として集光してケーブル３の光ファイバ３Ｂに射出する
。

かくして光ファイバ３Ｂを通ってプローブ４に到達した
光脱毛出力Ｓ３は、プローブ本体４Ｃの先端部に突出す
るように取り付けられた光プローブ子４Ｂに供給される
。

この実施例の場合、光プローブ子４Ｂは針状導子４Ａに
沿うように延長し、当該針状導子４Ａが被施術者の毛包
内に挿入されたとき、当該毛包を光脱毛出力Ｓ３によっ
て照射することによりその内部を加熱できるようになさ
れている。

冷却風形成部１４は、コンプレッサ４１を有し、殺菌器
４２を介して外部から吸入した空気流ＳＯ４をコンプレ
ッサ４１において圧縮して冷却風出力Ｓ４に変換し、当
該冷却風出力Ｓ４をケーブル３のパイプ３Ｃを通じてプ
ローブ４に供給するようになされている。

この実施例の場合プローブ４は先端面に設けられた吹き
出し口から冷却風出力Ｓ４でなる冷却風ＷＮＤを吹き出
させることにより、針状導子４Ａが挿入された毛包の周
囲の皮膚を冷却風ＷＮＤによって冷却し、これにより施
術により生ずる腫れを鎮静させるようになされている。

またこの実施例の場合、陽極すなわちアースラインに円
柱状カーボンローラでなるアフタケア用ローラ４５がケ
ーブル４４を介して接続され、施術後節術部に対してア
フタケア用ローラ４５を転接させることにより、興奮状
態にある施術部の皮膚を鎮静化させるようになされてい
る。

第１図の構成において、脱毛施術をする際には、被施術
者に握り導子３２を握らせた状態において施術者はプロ
ーブ４を把持して針状導子４Ａを毛包内に挿入させた後
、高周波用フットスイッチ２７及び直流用フットスイッ
チ２３を操作することによりブレンド出力回路２８から
ブレンド脱毛出力Ｓ５を送出させて針状導子４Ａに供給
する。

これにより針状導子４Ａが挿入された毛包において、ブ
レンド脱毛出力Ｓ５のうち直流脱毛出力Ｓ２によって電
気分解を生じさせると共に、高周波脱毛出力Ｓ１によっ
て毛包内を加熱することにより当該電気分解の反応を活
発化させることができ、かくして直流脱毛出力Ｓ２とし
て、医療脱毛の場合と比較して格段的に弱い直流脱毛出
力Ｓ２によってかなり速い反応速度で電気分解による永
久脱毛効果を得ることができる。

このとき直流用フットスイッチ２３から得られるオンオ
フ出力３１１は時間制御回路２４の設定時間だけ遅延さ
れ、これにより高周波脱毛出力Ｓ１によって毛包を加熱
した後直流脱毛出力Ｓ２によって電気分解を開始させる
ことができ、かくして予め加熱した分反応速度を速める
ことができる。

これに加えて施術されている毛包に対して光脱毛出力形
成部１３において発生される光脱毛出力Ｓ３が光プロー
ブ子４Ｂから照射されることより、当該毛包の内部を光
脱毛出力Ｓ３の光エネルギーによって加熱でき、これに
より毛包内部に生じている電気分解の反応速度を光脱毛
出力Ｓ３の光エネルギーを使ってさらに一段と速めるこ
とができる。かくするにつき加熱手段として光を用いる
ようにしたことにより、毛包内部の加熱を施術者に苦痛
を与えないように和らげることができる。

この実施例の場合、ブレンド脱毛出力Ｓ５及びアース出
力はそれぞれ出力端子Ｔ１及びＴ２に供給されて当該出
力端子Ｔ１及びＴ２にブレンド脱毛出力ライン３Ａ及び
アースケーブル３１のコネクタＣＩ及びＣ２を着脱自在
に接続できるようになされ、これにより、第２のアース
端子Ｔ３にアフタケア用ローラ４５の接続ケーブル４４
のコネクタＣ３を接続した状態において握り導子３２の
アースケーブル３１のコネクタＣ２を出力端子Ｔ２から
離して出力端子ＴＩに接続し直すことにより、アフタケ
ア用ローラ４５を動作させることができるようになされ
ている。

以上の構成に加えて美容脱毛装置１はパターン設定装置
部１５を有し、　脱毛施術条件設定信号５Ｐ１１．を脱
毛器本体２に供給することにより、脱毛器本体２のブレ
ンド出力回路２８から送出されるブレンド脱毛出力Ｓ５
を予め設定された脱毛施術条件に応じて制御できるよう
になされている。

〔２〕高周波脱毛出力形成部 高周波出力回路２６は第２図に示すように、高周波用フ
ットスイッチ２７のオンオフ操作出力Ｓ２１によってク
ロック信号Ｓ２２を発生するクロック発生回路５１を有
し、その出力端に得られるクロック信号Ｓ２２を１６段
シフトレジスタ構成のスイッチ信号形成回路５２に与え
る。

ここでクロック発生回路５１には、パターン設定装置部
１５（第１図）から供給される脱毛施術条件設定信号５
ＰＩＩＧを構成する第１の信号としてクロック周波数設
定信号Ｓ□、が与えられ、これによりクロック信号Ｓ２
２のクロック周波数をパターン設定装置部１５から設定
できるようになされている。

スイッチ信号形成回路５２は、第３図（Ａ　Ｉ　）〜（
Ａ１６）に示すように、　オン操作信号Ｓ２１が与えら
れた時点ｔｏＮ（−ｔ＋）から順次クロック信号Ｓ２２
の１周期分の時間が経過した時点Ｌｘ、ｔｓ、Ｌ４・・
・・・・ｔｏごとに順次スイッチ信号５２３（スイッチ
パルスＳＷＩ、ＳＷ２・・・・・・５Ｗ１６でなる）を
発生し、これをエンベロープ波形メモリ５３（第４図）
のアナログスイッチ回路ＰＴＩ、ＰＴ２・・・・・・Ｐ
Ｔ１６に与える。

アナログスイッチ回路ＰＴＩ、ＰＴ２・・・・・・ＰＴ
１６はオン動作したとき電源ＶＣＣをサンプリング波形
値記憶用抵抗分圧回路Ｒ１、Ｒ２・・・・・・Ｒ１６に
与えることにより、その分圧電圧Ｖ、　、Ｖ、・・・・
・・ｖｏでなる波形出力信号Ｓ２４を波形整形回路５４
に送出する。

かくして波形出力信号Ｓ２４は、第３図（Ｂ）に示すよ
うに、スイッチ信号３２３のスイッチパルスＳＷＩ・、
ＳＷ２・・・・・・５Ｗ１６が発生するごとに分圧電圧
Ｖ、、Ｖ、・・・・”　Ｖ　ｌ　６によって表されるサ
ンプリング波形値をもつような階段状波形を呈する。

この実施例の場合、サンプリング波形値記憶用抵抗分圧
回路Ｒ１、Ｒ２・・・・・・Ｒ１６は例えばＦＥＴ（電
界効果型トランジスタ）を可変抵抗素子として含む抵抗
分圧回路で構成され、当該各ＦＥＴのゲートにパターン
設定装置部１５（第１図）から供給される脱毛施術条件
設定信号Ｓ□。を構成する第２の信号としてサンプリン
グ波形値設定信号５ＰＩＧ！の各設定信号ＳＭＩ、ＳＭ
２・・・・・・５Ｍｌ６が与えられ、これによりエンベ
ロープ波形の各サンプリング点のサンプリング値を表す
分圧電圧Ｖ＋、Ｖｔ・・・・・・Ｖｌｌｋをパターン設
定装置部１５から設定できるようになされている。

この実施例の場合スイッチ信号形成回路５２は高周波用
フットスイッチ２７が第３図の時点ｔ。Ｎにおいてオン
操作された後、シフトレジスタが最終段のサンプリング
波形値ＶＩ＆を出力する状態になった後オフ操作時点り
。Ｆ、まで引き続きオン操作を続けたとき、最終段のス
イッチ信号５Ｗ１６を論理ｒｌ（Ｊレベルのまま維持す
るようになされ、かくしてこの時間の開披形出力信号３
２４の信号レベルとして最終段のサンプリング波形値■
１−を保持するようになされている。

ここでオフ操作時点ｔ　ＯＦＦにおいて高周波用フット
スイッチ２７がオフ操作されると、スイッチ信号形成回
路５２はリセット動作をして第３図の時点ｔ。Ｎ以前の
初期状態、すなわち第１段スイッチパルスＳＷＩを論理
ｒ　ＨＪレベルに立ち上げた状態に戻るようになされ、
これにより高周波用フットスイッチ２７がオン操作され
るごとに１波形分の波形出力信号Ｓ２４を送出するよう
になされている。

この階段波形形状の波形出力信号Ｓ２４はフィルタ回路
構成の波形整形回路５４において波形整形され、階段状
波形形状を滑らかな波形に整形してなるエンベロープ制
御信号５２５（第３図（Ｃ））が高周波脱毛出力形成回
路５５に供給される。

ここで波形整形回路５４において用いられるフィルタ回
路は電位の段差をなくすもので、クロック発生回路５１
のクロック周波数を高くすると強くかかり、これに対し
て低くすると緩くかかるようになされている。

高周波脱毛出力形成回路５５は、高周波発生回路２５か
ら供給される高周波出力ＳＯ２の振幅をエンベロープ制
御信号５２５によって振幅変調することにより、高周波
出力ＳＯ２に対してエンベロープ制御信号Ｓ２５のエン
ベロープ波形を付与して高周波脱毛出力Ｓｌを高周波出
力回路２６の出力として送出する。

第２図の構成の高周波出力回路２６において、施術者が
高周波用フットスイッチ２７を操作したとき高周波脱毛
出力Ｓ１はエンベロープ波形メモリ５３に予め記憶され
ているエンベロープ波形に応じて振幅をエンベロープ制
御されることにより、被施術者に対して不快感を与えな
いように高周波脱毛施術を行うことができる。

因に高周波用フットスイッチ２７をオン操作したとき高
周波脱毛出力３１の電流値を瞬時に立ち上げた場合には
被施術者に対して不快感を与えるおそれがあるが、高周
波脱毛出力Ｓ１の振幅をエンベロープ制御することによ
り高周波脱毛出力Ｓ１の立ち上がり傾斜を必要に応じて
設定することができることにより、被施術者に不快感を
与えるような刺激を生じさせないようにできる。

特にエンベロープ波形として第３図（Ｃ）に示すように
複数のピーク波形の間に谷間波形部を挿入するようにす
れば、高周波脱毛出力Ｓ１の振幅を高い信号レベルに維
持し続けることを回避できることにより、被施術者に不
快感を与えることな（しかも実効的に施術時間を短縮さ
せることができる。

因に高周波脱毛出力Ｓ１の振幅を高い信号レベルに維持
し続ければその加熱効果を速めることができることによ
り施術時間を全体として短縮することができると考えら
れるが、実際上高周波脱毛出力Ｓ１の信号レベルを高い
信号レベルに維持し続けると、被施術者に不快感を与え
るおそれがある。この点について高周波脱毛出力Ｓ１の
振幅値を第３図（Ｃ）に示すようにピーク波形部の間に
谷間波形部を形成するようにすれば、被施術者に与える
不快感を確実に和らげることができる。

かくするにつき階段状波形形状を有する波形出力信号Ｓ
２４を波形整形回路５４において滑らかなエンベロープ
波形に整形するようにしたことにより、不快感の軽減効
果をさらに一段と高めることができる。

〔３〕直流脱毛出力形成部 直流出力回路２２は第５図に示すように、直流用フット
スイッチ２３のオンオフ出力３１１を時間制御回路２４
において遅延時間電だけ遅延させてなる遅延オンオフ信
号Ｓ１２をエンベロープ形成回路６０のクロック発生回
路６１に受ける。

この実施例の場合、時間制御回路２４は、パターン設定
装置部１５（第１図）から供給される脱毛施術条件設定
信号５ｌ−１゜を構成する第３の信号として遅延時間設
定信号Ｓ　ｐＨ１を受け、遅延オンオフ信号Ｓ１２の遅
延時間τ。を遅延時間設定信号Ｓ□。に対応する値に設
定し、これによりエンベロープ形成回路６０のエンベロ
ープ波形の発生開始時点をパターン設定装置部１５から
設定できるようになされている。

エンベロープ形成回路６０は、高周波出力回路２６（第
２図）ついて上述したと同様にして、時間制御回路２４
から得られる遅延オンオフ信号Ｓ１２に基づいてクロッ
ク発生回路６１においてクロック信号３４３を発生して
これをスイッチ信号形成回路６２に供給し、これにより
第３図（Ａｌ）〜（Ａ１６）について上述したと同様の
スイッチパルスでなるスイッチ信号Ｓ４４をエンベロー
プ波形メモリ６３にエンベロープ波形続出信号として与
える。

ここで、クロック発生回路６１はパターン設定装置部１
５（第１図）から供給される′脱毛施術条件設定信号Ｓ
　ＦＩＧを構成する第４の信号としてクロック周波数設
定信号５ＦＩＧ４を受け、これによりクロック信号Ｓ４
３のクロック周波数をパターン設定装置部１５から設定
できるようになされている。

エンベロープ波形メモリ６３は第４図について上述した
と同様にしてスイッチ信号Ｓ４４を構成する１６個のス
イッチパルスが与えられるごとに、第３図（Ｂ）につい
て上述したと同様にして階段波形形状の波形出力信号Ｓ
４５を送出し、これを波形整形回路６４において第３図
（Ｃ）について上述したと同様にして滑らかな波形に整
形した後、エンベロープ制御信号Ｓ４６として減衰波形
付与回路６５にエンベロープ形成回路６０の出力として
供給する。

ここで、エンベロープ形成メモリ６３は、パターン設定
装置部１５（第１図）から供給される脱毛施術条件設定
信号Ｓ□。を構成する第５の信号としてサンプリング波
形値設定信号５ＰＩＩＧＳを受け、当該サンプリング波
形値設定信号５ＰＩＧＳの各設定信号（第４図の各設定
信号ＳＭＩ、３Ｍ２・・・・・・５Ｍ１６に相当する）
によってサンプリング波形値記憶用抵抗分圧回路（第４
図のサンプリング波形値記憶用抵抗分圧回路Ｒ１、Ｒ２
・・・・・・Ｒ１６に相当する）のＦＥＴを制御するこ
とにより、エンベロープ波形の各サンプリング点のサン
プリング値を表す分圧電圧（第４図の分圧電圧Ｖ、　、
Ｖ、・・・・・・ＶＩ＆に相当する）をパターン設定装
置部１５から設定できるようになされている。

減衰波形付与回路６５は第６図に示すように、エンベロ
ープ制御信号Ｓ４６をホールド選択スイッチ回路７１の
切換入力端ａを介して利得制御増幅回路７２に受け、当
該エンベロープ制御信号Ｓ４６の振幅を減衰波形形成回
路７３において発生される利得制御信号５５１によって
制御してなる波形制御信号Ｓ５２を、減衰波形付与回路
６５の出力として直流脱毛出力形成回路６６（第５図）
に送出する。

減衰波形形成回路７３は充放電用コンデンサ７３Ａを有
し、スイッチングトランジスタ７３Ｂがリセットパルス
発生回路７４から与えられるリセットパルスＳ５３によ
ってオン制御されたとき、電源■。によって所定のリセ
ット電圧値にまで充電され、　その後当該充電電荷が並
列に接続された放電用抵抗回路７３Ｃ（可制御抵抗素子
例えばＦＥＴを含んで構成されている）を通じて放電さ
れることにより第７図（Ｂｌ）及び（Ｂ２）において減
衰曲線に１で示すように、　リセット電圧ｖ　ａｓｔか
ら、主として充放電用コンデンサ７３Ａ及び放電用抵抗
回路７３Ｃの時定数によって決まる減衰率を有する減衰
波形を描くように充電電圧が低下して行き、当該減衰波
形を有する充電電圧が利得制御信号３５１として利得制
御増幅回路７２に供給される。

ここで充放電用コンデンサ７３Ａの放電電圧は、電源Ｖ
ＣＣ及びアース間に接続された放電電圧設定用抵抗分圧
回路７３Ｄ（可制御抵抗素子例えばＦＥＴを含む分圧回
路で構成されている）から逆流阻止用ダイオード７３Ｅ
を通じて充放電用コンデンサ７３Ａ及び放電用抵抗回路
７３Ｃに供給され、かくして充放電用コンデンサ７３Ａ
の放ｉｉｔ圧がダイオード７３Ｅから供給される設定電
圧以下にはならないように設定されている。

この実施例の場合、放電用抵抗回路７３Ｃは、パターン
設定装置部１５（第１図）から供給される脱毛施術条件
設定信号Ｓ□。を構成する第６の信号として減衰率設定
信号５ＰＩＩ。、を受け、抵抗値を当該減衰率設定信号
Ｓ□。に応じて調整することによって充放電用コンデン
サ７３Ａの放電時定数を変更できるようになされ、その
結果利得制御信号Ｓ５１の減衰曲線に１の減衰率を変更
することにより減衰エンベロープ波形Ｋｌ（第７図（Ｂ
１）、（Ｂ２））が同一の減衰目標値に到達するまでの
減衰波形形状を、例えば第８図において減衰曲線Ｋｌｌ
〜に１４によって示すように変形できるようになされて
いる。

またこの実施例の場合、放電電圧設定用抵抗分圧回路７
３Ｄは、パターン設定装置部１５（第１図）から供給さ
れる脱毛施術条件設定信号Ｓ　Ｐａ１Ｇを構成する第７
の信号として減衰目標値設定信号Ｓ、□７を受け、抵抗
値を当該減衰目標値設定信号５ＰＩＧ？に応じて調整す
ることにより充放電用コンデンサ７３Ａの放電目標電圧
を変更できるようになされ、その結果利得制御信号Ｓ５
１の減衰曲線に１の減衰目標値を変更することにより減
衰曲線Ｋｌの各減衰目標値に到達するまでの減衰波形形
状を、例えば第９図において減衰曲線Ｋ１１ｌ〜に１１
４によって示すように変形できるようになされている。

リセットパルス発生回路７４は、オンオフ出力５１１（
第５図）に基づいて、第７図（Ａ）に示すように、直流
用フットスイッチ２３（第５図）が時点Ｌ　０８１　’
ｓ　Ｌ　０ＦＦＩ％　Ｌ　ＯＮｍ・Ｌ　０ＦＦＲｓ　Ｌ
　ＯＮｍ・・・・・・において順次交互にオン操作又は
オフ操作されたとき、オフ操作された後オン操作される
までの操作インターバル時間τＡ　（＝ｔｏｒ□〜ｔｏ
工８、ｔ　ＯＦｊ！”　ｔ　ＯＮ３　）がインターバル
タイム設定回路７５から供給されるインターバルタイム
信号Ｓ５４が表す基準インターバルタイムτ１と比較し
て短いか否かを判断し、当該判断結果に基づいてリセッ
トパルス３５３を減衰波形形成回路７３に与えるか否か
を決めるようになされている。

すなわち操作インターバル時間τ、が基準インターバル
時間τ１より短いとき（このことは施術者が同じ毛包に
ついて脱毛施術をしていることを表す）、リセットパル
ス発生回路７４は第７図（Ｂｌ）及び（Ｂ２）において
時点ｔｏｙｒ＋〜Ｌ　ｏａｔ間の期間で示すように、リ
セットパルスＳ５３を減衰波形形成回路７３に供給しな
いようになされ、かくして利得制御信号３５１は操作イ
ンターバル時間τ、が経過し終わった後も引続き減衰曲
線Ｋｌに沿って減衰して行くようになされている。

これに対して時点り。、□〜ｔ　０８３の期間で示すよ
うに、操作インターバル時間τ、が基準インク−パル時
間τ１より長くなったとき（このことは施術者が１つの
毛包の施術を終了して次の毛包に移ったことを意味する
）、このときリセットパルス発生回路７４は時点ｔ。Ｎ
３においてオン操作された後遅延タイミング時間τ。だ
け経過した時点で得られる遅延オンオフ信号Ｓ１２に基
づいてリセットパルスＳ５３を送出してスイッチングト
ランジスタ７３Ｂをオン動作させることより、充放電用
コンデンサ７３Ａをリセット電圧Ｖ□ｉに充電し、これ
により新たな直流脱毛施術を開始できるようにする。

この実施例の場合、インターバルタイム設定回路７５は
、パターン設定装置部１５（第１図）から供給される脱
毛施術条件設定信号Ｓ□。を構成する第８の信号として
インターバルタイム設定信号Ｓ□、を受け、当該インタ
ーバルタイム設定信号５ＰＩＩＧＩによって基準インタ
ーバル期間τ、を変更できるようにすることにより、施
術操作タイミングの条件をパターン設定装置部１５から
設定できるようになされている。

二のようにしてホールド選択スイッチ回路７１がエンベ
ロープ制御信号Ｓ４６の入力端ａ側に切り換わっている
とき、利得制御増幅回路７２は第７図（Ｂ２）の期間ｔ
。ＦＦＩ〜ｔ　ｏｕｔに示すように、操作インターバル
時間τ、が基準インターバル時間τ、より短いときには
エンベロープ制御信号Ｓ４６を利得制御増幅回路７２に
おいて減衰曲線に１を有する利得制御信号Ｓ５１によっ
て利得制御することにより、波形整形回路６４から得ら
れるエンベロープ制御信号Ｓ４６に基づいてその波高値
を減衰曲線に１に沿わせるように減衰制御する。

これに対してホールド選択スイッチ回路７１が入力端す
側に切り換えられると、利得制御増幅回路７２に対する
エンベロープ制御信号として基準電圧源７６の一定基準
電圧■、が供給され、かくして利得制御増幅回路７２は
波形ＩＩＪ御信分信号２として第７図（Ｂ１）において
減衰曲線（これをホールドオン減衰曲線と呼ぶ）ＫＩＸ
で示すように、当該一定電圧ｖｌＩに基づいてその値を
減衰曲線に１と同様の減衰率で減衰させたような波形制
御信号Ｓ５２を送出する。

この実施例の場合、ホールド選択スイッチ回路７１は、
パターン設定装置部１５（第１図）から供給される脱毛
施術条件設定信号Ｓ□。を構成する第９の信号としてホ
ールド選択信号Ｓ□Ｇ雫を受け、当該ホールド選択信号
５ＰＲＧ９によって施術条件をパターン設定装置部１５
から設定することにより、第７図（Ｂ１）に示すように
ホールドオン減衰曲線ＫＩＸを含む波形制御信号Ｓ５２
、又は第７図（Ｂ２）に示すようにホールドオン減衰曲
線ＫＩＸを含まない波形制御信号Ｓ５２を選択して送出
し得るようになされている。

第６図の構成によれば、１つの毛包について直流脱毛施
術をしているときには、施術者は直流用フットスイッチ
２３を基準インターバル時間τ８より短い操作インター
バル時間τ、のタイミングで直流用フットスイッチ２３
をオンオフ操作することにより、１つの毛包に流れる直
流電流を時間の経過に従って減衰させて行くことができ
、かくして被施術者の体調、体質などや、施術する部位
、皮膚の種類、状態、脱毛すべき毛の質等の条件に適応
できるような脱毛施術条件を選択しながら直流脱毛施術
をなし得る。

因に一般に直流脱毛施術をする場合、大きな直流電流を
、長時間の間流し続けると不快感が増す傾向にあるが、
上述のように構成すれば直流電流を流す時間、及びその
電流値のエンベロープを被施術者の体調、体質等に適合
するように必要に応じて制御して施術条件を設定できる
ことにより、この分波施術者に不快感を与えるおそれを
有効に軽減し得る。

このようにするにつき、以下に述べるように、パターン
設定装置部１５によって多種類の施術条件を予めマニュ
アル設定し、又はプログラム設定することにより、多様
な施術条件の施術者に対して最適な脱毛施術をなし得る
。

〔４〕パタ一ン設定装置部 パターン設定装置部１５は第１０図に示すように、操作
パネル８０から入力されたデータをバス８１を介して中
央処理ユニツ）　（ＣＰＵ）８２に取り込むと共に、当
１３ｃＰＵ８２がプログラムメモリ部８３に格納されて
いるプログラムによってディジタルデータ処理し、その
処理結果をデータメモリ部８４にパターン設定データと
して蓄積し、当該蓄積されたプログラム設定データを入
出力装置８５を介してディジタル／アナログ変換回路８
６に出力し、かくしてアナログ制御信号でなる脱毛施術
条件設定信号５ＰＩＧを脱毛器本体２に送出するように
なされている。

操作パネル８０は第１１図に示すように、マニュアル設
定操作子群８０Ａを有し、脱毛施術条件設定信号５ＰＩ
ＩＧの設定条件を施術者がそれぞれ数値設定し得る設定
操作子を含んでなる。この実施例の場合マニュアル設定
操作子群８０Ａは高周波出力回路２６（第２図）のクロ
ック周波数設定信号Ｓ□。、のクロック周波数データを
入力し得る第１の設定操作子と、高周波出力回路２６の
エンベロープ波形メモリ５３に対するサンプリング波形
値設定信号５ＰＲＧＩの各サンプリング波形値データを
設定する第２の設定操作子と、直流出力回路２２（第５
図）に関連して遅延時間制御回路２４に対する遅延時間
設定信号Ｓ□０の遅延時間データを入力する第３の設定
操作子と、クロック発生回路６１のクロック周波数設定
信号５Ｐｌｆｉ４のクロック周波数データを入力し得る
第４の設定操作子と、エンベロープ形成メモリ６３に対
するサンプリング波形値設定信号５ＰＩＧ％の各サンプ
リング波形値データを入力し得る第５の設定操作子と、
減衰波形付与回路６５に対する減衰率設定信号ＳｐＨＧ
＆、減衰目標値設定信号Ｓ　ｐＨＧ’ｌ、インターバル
タイム設定信号ＳＰ＊。及びホールド選択信号Ｓ□。、
の減衰率データ、減衰目標値データ、インターバルタイ
ムτ１の数値データ及びホールドモード選択用のモード
指定データをそれぞれ入力し得る第６、第７、第８及び
第９の設定操作子とを含んでなる。

このようにしてマニュアル設定操作子群８０Ａの各設定
操作子は、被施術者の体調、体質や、施術する部位、皮
膚の種類、状態、脱毛すべき毛の質などの脱毛施術条件
に最適な数値データを必要に応じて施術者が入力し、こ
れにより１回の施術に用いられる施術条件を組み合わせ
ることによりパターン化し得る。

この実施例の場合当該設定条件パターンは、マニュアル
指定動作モード及びライト指定動作モードのいずれか一
方の動作モードで処理される。

マニュアル指定動作モードは、マニュアル設定操作子群
８０Ａによって入力された設定データをそのまま用いて
脱毛施術をする動作モードで、施術者はマニュアル指定
ボタン８０Ｂを選択操作することによって当該動作モー
ドを選択し得る。

これに対してライト指定動作モードは、マニュアル設定
操作子群８０Ａによって入力された施術条件パターンを
予めデータメモリ部８４に蓄積しておき、必要に応じて
当該蓄積させた施術条件パターンを指定することによっ
て脱毛施術をするもので、施術者はライト指定ボタン８
０Ｇを指定操作すると同時に施術条件パターン番号を表
す操作子ボタンでなるパターン選択操作ボタン８０Ｄを
指定操作することによりパターン番号を付してパターン
データをデータメモリ部８４に格納すると共に、ライト
指定ボタン８０Ｃを操作せずにパターン選択操作ボタン
８０Ｄを指定操作することによって対応する施術条件パ
ターン番号のパターンデータを読み出すことができるよ
うになされている。

この実施例の場合、データメモリ部８４は第１２図に示
すように、操作パネル８０のマニュアル設定操作子群８
０Ａが操作されたとき当該入力データを取り込むマニュ
アル設定データメモリＭ１と、前回のデータ入力処理に
よってマニュアル設定データメモリＭ１に取り込まれて
いた入力データを記録する前回入力データメモリＭ２と
、マニュアル設定データメモリＭ１及び前回入力データ
メモリＭ２が一敗しない状態になったとき、当該一致し
ない部分のデータのアドレス及び数値データを表す変化
分データを記憶する変化分データメモリＭ３と、脱毛器
本体２に対する脱毛施術条件設定信号Ｓ□。となる出力
データを記憶する出力データメモリＭ４と、初期設定時
に脱毛器本体２に供給すべき第０番目のパターンデータ
でなる開始パターンデータと、施術者によって設定入力
されたパターンデータでなる第１〜第１６番目のパター
ンデータとを記憶するパターン設定データメモリＭ５と
を有する。

パターン設定装置部１５のＣＰ、ＵＯ３は第１３図に示
すパターン設定データ処理手順に従って施術者が操作パ
ネル８０を用いて入力したデータに基づいて脱毛器本体
２の動作条件をパターン設定データに基づいて設定する
。

すなわちＣＰＵ８２はパターン設定装置部１５が電源を
投入して動作状態になったとき、ステップＳＰＩから当
該パターン設定データ処理手順に入り、ステップＳＰ２
においてデータメモリ部８４のすべてのメモリＭｌ〜Ｍ
５をオールクリアした後、　ステップＳＰ３においてパ
ターン設定データメモリＭ５に第０番目のプログラムデ
ータとして記憶されている開始パターンデータを出力デ
ータメモリＭ４に転送することにより、脱毛器本体２に
対する脱毛施術設定信号Ｓ□６として実用玉輿型的な脱
毛施術をなし得る脱毛施術設定信号Ｓ　ｐＨ＋＋を送出
できるような状態に設定する。

続いてＣＰＵ８２はステップＳＰ４において操作パネル
８０に設けられたスタートボタン８０Ｅが操作されるの
を待ち受ける状態になる。

このスタートボタン８０Ｅは、施術者が操作パネル８０
において所望のデータを設定操作し終わった後、当該設
定したデータについてのデータ処理動作を開始させる命
令を施術者の入力操作に基づいて発生させるものである
。

実際上施術者は、ＣＰＵ８２がステップＳＰ４において
スタートボタン８０Ｅがオン動作するのを待ち受けてい
るタイミングにおいて、操作パネル８０のマニュアル設
定操作子群８０Ａ、マニュアル指定ボタン８０Ｂ１ライ
ト指定ボタン８０Ｃ及びパターン選択操作ボタン８０Ｄ
を操作することによって施術条件を設定する。

かくして施術者が施術条件を設定した後スタートボタン
８０Ｅを操作すると、ＣＰＵ８２はこれをステップＳＰ
４において肯定結果を得ることにより判別してステップ
ＳＰ５に移り、操作パネル８０のマニュアル設定操作子
群８０Ａによって設定された設定データをスキャンして
マニュアル設定データメモリＭ１に書き込み、かつそれ
以前にマニュアル設定データメモリＭ１に保持していた
データ（すなわち前回の設定操作によって設定されたデ
ータ）を前回入力データメモリＭ２に転送する。

続いてＣＰＵ８２はステップＳＰ６に移ってマニュアル
指定ボタン８０Ｂがオン操作されたか否かを判断する。

　ここで肯定結果が得られると、このことは現在のデー
タ処理サイクルにおいてマニュアル設定操作子群８０Ａ
を脱毛施術設定信号Ｓ□Ｇとして送出することにより脱
毛器本体２を現在入力した設定条件を用いて脱毛施術を
すべきことが指定入力されたことを意味する。

そこでＣＰＵ８２はステップＳＰ７においてマニュアル
設定データメモリＭ１のデータを出力データメモリＭ４
に転送した後、ステップＳＰ８に移って出力データメモ
リＭ４のデータを入出力装置８５、ディジタル／アナロ
グ変換回路８６を通じて脱毛施術設定信号Ｓ□。とじて
脱毛器本体２に出力させる。

このとき脱毛器本体２は脱毛施術設定信号Ｓ□６として
第１〜第９の設定信号、すなわちクロック周波数設定信
号ＳＰ１□〜ホールド選択信号Ｓ□、を高周波出力回路
２６（第２図）及び直流出力回路２２（第５図）に送出
して上述のステップＳＰ４の待受状態に戻る。

かくしてＣＰＵ８４は施術者によってマニュアル指定ボ
タン８０Ｂが操作されたときこれを優先的なデータ処理
条件としてステップＳＰ６において検出してマニュアル
設定操作子群８０Ａにマニュアル設定された脱毛施術設
定条件の下に脱毛器本体２を動作させる。

これに対してステップＳＰ６において否定結果が得られ
ると、このことは施術者がマニュアル設定による脱毛施
術を指定しなかったことを意味し、このときＣＰＵ８２
はステップＳＰ９に移ってマニュアル設定データメモリ
Ｍ１及び前回入力データメモリＭ２のデータが相違する
かどうかの判断をする。

ここで肯定結果が得られると、このことは現在マニュア
ル設定操作子群８０Ａによって設定されたデータが前回
設定されたデータとは異なることを意味し、このときＣ
ＰＵ８２はステップ５ＰＩＯにおいてマニュアル設定デ
ータメモリＭ１及び前回入力データメモリＭ２の変化部
分を検出して当該変化した部分のデータだけを変化分デ
ータメモリＭ３に書き込んだ後、ステップ５ＰＩＩにお
いて出力データメモリＭ４のうち変化分データメモリＭ
３に記憶された変化分データの部分だけを書き換える。

かくして出力データメモリＭ４のデータのうち、変化し
なかった部分のデータは改めて書き直すことなくそのま
ま利用して出力データを形成できることにより、この分
層時間の間に出力データを書き換えることができる。

その後ＣＰＵ８２はステップ５Ｐ１２においてマニュア
ル設定データメモリＭ１のデータを前回入力データメモ
リＭ２に転送した後、ステップ５Ｐ１３において変化分
データメモリＭ３をクリアして上述のステップＳＰ８に
移り、これにより新たに書き換えられた出力データを出
力データメモＩＪ　Ｍ　４から脱毛器本体２へ出力した
後、上述のステップＳＰ４に戻る。

またステップＳＰ９において否定結果が得られると、こ
のことは現在の入力データの処理においてマニュアル設
定操作子群８０Ａから入力されたマニュアル設定データ
が前回設定されたデータと同じであるのでデータを書き
換える必要がないことを意味する。このときＣＰＵ８２
はステップ５Ｐ１４に移ってパターン選択操作ボタン８
０Ｄがオン操作さたか否かの判断をする。

ここで否定結果が得られると、このことは施術者が施術
条件を設定せずに誤ってスタートボタン８０Ｅを操作し
たことを意味し、このときＣＰＵ８２は直ちに上述のス
テップＳＰ４に戻る。

これに対してステップ５Ｐ１４において肯定結果が得ら
れると、このことは施術者が現在マニュアル設定操作子
群８０Ａによって設定入力したデータをパターン設定デ
ータとして登録しようとしているか、又はデータメモリ
部８４に予め格納されているパターン設定データを用い
て脱毛施術しようとしていることを意味している。この
ときＣＰＵ８２はステップ５Ｐ１５に移ってライト指定
ボタンがオン操作されたか否かを判断し、肯定結果が得
られたとき出力データメモリＭ４のデータをパターン設
定データメモリＭ５のうちパターン選択操作ボタン８０
０によって指定されたパターン番号のメモリエリアに格
納した後、上述のステップＳＰ４に戻る。

これに対してステップ５Ｐ１５において否定結果が得ら
れると、ＣＰ−Ｕ８２はステップ５Ｐ１７に移ってパタ
ーン設定データメモリＭ５のうちパターン選択操作ボタ
ン８０Ｄによって選択指定されたパターン番号のパター
ン設定データを読み出して出力データメモリＭ４に転送
した後、ステップＳＰ８において、当該転送されたデー
タに基づいて動作条件を脱毛器本体２に設定した後、上
述のステップＳＰ４に戻る。

かくしてＣＰＵ８２はデータメモリ部８４に予めパター
ン設定データとして格納されたパターンデータのうち、
パターン選択操作ボタン８０Ｄによって選択指定された
パターンデータをパターン設定データメモリＭ５から引
き出して脱毛器本体２を制御する。

第１Ｏ図〜第１３回の構成によれば、予めパターン設定
データメモリＭ５にパターンデータとして設定したパタ
ーン設定データをパターン選択操作ボタン８０Ｄのうち
の１つを選択操作するだけで脱毛施術に必要な施術条件
を一挙に設定することができ、かくして脱毛施術の操作
を一段と簡易化し得ると共に、パターンデータとして、
被施術者の体調、体質などや、施術する部位、皮膚の種
類、状態、脱毛すべき毛の質などの脱毛施術条件に適応
するパターンデータを必要に応じて用意することができ
ることにより、多様な脱毛施術条件に適応して常に最適
な施術条件の下に脱毛施術をなし得る美容脱毛装置を容
易に実現し得る。

かくするにつき、第１３図のステップＳＰ６について上
述したように、マニュアル指定ボタン８０Ｂがオン操作
されたか否かを判断することにより、マニュアル操作が
選択されたときには優先的に当該マニュアル設定条件を
採用するようにしたことにより、−段と好適な脱毛施術
を実現し得る。

さらにステップ５Ｐ９−３Ｐ１０−３Ｐ１１−３Ｐ　１
２−３Ｐ　１３−３Ｐ８のループを設けるようにしたこ
とにより、順次続く設定操作において、変更されなかっ
たデータが有るときにはこれをそのまま利用できるよう
にしたことにより、効率良く設定データの書き換え処理
をなし得るパターン設定装置を容易に実現し得る。

〔５〕美容脱毛施術 以上の構成において美容脱毛施術をする際、施術者はプ
ローブ４の針状導子４Ａを脱毛しようとする毛包に１つ
づつ順次挿入した後、高周波用フットスイッチ２７及び
直流用フットスイッチ２３を操作する。

このとき直流脱毛出力形成部１２には時間制御回路２４
において遅延タイミング時間τ。たけ遅延した時点で遅
延オンオフ信号Ｓ１２が与えられることにより、高周波
脱毛出力形成部１１から送出される高周波脱毛出力Ｓ１
により毛包が加熱した状態を得た後、直流脱毛出力形成
部１２から送出される直流脱毛出力Ｓ２によって電気分
解法に基づく脱毛施術がなされる。

かくするにつき、高周波脱毛出力３１及び直流脱毛出力
Ｓ２のエンベロープ波形についてのパラメータをパター
ン化してパターン設定情報として予め用意し、当該パタ
ーン設定情報を必要に応じて選択して脱毛器本体２に対
して脱毛施術条件設定信号Ｓ　ＰＩＩＧとして供給でき
るようにしたことにより、被施術者の体調や体質、並び
に施術する部位、皮膚の種類、状態、脱毛すべき毛の質
等の多様な脱毛施術条件に最適な施術条件を通用するこ
とができ、かくして−段と快適な脱毛施術をなし得る美
容脱毛装置を容易に実現し得る。

因に、設定信号Ｓ□□及びＳＦＩＧｇによって高周波脱
毛出力Ｓ１に対してエンベロープを付与するようにした
ことにより、高周波脱毛出力Ｓ１に基づいて被施術者に
無用な不快感を与えるおそれを有効に回避し得る。

さらに設定信号Ｓ□６４及び５ＰＩＧＳによって直流脱
毛出力２に対してエンベロープを付与できるようにし、
また設定信号Ｓ□。、Ｓ□１及びＳ□。

によってエンベロープを付与し又は付与しない直流脱毛
出力の信号レベルを施術時間の経過に従って減衰させる
ことができるようにしたことにより、被施術者の体調、
体質等の施術条件に適合した直流脱毛出力を用いて効率
的な脱毛施術をなし得る。

すなわち、施術者は必要に応じてホールド選択スイッチ
回路７１を切り換えることにより、波形制御信号３５２
にエンベロープ波形を付与させるようにしたり、又は付
与させないようにするような条件を必要に応じて選択で
きる。

また、放電用抵抗７３Ｇの抵抗値を調整することにより
、減衰量＆１Ｋ１１、Ｋ１２・・・・・・（第８図）で
示すように、減衰率を施術条件に応じて変更することが
できる。

また施術者が放ｔ′ｒ！Ｘ圧設定用抵抗７３Ｄの抵抗値
を必要に応じて調整することにより、減衰曲線に１１１
、Ｋ１１２・・・・・・（第９図）で示すように、波形
制御信号Ｓ５２の減衰目標値を必要に応じて調整できる
ことにより、時間の経過に従って生ずる減衰量を施術条
件に応じて選択することができる。

さらに直流用フットスイッチ２３をオンオフ操作するに
つき、設定信号５ＰＩＩＧ３及び５ＰＩＧＩによって、
時間τ。を制御することにより直流脱毛のタイミングを
最適値に設定し、また操作インターバル時間τ、が基準
インターバル時間τ、と比較して時間τ、がτ、より長
くなったとき減衰波形を自動的にリセットさせることが
できるようにしたことにより、被施術者に対して無用に
不快感を与えることなく効率良く脱毛施術を続けること
ができる。

〔６〕他の実施例 （１）上述の実施例においては、エンベロープ波形メモ
リ５３としてアナログ電圧値でなるサンプリング波形値
を記憶するようにした場合について述べたが、これに代
え、ディジタル電圧値でなるサンプリング波形値を記憶
するようにしても、上述の場合と同様の効果を得ること
ができる。

（２）上述の実施例においては、高周波脱毛出力Ｓ１及
び直流脱毛出力Ｓ２の両方についてそのエンベロープ波
形を制御するようにしたが、そのいずれか一方について
は制御しないようにしても良い。

（３）上述の実施例においては、パターン設定データを
構成する脱毛施術条件として、　高周波出力回路２６に
ついてクロック周波数設定信号５ＰＲＧＩ及びサンプリ
ング波形値設定信号５ＰＩＧｔを用い、また直流出力回
路２２について遅延時間設定信号Ｓｐｉ＠ｓ、クロック
周波数設定信号５ＦＩＩＧ４、サンプリング波形値設定
信号Ｓ□。、減衰率設定信号Ｓ□二４、減衰目標値設定
信号Ｓ　ＰＩＯ’ｌ、インターバルタイム設定信号Ｓ□
。及びホールド選択信号Ｓ□。、を用いるようにしたが
、脱毛施術条件はこれに限らず、その一部を省略し、又
は他の条件を追加するようにしても良い。

〔発明の効果〕

上述のように本発明によれば、脱毛出力にエンベロープ
波形、減衰波形を付与するにつき、予めパターン化した
パターンデータを用意し得るようにしたことにより、被
施術者に不快感を与えずにしかも効率良く脱毛施術がで
きる美容脱毛装置を容易に実現し得る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による美容脱毛装置の全体構成を示すブ
ロック図、第２図は第１図の高周波出力回路の詳細構成
を示すブロック図、第３図は第２図の各部の信号を示す
信号波形図、第４図は第２図のエンベロープ波形メモリ
５３の詳細構成を示す接続図、第５図は第１図の直流出
力回路２２の詳細構成を示すブロック図、第６図は第５
図の減衰波形付与回路６５の構成を示す系統的接続図、
第７図は第６図の減衰機能の説明に供する信号波形図、
第８図及び第９図は減衰特性の説明に供する特性曲線図
、第１０図はパターン設定装置部１５の詳細構成を示す
ブロック図、第１１図及び第１２図は第１０図の操作パ
ネル８０及びデータメモリ部８４の詳細構成を示す路線
図、第１３図は第１θ図のＣＰＵ８２のパターン設定デ
ータ処理手順を示すフローチャートである。 ｌ・・・・・・美容脱毛装置、２・・・・・・脱毛器本
体、４・・・・・・プローブ、１１・・・・・・高周波
脱毛出力形成部、１２・・・・・・直流脱毛出力形成部
、１３・・・・・・光脱毛出力形成部、１４・・・・・
・冷却風形成部、１５・・・・・・パターン設定装置部
、３２・・・・・・握り導子、４５・・・・・・アフタ
ケア用ローラ、５１，６１・・・・・・クロック発生回
路、５２．６２・・・・・・スイッチ信号形成回路、５
３．６３・・・・・・エンベロープ波形メモリ、５４．
６４・・・・・・波形整形回路、６５・・・・・・減衰
波形付与回路、８０・・・・・・操作パネル、８２・・
・・・・ＣＰＵ、８４・・・・・・データメモリ部。 高側液獣力回１各の眸る田 第 図 ６威嚢ミ皮形イ寸与回路の詳に田 第 図 第 図 沫衰ミ皮形の調ｉ 第　８　図 ミ政衰浪形の謁Ｐ堅 第　デ　図 パター＞校定に置部の１１戊 ８７０　図 棟イ乍パ冬ルの構成 第　１１　　　図 デ°−タメモリ部の構成 ＠　１２　　図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 毛包に差し込んだ針状導子に脱毛出力を供給して電流を
   流すことにより当該毛包について永久脱毛をする美容脱
   毛装置において、 上記脱毛出力にエンベロープ波形を付与するエンベロー
   プ付与手段と、 上記エンベロープ波形が付与された上記脱毛出力に所定
   の変化を生じさせるための条件を表すパターン設定情報
   を発生するパターン設定手段とを具えることを特徴とす
   る美容脱毛装置。