JPH03167732A - 含浸型陰極構体 - Google Patents

含浸型陰極構体

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JPH03167732A
JPH03167732A JP1307092A JP30709289A JPH03167732A JP H03167732 A JPH03167732 A JP H03167732A JP 1307092 A JP1307092 A JP 1307092A JP 30709289 A JP30709289 A JP 30709289A JP H03167732 A JPH03167732 A JP H03167732A
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cup
sleeve
cathode
outer diameter
impregnated
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Takeshi Yoshii
好井 毅
Toru Yakabe
矢壁 徹
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、カラー受像管等の電子管に使用される高1流
密度の含浸型陰極構体に関するものである、, (従来の技術) 近年、走査線を増加させて、解像度を改善したカラー受
像管や、超高周波対応受像管等の開発が要請されている
とともに、投写管等においてら、輝度の向上が望まれて
いる。
これらの要請に応えるには、陰極から放出する電子の密
度を大幅に増加させる必要があるつところで、含浸型陰
極は、酸化物陰極に比べて、大きな電流密度を得られ、
寿命も長いことから、これまでは、主に、撮像管、進行
波管、クライストロン等の電子管に用いられてきたか、
今後は、カラー受像管の分野でも需要の拡大が予想され
る。
このような含浸型陰極構体として、第4図に示すように
、エミッタ(電子放射物質)を含浸した短円柱状の陰極
基体1を、有底短円筒状のカソプ2に収納してろう材3
を介して固着し、このカップ2をその底部側から円笥状
のスリーブ4の一端開口部に挿入し、このスリーブ・1
の一端開口部に上記陰極基体tを露出さけた状態で、カ
ップ2をスリーブ4に固定し、このスリーブ4にヒータ
5を内装するようにし、さらに、このスリーブ4を円筒
状のホルダ6の中央部に複数のストラップ7を介して同
軸上に固定支持したものがある。
ところで、このような構造では、カップ2をスリーブ4
に挿入し易くするために、カップ2の外径をスリーブ4
の内径よりも小さくする必要がある。
このため、組立てた状態で、スリーブ4とカップ2の間
には常に隙間か存在し、陰極線管に紐込んだ動作状態で
、スリーブ4からカップ2及び陰極基体1に対する熱の
伝導が十分に行なわれないことと、ヒータ5からの輻射
熱がスリーブ4とカップ2の間の隙間から漏れることか
ら、陰極基体1の温度が思ったように上昇しなかったり
、製品ごとの温度のばらつきが大きくなったりして、陰
極線管の初期特性のばらつきが発生するという問題があ
った。
なお、ヒータ5のパワーによって陰極基体1の温度を上
げようとすると、消費電力が増加するだけでなく、ヒー
タ5自体の温度か上がるため、ヒータ5の変形、断線、
絶縁破壊等の問題が生じ、信頼性や耐久性が損なわれる
ことになる。
(発明が解決しようとする課題) 上述したように、従来の含浸型陰極構体では、スリーブ
とカップの間の隙間により、陰極基体の温度が思ったよ
うに上昇しなかったり、温度のばらつきが大きくなった
りして、初期特性のばらつきが発生するという問題があ
った。
本発明は、このような点に鑑みなされたもので、含浸型
陰極構体において、スリーブとカップの間の隙間をなく
すことにより、熱効率を向上させるとともに、温度を安
定させることを目的とするものである。
〔発明の構或〕
(課題を解決するための手段) 本発明は、エミッタを含浸した陰極基体と、この陰極基
体を収納して底部に固着したカップと、このカップを底
部側から挿入し上記陰極基体を一端開口部に露出させた
状態でカップを固定するスリーブと、このスリーブに内
装されるヒータとを具備した含浸型陰極構体において、
上記カップの底部の外径を上記スリーブの内径よりも小
さく形成するとともに、このカップの開口部の外径をス
ノーブの内径以上に形成したものである。
(作用) 本発明の含浸型陰極構体は、カップをスIJ一ブの内径
よりも小さい外径のカップの底部からス〕−ブ内に挿入
するので、挿入が容易にでき、そして、挿入し終わった
状態では、スリーブの内径以上の外径のカップの開口部
側の外周がスリーブの内周に密着するものである。
(実施例) 本発明の含浸型陰極構体の実施例を図面を参照して説明
する。
なお、実施例の説明に際しては、第4図に示した従来の
含浸型陰曙構体と同様の部分には同一の符号を付す。
第1図及び第2図に示す実施例において、1lはタンタ
ル、モリブデン等から成るカップで、このカップ11は
、プレス戊形により、すりばちのように径を変えた有底
短円筒状に形成され、板厚0.025mm,底部の外径
1.50mm,開口部の外径1.58mm,深さ0.4
mmである。
陰極基体1は、粒径か3〜10μmタングステン粉末を
成形し焼結して得た多孔質(ボーラス)タングステンの
ペレットの一端面にRu−〜10等のろう剤3層を形成
し、このペレットにBad.CaOSAl20,から成
るエミッタ(電子放射物質)を含浸したもので、直径1
.45mm、厚さ0.4mmの短円柱状である。
そして、上記陰極基体1を、ろうtオ3層がカップ11
の底部に位置するように、カップ11に挿入し、ろう材
3を介してカップI1の底部に溶接する。
スリーブ4は、タンタル、モリブデン等から成り、外径
1.60mm,長さ5mm,厚さ0.025 mmの円
筒状である。
そして、このスリーブ4の一端開口部に上記カソプ11
をその小径の底部側から挿入し、陰極基体1の表面を加
圧することにより、カップ11をスリーブ4内に完全に
挿入し、スリーブ4とカップ11を溶接固着する。
そして、このスリーブ4の他端外側部の3か所にそれぞ
れレニウムーモリブデン等から成る厚さ0.05mm,
幅0.4mmのリボン状のストラップ7の一端部を溶接
固着するとともに、この3枚のストラップ7の他端部を
コバールから成る円筒状のホルダ6の肩部の3か所に溶
接固着することにより、スリーブ4をホルダ6の中央部
にストラップ7を介して同軸上に固定支持する。
なお、スリーブ4にはヒータ5を内装するようになって
いる。
このように、この実施例の含浸型陰極構体は、スリーブ
4の内径よりも小さい外径のカップ11の底部をスリー
ブ4内に挿入してから、カップ11に固着した陰極基体
1の表面を加圧し、カップ11をその径の大きい開口部
まで全体的にスリーブ4内に強制的に挿入するので、ス
リーブ4に対するカップl1の挿入が容易で、挿入した
状態では、カップ11の開口部側の外周面とスリーブ4
の内周面は完全に密着した状態となり、この密着した部
分を溶接して両者を固着することができる。
したがって、スリーブ4とカップ1lの溶接時に、スリ
ーブ4の著しい変形や穴明きといった不具合が発生する
ことかなく、良好な溶接が可能となる。
この結果、スリーブ4からカップ11に対する熱伝導が
十分に行なわれることと、ヒータ5からの輻射熱がスリ
ーブ4とカップ11の間の漏れないことから、熱効率か
向上するとともに安定し、陰極基体1の温度が十分に上
昇し、温度も安定する。
なお、スリーブ4に対するカップ11の挿入と同様に、
カップ11に対する陰極基体1の挿入も容易となり、し
かも、陰極基体1の外周面とカップ1lの内周面との間
に隙間I2があるので、溶接の熱が陰極基体1に伝わり
難く、陰極基体↑に含浸したエミッタが溶接時の熱の影
響を受け難く、エミッタが変質し難いため、電子放射能
力が低下し難くなる。
第3図はこの実施例の含浸型陰極構体と第4図に示した
従来の構造の含浸型陰極構体のそれぞれの陰極温度を測
定して比較した図で、それぞれの含浸型陰極構体を電子
銃に組付け、この電子銃を測定用のガラス球に組込んだ
後、ガラス球を排気して電子銃を封止し、ヒータ5に6
.3V,60 0mAを印加し、熱的に安定する10分
後に陰極基体1の表面中央部の温度を光学的に測定した
結果をまとめたものである。
この結果、陰極温度の平均(×で示してある)が、従来
は978℃bであるのに対し、本発明のこの実施例では
1005℃bと、2 5 degも向上し、熱効率が良
くなっていることが理解でき、そして、陰極温度のばら
つき(線で範囲を示してある)も、本発明のこの実施例
では従来の約半分となっており、特性が安定しているこ
とがわかる。
なお、一般的に知られているように、含浸型陰極は、動
作温度が高いため、ヒータ5の温度も高くする必要があ
るが、ヒータ5の温度が高いと、ヒータ5とスリーブ4
やカップ11との絶縁破壊電圧が低下するなどの問題が
生じ易いので、同じヒ一夕5で陰極温度が高くなれば、
その分、ヒータ5に安全な方向に設計を行なうことがで
きるので、その効果は大である。
〔発明の効果〕
上述したように、本発明によれば、含浸型陰極構体にお
いて、カップをスリーブの内径よりも小さい外径のカッ
プの底部側からスリーブ内に挿入するので、挿入が容易
にてき、そして、挿入し終わった状態では、スリーブの
内径以上の外径のカップの開口部側の外周かスリーブの
内周に密着するので、動作時には、スリーブ内のヒータ
の熱をカップ内の陰極基体に効不的にかつ確実に伝える
ことができ、したがって、熱効率が向上するとともに安
定し、陰極温度が安定する結果、初期特性のばらつきが
発生しなくなる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の含d型陰極構体の実施例の一部を断面
にした斜視図、第2図はその要部の断面図、第3図はこ
の実施例と第4図に示した従来例の陰極温度の比較図、
第41図は従来の含ご1型陰曙構体の一部を断1栢にし
た斜視図である。 1 陰極基体、 4 ス J−ブ、 5 ヒ 一タ、 11 ・ カ ソ プ 。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)エミッタを含浸した陰極基体と、この陰極基体を
    収納して底部に固着したカップと、このカップを底部側
    から挿入し上記陰極基体を一端開口部に露出させた状態
    でカップを固定するスリーブと、このスリーブに内装さ
    れるヒータとを具備し、 上記カップの底部の外径を上記スリーブの内径よりも小
    さく形成するとともに、このカップの開口部の外径をス
    リーブの内径以上に形成したことを特徴とする含浸型陰
    極構体。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0553109U (ja) * 1991-12-17 1993-07-13 株式会社東芝 含浸型陰極構体
WO1996042100A1 (en) * 1995-06-09 1996-12-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Impregnated cathode structure, cathode substrate used for the structure, electron gun structure using the cathode structure, and electron tube

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03167735A (ja) * 1989-11-16 1991-07-19 Samsung Electron Devices Co Ltd 電子銃用の陰極とその製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03167735A (ja) * 1989-11-16 1991-07-19 Samsung Electron Devices Co Ltd 電子銃用の陰極とその製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0553109U (ja) * 1991-12-17 1993-07-13 株式会社東芝 含浸型陰極構体
WO1996042100A1 (en) * 1995-06-09 1996-12-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Impregnated cathode structure, cathode substrate used for the structure, electron gun structure using the cathode structure, and electron tube
US6034469A (en) * 1995-06-09 2000-03-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Impregnated type cathode assembly, cathode substrate for use in the assembly, electron gun using the assembly, and electron tube using the cathode assembly
US6304024B1 (en) 1995-06-09 2001-10-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Impregnated-type cathode substrate with large particle diameter low porosity region and small particle diameter high porosity region
US6447355B1 (en) 1995-06-09 2002-09-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Impregnated-type cathode substrate with large particle diameter low porosity region and small particle diameter high porosity region

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