JPH0316799B2 - - Google Patents
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- JPH0316799B2 JPH0316799B2 JP58056954A JP5695483A JPH0316799B2 JP H0316799 B2 JPH0316799 B2 JP H0316799B2 JP 58056954 A JP58056954 A JP 58056954A JP 5695483 A JP5695483 A JP 5695483A JP H0316799 B2 JPH0316799 B2 JP H0316799B2
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- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Description
本発明は金属薄膜電気抵抗層を内蔵する抵抗回
路基板に関する。 抵抗体を内蔵するプリント回路基板は、一般に
支持体を兼ねる絶縁層と該絶縁層上に接合された
金属薄膜電気抵抗層、及び該抵抗層に接合される
銅箔等の導電性金属層からなる積層体の形態で提
供され、プリント抵抗回路の製作に際しては、目
的とする回路のパターンに従つて絶縁領域（絶縁
層上の全層が除去される）、抵抗領域（導電性金
属層が除去される）、並びに導体領域（何れの層
も除去されない）が形成されて成品となる。 ところで金属薄膜電気抵抗層を内蔵する回路基
板では、高いシート抵抗を得るためには膜厚を薄
くする必要があると同時に、抵抗値のバラツキを
防止するため膜厚を均一にする必要もある。この
様な前提において従来の抵抗内蔵回路基板は次の
様な問題点ないし欠点を有していた。 ａ 銅箔等の導電性金属層に金属薄膜電気抵抗層
をメツキ等で積層し、さらにその上に絶縁支持
体を接合する回路基板の場合、抵抗層を薄層に
しかも均一に形成するためには下地たる銅箔の
表面を凹凸のない平滑なものとする必要があ
り、このため、絶縁支持体の接合力が十分に得
られない。特にニツケル系の抵抗層を形成する
場合、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリ
イミド樹脂等の絶縁支持体の接合は銅箔と直接
接合する場合よりも一層接着性が悪いことが知
られている。 ｂ エツチングにより回路形成する場合、エツチ
ング液に絶縁支持体が侵されやすく、その結
果、抵抗体層に歪が生じて性能の劣化を招きや
すい。例えば、本発明者らは均一電着性、平滑
性、エツチング選択性、合金メツキ組成の安定
性にすぐれた抵抗体層としてスズ−ニツケル合
金を提供（特公昭55−42510）すると共に、ス
ズ−ニツケル合金専用のエツチング液を提供
（特開昭55−104481）したが、この専用エツチ
ング液は良好なエツチングを行なうのに通常85
℃以上で行なわねばならず、したがつてエポキ
シ樹脂等を侵す。 ｃ 従来絶縁性支持体として一般に用いられてい
るエポキシ樹脂等は半田浸漬の如き熱的処理に
より歪が生じやすく、そのため抵抗値の変動を
生じやすい。 ｄ その他、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等絶
縁支持体では熱伝導性が悪く、放熱性及び耐熱
性からの制限によりシート抵抗の許容電力が制
限される。 本発明者らは上述の技術的問題点ないし欠点
を解決すべく鋭意研究の結果以下に示す本発明
を完成した。 すなわち、本発明の抵抗回路基板は、金属薄膜
電気抵抗層と、該抵抗層の片面側に電気的に接触
して接合された導電性金属層と、前記抵抗層の他
面側に接合された電気絶縁層とを有する回路基板
であつて、第１の発明はその電気絶縁層を合成樹
脂とアルミナ粉を配合した複合層から構成したも
のであり、第２の発明は電気絶縁層を、合成樹脂
とアルミナ粉の配合物をガラスクロスに含浸させ
てあるプリプレグから構成したものである。 さらに図面を参照して具体的に説明する。第１
図，第２図は抵抗回路基板の断面図である。第１
図において、金属薄膜電気抵抗層２の両側に導電
性金属層１と電気絶縁層３が接合されている。そ
して第１の発明はこの電気絶縁層３が合成樹脂と
アルミナ粉を配合した複合層から構成されてお
り、第２の発明は電気絶縁層３が合成樹脂とアル
ミナ粉の配合物をガラスクロスに含浸させたプリ
プレグから構成されている。この場合、電気絶縁
層３を比較的厚く形成することにより回路基板の
支持体として兼用させることもできる。また第２
図に示す如く、電気絶縁層３にさらに専用の金属
支持体４を接合したものとしてもよい。プリプレ
グ等を厚く形成する場合は、これを複数枚重ねて
行なう。 本発明において、合成樹脂としてエポキシ樹
脂、ポリイミド樹脂等を用いるが、これらの樹脂
100部に対してアルミナ粉を150〜250部配合した
ものを用いるのがよい。また放熱性改良のために
はアルミナ粉の粒子が１〜50μmの分布を示すも
のがよい。前記導電性金属層１としては例えば表
面が粗面化処理されていない数十ミクロンの銅箔
を用いる。また前記金属薄膜電気抵抗層２として
はSn−Ni系合金メツキ層を数百オングストロー
ム形成する。電気絶縁層３は、これを支持体とし
ても兼用させる場合には数ミリ程度とし、別に金
属支持体４を接合する場合は数十ミクロンないし
数百ミクロン程度とする。金層支持体４は同時に
放熱性の向上を図ることから、熱伝導性のよいア
ルミニウム板等が好ましく、アルミニウム板を用
いる場合には表面に５〜30μmのアルマイト層を
形成したものが接着力、耐電圧性も良好となる。
なお上記各層１，２，３の厚みは１つの目安であ
つて、これに限定されるものではない。 次に本発明の抵抗回路基板をその製造過程に沿
つて説明する。 導電性金属層１として例えば銅箔を用意し、そ
の片面をマスキング用シートで被覆し、脱脂、水
洗等を行なつた後、金属薄膜電気抵抗層２として
例えばSn−Ni合金、Sn−Ni−Ｓ合金を電気メツ
キする。次にマスキング用シートを剥離し、抵抗
層２側に電気絶縁層３として、アルミナ粉を配合
した合成樹脂シート、若しくはアルミナ粉と合成
樹脂の配合物をガラスクロスに含浸してなるプリ
プレグを熱圧着する。金属支持体４をさらに接合
する場合は、これを電気絶縁層３に熱圧着する。
この様にして形成された抵抗回路基板は、フオト
レジスト、エツチング液等を用いた周知の方法に
より、所望の抵抗付きパターン回路に構成され
る。 次に本発明の実施例を示し、従来例を比較例と
した性能比較試験を示す。 実施例 １ ・ 電気絶縁層３がガラスクロスを含まず、金属
支持体４を用いないもの。 (1) 導電性金属層１：35μmの電解銅箔、粗面
化処理なし。 (2) 金属薄膜電気抵抗層２：200ÅのSn−Ni電
気メツキ層、シート抵抗500Ω／□。 (3) 電気絶縁層３：ビスフエノール系エポキシ
樹脂100部、アルミナ粉250部（アルミナ70重
量パーセント）を配合したシート0.2mmを５
枚重ねて、厚み1.0mmとする。 実施例 ２ ・ 電気絶縁層３がガラスクロスを含まず、金属
支持体４を用いたもの。 (1) 導電性金属層１：実施例１と同じ。 (2) 金属薄膜電気抵抗層２：実施例１と同じ。 (3) 電気絶縁層３：実施例１と同じ。ただし、
層３の厚さを0.1mmとした。 (4) 金属支持体４：アルミニウム板、厚さ1.0
mm。 実施例 ３ ・ 電気絶縁層３がガラスクロスを含むプリプレ
グからなり、金属支持体４を用いないもの。 (1) 導電性金属層１：実施例１と同じ。 (2) 金属薄膜電気抵抗層２：実施例１と同じ。 (3) 電気絶縁層３：ビスフエノール系エポキシ
樹脂100部、アルミナ粉150部（アルミナ60重
量パーセント）の配合物を0.1mmのガラスク
ロスに含浸したプリプレグを10枚重ねて厚み
1.0mm。 実施例 ４ ・ 電気絶縁層３がガラスクロスを含むプリプレ
グからなり、金属支持体４を用いるもの。 (1) 導電性金属層１：実施例１と同じ。 (2) 金属薄膜電気抵抗層２：実施例１と同じ。 (3) 電気絶縁層３：実施例３と同じ。ただしプ
リプレグは１枚とし、厚さ0.1mm。 (4) 金属支持体４：アルミニウム板、厚さ1.0
mm。 上記実施例１〜４を比較されるべきアルミナ粉
の配合されていない従来例。 従来例 １ ・ 実施例２において、電気絶縁層３にアルミナ
粉を配合しないもの。 従来例 ２ ・ 実施例３において、電気絶縁層３にアルミナ
粉を配合しないもの。 性能比較試験は以下について行つた。 試験１：絶縁層３の接着力試験 金属薄膜電気抵抗層２と絶縁層３の間で180゜の
ピーリング試験を行つた。その結果、各実施例に
おいて従来例の２倍の接着力を有することが明ら
かとなつた。 試験２：絶縁層の耐腐食性 リン酸13.0mo1／ｌ，リン酸第２銅5.0×
10-3mo1／ｌの水溶液からなるエツチング液を用
い、85℃で浸漬した。その結果、各実施例は従来
例に比べ格段の耐食性を示した。 試験３：半田浸漬前後の抵抗変化 噴流式半田槽に260℃で20秒浸漬した。浸漬前
の抵抗値をR0、浸漬後の抵抗値をR1として、（R1
−R0）／R0の百分率を求めた。 その結果、アルミナ粉を含むものは含まないも
のに比べて大幅に改善され（R1−R0）／R0が１
％以下となつた。 試験４：定格電力 周囲温度70℃、負荷時間1000時間後の抵抗変化
率が0.3％になる電力を、抵抗の単位面積当りで
求めた。その結果、金属支持体（アルミニウム
板）による効果を除外して、各実施例は従来例の
２倍以上の定格電力を有した。 以上の試験結果を表１に示す。 さらに本発明者らは（ａ）電気絶縁層がアルミ
ナと合成樹脂からなる場合と、（ｂ）電気絶縁層
がアルミナと合成樹脂をガラスクロスに含浸した
プリプレグから構成される場合について、同一条
件で耐電圧を測つたところ、（ｂ）プリプレグと
した方が高いことがわかつた。また電気絶縁層を
支持体としてのアルミニウム板と導電性金属であ
る銅箔との間にサンドウイチしたものにつき、加
熱による基板のそりについて実験したが、その結
果も前記（ｂ）の
路基板に関する。 抵抗体を内蔵するプリント回路基板は、一般に
支持体を兼ねる絶縁層と該絶縁層上に接合された
金属薄膜電気抵抗層、及び該抵抗層に接合される
銅箔等の導電性金属層からなる積層体の形態で提
供され、プリント抵抗回路の製作に際しては、目
的とする回路のパターンに従つて絶縁領域（絶縁
層上の全層が除去される）、抵抗領域（導電性金
属層が除去される）、並びに導体領域（何れの層
も除去されない）が形成されて成品となる。 ところで金属薄膜電気抵抗層を内蔵する回路基
板では、高いシート抵抗を得るためには膜厚を薄
くする必要があると同時に、抵抗値のバラツキを
防止するため膜厚を均一にする必要もある。この
様な前提において従来の抵抗内蔵回路基板は次の
様な問題点ないし欠点を有していた。 ａ 銅箔等の導電性金属層に金属薄膜電気抵抗層
をメツキ等で積層し、さらにその上に絶縁支持
体を接合する回路基板の場合、抵抗層を薄層に
しかも均一に形成するためには下地たる銅箔の
表面を凹凸のない平滑なものとする必要があ
り、このため、絶縁支持体の接合力が十分に得
られない。特にニツケル系の抵抗層を形成する
場合、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリ
イミド樹脂等の絶縁支持体の接合は銅箔と直接
接合する場合よりも一層接着性が悪いことが知
られている。 ｂ エツチングにより回路形成する場合、エツチ
ング液に絶縁支持体が侵されやすく、その結
果、抵抗体層に歪が生じて性能の劣化を招きや
すい。例えば、本発明者らは均一電着性、平滑
性、エツチング選択性、合金メツキ組成の安定
性にすぐれた抵抗体層としてスズ−ニツケル合
金を提供（特公昭55−42510）すると共に、ス
ズ−ニツケル合金専用のエツチング液を提供
（特開昭55−104481）したが、この専用エツチ
ング液は良好なエツチングを行なうのに通常85
℃以上で行なわねばならず、したがつてエポキ
シ樹脂等を侵す。 ｃ 従来絶縁性支持体として一般に用いられてい
るエポキシ樹脂等は半田浸漬の如き熱的処理に
より歪が生じやすく、そのため抵抗値の変動を
生じやすい。 ｄ その他、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等絶
縁支持体では熱伝導性が悪く、放熱性及び耐熱
性からの制限によりシート抵抗の許容電力が制
限される。 本発明者らは上述の技術的問題点ないし欠点
を解決すべく鋭意研究の結果以下に示す本発明
を完成した。 すなわち、本発明の抵抗回路基板は、金属薄膜
電気抵抗層と、該抵抗層の片面側に電気的に接触
して接合された導電性金属層と、前記抵抗層の他
面側に接合された電気絶縁層とを有する回路基板
であつて、第１の発明はその電気絶縁層を合成樹
脂とアルミナ粉を配合した複合層から構成したも
のであり、第２の発明は電気絶縁層を、合成樹脂
とアルミナ粉の配合物をガラスクロスに含浸させ
てあるプリプレグから構成したものである。 さらに図面を参照して具体的に説明する。第１
図，第２図は抵抗回路基板の断面図である。第１
図において、金属薄膜電気抵抗層２の両側に導電
性金属層１と電気絶縁層３が接合されている。そ
して第１の発明はこの電気絶縁層３が合成樹脂と
アルミナ粉を配合した複合層から構成されてお
り、第２の発明は電気絶縁層３が合成樹脂とアル
ミナ粉の配合物をガラスクロスに含浸させたプリ
プレグから構成されている。この場合、電気絶縁
層３を比較的厚く形成することにより回路基板の
支持体として兼用させることもできる。また第２
図に示す如く、電気絶縁層３にさらに専用の金属
支持体４を接合したものとしてもよい。プリプレ
グ等を厚く形成する場合は、これを複数枚重ねて
行なう。 本発明において、合成樹脂としてエポキシ樹
脂、ポリイミド樹脂等を用いるが、これらの樹脂
100部に対してアルミナ粉を150〜250部配合した
ものを用いるのがよい。また放熱性改良のために
はアルミナ粉の粒子が１〜50μmの分布を示すも
のがよい。前記導電性金属層１としては例えば表
面が粗面化処理されていない数十ミクロンの銅箔
を用いる。また前記金属薄膜電気抵抗層２として
はSn−Ni系合金メツキ層を数百オングストロー
ム形成する。電気絶縁層３は、これを支持体とし
ても兼用させる場合には数ミリ程度とし、別に金
属支持体４を接合する場合は数十ミクロンないし
数百ミクロン程度とする。金層支持体４は同時に
放熱性の向上を図ることから、熱伝導性のよいア
ルミニウム板等が好ましく、アルミニウム板を用
いる場合には表面に５〜30μmのアルマイト層を
形成したものが接着力、耐電圧性も良好となる。
なお上記各層１，２，３の厚みは１つの目安であ
つて、これに限定されるものではない。 次に本発明の抵抗回路基板をその製造過程に沿
つて説明する。 導電性金属層１として例えば銅箔を用意し、そ
の片面をマスキング用シートで被覆し、脱脂、水
洗等を行なつた後、金属薄膜電気抵抗層２として
例えばSn−Ni合金、Sn−Ni−Ｓ合金を電気メツ
キする。次にマスキング用シートを剥離し、抵抗
層２側に電気絶縁層３として、アルミナ粉を配合
した合成樹脂シート、若しくはアルミナ粉と合成
樹脂の配合物をガラスクロスに含浸してなるプリ
プレグを熱圧着する。金属支持体４をさらに接合
する場合は、これを電気絶縁層３に熱圧着する。
この様にして形成された抵抗回路基板は、フオト
レジスト、エツチング液等を用いた周知の方法に
より、所望の抵抗付きパターン回路に構成され
る。 次に本発明の実施例を示し、従来例を比較例と
した性能比較試験を示す。 実施例 １ ・ 電気絶縁層３がガラスクロスを含まず、金属
支持体４を用いないもの。 (1) 導電性金属層１：35μmの電解銅箔、粗面
化処理なし。 (2) 金属薄膜電気抵抗層２：200ÅのSn−Ni電
気メツキ層、シート抵抗500Ω／□。 (3) 電気絶縁層３：ビスフエノール系エポキシ
樹脂100部、アルミナ粉250部（アルミナ70重
量パーセント）を配合したシート0.2mmを５
枚重ねて、厚み1.0mmとする。 実施例 ２ ・ 電気絶縁層３がガラスクロスを含まず、金属
支持体４を用いたもの。 (1) 導電性金属層１：実施例１と同じ。 (2) 金属薄膜電気抵抗層２：実施例１と同じ。 (3) 電気絶縁層３：実施例１と同じ。ただし、
層３の厚さを0.1mmとした。 (4) 金属支持体４：アルミニウム板、厚さ1.0
mm。 実施例 ３ ・ 電気絶縁層３がガラスクロスを含むプリプレ
グからなり、金属支持体４を用いないもの。 (1) 導電性金属層１：実施例１と同じ。 (2) 金属薄膜電気抵抗層２：実施例１と同じ。 (3) 電気絶縁層３：ビスフエノール系エポキシ
樹脂100部、アルミナ粉150部（アルミナ60重
量パーセント）の配合物を0.1mmのガラスク
ロスに含浸したプリプレグを10枚重ねて厚み
1.0mm。 実施例 ４ ・ 電気絶縁層３がガラスクロスを含むプリプレ
グからなり、金属支持体４を用いるもの。 (1) 導電性金属層１：実施例１と同じ。 (2) 金属薄膜電気抵抗層２：実施例１と同じ。 (3) 電気絶縁層３：実施例３と同じ。ただしプ
リプレグは１枚とし、厚さ0.1mm。 (4) 金属支持体４：アルミニウム板、厚さ1.0
mm。 上記実施例１〜４を比較されるべきアルミナ粉
の配合されていない従来例。 従来例 １ ・ 実施例２において、電気絶縁層３にアルミナ
粉を配合しないもの。 従来例 ２ ・ 実施例３において、電気絶縁層３にアルミナ
粉を配合しないもの。 性能比較試験は以下について行つた。 試験１：絶縁層３の接着力試験 金属薄膜電気抵抗層２と絶縁層３の間で180゜の
ピーリング試験を行つた。その結果、各実施例に
おいて従来例の２倍の接着力を有することが明ら
かとなつた。 試験２：絶縁層の耐腐食性 リン酸13.0mo1／ｌ，リン酸第２銅5.0×
10-3mo1／ｌの水溶液からなるエツチング液を用
い、85℃で浸漬した。その結果、各実施例は従来
例に比べ格段の耐食性を示した。 試験３：半田浸漬前後の抵抗変化 噴流式半田槽に260℃で20秒浸漬した。浸漬前
の抵抗値をR0、浸漬後の抵抗値をR1として、（R1
−R0）／R0の百分率を求めた。 その結果、アルミナ粉を含むものは含まないも
のに比べて大幅に改善され（R1−R0）／R0が１
％以下となつた。 試験４：定格電力 周囲温度70℃、負荷時間1000時間後の抵抗変化
率が0.3％になる電力を、抵抗の単位面積当りで
求めた。その結果、金属支持体（アルミニウム
板）による効果を除外して、各実施例は従来例の
２倍以上の定格電力を有した。 以上の試験結果を表１に示す。 さらに本発明者らは（ａ）電気絶縁層がアルミ
ナと合成樹脂からなる場合と、（ｂ）電気絶縁層
がアルミナと合成樹脂をガラスクロスに含浸した
プリプレグから構成される場合について、同一条
件で耐電圧を測つたところ、（ｂ）プリプレグと
した方が高いことがわかつた。また電気絶縁層を
支持体としてのアルミニウム板と導電性金属であ
る銅箔との間にサンドウイチしたものにつき、加
熱による基板のそりについて実験したが、その結
果も前記（ｂ）の
【表】
【表】
プリプレグからなる絶縁層がサンドウイチされて
いる方が基板のそりが少ないことが明らかとなつ
た。すなわち、プリプレグとした方が基板のそ
り、耐電圧の点で良好であることがわかつた。 本発明の効果 以上の構成よりなる第１の発明，第２の発明に
よれば次の如き効果を奏する。 電気絶縁層３と金属薄膜電気抵抗層２との接
合性が大幅に改善される。 よつてその製造においてもロールラミネート加工
等が容易となる。 エツチング液等に対する電気絶縁層３の耐食
性が大幅に改善される。すなわち抵抗回路形成
過程等における薄膜抵抗層の歪発生が防止さ
れ、高性能の抵抗回路を作ることができる。 半田浸漬など熱衝撃に対しても歪の発生が十
分に防止され、安定した抵抗性能を保持するこ
とができる。 アルミナ粉配合により、放熱性が改善される
ので、抵抗体に対する許容電力を増大すること
ができる。この場合、絶縁層３に支持体４とし
てアルミニウム板等を接合すれば、一層放熱性
が改善される。
いる方が基板のそりが少ないことが明らかとなつ
た。すなわち、プリプレグとした方が基板のそ
り、耐電圧の点で良好であることがわかつた。 本発明の効果 以上の構成よりなる第１の発明，第２の発明に
よれば次の如き効果を奏する。 電気絶縁層３と金属薄膜電気抵抗層２との接
合性が大幅に改善される。 よつてその製造においてもロールラミネート加工
等が容易となる。 エツチング液等に対する電気絶縁層３の耐食
性が大幅に改善される。すなわち抵抗回路形成
過程等における薄膜抵抗層の歪発生が防止さ
れ、高性能の抵抗回路を作ることができる。 半田浸漬など熱衝撃に対しても歪の発生が十
分に防止され、安定した抵抗性能を保持するこ
とができる。 アルミナ粉配合により、放熱性が改善される
ので、抵抗体に対する許容電力を増大すること
ができる。この場合、絶縁層３に支持体４とし
てアルミニウム板等を接合すれば、一層放熱性
が改善される。
第１図，第２図は各々発明の具体例を示す抵抗
体回路基板の断面図である。 １……導電性金属層、２……金属薄膜電気抵抗
層、３……電気絶縁層、４……金属支持体。
体回路基板の断面図である。 １……導電性金属層、２……金属薄膜電気抵抗
層、３……電気絶縁層、４……金属支持体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 金属薄膜電気抵抗層と、その抵抗層の片面側
に電気的に接触して接合された導電性金属層と、
上記抵抗層の他面側に接合された電気絶縁層とを
有する抵抗回路基板であつて、上記電気絶縁層が
合成樹脂とアルミナ粉を配合した複合層によつて
構成され、かつ、その配合比はアルミナ粉が40〜
70重量パーセントであることを特徴とする抵抗回
路基板。 ２ 上記電気絶縁層の合成樹脂がエポキシ樹脂で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の抵抗回路基板。 ３ 上記電気絶縁層の合成樹脂がポリイミド樹脂
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の抵抗回路基板。 ４ 上記金属薄膜電気抵抗層がスズ−ニツケル合
金であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項、第２項もしくは第３項記載の抵抗回路基板。 ５ 上記電気絶縁層を厚く形成して当該基板の支
持体としたことを特徴とする、特許請求の範囲第
１項、第２項、第３項、もしくは第４項記載の抵
抗回路基板。 ６ 上記電気絶縁層が金属板支持体に接合されて
いることを特徴とする、特許請求の範囲第１項、
第２項、第３項もしくは第４項記載の抵抗回路基
板。 ７ 上記金属板支持体がアルミニウム板であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第６項記載の抵抗
回路基板。 ８ 上記アルミニウム板の表面が10〜200μmのア
ルマイト層で被覆されていることを特徴とする特
許請求の範囲第７項記載の抵抗回路基板。 ９ 金属薄膜電気抵抗層と、その抵抗層の片面側
に電気的に接合された導電性金属層と、上記抵抗
層の他面側に接合された電気絶縁層とを有する抵
抗回路基板であつて、上記電気絶縁層が、アルミ
ナ粉の配合比が40〜70重量パーセントであるアル
ミナ粉と合成樹脂との複合物を、ガラスクロスに
含浸して形成したプリプレグによつて構成されて
いることを特徴とする抵抗回路基板。 １０ 上記電気絶縁層の合成樹脂がエポキシ樹脂
であることを特徴とする特許請求の範囲第９項記
載の抵抗回路基板。 １１ 上記電気絶縁層の合成樹脂がポリイミド樹
脂であることを特徴とする特許請求の範囲第９項
記載の抵抗回路基板。 １２ 上記金属薄膜電気抵抗層がスズ−ニツケル
合金であることを特徴とする、特許請求の範囲第
９項、第１０項もしくは第１１項記載の抵抗回路
基板。 １３ 上記プリプレグを複数枚重ねて上記電気絶
縁層を厚く形成して当該基板の支持体としたこと
を特徴とする、特許請求の範囲第９項、第１０
項、第１１項もしくは第１２項記載の抵抗回路基
板。 １４ 上記電気絶縁層が金属板支持体に接合され
ていることを特徴とする、特許請求の範囲第９
項、第１０項、第１１項もしくは第１２項記載の
抵抗回路基板。 １５ 上記金属板支持体がアルミニウム板である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１４項記載の
抵抗回路基板。 １６ 上記アルミニウム板の表面が10〜200μmの
アルマイト層で被覆されていることを特徴とする
特許請求の範囲第１５項記載の抵抗回路基板。 １７〜２０項は削除する。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58056954A JPS59182592A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 抵抗回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58056954A JPS59182592A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 抵抗回路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59182592A JPS59182592A (ja) | 1984-10-17 |
| JPH0316799B2 true JPH0316799B2 (ja) | 1991-03-06 |
Family
ID=13041933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58056954A Granted JPS59182592A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 抵抗回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59182592A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61137391A (ja) * | 1984-12-10 | 1986-06-25 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 印刷配線用成形体の製造法 |
| EP1191551B1 (en) * | 2000-09-22 | 2005-11-23 | Nikko Materials USA, Inc. | Resistor component with multiple layers of resistive material |
| WO2003088276A1 (en) * | 2002-04-02 | 2003-10-23 | Toyo Kohan Co., Ltd. | Resistor film laminate, method for manufacturing resistor film laminate, component comprising resistor film laminate, and method for manufacturing component comprising resistor film laminate |
| WO2011018842A1 (ja) * | 2009-08-11 | 2011-02-17 | 釜屋電機株式会社 | 低抵抗のチップ形抵抗器とその製造方法 |
| CN104952569A (zh) * | 2009-08-11 | 2015-09-30 | 釜屋电机株式会社 | 低电阻的片形电阻器及其制造方法 |
| JP2017152417A (ja) * | 2016-02-22 | 2017-08-31 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | チップ抵抗器 |
-
1983
- 1983-03-31 JP JP58056954A patent/JPS59182592A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59182592A (ja) | 1984-10-17 |
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