JPH03169012A - 半導体基板異物除去装置 - Google Patents
半導体基板異物除去装置Info
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- JPH03169012A JPH03169012A JP31016789A JP31016789A JPH03169012A JP H03169012 A JPH03169012 A JP H03169012A JP 31016789 A JP31016789 A JP 31016789A JP 31016789 A JP31016789 A JP 31016789A JP H03169012 A JPH03169012 A JP H03169012A
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- semiconductor substrate
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Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体製造装置に関し、特に半導体基板の異
物を除去する半導体基板異物除去装置に関する。
物を除去する半導体基板異物除去装置に関する。
従来、この半導体基板上に付着した異物を除去する方法
は、例えば、純水や薬液を溜めた槽の中に、半導体基板
を収納したキャリアを浸し、槽内で振動したり、あるい
は超音波振動を与え、異物を除去したり、または、半導
体基板を吸着した支持体を回転させながらこの半導体基
板表面に液体を滴下し、回転するブラシにて異物を除去
する方法が用いられてきた。
は、例えば、純水や薬液を溜めた槽の中に、半導体基板
を収納したキャリアを浸し、槽内で振動したり、あるい
は超音波振動を与え、異物を除去したり、または、半導
体基板を吸着した支持体を回転させながらこの半導体基
板表面に液体を滴下し、回転するブラシにて異物を除去
する方法が用いられてきた。
第３図は従来の半導体基板異物除去装置の一例を説明す
るための概略を示す図である。従来、この種の半導体基
板異物除去装置は、同図に示すように、半導体基板３を
吸着し固定するとともに高速回転するチャック１２と、
半導体基板３に洗浄液である液体９を滴下する供給管１
１と、回転する半導体基板３の表面を拭く回転ブラシ１
０とで構成されている。このような装置を用いて、半導
体基板３に付着していた異物を機械的に拭き取り除去し
ていた。
るための概略を示す図である。従来、この種の半導体基
板異物除去装置は、同図に示すように、半導体基板３を
吸着し固定するとともに高速回転するチャック１２と、
半導体基板３に洗浄液である液体９を滴下する供給管１
１と、回転する半導体基板３の表面を拭く回転ブラシ１
０とで構成されている。このような装置を用いて、半導
体基板３に付着していた異物を機械的に拭き取り除去し
ていた。
上述した従来の半導体基板異物除去装置では、異物を除
去するのに、液体を使用したり、回転ブラシで半導体基
板をブラッシングを行なうため、半導体基板にホトエッ
チング用のレジストが付いている場合には使用出来ない
などの適用される工程により限定されるという欠点があ
る。
去するのに、液体を使用したり、回転ブラシで半導体基
板をブラッシングを行なうため、半導体基板にホトエッ
チング用のレジストが付いている場合には使用出来ない
などの適用される工程により限定されるという欠点があ
る。
また、液体の使用により装置が大型になり、液体を除去
させる動作ｉ楕や、乾燥させる工程が必要になるという
欠点がある。
させる動作ｉ楕や、乾燥させる工程が必要になるという
欠点がある。
本発明の目的は、かかる欠点を解消し、小型で、かつ乾
燥工程を必要としない半導体基板異物除去装置を提供す
ることである。
燥工程を必要としない半導体基板異物除去装置を提供す
ることである。
本発明の半導体基板異物除去装置は、半導体基板を吸着
するとともに超音波振動を伝達し、かつ、高速回転する
チャックと、前記半導体基板表面にイオン化した粒子を
含む空気を噴射するノズルとを有している。
するとともに超音波振動を伝達し、かつ、高速回転する
チャックと、前記半導体基板表面にイオン化した粒子を
含む空気を噴射するノズルとを有している。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は、本発明の一実施例を示す半導体基板異物除去
装置の概略図、第２図は第１図の一部を示す平面図であ
る。この半導体基板異物除去装置は、半導体基板３に超
音波振動をチャック４を介して与える超音波振動装Ｗ５
と、半導体基板３の表面をイオン化された空気を浴びせ
るイオン化エア噴射ノズル２と、このエア噴射ノズル２
に並べて配置された高圧エア噴射ノズル８と、飛散する
異物を吸引するダクト１とを設けたことである。
装置の概略図、第２図は第１図の一部を示す平面図であ
る。この半導体基板異物除去装置は、半導体基板３に超
音波振動をチャック４を介して与える超音波振動装Ｗ５
と、半導体基板３の表面をイオン化された空気を浴びせ
るイオン化エア噴射ノズル２と、このエア噴射ノズル２
に並べて配置された高圧エア噴射ノズル８と、飛散する
異物を吸引するダクト１とを設けたことである。
この半導体基板異物除去装置の動作は、まず、未洗浄の
半導体基板３をチャック４の面に搭載する。次に、真空
排気装置（図示せず）が動作し、チャック４面にある細
孔を通じ半導体基板３とチャック４の面との間の空気を
排気することにより、チャック４の面に半導体基板３を
固定する。
半導体基板３をチャック４の面に搭載する。次に、真空
排気装置（図示せず）が動作し、チャック４面にある細
孔を通じ半導体基板３とチャック４の面との間の空気を
排気することにより、チャック４の面に半導体基板３を
固定する。
次に、モータ６が回転すると同時に超音波振動装置５が
作動し、半導体基板３は回転するとともに超音波振動が
伝えられる。
作動し、半導体基板３は回転するとともに超音波振動が
伝えられる。
一方、この動作とともに、装置外にあるレザーバに停留
する空気に高圧が印加され、この放電により、イオンを
．発生し、イオンエア噴射、ノズル２により、半導体基
板３表面にイオン分子を吹きつける。さらに、これと同
時に高圧エア噴射ノズル８の噴射口８ａより乾燥空気を
半導体基板上に吹き付ける。これにより、半導体基板３
上の異物は、イオン分子と結合し、一つの分子を結合し
、乾燥空気により吹き飛ばされる。また、この高圧エア
噴射ノズル８と対向して取付けられたダクト］で、残り
の異物は吸い込まれ、機外に排出される。
する空気に高圧が印加され、この放電により、イオンを
．発生し、イオンエア噴射、ノズル２により、半導体基
板３表面にイオン分子を吹きつける。さらに、これと同
時に高圧エア噴射ノズル８の噴射口８ａより乾燥空気を
半導体基板上に吹き付ける。これにより、半導体基板３
上の異物は、イオン分子と結合し、一つの分子を結合し
、乾燥空気により吹き飛ばされる。また、この高圧エア
噴射ノズル８と対向して取付けられたダクト］で、残り
の異物は吸い込まれ、機外に排出される。
なお、図面には示さないが、高圧エア噴射ノズルは、そ
の噴射口の向きを変えることが出来、イオン化されても
、大きい異物は、圧縮された空気で吹き飛ばされるよう
に、高圧エア噴射ノズルである管は回転させることが可
能である。このように微細な異物は、イオン化してダク
トで吸引し、大きな異物は高圧空気で吹き飛ばすように
したので、従来の湿式洗浄機に比べ、短時間で、洗浄出
来るという利点がある。
の噴射口の向きを変えることが出来、イオン化されても
、大きい異物は、圧縮された空気で吹き飛ばされるよう
に、高圧エア噴射ノズルである管は回転させることが可
能である。このように微細な異物は、イオン化してダク
トで吸引し、大きな異物は高圧空気で吹き飛ばすように
したので、従来の湿式洗浄機に比べ、短時間で、洗浄出
来るという利点がある。
以上説明したように本発明は、半導体基板に付着した比
較的に大きな異物を吹き飛ばす高圧エア噴射ノズルと、
半導体基板上のとれにくい異物をＸ！ｉ！離させる超音
波振動装置を設け、さらに微小な異物をイオン化させる
イオン化エア噴射ノズルを設けることによって、洗浄槽
のような大型設備が不要で、小型で乾燥装置が不要な半
導体異物除去装置が得られるという効果がある。
較的に大きな異物を吹き飛ばす高圧エア噴射ノズルと、
半導体基板上のとれにくい異物をＸ！ｉ！離させる超音
波振動装置を設け、さらに微小な異物をイオン化させる
イオン化エア噴射ノズルを設けることによって、洗浄槽
のような大型設備が不要で、小型で乾燥装置が不要な半
導体異物除去装置が得られるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体基板異物除去装
置の概略図、第２図は第１図の一部を示す平面図、第３
図は従来の一例を示す半導体基板異物除去装置の概略図
である。 １・・・ダクト、２・・・イオン化エア噴射ノズル、３
・・・半導体基板、４・・・チャック、５・・・超音波
振動装置、６・・・モータ、７・・・カップリング、８
・・・高圧エア噴射ノズル、８ａ・・・噴射口、９・・
・液体、１０・・・回転ブラシ、１１・・・供給管。
置の概略図、第２図は第１図の一部を示す平面図、第３
図は従来の一例を示す半導体基板異物除去装置の概略図
である。 １・・・ダクト、２・・・イオン化エア噴射ノズル、３
・・・半導体基板、４・・・チャック、５・・・超音波
振動装置、６・・・モータ、７・・・カップリング、８
・・・高圧エア噴射ノズル、８ａ・・・噴射口、９・・
・液体、１０・・・回転ブラシ、１１・・・供給管。
Claims (1)
- 半導体基板を吸着するとともに超音波振動を伝達し、
かつ、高速回転するチャックと、前記半導体基板表面に
イオン化した粒子を含む空気を噴射するノズルとを有す
ることを特徴とする半導体基板異物除去装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31016789A JPH03169012A (ja) | 1989-11-28 | 1989-11-28 | 半導体基板異物除去装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31016789A JPH03169012A (ja) | 1989-11-28 | 1989-11-28 | 半導体基板異物除去装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03169012A true JPH03169012A (ja) | 1991-07-22 |
Family
ID=18001972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31016789A Pending JPH03169012A (ja) | 1989-11-28 | 1989-11-28 | 半導体基板異物除去装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03169012A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995015006A1 (en) * | 1993-11-22 | 1995-06-01 | Tadahiro Ohmi | Washing apparatus, semiconductor production apparatus and semiconductor production line |
| EP0664558A4 (en) * | 1992-10-05 | 1997-02-19 | Tadahiro Ohmi | METHOD FOR DRYING A WAFER. |
| JP2002335074A (ja) * | 2001-05-09 | 2002-11-22 | Denpuro:Kk | 自動はんだ付け装置 |
| US6766813B1 (en) * | 2000-08-01 | 2004-07-27 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Apparatus and method for cleaning a wafer |
-
1989
- 1989-11-28 JP JP31016789A patent/JPH03169012A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0664558A4 (en) * | 1992-10-05 | 1997-02-19 | Tadahiro Ohmi | METHOD FOR DRYING A WAFER. |
| WO1995015006A1 (en) * | 1993-11-22 | 1995-06-01 | Tadahiro Ohmi | Washing apparatus, semiconductor production apparatus and semiconductor production line |
| US6766813B1 (en) * | 2000-08-01 | 2004-07-27 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Apparatus and method for cleaning a wafer |
| JP2002335074A (ja) * | 2001-05-09 | 2002-11-22 | Denpuro:Kk | 自動はんだ付け装置 |
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