JPH03171705A - 平面トランス - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は平面トランスに関する。

（従来の技術） 従来より、スバイラル状又はつづら折れ状の導体を有す
る平面状コイルからなる１次コイル及び２次コイルを絶
縁層を挟んで積層し、この積層体の両面に絶縁層及び強
磁性薄帯を順次積層した構造の平面トランスが知られて
いる。このような平面トランスは、例えば絶縁型ＤＣ−
ＤＣコンバータなどに適用される。この場合、平面トラ
ンスの１次及び２次コイルには直流が重畳された高周波
電流が流れるので、インダクタンスの直流重畳特性が良
好であることが要求される。

ところが、従来の平面トランスでは、インダクタンスの
直流重畳特性が悪いという問題があった。

これは、従来使用されている強磁性薄帯の磁気特性が不
適当なためである。すなわち、平面トランスにおいては
、磁束は両面の強磁性体層の面内方向を流れるので、高
インダクタンスを得るためには高透磁率強磁性薄帯が用
いられる。しかしながら、高透磁率強磁性薄帯の飽和磁
化が低い場合には、小さな直流磁場が重畳されても磁束
密度が飽和してインダクタンスが低下し、入出力電圧が
低下してしまう。例えば、高透磁率強磁性薄・：ｉ｝と
してはＣｏ系非晶質合金が知られているが、その飽和磁
化はフエライトよりも一般に高いものの充分とはいえず
、これを用いた場合にはインダクタンスの直流重畳特性
はあまりよくない。

なお、強磁性薄帯としてＣｏ系非品質合金を用いる場合
でも、これを積層すれば直流′ｍ畳特性をある程度改善
することができる。しかし、非晶質合金を積層すれば、
それだけ平面トランスの厚さが増すため、平面トランス
の薄形化という目的からすると好ましくない。

このように平面トランスの１次及び２次コイルのインダ
クタンスの直流重畳特性が悪いと、直流重畳により相互
インダクタンスも低下し、入出力電圧が低下するので、
そのままではＤＣ−ＤＣコンバータの効率が低下するた
め、そのままではＤＣ−ＤＣフンバータなどへ適用する
ことは不適当である。したがって、直流重畳特性の改善
には高透磁率強磁性薄罹の飽和磁化が高いことが要求さ
れる。

更に、１次及び２次コイルのインダクタンスの直流重畳
特性を改善した平面トランスを適用したとしても、ＤＣ
−ＤＣコンバータの効率に関しては、強磁性薄帯の高周
波損失のために、その向上には限度がある。したがって
、従来のフエライト製磁心を使用した場合に匹敵する高
効率を得るためには、強磁性薄帯の高周波損失を少なく
する必要がある。

なお、強磁性薄帯として用いられる飽和磁化の高い非晶
質合金は、一般に正の飽和磁歪を有する。

このように正の飽和磁歪を有する非み晶質合金を通常の
トロイダル状磁心にして用いる場合には、曲げ応力によ
る逆磁歪効果により歪取り熱処理特に複雑な磁気異方性
が発生し、実効透磁串などの軟磁気特性が劣化する。一
方、これらの非品質合金を平面トランスに適用する場合
には、これらの薄帯を平面状態で使用するため、前述し
た逆磁歪効果による軟磁気特性の劣化は少なく、これら
合金の軟磁気特性を充分に活用することができる。

ただし、本発明に係る平面トランスは、丈際には外装用
モールド樹脂でモールド被覆された状態で使用される。

このため、正の飽和磁歪を有する非晶質合金薄脩を用い
ると、液状のモールド樹脂を表面に被覆して硬化させる
際に、モールド樹脂の収縮に伴って強磁性薄帯にも圧縮
応力が加わり、逆磁歪効果により実効透磁率が低下し、
インダクタンスが低下して入出力電圧が低下するという
問題点が生じる。

（発明が解決しようとする課題） 本発明は上記問題点を解決するためになされたものであ
り、直流重畳特性の良好な平面トランスを提供すること
を目的とする。また、強磁性体層の高周波損失を少な＜
　Ｌ、ＤＣ−ＤＣコンバータに適用されてもその効率を
低下させることのない平面トランスを提供することを目
的とする。更に、モールド被覆されても、インダクタン
スの低下を防止できる平面トランスを提供することを目
的とする。

［発明の構或コ （課題を解決するための手段と作用） 本発明の平面トランスは、１層又は複数層の平面状コイ
ルからなる１次コイル及び２次コイルを絶縁層を挟むな
どの手段で電気的に絶縁状態で積層し、この８Ｉ！ｆ４
体に絶縁層を介するなどの手段で電気的に絶縁状態で強
磁性体層（薄帯、薄膜など）を積層した平面トランスに
おいて、前記強磁性体層として、飽和磁化４πＭｓが４
πＭ　ｓ　；ａ　１０ｋＧであり、厚さが１００μ以下
のものを用いたことを特徴とするものである。なお、バ
ランス上、この強磁性体層はコイルの両面に設けること
が好ましい。

本発明の平面トランスにおける平面状コイルとは、例え
ば絶縁層の表面及び裏面にスパイラル状に導体を設けて
各導体をスルーホールを通して接続した構造の２層スバ
イラルコイルを指す。なお、端子の取出しに支障が生じ
なければ、スパイラル状の導体が１層だけのスパイラル
コイルでもよい。

また、導体の形状はスバイラル状に限らず、つづら折れ
状でもよい。

また、平面状コイルを積層するとインダクタンスが増大
して人出力電圧が増大するが、この場合平面状コイル間
には絶縁層のみを介在させ、強磁性体層を介在させない
ことが望ましい。これは、平面状コイル間に強磁性体層
を介在させてもインダクタンスの増大にはほとんど寄与
せず、かえって平面トランス全体の厚さを増大させて単
位体積当りの性能を低下させるためである。また、１次
コイルと２次コイルとの間に強磁性体層を設けると、１
次−２次コイル間のエネルギーの仏達がほとんどなくな
るので、１次コイルと２次コイルとの間には強磁性体層
を設けない方がよい。

本発明において、強磁性体層の飽和磁化４πＭｓをＩＯ
ｋ　Ｇ以上としたのは、４πＭＳが１０ｋＧ未満では直
流重畳特性が悪くなるためである。

本発明において、強磁性体層（積層体の場合には各層の
強磁性体層）の厚さをＩ−００ＡＩＯＢ以下としたのは
以下のような理由による。すなわち、一般に平面トラン
スをＤＣ−ＤＣコンバータなどに適用１，ＩＯｋｌ！ｚ
以上の周波数帯で使用することを前提とした場合、強磁
性体層の厚さが１００μを超えると表皮効果によって磁
束は内部まで入らなくなり、強磁性体層の厚さが増加し
た割にはインダクタンスは増加せず、単位体積当りのイ
ンダクタンスはかえって低下し、トランスの性能が低下
するためである。なお、強磁性体層の厚さは４ｎ以上で
あることが望ましい。これは、強磁性体層の厚さが４ｎ
未満であると、スパイラル状導体コイルに電流が流れる
ことによって生じる磁束がすべて通るのに必要な断而積
が得られないために漏れ磁束が多くなってインダクタン
スが著しく低下し、単位体積当りのインダクタンス値が
低下するためである。

本発明において、前記強磁性体層としては、１０ｋＨｚ
における実効透磁率μｌｏｋがμ，。，≧１×１０４で
あるものが望ましい。このような強磁性体層を用いれば
、高インダクタンスの平面トランスを得ることができる
。

本発明において用いられる強磁性体層としては、例えば
一般式 （Ｆ　ｅ　ｌ−＊　Ｍａ　）　ｔｏｏ−ｂ　Ｘｂ（ただ
し、ＭはＴ　ｉ，ｖ．．Ｃ　ｒ，ＭｎＳＣｏ，Ｎｉ，Ｚ
ｒＳＮｂＳＭｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｃｕのうち少なくと
も１種、ＸはＳ　ｉ，Ｂ，Ｐ．．Ｃ，Ｇｅ％Ａ，１７の
うち少なくとも１種、０≦ａ５０．１５、１２５　ｂ≦
３０）で表わされる非品質合金薄帯が用いられる。

この非品質合金薄帯を構戊する各元素の作用及び組成に
ついて説明する。

Ｍは畠周波領域における透磁率の向上及び結晶化温度の
上昇に寄与する或分である。ａ＞０．１５の場急にはキ
ュリー温度が低くなりすぎ、実川上好ましくない。

Ｘは非品質化に必須の元素である。ただし、実用上熱安
定性を考慮した場合、ＳｉとＢとの組み合わせが好まし
い。なお、ｂ　＜　１２及びｂ〉２８では非品質化が困
難となるため、ｌ２≦ｂ≦２８が好ましく、更に１５≦
ｂ≦２５が好ましい。

このような組或を有する非品質合金の大部分は１０ｋ　
Ｇ以上の飽和磁化を有し、最適歪取り熱処理によって、
ＩＸＩＯ’以上の実効透磁率が得られる。

本発明の目的を達成するためには、飽和磁化及び透磁率
がともに高い強磁性体層を用いることが特に望ましい。

このような高透磁率、高飽和磁化を有する磁性体層とし
て、例えば Ｆ　　ｅｙｓ．ｓｃｕｌ　　Ｎｂ３　　Ｓ　　ｉ　　１
３．５８９なる組成の非品質合金を結晶化温度よりも高
い温度で熱処理することにより得られる超微細結晶粒合
金薄帯が挙げられる。この磁性合金は高透磁率（１０ｋ
Ｈｚにおける実効透磁率ｕ　１ｏｋ”　５　ＸＩＯ’　
）、高飽和磁化（４πＭ　ｓ　＝　１３．５ｋ　Ｇ　）
を有する。このような磁性合金薄帯を用いることにより
、高インダクタンス値をＨし、直流重畳特性が良好であ
り、ＤＣ−ＤＣコンバータなどの適用可能な平面トラン
スが得られる。

本発明において、平面トランスを構成する１層又は複数
層の強磁性体層は複数の部分に分割することが望ましい
。強磁性体層を複数の部分に分割すると、高周波損失を
減少することができるので、平面トランスの効率が向上
する。

本発明に係る平面トランスは、通常、その全体を外装用
モールド樹脂で被覆した形態で使用される。この場合、
平面トランスを構成する両面の強磁性体層の外側に、モ
ールド樹脂の収縮力緩和層として、例えばモールド樹脂
の硬化温度よりも熱変形温度が高いｈ“機高分子フィル
ムを積層し、平面トランスの側面を接着剤で塞いだ状態
で、全体を液状のモールド樹脂に浸し、取出して乾燥・
硬化させてモールド樹脂を被覆することが望ましい。

このように強磁性体層の外側に、モールド樹脂の硬化温
度よりも熱変形温度が高い有機高分子フィルムを積層し
ておけば、モールド樹脂が硬化して収縮する際に生じる
収縮力を緩和することができ、収縮力が強磁性体層に伝
わるのを防止して、逆磁歪効果によるインダクタンスの
低下を防ぐことができ、それに基づく゛Ｙ面トランスの
効率の低下を防止することができる。

収縮力緩和層として用いられる熱変形温度が高いＨ機高
分子フィルムとしては、例えばポリフエニレンサルファ
イド（Ｐ　Ｐ　Ｓ）が挙げられる。なお、同様の効果が
得られれば、収縮力緩和層はａ機高分子フィルムに限ら
ないことはいうまでもない。このような収縮力緩和層の
厚さは２０μ以上であることが望ましい。これは、収縮
力緩和層の厚さが２０μ未満であると、しわが入りやす
くなり、モールド樹脂が硬化して収縮する際に生じる収
縮力を緩和することができず、収縮力が強磁性体層に伝
わって、逆磁歪効果によるインダクタンスの低下を防ぐ
ことができなくなるためである。

（実施例） 以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。

実施例１〜３、比較例１ 実施例１〜３、比較例１においては、第１図（Ａ）　、
（Ｂ）に示すｌＩｔ層タイプの平面トランスを作製した
。なお、同図（＾）はこの平面トランスのｑｉ面図であ
り、同図（Ｂ）は同図（Ａ）のＡ−Ａ’線に沿う断面図
である。

この平面トランスの構造を説明する。第１図（＾）及び
（Ｂ）におい′て、１次コイル１は絶縁層■１の両面に
スパイラルコイル１２ａ　，　１２ｂを設け、これらス
パイラルコイル１２ａ及び１２ｂをスルーホール１３を
通して各スパイラルコイル１２ａＳ１２ｂに同方向の電
流が流れるように接続した構造の平面状コイル（２層ス
パイラルコイル）からなっている。

ここで、第１図（Ａ）中の太線及び破線はそれぞれ絶縁
層１１の表面側及び裏面側にあるスパイラルコイル１２
ａ％１２ｂの中心の軌跡を表わしている。同様に、２次
コイル２は絶縁層２ｌの両面にスパイラルコイル２２ａ
，２２ｂを設け、これらスパイラルコイル２２ａ及び２
２ｂをスルーホール２３を通して各スパイラルコイル２
２ａ，２２ｂに間方向の電流が流れるように接続した構
造の平面状コイル（２層スパイラルコイル）からなって
いる。これら１次コイル１と２次コイル２が絶縁層３を
挟んで積層され、更にこの積層体の両面に絶縁層４及び
強磁性体層５が順次積層されることにより平面トランス
が構成されている。

この平面トランスは、以下のようにして作製したもので
ある。すなわち、１次コイル１及び２次コイル２は、２
５ｎ厚のポリイミドフィルム（絶縁層１１、２１）の両
面に３５廂厚のＣｕ箔を両張りして中央部のスルーホー
ルを通して接続した両面ＦＰＣ板（フレキシブルプリン
ト回路板）を用意し、両面のＣｕ箔をエッチングして外
周部の寸法が２ｈｍ　Ｘ　２０ｗｍ　ｓコイル線幅２５
０，ｎ，コイルビッチ５００ｔｒｍ，コイル巻線数４０
回（各面２０回）のスパイラルコイルに加工することに
より作製した。これら１次コイル１及び２次コイル２を
７ｕｍ厚のポリイミドフィルム（絶縁層３）を挟んで積
層し、更にこの積層体の両面に７μ厚のポリイミドフィ
ルム（絶縁層４）及び１辺の長さ２５ｍ＋＊の正方形の
強磁性薄帯（強磁性体層５）を順次積層することにより
、巻線比が１＝１の平面トランスを作製した。

実施例１ 弔ロール法により作製された、 （Ｆ　ｅ　ｏ．ｅｓＮ　ｂ　０．０５）　８２Ｓ　ｆ　
６　Ｂ　＋２なる組成を有し、平均厚さ１６μ、幅２５
ｍｍの非品質合金薄帯から１辺の長さ２　５　ｍｍの正
方形に切り出したものを強磁性体層として用いた。この
非品質合金薄帯については、飽和磁化４πＭ　ｓ　＝　
１２．３ｋ　Ｇ、１０ｋｌｌｚにおける実効透磁率μ１
。ｔ−ＩＸＩＯ’である。

実施例２ ＋１ｊロール法により作製された、 Ｆ　ｅ，．Ｓ　ｉ　，　Ｂ，， なる組成をＨし、平均厚さ１６即、幅２５ｍｍの非品質
合金薄帯から１辺の長さ２５ｍｍの正方形に切り出した
ものを強磁性体層として用いた。この非品質合金薄帯に
ついては、飽和磁化４πＭ　ｓ　＝　１５．６　ｋ　Ｇ
　，１０ｋｌｌｚにおける失効透磁率μ１ｏｋ−　２　
Ｘ　１０’である。

丈施例３ 単ロール法により作製された、 Ｆ　ｅ７）．ｑＣｕｌ　Ｎｂｌ　Ｓ　ｉ＋３．ｑＢ，な
る組成を有し、平均厚さｌ　８　ｕｔｓ　，幅２５＋ｕ
の非品質合金薄帯を窒素雰囲気中、５５０℃で１時間熱
処理することにより得られた超微結晶粒合金薄帯から１
辺の長さ２５ＩＩＩＩ１の正方形に切り出したものを強
磁性体層として用いた。この合金薄帯については、飽和
磁化４　πＭｓ　−　１３．５ｋ　Ｇ　，　Ｉｎｋ　Ｈ
ｚにおける実効透磁率μ＋ｏｍ　＝　５　Ｘ　１０’で
ある。

比較例Ｉ Ｉｔロール法により作製された、 （　Ｃ　Ｏ　ｏ．ｓｓＦ　ｅ　ｏ．ｏｂＮ　ｂ　Ｏ．０
２Ｎ　Ｉ　Ｏ．０４）　７５Ｓ　ｉ　＋ｏＢ　＋ｓ なる組或をＨし、平均厚さ１６μ、幅２５＋ｕの非品質
合金薄帯から１辺の長さ２５ｎｏｓの正方形に切り出し
たものを強磁性体層として用いた。この非品質合金薄帯
については、飽和磁化４πＭｓ＝６．７ｋＧ，１０ｋｌ
ｌｚにおける失効透磁率μ＋ｏｉ””２Ｘ１０’である
。

実施例１〜３及び比較例１の平面トランスについて、２
次コイルに１００Ωの抵抗を接続した場合の、１次コイ
ル電流（　ｆ　−　３０ｋＨｚ　、実効値［１．２Ａ）
に重畳される直流電流と１次コイル電圧との関係を調べ
た結果を第２図に、人出力電圧比を第３図に示す。

これらの図から、実施例１〜３の平面トランスでは、比
較例１の平面トランスに比べて、直流重畳特性が大幅４
こ改善されていることがわかる。

次に、飽和磁化の値が光なる強磁性体層を用いて作製さ
れた前記実施例と同一構造の平面トランスについて、飽
和磁化４πＭｓと、１次側に３０ｋＨｚ、実効値０．２
　Ａの高周波電流を流し、２次側に直流０．２Ａが重畳
された場合の２次側の出力電圧との関係を第４図に示す
。

第４図より、４πＭ，≧ＩＯｋ　Ｇの非品質合金薄帯を
用いた場合には実効値５Ｖの出力電圧が得られるが、４
πＭ．＜ＩＯｋＧの非品質合金薄帯を用いた場合には４
πＭ，の低下とともに出力電圧が低下する。したがって
、このような構造の平面トランスには４πＭｓ≧ｌｏｋ
Ｇの高透磁率磁性体層を用いるとよいことがわかる。

丈施例４、比較例２ 丈施例４、比較例２においては、以下のような積層タイ
プの２次コイルを有する平面トランスを作製した。

実施例４ ２次コイルとして、２個の２層スパイラルコイルを絶縁
層（７４厚のポリイミドフィルム）を挟んでａ層し、電
気的に直列に接続したものを用い、その他の構成は前記
実施例１と同一とすることにより、１次−２次コイルの
巻線比が１：２の平面トランスを作製した。

比較例２ 構造は実施例４と同一であるが、強磁性体層として比較
例１で用いたのと同一のものを用いて１次−２次コイル
の巻線比が１：２の平面トランスを作製した。

丈施例４及び比較例２の平面トランスについて、２次コ
イルに１００Ωの抵抗を接続した場合の、１次コイル電
流（　ｆ　＝　３０ｋＨｚ　，実効値０．２Ａ）に重畳
される直流電流と１次コイル電圧との関係を調べた結果
を第５図に、人出力電江比を第６図にホす。

これらの図から、実施例４の平面トランスでは、比較例
２の平面トランスに比べて、直流重畳特性が大幅に改善
されていることがわかる。

実施例５、比較例３ 実施例５及び比較例３では強磁性体層として複数層の非
品質合金薄帯を用いて平面トランスを作製した。

実施例５ 強磁性体層として、実施例１で用いたのと同一の非品質
合金薄帯を５層積層したものを用いた以外は、実施例１
と同一構造の平面トランスを作製した。

比較例３ 強磁性体層として、丈施例１で用いたのと同一の非晶質
合金薄・：；シを５層積層したものを用いた以外は、比
較例１と同一構造の平面トランスを作製した。

実施例５及び比較例３の・１ろ面トランスについて、２
次コイルにｌ００Ωの批抗を接続した場合の、１次コイ
ル電流（　ｆ　−　３０ｋＨｚ　，実効値０．２Ａ）に
重畳される直流電流と１次コイル電圧との関係を調べた
結果を第７図に、人出力電圧比を第８図に示す。

これらの図から、実施例５の平面トランスでは、比較例
３の平面トランスに比べて、直流重畳特性が大幅に改善
されていることがわかる。

実施例６ 実施例１と同一の組成、平均厚さ、幅を有する非品質合
金薄帯から２５關Ｘｌ２．５ｍｍの矩形状に切り出した
ものを歪取り熱処理した後、１つの面について２個を同
一平面上に隙間なく横に並べて１辺２　５　ｍｍの正方
形とし、これを強磁性体層として用いた以外は、実施例
１と同一構造の平面トランスを作製した。

実施例６及び実施例１の平面トランスについて、２次コ
イルに１００Ωの抵抗を接続し、１次コイルに３０ｋｌ
ｌｚ　１実効値０，２Ａの電流を流したときの、平面ト
ランスの効率を調べた。その結果、火施例１の平面トラ
ンスでは８３．５％であったのに対し、実施例６の平面
トランスでは８８，０％という値が得られた。このこと
から、実施例６の平面トランスのように、強磁性体層を
平面的に複数の部分に分割することにより、効率を向上
できることがわかる。

実施例７ 第９図に示すように、実施例６で作製した平面トランス
の両面の強磁性体層の外側に外周部の寸法３ｈ＋＊　Ｘ
　３０１１１％厚さｌ　０　０ａのＰＰＳ　（ボリフエ
ニレンサルファイド樹脂）フィルム３ｌを設け、側面を
接着剤３２（セメダインスーパー、セメダイン株式会社
製）で塞ぎ、次工程で液状のモールド樹脂に浸した時に
モールド樹脂がコイル及び強磁性体層に直接触れないよ
うにした。次に、これをモールド樹脂（セラコート６４
０−４３、北陸塗装株式会冫｛製）に浸した後、取り出
した。これを約１時間自然乾燥させた後、１５０℃で１
時間加熱してモールド樹脂３３を硬化させ、モールド平
面トランスを作製した。

比較例４ 実施例６で作製した平面トランスの両面の強磁性体層の
外側にＰＰＳフィルムを設ける工程、及び側面を接着剤
で塞ぐ工程を行わなかった以外は、実施例７と同様にし
てモールド平面トランスを作製した。

実施例６及び比較例４の甲面トランスについて、２次コ
イルにｌ００Ωの抵抗を接続した場合の、１次コイル電
流（　ｆ’　−　３０ｋＨｚ　，実効値０．２Ａ）に重
畳される直流電流と１次コイル電圧との関係を調べた結
果を第ｌＯ図に、人出力電圧比を第１１図に示す。

これらの図から、強磁性体層の外側にＰＰＳフィルムを
設けることにより、モールドによる性能の劣化を防止で
きることがわかる。

なお、以上の実施例では平面状コイルとしてスパイラル
コイルを用いた場合について述べたが、平面状コイルと
してはつづら折れ状コイルなど他の形状のものでもよい
。

［発明の効果］ 以上詳述したよう，に本発明によれば、直流重畳特性が
改善され、強磁性体層の高周波損失が少なく、モールド
被覆されても性能の劣化が少ない平面トランスが得られ
、ＤＣ−ＤＣコンバータなどに適用することが可能で、
その工業的価値は大きい。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）は本発明に係る平面トランスの平面図、同
図（Ｂ）は同図（Ａ）のＡ−Ａ’線に沿う断面図、第２
図は本発明の実施例１〜３及び比較例］の平面トランス
について直流重！！電流と１次コイル電圧との関係を示
す特性図、第３図は本発明の実施例１〜３及び比較例１
の平面トランスについて直流重畳電流ε入出力電圧比と
の関係を示す特性図、第４図は本発明に係る平面トラン
スを構成する強磁性体層の飽和磁化と２次コイルの出力
電圧との関係を示す特性図、第５図は本発明の実施例４
及び比較例２の平面トランスについて直流重畳電流と１
次コイル電圧との関係を示す特性図、第６図は本発明の
丈施例４及び比較例２の平面トランスについて直流重畳
電流と人出力電圧比との関係を示す特性図、第７図は本
発明の実施例５及び比較例３の平面トランスについて直
流重畳電流と１次コイル電圧との関係を示す特性図、第
８図は本発明の実施例５及び比較例３の平面トランスに
ついて直流重！！電流と人出力電圧比との関係を示す特
性図、第９図は本発明の実施例７のモールド平面トラン
スの断面図、第ｌＯ図は本発明の実施例７及び比較例４
の平面トランスについて直流重畳電流と１次コイル電圧
との関係を示す特性図、第Ｈ図は本発明の実施例７及び
比較例４の甲而トランスについて直流重畳電流と入出力
電圧比との関係を示す特性図である。 １・・・１次コイル、２・・・２次コイル、３、４・・
・絶縁層、５・・・強磁性体層、１１、２１・・・絶縁
層、１２ａ、１２ｂ　，　２２ａ　，　２２ｂ−・・ス
バイラルコイル、１３、２　３　−・・スルーホール、
３１・・・ＰＰＳフィルム、３２・・・接着剤、３３・
・・モールド樹脂。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 平面状コイルからなる１次コイル及び２次コイルを積層
   し、この積層体に強磁性体層を積層した平面トランスに
   おいて、前記強磁性体層として、飽和磁化４πＭｓが ４πＭｓ≧１０ｋＧ であり、厚さが１００μｍ以下のものを用いたことを特
   徴とする平面トランス。