JPH0317222B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0317222B2 JPH0317222B2 JP59176708A JP17670884A JPH0317222B2 JP H0317222 B2 JPH0317222 B2 JP H0317222B2 JP 59176708 A JP59176708 A JP 59176708A JP 17670884 A JP17670884 A JP 17670884A JP H0317222 B2 JPH0317222 B2 JP H0317222B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cooling
- liquid
- fluorocarbon
- pipe
- refrigerant
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W40/00—Arrangements for thermal protection or thermal control
- H10W40/70—Fillings or auxiliary members in containers or in encapsulations for thermal protection or control
- H10W40/73—Fillings or auxiliary members in containers or in encapsulations for thermal protection or control for cooling by change of state
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体素子の液冷装置に係り、特に半
導体素子の冷却効率を向上し得る液冷装置に関す
る。
導体素子の冷却効率を向上し得る液冷装置に関す
る。
従来の技術
コンピユータや電子機器は動作すると熱を発生
する。このような熱はフアン等を用いた主に空冷
によつて冷却されている。しかしながら最近では
空冷より冷却効率の高い液体による冷却方法が考
えられている。このようなコンピユータや電子機
器を液体で冷却する装置として浸漬液冷モジユー
ルがよく知られている。
する。このような熱はフアン等を用いた主に空冷
によつて冷却されている。しかしながら最近では
空冷より冷却効率の高い液体による冷却方法が考
えられている。このようなコンピユータや電子機
器を液体で冷却する装置として浸漬液冷モジユー
ルがよく知られている。
浸漬液例は半導体素子等を例えばフルオロカー
ボン等の冷媒液体に浸漬し、作動時に半導体素子
が発生した熱を放熱するために冷媒液体が沸騰し
て奪う気化熱を作用している。
ボン等の冷媒液体に浸漬し、作動時に半導体素子
が発生した熱を放熱するために冷媒液体が沸騰し
て奪う気化熱を作用している。
発明が解決しようとする問題点
上記浸漬液例では例えば大きな回路基板を冷却
する場合、上方に配設された半導体素子は下方の
半導体素子から発生した気泡の影響で冷却能力が
低下する。また液冷却容器上方の凝縮器に全ての
放熱を頼ると外部から液冷却容器内に例えば空気
等の不純物ガスが混入し冷却能力が低下する。本
発明はこのような問題点を解決するためのもので
ある。
する場合、上方に配設された半導体素子は下方の
半導体素子から発生した気泡の影響で冷却能力が
低下する。また液冷却容器上方の凝縮器に全ての
放熱を頼ると外部から液冷却容器内に例えば空気
等の不純物ガスが混入し冷却能力が低下する。本
発明はこのような問題点を解決するためのもので
ある。
問題点を解決するための手段
上記問題点は本発明によれば半導体素子を冷却
用液体に直接浸漬することによつて冷却する液冷
装置において； 該冷却用液体を通る冷却パイプを設け、該冷却
用液体の沸点よりも低い沸点を有する液体を該冷
却パイプ中に循環させたことを特徴とする液冷装
置によつて解決される。
用液体に直接浸漬することによつて冷却する液冷
装置において； 該冷却用液体を通る冷却パイプを設け、該冷却
用液体の沸点よりも低い沸点を有する液体を該冷
却パイプ中に循環させたことを特徴とする液冷装
置によつて解決される。
作 用
本発明によれば冷却用液体中に低沸点液体を入
れて循環させているので冷却用液体中に発生した
気泡が効率より凝縮、消去せしめられる。
れて循環させているので冷却用液体中に発生した
気泡が効率より凝縮、消去せしめられる。
実施例
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。
る。
第１図は本発明に係る液冷装置の一実施例を示
す模式図である。
す模式図である。
第１図において、容器１内に冷却用液体として
50℃の沸点を示すフルオロカーボン２が収容され
ており、該フルオロカーボン２内に半導体素子で
あるLSI３を多数搭載した回路基板４が浸漬され
ている。回路基板４に近接して水平方向に蛇行す
る部分を有するパイプ５がフルオロカーボン２内
を走り且つ容器１上方に設けられた冷却水６内を
通るように連続パイプとして設けられている。該
パイプ５内壁には弁７が数箇所に設けられてい
る。更に該パイプ５内にはフルオロカーボン２を
冷却するための沸点が約30〜40℃の第２のフルオ
ロカーボン８が充填されている。
50℃の沸点を示すフルオロカーボン２が収容され
ており、該フルオロカーボン２内に半導体素子で
あるLSI３を多数搭載した回路基板４が浸漬され
ている。回路基板４に近接して水平方向に蛇行す
る部分を有するパイプ５がフルオロカーボン２内
を走り且つ容器１上方に設けられた冷却水６内を
通るように連続パイプとして設けられている。該
パイプ５内壁には弁７が数箇所に設けられてい
る。更に該パイプ５内にはフルオロカーボン２を
冷却するための沸点が約30〜40℃の第２のフルオ
ロカーボン８が充填されている。
LSI３を作動させると容器１内の冷媒であるフ
ルオロカーボン２は50℃で沸騰し、多数の気泡９
を発生してLSI３の熱を奪う。フルオロカーボン
２より沸点の低い第２のフルオロカーボン８は沸
騰したフルオロカーボン２の熱を奪つて沸騰しパ
イプ５内壁に設けた弁７の作用によつて一定方向
に対流を発生する。その結果矢印Ａで示すように
フルオロカーボン２はパイプ５内を循環し、冷却
水６によつて、凝縮、冷却される。
ルオロカーボン２は50℃で沸騰し、多数の気泡９
を発生してLSI３の熱を奪う。フルオロカーボン
２より沸点の低い第２のフルオロカーボン８は沸
騰したフルオロカーボン２の熱を奪つて沸騰しパ
イプ５内壁に設けた弁７の作用によつて一定方向
に対流を発生する。その結果矢印Ａで示すように
フルオロカーボン２はパイプ５内を循環し、冷却
水６によつて、凝縮、冷却される。
直接LSI３を冷却する冷媒としては上記のフル
オロカーボンの他にフレオン等も用いられる。パ
イプ５内に充填する冷媒の沸点はLSI２の直接の
冷媒の沸点より20〜30℃程度低いのが好ましい。
オロカーボンの他にフレオン等も用いられる。パ
イプ５内に充填する冷媒の沸点はLSI２の直接の
冷媒の沸点より20〜30℃程度低いのが好ましい。
パイプ５の形状は冷媒としてのフルオロカーボ
ン２の熱を効率よく奪うような形状が好ましい。
なお冷却水６は矢印Ｂで示すように流され冷却効
率を向上させるのに寄与せしめられている。
ン２の熱を効率よく奪うような形状が好ましい。
なお冷却水６は矢印Ｂで示すように流され冷却効
率を向上させるのに寄与せしめられている。
発明の効果
上記説明したように、本発明によれば半導体素
子の冷却効率を高めることが可能である。
子の冷却効率を高めることが可能である。
第１図は本発明に係る液冷装置の一実施例を示
す模式図である。 １……容器、２……フルオロカーボン、３……
LSI、４……回路基板、５……パイプ、６……冷
却水、７……弁、８……第２のフルオロカーボ
ン、９……気泡。
す模式図である。 １……容器、２……フルオロカーボン、３……
LSI、４……回路基板、５……パイプ、６……冷
却水、７……弁、８……第２のフルオロカーボ
ン、９……気泡。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体素子を冷却用液体に直接浸漬すること
によつて冷却する液冷装置において； 該冷却用液体を通る冷却パイプを設け、該冷却
用液体の沸点よりも低い沸点を有する液体を該冷
却パイプ中に循環させたことを特徴とする液冷装
置。 ２ 前記冷却パイプに弁を設けたことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の液冷装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59176708A JPS6154654A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | 液冷装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59176708A JPS6154654A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | 液冷装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6154654A JPS6154654A (ja) | 1986-03-18 |
| JPH0317222B2 true JPH0317222B2 (ja) | 1991-03-07 |
Family
ID=16018364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59176708A Granted JPS6154654A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | 液冷装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6154654A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4419646B2 (ja) * | 2004-03-30 | 2010-02-24 | セイコーエプソン株式会社 | 光学装置およびプロジェクタ |
| US8061414B2 (en) | 2004-12-22 | 2011-11-22 | Tokyo University Of Science Educational Foundation Administrative Organization | Boil cooling method, boil cooling apparatus, flow channel structure, and applied technology field thereof |
| JPWO2007102498A1 (ja) | 2006-03-06 | 2009-07-23 | 学校法人東京理科大学 | 沸騰冷却方法、沸騰冷却装置および流路構造体並びにその応用製品 |
| US20170332514A1 (en) * | 2014-11-14 | 2017-11-16 | Exascaler Inc. | Cooling system and cooling method for electronic equipment |
| WO2016157396A1 (ja) * | 2015-03-30 | 2016-10-06 | 株式会社ＥｘａＳｃａｌｅｒ | 電子機器の冷却システム |
| JP6540230B2 (ja) | 2015-05-26 | 2019-07-10 | 富士通株式会社 | 基板 |
| JP6064083B1 (ja) * | 2015-08-31 | 2017-01-18 | 株式会社ＥｘａＳｃａｌｅｒ | 電子機器の冷却システム |
-
1984
- 1984-08-27 JP JP59176708A patent/JPS6154654A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6154654A (ja) | 1986-03-18 |
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