JPH0317268A - 真空処理装置、及びその方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は真空処理装置，及びその方法に係り、特に、成
膜加工用として使用される例えばスパッタリング装置等
に好適な真空処理装置、及びその方法に関する。

〔従来の技術〕

従来の真空処理装置、例えばスパッタリング装置におい
ては、真空槽の中央に配置した第１のスパッタ電極と、
第１のスパッタ電極を包囲する円上の位置に，互いにそ
の円の円周方向へ隔てられた関係に配置された複数の第
２のスパッタ？！！極とを含み、基板ステージに保持さ
れた基板を、前記各電極に対向する位置に順次移動させ
ていって、各電極の位置で成膜作業を行い，基板上に順
次膜を形或していくようになっているものが知られてい
る．各スバッタ電極に対向する位置で基板が静止してい
る状態で、成膜作業が行われる。

例えば特開昭６３　−　９３８６２号公報に示されたス
パッタリング装置では、真空槽の中央部を取り囲む公転
軌道上に複数個のスパッタ電極を配置し，これら各スバ
ツタ電極に対応する軌道上を，基板を保持した基板ステ
ージが公転するように構成されている。ところが、基板
は上述の公転軌道上を移動するだけであるため、膜厚の
均一化には限界があった。そこで、基板が上述の軌道上
を公転するだけでなく、同時に基板を自転するようにし
たプラネタリ式のスパッタリング装置が提案されている
。

〔発明が解決しようとする課題〕

このように、従来のプラネタリ式スパッタリング装置と
して知られる真空処理装置は、上述の如き構成であった
ため、基板、あるいは基板を保持する基板ステージの公
転軌道を、スパツタ電極を配置した仮想円と一致させた
としても、均一な膜厚を得るのは難しく、更に改善すべ
き点が残されていた。

本発明は上述の点に鑑みなされたもので、その目的とす
るところは、県板の膜淳分布をより均一にすることので
きる真空処理装首，及びその方法を提供するにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は，第１の処理位置，第１の処理位置から隔てら
れている少なくとも１つの第２の処郎位置を有する真空
槽と，前記真空槽内に配置され，少なくとも１つの基板
を保持している基板ステージと、この基板ステージを第
１の処理位置と第２の処理位置との間で移動させること
ができ，かつ、基板ステージが第１の処理位置にあると
きに、その基板ステージを自転させることができるよう
に該基板ステージを保持するための基板保持゛Ｐ．段と
、該基板保持手段に作動的に連結され、該基板保持手段
を駆動することによって前記基板ステージの第１，第２
の処理位置間での移動、及び基板ステージの第１の処理
位置における自転を生じさせるようになっている駆動手
段と、前記第２の処理位置において前記基板ステージを
自転させるための手段とを含む真空処理装置，第１の真
空処理位置と、これから隔てられた第２の真空処理位置
とを有する真空槽内の前記第工の真空処理位置に、基板
ステージによって保持されている基板を位置させて，基
板ステージを自転させながら基板上に第１の膜を戊膜さ
せる段階と、第１の真空処理位置と第２の真空処理位置
との中間位置を中心として基板ステージを回転させるこ
とによって，基板ステージ、及びこれに保持されている
基板を第２の真空処理位置へ移動させる段階と、前記第
２の処理位置において基板ステージを自転させながら，
基板上に既に成膜されている第１の膜の上に第２の膜を
成膜させる段階とを含む真空処理方法とすることにより
、上記目的を達戊するようになしたものである． 〔作用〕 本発明によれば、基板ステージが各真空処理位置，例え
ば各スパツタ電極に対向する位置で自転させられながら
、成膜作業が行われる．従って，戊膜によって基板上に
形威される膜の厚さ、又は膜厚分布の均一性が向上する
。また，第１及び第２の真空処理位置は、共に同一の真
空槽内にあり，その真空槽内の真空状態を維持したまま
で基板ステージが各真空処理位置に順次移動させられる
。

従って、基板が所定の真空処理位置に移動した後に即座
に成膜作業を開始できるため、真空処理速度を高めるこ
とができる。

〔実施例〕

以下、図示した実施例に基づいて本発明を詳細に説明す
る。

第１図．及び第２図は本発明の真空処理装置の一実施例
として、スパッタリング装置の構成を示す． 該図において、スパッタリング装置工は、真空槽２の内
部に懸吊して配設された処理源、つまりスバッタ電極３
，４を有する。このスパッタ７１！ｔｆｆｉ３，４は、
それぞれ支持体３ａ，４ａにターゲット物質３ｂ，４ｂ
を支持して構戊されている。スパッタ電極３は真空槽２
のほぼ中心位１ｉｆＡに配置され、また、スパッタ電極
４は、第２図に示すように、中心位置Ａを取り囲む円周
上に互いに間隔を保って複数個配置されている。

第２図にはスパッタ電極４は３個示されている。

しかし、スパッタ電極４の数は基抜５に成膜させる層の
数等に応じて適宜に選定される。例えば、まず，ターゲ
ット物質３ｂの層を基板５に成膜させ、次に、その層の
上にターゲット物質４ｂを成膜させ５さらにその上に他
のターゲット物質を成膜させて，基板５の上に３層の膜
を形成させる場合には、スパッタ電極３が１個、スパッ
タ電極４が２個でよい。この場合、それぞれのスパッタ
電極がターゲット物質を支持していることは当然である
。

一方、基板保持手段は、中心位！Ａの下方部に位置する
真空槽２の底板２ａに軸受８を介して支持されると共に
，真空槽２外の駆動手段９に作動的に連結された回転レ
バー１０と、中心位置Ａを中心として回動レバー１０と
一体に回転可能であると共に、中心位置Ａを取り囲む円
周上、つまり公転軌道Ｏｌ上に自転可能に設けられた基
板ホルダ１１とを含んでいる。この基板ホルダ１１は，
これに一体に連結された回転軸１３を取りＤ．ｔｌむ公
転軌道０２上に位置する部分に裁板ステージ〕２を支持
しており、この基仮ステージ１２の外Ｊ１″１１部に基
板Ｓが保持されている。また回転ＩｌｉｌｌＩｌ３の下
端部に固定した遊星歯車１４と，軸受８シこよって回転
可能に支持されている中空軸１９に固定された太陽歯車
１５とが噛合されている。遊星歯ｌ（１４、および回転
軸１３は，太陽歯車１５のまわりを公転することができ
、また基板ステージ１２は，基板ホルダｌ１を介して回
転軸１３を中心に公転することができる。

尚、この実施例では、基板ステージ１２の外周部に複数
の基板５を配置したが、基仮ステージ１２の中心部にの
み基板５を配置しても良い。

真空槽２の底板２ａから下方に架設した吊架台１６上に
は、減速機付きのモータ１７とクラッチ１８とが設けら
れている。このモータ１７の出力軸１７ａの先端に設け
たかさ歯車２０ａと、底抜２ａの大気側に固定された軸
受８によって回転可能に支持されて上端が真空槽２内に
突出する中空軸１９の下端に固定したかさ歯車２０ｂと
が噛合されている。中空軸１９内に挿通した回動軸２１
の下端部は，吊架台１６に固定したブラケット２２の下
面に固定されている軸受２３によって回転可能に支持さ
れ、また、その軸２ｌの上端部に回動レバー１０が固定
されている．かさ歯車２０ａ，２０ｂを含むかさ歯車機
構２０とクラッチ１８とは、入力側歯車機ＩＩ＄２４と
出力側歯車機構２５とを介して作動的に連結されている
。このようにして真空槽２の下部に駆動手段９が構或さ
れている．図中，２６は中空軸１９の回転を検出するた
めの２７は、回転軸２１の回転、即ち回動レバー１０の
回転を検出するための検出器２７．２８はストッパー２
８である。

真空槽２外の下部に設けた基板自転手段７は，スパツタ
電極３を中心とする円周上の位［Ｂに配置されたスバツ
タ電極４に相対している基板ステージ１２、および基板
５を自転させるために構成されている。この基板自転手
段７は、真空槽２の底板２ａに設けた取付管２９に固定
した減速機付きのモータ３ｏを含む。モータ３０の軸受
部３０ａは真空槽２の内部に導入され、軸受部３０ａの
上端部には、歯車機構３１を保持するアーム３２の回動
軸３２ａが支持されている。軸受部３０ａの内腔部に、
モータ３０の出力軸３０ｂが回動可能に神通され、出力
軸３０ｂの先端に駆動側歯車３１ａが固定されている。

従動側歯車３ｌｂには、基板ステージ！２の入力軸１２
ａに固定した従動側＊ｍ車３３を回転させるための駆動
側摩擦車３４が設けられている。摩擦車３４は歯車３ｌ
ｂに一体回転可能に固定されている。

第２図に示すシリンダ５０を駆動して、その日ッド５１
を引き出すと、ロツド５１に接続されたアーム３２が軸
３２ａを中心として矢印ａ方向へ回動し，駆動側摩擦車
３４を従動側摩擦車３３へ押し付ける．この状態で減速
機付きのモータ３ｏによって駆動側摩擦車３４を回転さ
せると、従動側摩擦車３３も回転して、入力軸１２ａを
介して基板ステージ１２が自転する．その後，シリンダ
５０を駆動してアーム３２を矢印ａと逆方向へ回転させ
て元の位置に戻すと、基板ステージ１２を他の位置へ移
動させることが可能となる。なお、図中５２はベローズ
を示す。シリンダ５０を駆動してアーム３２を動かすと
きに、シリンダ５０の向きは常に一定ではない。即ち、
シリンダ５０は、揺動運動を行いながらロツド５１を引
出し、あるいは引込めて、アーム３２を回動させる。従
って，そのシリンダ５０の揺動運動を許し、しかも、真
空槽２内の真空を保持するために、前記ベローズ５２が
設けられている． 基板ステージ１２の公転半径Ｒｚ．基板ホルダ１１の公
転半径Ｒδ，スパツタ電極４を配置したスパッタ電極３
を中心とする仮想円の半径Ｒｌは、Ｒｚ＝Ｒａ　　　　
　　　　　　　　　・・・（１）Ｒ　ｌ：　Ｒ　ｚ　＋
　Ｒ　ａ　　　　　　　　　　　・・・（２）の条件を
満たすように設定されている。

以下、本装置の動作について説明する。まず、中心位［
Ａで基板ステージ１２を自転させる場合、第１図、およ
び第２図に示す状態でクラッチ１８を接続する。この状
態で減速機付きのモータ１７を起動すると、かさ歯車機
構２０、及び中空軸１９を介して太陽歯車１５が回転す
る。また、これと同期してかさ歯車機構２０，入力側歯
車機構２４，クラッチェ８、及び出力側歯車機構２５を
介して回転軸２１が同方向へ回転する。回動→ｉ＋［＋
２１の回転は、これに連結された回動レハー１０に伝わ
って回転軸１３が公転する。このときには、太陽歯車１
５の回転に応じて遊星歯車１４が太陽歯車１５のまわり
を、回転軸１３と一体になって公転している。このよう
に回転軸■３が公転するため，基板ステージ１２はスパ
ツタ電極３の中范、位置Ａのまオ〕りを自転する。この
ことから解るように、回動レバー１０や基板ホルダ１１
等から成る基板保持手段と、駆動手段９とは、真空Ｊｔ
！　２の中心位１ｆ！Ａに設けたスパッタｆｆｌｔｆｉ
３に基板ステージｌ２が対向するとき、基板ステージ１
２を自転させる手段を構成している。

次に、周囲位Ｉｉ！Ｂのスパツタ電極４まで県板ステー
ジ１２を移動させる場合について説明する。

先ず，ストツパ２８で回動軸２１を固定すると共にクラ
ッチ１８を解除する。この状態で減速機付きモータ１７
を駆動すると、太陽歯車１５の回動により遊星歯車１４
が回転するが，回動軸２１と回動レバー１０は図示の状
態に保持されているため、遊星歯車１４は太陽歯車１５
のまわりを公転せずに自転する。この遊星歯車ｌ４の自
転によって回転軸１３が回転し、基板ホルダ１１が軸１
３と一体に回転する。このようにして、基板ステージ１
２は、その中心が位［Ｂ、即ち位ｆｉＡを中心とし半径
がＲＬの円上の位置にくるように移動させられる．この
ように基板ホルダ１１及び基板ステージ１２が移動させ
られた状態は，第１図に鎖線で示されている．その後、
ストツパ２８を解除してクラッチ１８を接続する。この
状態でモータ１７を起動して、回転軸１３を中心として
互いに相反する方向に直線状に延びる状態になっている
回動レバー１０、および基板ホルダ１１を一体的に回転
させ、検出器２６や検出器２７等↓；よって基板ステー
ジ１２がスパツタ電極４と対向する位置にきたことが検
出されたときにモータ１７を停止させる。

この説明から分かるように、回動レバー１０や基板ホル
ダ１１等から成る基板保持手段と、駆動手段９とは、真
空槽２の中心位［Ａに設けたスパッタ電極３等の処理源
に基板ステージ１２が対向しているとき，基板ステージ
１２を自転させる手段を構成すると共に、中心位［Ａを
中心とする円上の位ｅＢに設けたスバツタ電極４等の処
ア１（源と対向する位置に基板ステージ１２を移動させ
る手段を構或している。

スパツタ電極４と対向した位置にある基板ステージ１２
は、次のようにして自転させる。即ち、基板ステージ１
２を自転させるときには、減速機付きのモータ３０を起
動して、第２図に示すように，駆動側摩擦車３４を回転
させながらアーム３２を矢印ａ方向に回動させ，藺動側
摩擦車３４を、鎖線で示す基板ステージ１２の従動側摩
擦車３３に押し付ける．このようにして摩擦車３４が摩
擦車３３に押し付けられると、スパッタ電極４に対向し
た基板ステージ１２は自転する。

第２図においては，摩擦車３３を摩擦車３４に押し付け
るための押し付け手段，即ちシリンダ５０等は、１つだ
けが示されている。即ち、押し付け手段は、同図の右側
の１つのスパッタ電極４に関連するものだけが示されて
いる。しかしながら、実際には，押し付け手段は，スバ
ッタ電極４のそれぞれに対応する位置に各１個設けられ
ている。基板自転手段についても同様である．但し、モ
ータ３０等は，全ての基板自転手段の共通のものとして
ｔ個のみとすることも可能である。

図示実施例のスパッタリング装置１によって基板ステー
ジ１２上の基板５に多数層の膜を戊膜させる場合には、
まず基板ステージ１２がスパッタ電極３に対向する位置
にあるときに、基板ステージ１２を自転させながらター
ゲット物質３ｂの膜を基板５上に成膜させる。次に、基
板ステージ１２を位ｌＢ上の１つのスパツタ電極４に対
向する位置へ移動させ、その基板ステージを自転させな
がらターゲット物質４ｂを、基板５に戊膜されているタ
ーゲット物質３ｂの上に或１摸させる。その後基板ステ
ージ１２を位［Ｂ上の他のスパツタ電極４に対向する位
置に移動させて、４二記と同様の操作で他のターゲツ１
〜物質の成膜を行う。このようにして、基板５上に所望
の成膜層を形成するのである。

上記の記載では、戊膜を行っていく順序は次の通りであ
った。即ち、最初にスパツタ電極３の位置で成膜を行い
、次に位置Ｂにある１つのスパツタ’！’！ｔｉ４の位
置で成膜を行い，次に位［Ｂにある他のスパツタ＠極４
の位置で行うものとした。しかし、このような成膜を行
う順序は、任意に設定可能である。また、スパツタ電極
４，及びこれに関連する構成部材の数は、どのように眼
を基板５上に形成したいかによって、適宜に選定すれば
よい。

第３図は本発明の第２の実施例により真空処理装置を示
す。第３図において、第１図と同様の要素は同様の参照
数字で示されている。

第１の実施例は，真空槽｛の外部に設けた駆動手段９に
よって真空槽２内の基板保持機構を駆動するため、同軸
的に配列した中空軸１９と回動軸２１を含んでいる。こ
れに対し，第２の実施例は，それぞれ異なる軸線上に配
列した軸受８ａ，８ｂを介して真空槽２内に導入した軸
１９．２１を含んでいる。

減速機付きのモータ１７の出力軸１７ａの先端に設けた
かさ歯車２０ａは、＠１９の先端に設けたかさ歯車２０
ｂと噛み合っている。軸１９はクラッチｌ８および出力
側歯車機構２５を介して軸２Ｌに連結されている。この
軸２１の、真空槽２の内側に位置する部分には回動レバ
ー１０が嵌着されている。また軸２１と同心的に設けた
互いに一体になった２つの歯車１５ａ，１５ｂからなる
太陽歯車１５は軸２１に対して回転可能な関係で真空槽
２の底板２ａに支持されている．太陽歯車１５の下方の
歯車１５ｂは軸１９に固着した歯車４０に噛み合ってお
り、また上方の歯車１５ａは、回転４［１１１３に固着
されると共に回動レバー１０に対して回転可能む遊星歯
車１４と噛み合っている．回転軸１３に嵌着された基板
ホルダｌ１には基板ステージエ２が回転可能に支持され
ている。

クラッチ１８を接続しブレーキ４３を解除した状態でモ
ータ１７を起動すると、出力軸１７ａ、かさ歯車機構２
０を介して軸１９が回転し、さらに歯車４０を介して太
陽歯車１５が回転する。このため太陽歯車１５の歯車１
５ａと噛み合った遊星歯車１４が回転する。このときに
は、出力側歯車機構２５を介して軸２ｌも軸１９と同期
して回転する。従って、遊星歯車１４は太陽歯車１５の
まわりを公転しながら基板ステージ１２を自転させる。

クラッチ１８を切りブレーキ４３を働かせてモータ１７
を起動すると、軸工９および歯車４０が回転し、歯車４
０と噛み合った太陽歯車１５を介して遊星歯車１４が回
転して回転軸１３が回転する。従って、基板ステージ１
２は鎖線で示す位置に移動する。第１の実施例と同様に
、検出器２６によって、基板ステージ１２が記前鎖線の
位置にきたことが検出されると、モータ１７は停止する
。この鎖線位置は第１図の位置Ｂに対応する位置である
。この位置において、シリンダ５０が作動し、歯車３ｌ
ｂが基板ステージ１２と一体の歯車３３に噛み合うよう
押し付けられる。

従って、第１図の基板自転千段７に相当する基板自転手
段によって歯車３ｌｂを回転させることによって基板ス
テージ１２が自転する． このように第２の実施例の真空処理装置も先の第１の実
施例の真空処理装埴と同様に動作し、ほぼ同様の効果を
得ることができる。

上述した第１及び第２実施例において、基板ステージ１
２をスパッタ電極４に対向した位置からスパツタ電極３
に対向した位置に戻す場合，いずれも駆動装置９による
操作を再開してモータ１７を再起動する。軸１９．２１
のそれぞれの回転方向は常に一定である。このため、真
空槽２内の真空を保持するために軸１９．２１と軸受８
との間に設けたＯリングからなるシール部材（図示され
ていない）は，各軸１９，２１が往復回転する場合より
も、真空を維持する寿命が長くなる。また、基板処理時
における基板の温度を所定値に保つ必要がある場合には
、基板冷却手段を設け，基板ステージ１２に冷却媒体を
供給するとよい。第４図（ａ），（ｂ）には前記基板冷
却手段の１構造例が示されている。即ちこのＪ！板冷却
手段は、Ｉ１＋１ｌＩ受２３に形成した冷却水の入口６
ｏ及び出口６４と、入口６ｏから軸受２３，軸２１，回
動レバー１０，回転軸１３及び基板ホルダ１１を通って
基板ステージｌ２に至る冷却水導入路６２と、基板ステ
ージ１２から基板ホルダエ１，回転軸１３，回動レバー
１０，軸２１，軸受２３を通って出口６４に至る冷却水
戻り路６３とを含む構或になっている。

図中，６５は氷室、６６はシール材を示す。

上述した各実施例の真空処理装置はスパッタリング装置
として構成されていた。しかし、エッチング装置や化学
気相戊膜法を行うための装置等の真空処理装置に本発明
を適用することもできる。

また真空槽２のほぼ中心位１ｉＲＡを中心とする円上の
位１Ｂに配置するスパッタ電極等の処理源の数は、少な
くとも１つあればよい。

〔発明の効果〕

以上説明した本発明の真空処理装置、及びその方法によ
れば、基板ステージが各真空処理位置、例えば各スバツ
タ電極に対向する位置で自転させられなから成膜作業が
行われるので，この成膜によって基板上に形成される膜
の厚さ、あるいは膜厚分布の均一性が向上する。また、
第１、及び第２の真空処理位置は，共に同一の真空槽内
にあり、その真空槽内の真空状態を維持したままで基板
ステージが各真空処理位置に順次移動させられるので、
基板が所定の真空処理位置に移動した後に即座に成膜作
業を開始できるため、真空処理速度を高めることができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の真空処理装置の一実施例であるスパッ
タリング装置を示す縦断面図，第２図はその横断面図、
第３図は本発明の他の実施例を示す縦断面図、第４図は
本発明に採用される冷却系統を示し、第４図（ａ）は下
部軸受の拡大図、第４図（ｂ）は基板摺動部材と基板ホ
ルダの拡大図である。 １・・・スパッタリング装置、２・・・真空槽．３，４
・・・スパツタ電極，５・・・基板、７・・・基板自転
手段、８・・・軸受、９・・・駆動手段，１０・・・回
動レバー、１１・・基板ホルダ，１２・・・基板ステー
ジ，１４・・・遊星歯車、ｌ５・・・太ｐＥ！歯車、１
７．３０・・・Ｐｔｊ．速機付きモータ、１８・・・ク
ラッチ、１９・・・中空軸，２０・・・かさ歯車機構、
２４・・・入カ側歯車機構、２５・・・出力側歯車機構
、２６．２７・・・検出器、２８・・・ストッパー、３
１・・・歯車機構．３１ａ・・・駆動側歯車、３ｌｂ・
・・従動側歯車、３２・・・アーム、３３・・・従動第
１図 第　２　図 ３１ａ

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. １．　第１の処理位置、この第１の処理位置から隔てら
   れている少なくとも１つの第２の処理位置を有する真空
   槽と、該真空槽内に配置され、少なくとも１つの基板を
   保持している基板ステージと、該基板ステージを前記第
   １の処理位置と第２の処理位置との間で移動させること
   ができ、かつ該基板ステージが第１の処理位置にあると
   きにその基板ステージを自転させることができるように
   該基板ステージを保持するための基板保持手段と、該基
   板保持手段に作動的に連結され、該基板保持手段を駆動
   することによつて前記基板ステージの第１、第２処理位
   置間での移動、及び該基板ステージの第１の処理位置に
   おける前記自転を生じさせるようになつている駆動手段
   と、前記第２の処理位置において前記基板ステージを自
   転させるための基板自転手段とを備えていることを特徴
   とする真空処理装置。
2. ２．　前記基板保持手段は、一端において前記基板ステ
   ージを支持し、かつ、前記第１の処理位置と第２の処理
   位置との中間位置において回転軸に固着されている基板
   ホルダと、該基板ホルダの下方に位置していて一端が前
   記回転軸に回転可能に嵌合し、かつ、他端が第１の処理
   位置に整合する位置にある回動レバーとを含み、前記駆
   動手段は、中空の第１の駆動軸と、該第１の駆動軸の上
   端に固着された太陽歯車、及び前記回転軸の下端に嵌着
   されていて該太陽歯車と係合する遊星歯車を含む遊星歯
   車機構と、前記第１の駆動軸内を通り、かつ、前記太陽
   歯車を貫通して延びていて、上端が前記回動レバーの他
   端に固着されている第２の駆動軸とを含み、前記第１の
   駆動軸と第２の駆動軸とを適切なタイミングで回転させ
   ることによつて前記基板ステージの第１、第２の処理位
   置間での移動、及び該基板ステージの第１の処理位置に
   おける自転を生じさせることを特徴とする請求項１記載
   の真空処理装置。
3. ３．　前記基板保持手段は、一端において前記基板ステ
   ージを支持し、かつ、前記第１の処理位置と第２の処理
   位置との中間位置において回転軸に固着されている基板
   ホルダと、該基板ホルダの下方に位置していて一端が前
   記回転軸に回転可能に嵌合し、かつ、他端が第１の処理
   位置に整合する位置にある回動レバーとを含み、前記駆
   動手段は、上端が前記回動レバーに固着された第１の駆
   動軸と、該第１の駆動軸に回転可能に嵌合し、互いに一
   体になつた上歯車、及び下歯車からなる太陽歯車、及び
   前記回転軸の下端に嵌着されていて該太陽歯車の上歯車
   と係合する上歯車、及び該太陽歯車の下歯車に係合する
   下歯車からなる遊星歯車を含む遊星歯車機構と、前記第
   １の駆動軸と平行に延び、上端が前記遊星歯車の下歯車
   に固着されている第２の駆動軸とを含み、 前記第１の駆動軸と第２の駆動軸とを適切なタイミング
   で回転させることによつて前記基板ステージの第１、第
   ２処理位置間での移動、及び基板ステージの第１の処理
   位置における自転を生じさせることを特徴とする請求項
   １記載の真空処理装置。
4. ４．　前記駆動手段は、前記第１、及び第２駆動軸の回
   転方向が常に一方向となるように構成されていることを
   特徴とする請求項２、又は３記載の真空処理装置。
5. ５．　前記基板ステージは、前記基板を冷却するための
   基板冷却手段を備えていることを特徴とする請求項１記
   載の真空処理装置。
6. ６．　第１の処理位置、この第１の処理位置から隔てら
   れている第２の処理位置を有する真空槽と、該真空槽内
   に配置され、少なくとも１つの基板を保持している基板
   ステージと、該基板ステージを前記第１の処理位置と第
   ２の処理位置との間で移動させることができ、かつ、該
   基板ステージが第１の処理位置にあるときにその基板ス
   テージを自転させることができるように該基板ステージ
   を保持するための基板保持手段と、該基板保持手段に作
   動的に連結され、該基板保持手段を駆動することによつ
   て前記基板ステージの第１、第２処理位置間での移動、
   及び該基板ステージの第１の処理位置における前記自転
   を生じさせるようになつている駆動手段と、前記第２の
   処理位置において前記基板ステージを自転させるための
   基板自転手段とを備え、前記第２の処理位置が複数設け
   られ、これら第２の処理位置が、前記第１の処理位置の
   中央部を中心とする円上の位置にあつて互いに該円の周
   方向へ隔てられており、前記基板保持手段が、前記基板
   ステージを第１の処理位置と各第２の処理位置との間で
   移動させることができ、かつ、前記基板ステージを各第
   ２の処理位置間で移動させることができるように該基板
   ステージを保持しており、前記駆動手段が、前記基板保
   持手段を駆動することによつて前記基板ステージの第１
   、第２処理位置間の移動、及び基板ステージの各第２の
   処理位置間の移動を生じさせることを特徴とする真空処
   理装置。
7. ７．　第１の真空処理位置と、これから隔てられた第２
   の真空処理位置とを有する真空槽内の前記第１の真空処
   理位置に、基板ステージによつて保持されている基板を
   位置させて、基板ステージを自転させながら基板上に第
   １の膜を成膜する段階と、前記第１の真空処理位置と第
   ２の真空処理位置との中間位置を中心として前記基板ス
   テージを回転させることによつて該基板ステージ、及び
   これに保持されている基板を第２の真空処理位置へ移動
   する段階と、前記第２の処理位置において基板ステージ
   を自転させながら、基板上に既に成膜されている第１の
   膜の上に第２の膜を成膜させる段階とから成ることを特
   徴とする真空処理方法。
8. ８．　真空槽のほぼ中心位置に１つの第１の処理源を配
   置すると共に、該第１の処理源の公転軌道上に第２の処
   理源を配置し、前記第１、及び第２の処理源に対向させ
   る基板を保持する基板ステージを有する真空処理装置に
   おいて、前記第１の処理源に前記基板ステージを対向さ
   せて自転させると共に、前記第２の処理源に対向する位
   置に前記基板ステージを移動させて停止させる基板保持
   手段と、該基板保持手段を駆動することによつて前記基
   板ステージの第１、第２処理源間での移動、及び基板ス
   テージの第１の処理源における自転を生じさせる駆動手
   段と、前記基板ステージを前記第２の処理源に対向した
   位置で自転させる基板自転手段とを備えていることを特
   徴とする真空処理装置。
9. ９．　前記駆動手段は、前記基板保持手段を作動させて
   前記第２の処理源に対向する位置へ前記基板ステージを
   移動させるように前記真空槽内に気密を保持して導入し
   た第１の駆動軸と、前記基板保持手段を作動させて前記
   第１の処理源に対向した基板ステージに自転力を与える
   ように前記真空槽内に気密を保持して導入した前記第１
   の駆動軸と共働する第２の駆動軸とを有することを特徴
   とする請求項８記載の真空処理装置。
10. １０．　前記第１の駆動軸と前記第２の駆動軸は、その
    回転方向がそれぞれ一方向であることを特徴とする請求
    項９記載の真空処理装置。
11. １１．　前記基板ステージは、基板を冷却するための基
    板冷却手段を備えていることを特徴とする請求項８記載
    の真空処理装置。