JPH0317298A - 均一部分電気メッキ法 - Google Patents
均一部分電気メッキ法Info
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分ff]
本発明は均一電気メッキ法に関するものである。
[従来の技術]
トランジスタ及びIC用リードフレームの製造方法には
、■金属条体を精密プレスで打ち抜くか、エッチングに
より所望の形状にした後にチツプ栽置部に金属メッキ層
を設ける方法と、■あらかじめ金属条体にシ;}状にメ
ッキ層を設けた後に打ち抜く方法とがある。特に、■の
方広はトランジスタやコンデンサ用リードフレームなど
形状があまり世雑ではない電子機器用リードフレーム材
の製造に適している。一般にこの方広は、鉄又は銅合金
条体の表面を脱脂,酸洗により洗浄化した後、その、全
面又は一部分にニッケル、銀、銅などのメッキ膜を電気
メッキにより設けるものである。
、■金属条体を精密プレスで打ち抜くか、エッチングに
より所望の形状にした後にチツプ栽置部に金属メッキ層
を設ける方法と、■あらかじめ金属条体にシ;}状にメ
ッキ層を設けた後に打ち抜く方法とがある。特に、■の
方広はトランジスタやコンデンサ用リードフレームなど
形状があまり世雑ではない電子機器用リードフレーム材
の製造に適している。一般にこの方広は、鉄又は銅合金
条体の表面を脱脂,酸洗により洗浄化した後、その、全
面又は一部分にニッケル、銀、銅などのメッキ膜を電気
メッキにより設けるものである。
部分メッキ方法は、メッキ不要部を機絨マスク又は粘着
テープによりマスキングした条体をメッキ橘に入れ、マ
スキングされていない部分には所望のメッキ膜を設ける
ものである。金属条体は次工程でリードフレーム形状に
プレスされ、メッキ部はチップ載置部やはんだ付け部と
なる。
テープによりマスキングした条体をメッキ橘に入れ、マ
スキングされていない部分には所望のメッキ膜を設ける
ものである。金属条体は次工程でリードフレーム形状に
プレスされ、メッキ部はチップ載置部やはんだ付け部と
なる。
ところで、金属条体をメッキ槽に入れ通電すると、条体
の端部に電流が集中し、条体端部のメッキ厚が厚くなり
、条体中央部が薄くなる不具合が生じる。この現象は一
次電流分布の不均一により発生する。絶縁体又は粘着テ
ープによりメッキ不要部を遮へいする場合も、遮へいし
たマスクのきわの部分のメッキ厚が厚くなり、条体中央
部のメッキ厚が薄くなる。したがって条体中央部のメッ
キ厚をユーザーの要求値に合わせると、条体端部のメッ
キ厚はその数倍にも達し、電流か果中するため、場合に
よっては焼けメッキとなり、電子部品としての機能(例
えばワイヤボンディング性、はんだ濡れ性など)が茗・
シく低下する。
の端部に電流が集中し、条体端部のメッキ厚が厚くなり
、条体中央部が薄くなる不具合が生じる。この現象は一
次電流分布の不均一により発生する。絶縁体又は粘着テ
ープによりメッキ不要部を遮へいする場合も、遮へいし
たマスクのきわの部分のメッキ厚が厚くなり、条体中央
部のメッキ厚が薄くなる。したがって条体中央部のメッ
キ厚をユーザーの要求値に合わせると、条体端部のメッ
キ厚はその数倍にも達し、電流か果中するため、場合に
よっては焼けメッキとなり、電子部品としての機能(例
えばワイヤボンディング性、はんだ濡れ性など)が茗・
シく低下する。
そこで、メッキ厚分布を均一にするために、本発明者ら
は先に第2図に示すような電流遮へい板3を設置するこ
とを提案した(特開昭62−274098号公報参照)
。
は先に第2図に示すような電流遮へい板3を設置するこ
とを提案した(特開昭62−274098号公報参照)
。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、金属条体をマスキングして部分メッキす
る場合は、電流遮へい板3を第3図に示すように条体1
に近接して設置しなければならないが、部分メッキの輻
が狭い場合にはメッキ液の流動が不十分となり、金属イ
オンの供給が威少する結果、高電流密度が得られず、無
理に通電すると焼けメッキとなってしまう。一方、液の
流動を増すために電流遮へい板3を薄くすれば、電流連
へい効果が小さくなり、メッキ厚分布が不均一になる。
る場合は、電流遮へい板3を第3図に示すように条体1
に近接して設置しなければならないが、部分メッキの輻
が狭い場合にはメッキ液の流動が不十分となり、金属イ
オンの供給が威少する結果、高電流密度が得られず、無
理に通電すると焼けメッキとなってしまう。一方、液の
流動を増すために電流遮へい板3を薄くすれば、電流連
へい効果が小さくなり、メッキ厚分布が不均一になる。
本発明の目的は、金属条体にシ:シ状に部分メッキを設
ける場合、条体表面近傍のメッキ液の攪社を十分に行い
、かつ一次電流分布を均一にする均一電気メッキ法を提
供しようとするものである。
ける場合、条体表面近傍のメッキ液の攪社を十分に行い
、かつ一次電流分布を均一にする均一電気メッキ法を提
供しようとするものである。
[課題を解決するための手段]
上記目的を達成するために、本発明では、電流遮へい板
山にノズルを設けてメッキ液又は圧搾空気を該遁メッキ
部に吹き付けるイ14成を採っている。
山にノズルを設けてメッキ液又は圧搾空気を該遁メッキ
部に吹き付けるイ14成を採っている。
[作 用]
電流遮へい板のノズルから高速でメッキ液又は空気を噴
出させることによって、披メッキ条体への金属イオンの
供給位が増加し、かつ肢メッキ条体表面近傍のメッキ液
の攪拌状,態か良くなるので、限界rs流密度が上昇す
ると共に肢メッキ部の一次電流分布が均一化し、メッキ
厚の変動が抑えられる。
出させることによって、披メッキ条体への金属イオンの
供給位が増加し、かつ肢メッキ条体表面近傍のメッキ液
の攪拌状,態か良くなるので、限界rs流密度が上昇す
ると共に肢メッキ部の一次電流分布が均一化し、メッキ
厚の変動が抑えられる。
[実施例]
以下、本発明の一実施例を第1図を参jj(( (,て
説明すると、市流遮へい阪3は7を気砲縁体(例えば塩
化ビニル樹脂)で描成され、該電流遮へい板3内には披
メッキ条体1に対して斜めにノズル5か設けられ、ノズ
ル5からはメッキ液10が披メッキ条体1に向かって噴
射される。M !1.fされたメソキ液10はメッキ戒
回収タンク8に戻され、そこからまたポンプ6で貼環さ
れる。
説明すると、市流遮へい阪3は7を気砲縁体(例えば塩
化ビニル樹脂)で描成され、該電流遮へい板3内には披
メッキ条体1に対して斜めにノズル5か設けられ、ノズ
ル5からはメッキ液10が披メッキ条体1に向かって噴
射される。M !1.fされたメソキ液10はメッキ戒
回収タンク8に戻され、そこからまたポンプ6で貼環さ
れる。
上記ノズル5は等間隔で電流遮へい板3内に複数個設け
られているので、電流遮へい効東を保ちながら金属条体
1の彼メッキ部にメッキ戚10を高速で吹き付け、金属
イオンの供給を飛躍的に堆加させ、かつメッキJVの均
一化を図りながら高電流密度でメッキ作業を行うことが
できる。なお図中、2は陽極、4はマスキングテーブ、
9はメッキ槽、1lはヒータである。
られているので、電流遮へい効東を保ちながら金属条体
1の彼メッキ部にメッキ戚10を高速で吹き付け、金属
イオンの供給を飛躍的に堆加させ、かつメッキJVの均
一化を図りながら高電流密度でメッキ作業を行うことが
できる。なお図中、2は陽極、4はマスキングテーブ、
9はメッキ槽、1lはヒータである。
実施例1
銅合金から成る金属条体(輻40n++n、厚さ0.5
a+m)を電解脱脂及び酸洗により2l′;浄化した後
、被メッキ部のみを露出させ、メソキ不要部をマスキン
グテープで遮へいしてから第1図に示すような、被メッ
キ部の幅に応じて可変できるようにしたノズル5付きz
d流遮へい仮3を設けたNiメッキ冶に設置し、Niメ
ッキ液を満たした槽中で前記条体を長手力向に3m/s
eeの速度で移動させなからN1メプキを行った。この
時ノズル5からボンプ6を用いてNiメノキ液を流速2
m /sccで噴出させた。Niメッキ浴組成は硫酸
ニッケル(NiSO ・6H20)2 4 0 g/
I!、塩4 化ニッケル(NiCl ・6H20)50g/J、2 ホウ酸(H BO3)50g/17の標準的なワッ3 ト浴である。なお、Niメッキ厚は3μmとなるように
電流を設定した。また、浴l4は55±2℃とした。N
iメッキ後、マスキングテーブを取り除いて得た部分メ
ッキ条体(第4図参照)について、幅方向のNiメッキ
厚分イ11を螢光X線膜厚計で,1111定した。その
結果を第5国に示す。この結果から、Niメッキ厚はメ
ッキ端部も中央部ちほほ一様の厚さになり、狭い福での
部分メッキにおいてらメッキ厚分市を均一に出来ること
が確認された。
a+m)を電解脱脂及び酸洗により2l′;浄化した後
、被メッキ部のみを露出させ、メソキ不要部をマスキン
グテープで遮へいしてから第1図に示すような、被メッ
キ部の幅に応じて可変できるようにしたノズル5付きz
d流遮へい仮3を設けたNiメッキ冶に設置し、Niメ
ッキ液を満たした槽中で前記条体を長手力向に3m/s
eeの速度で移動させなからN1メプキを行った。この
時ノズル5からボンプ6を用いてNiメノキ液を流速2
m /sccで噴出させた。Niメッキ浴組成は硫酸
ニッケル(NiSO ・6H20)2 4 0 g/
I!、塩4 化ニッケル(NiCl ・6H20)50g/J、2 ホウ酸(H BO3)50g/17の標準的なワッ3 ト浴である。なお、Niメッキ厚は3μmとなるように
電流を設定した。また、浴l4は55±2℃とした。N
iメッキ後、マスキングテーブを取り除いて得た部分メ
ッキ条体(第4図参照)について、幅方向のNiメッキ
厚分イ11を螢光X線膜厚計で,1111定した。その
結果を第5国に示す。この結果から、Niメッキ厚はメ
ッキ端部も中央部ちほほ一様の厚さになり、狭い福での
部分メッキにおいてらメッキ厚分市を均一に出来ること
が確認された。
吏施例2
第1図の装置を用いてNiメッキ時の74流密度を段階
的に上げて限界電流密度を53べた。金属条体1の前処
理方法及び電流密度以外のメッキ条件は実施例1の場合
と同じである。その拮果、40A/dm2までは外蜆に
異常のないNiメッキを得ることができた。なお、50
A/dm”まで電流密度を上げると、メッキ面はわずか
に粗くなり、少し黒くなった。この結果から、電流遮へ
い板3内部のノズル5からメッキ液を噴出させることに
よって金属条体1へのメッキ金属イオンの供給が著しく
多くなり限界電流密度が上昇することが確認された。
的に上げて限界電流密度を53べた。金属条体1の前処
理方法及び電流密度以外のメッキ条件は実施例1の場合
と同じである。その拮果、40A/dm2までは外蜆に
異常のないNiメッキを得ることができた。なお、50
A/dm”まで電流密度を上げると、メッキ面はわずか
に粗くなり、少し黒くなった。この結果から、電流遮へ
い板3内部のノズル5からメッキ液を噴出させることに
よって金属条体1へのメッキ金属イオンの供給が著しく
多くなり限界電流密度が上昇することが確認された。
[発明の効果]
以上説明したように本発明によれば、部分メッキの輻か
狭い場合でも、メッキ境界部(マスキングテープにより
区切られた部分)のメッキが焼けメソキにより粒状にな
らず、外蜆のきわめて均一なメッキがil−Iられる。
狭い場合でも、メッキ境界部(マスキングテープにより
区切られた部分)のメッキが焼けメソキにより粒状にな
らず、外蜆のきわめて均一なメッキがil−Iられる。
また、電流密度を高く設定できるため、メッキ冶の長さ
を短くすることができ、経済的で作業効率も良い。
を短くすることができ、経済的で作業効率も良い。
第1図は本発明の実施例を示す説明図、第2図及び第3
図は従来例を示す説明図、第4図は部分メッキ条体の横
断面図、第5図はNiメッキ厚分ViiのAlll定結
果を示すグラフてある。 :金属条体、 陽極、 :電流遮へい板、 :マスキングテープ、 :ノズル、 ボンブ、 メッキ膜、 :メッキ液回収タンク、 メッキ槽、 二メッキ液、 ;ヒータ。
図は従来例を示す説明図、第4図は部分メッキ条体の横
断面図、第5図はNiメッキ厚分ViiのAlll定結
果を示すグラフてある。 :金属条体、 陽極、 :電流遮へい板、 :マスキングテープ、 :ノズル、 ボンブ、 メッキ膜、 :メッキ液回収タンク、 メッキ槽、 二メッキ液、 ;ヒータ。
Claims (1)
- 1、金属条体から成る陰極のメッキ面境界部から陽極側
に向って伸びる仕切り壁面を有する電流遮へい板を配置
してメッキする均一電気メッキ法において、前記電流遮
へい板内にノズルを設けてメッキ液又は圧搾空気を前記
金属条体の被メッキ部に吹き付けることを特徴とする均
一電気メッキ法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1150946A JP2611431B2 (ja) | 1989-06-13 | 1989-06-13 | 均一部分電気メッキ法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1150946A JP2611431B2 (ja) | 1989-06-13 | 1989-06-13 | 均一部分電気メッキ法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0317298A true JPH0317298A (ja) | 1991-01-25 |
| JP2611431B2 JP2611431B2 (ja) | 1997-05-21 |
Family
ID=15507874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1150946A Expired - Lifetime JP2611431B2 (ja) | 1989-06-13 | 1989-06-13 | 均一部分電気メッキ法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2611431B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006328448A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 部分めっき装置及び部分めっき方法 |
| US8651833B2 (en) | 2006-06-05 | 2014-02-18 | Wabco Automotive Uk Limited | Combined gas and liquid pump |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102276660B1 (ko) * | 2018-08-07 | 2021-07-14 | 인천대학교 산학협력단 | 전기도금장치 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS537543A (en) * | 1976-07-12 | 1978-01-24 | Fujitsu Ltd | Plating method |
| JPS61270889A (ja) * | 1985-05-25 | 1986-12-01 | 三菱電機株式会社 | めつき装置 |
-
1989
- 1989-06-13 JP JP1150946A patent/JP2611431B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS537543A (en) * | 1976-07-12 | 1978-01-24 | Fujitsu Ltd | Plating method |
| JPS61270889A (ja) * | 1985-05-25 | 1986-12-01 | 三菱電機株式会社 | めつき装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006328448A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 部分めっき装置及び部分めっき方法 |
| US8651833B2 (en) | 2006-06-05 | 2014-02-18 | Wabco Automotive Uk Limited | Combined gas and liquid pump |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2611431B2 (ja) | 1997-05-21 |
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