JPH0317445Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】

考案の目的 （産業上の利用分野） この考案は、高周波回路装置内に設けた、同軸
共振器によるトラツプ構造に関する。 （従来の技術） 第２図は、誘電体同軸共振器を複数個用いて形
成したバンドパスフイルタの概略図である。図に
おいて１，１，…１，１は、筒状セラミツク誘電
体の内・外周面にそれぞれ内・外導体電極膜を形
成するとともに一端面にそれら内・外導体電極膜
同士を短絡する電極膜を設けて1/4波長で共振す
るようにした誘電体同軸共振器、２は入力コネク
タ、３は出力コネクタ、４，４，…，４，４は結
合コンデンサである。コネクタ２，３間のホツト
ラインに結合コンデンサ４，４，…，４，４が直
列に挿入され、各共振器１の内導体電極にとりつ
けられたターミナル（図示せず）が結合コンデン
サ間に接続され、各共振器１の外導体電極がアー
スされることによりバンドパスフイルタ５が構成
されている。そしてスプリアス抑圧のためのトラ
ツプ６が設けられている。トラツプ６は、共振器
１と同様構成の誘電体同軸共振器７の内導体電極
膜とコンデンサ８の一端側を接続し、コンデンサ
８の他端側を、コンデンサ４、出力コネクタ３間
に接続するとともに共振器７の外導体電極膜をア
ースしたものである。共振器７が呈するインダク
タンスとコンデンサ８とで抑圧すべきスプリアス
周波数で直列共振が生じるようにしてある。した
がつて共振器７、コンデンサ８をケース９内に収
容するためのスペースがあらたに必要になり装置
の小形化の妨げになつていた。 それゆえに、小形化を目的として以下にのべる
先行例が考案された。 すなわち、先行例では、ケースにとりつけたコ
ネクタの心線に、同軸共振器が挿通され、メイン
電流が少なくともホツトラインかアースラインの
いずれか一方において前記同軸共振器に流入し流
出するようにし、トラツプすべき周波数で前記同
軸共振器が並列共振をおこすようにしたものであ
る。 第３図〜第１１図はこの考案の先行例に関す
る。第３図〜５図は第１の例で第１図において、
１１はケース、１２はケースの一部に設けた丸
孔、１３は丸孔１２にとりつけた入・出力コネク
タ、１４はコネクタの心線、１５は心線１４を覆
いかつ固定するための絶縁体、１６はスプリアス
抑圧のためにトラツプする周波数で1/4波長とな
る軸長を有する誘電体同軸共振器である。共振器
１６は、筒状セラミツク誘電体の内周面に内導体
電極膜１６ａ、外周面に外導体電極膜１６ｂ、図
における左端面に短絡電極膜１６ｃが設けられて
いて、電極膜１６ａ，１６ｂが電極膜１６ｃによ
つて一端側で短絡されて構成されたものである。
共振器１６は、コネクタ１３の心線１４に挿通さ
れ、このときその電圧開放端面をケース１１の内
部側、つまり図示はしていないがフイルタ構成部
分側に向けて配置する。また、共振器１６の外導
体電極膜１６ｂがケース１１と導通されており、
共振器１６全体は好ましくはケース１１の丸孔１
２内に完全に収容される。しかしながらコネクタ
１３の心線１４に沿う方向でその固定位置はどこ
でもよい。コネクタ１３の心線１４が固定できれ
ば絶縁体１５は省略できる。 このような構造によると、第４図のようにアー
ス電流が流れ、等価回路は第５図のようになる。
すなわち、共振器１６による並列共振回路がアー
ス側に入りこれによりスプリアスがトラツプされ
る。よりくわしく述べると、トラツプされる周波
数ftは、共振器１６の誘電体の誘電率εrと軸長
で決定される。 そしてトラツプされる減衰量は以下の様に求め
られる。いま、共振器１６の特性インピーダンス
を

【式】Ｄ：共振器１６の外 径、ｄ：共振器１６内径）とすると、共振回路の
インピダンスは、

【式】とな る。 これが回路に直列に入るので、減衰量Attは、 となる。Z₀：外部回路の特性インピーダンスたと
えば、Ｄ＝５mm、ｄ＝２mm、εr＝21の共振器１６
を用いて、通過中心周波数f₀＝880MHzのバンド
パスフイルタの３倍波を20MHzの帯域でトラツ
プする場合には、上式より、2390MHzにてAtt＝
25.7dB、2410MHzにてAtt＝24.8dBとなり、
24dB以上のスプリアス抑圧ができる。また通過
帯域において共振器１６が呈するインピーダンス
Zaは6.9Ωとなり、特性インピーダンス50Ωに対
し、反射係数が0.065、すなわち反射減衰量で
23.8dBとなり、フイルタの反射係数に対しては
ほとんど影響ない。 第６〜８図は第２の先行例に関する。この例で
は共振器１６の内導体電極膜１６ａがコネクタ１
３の心線１４と導通しており、外導体電極膜１６
ｂがケース１１と導通していない点が、第１の先
行例と異なる。なお１７は心線１４の固定用ブツ
シユである。このような構造によると、第７図の
ようにメイン電流が流れ、等価回路は第８図のよ
うになる。すなわち、共振器１６による並列共振
回路がホツトラインに入りこれによりスプリアス
がトラツプされる。 第９〜１１図は第３の先行例に関する。この例
はいわば第２の先行例において二つの共振器１
６，１６を直列接続したようなものである。すな
わち、共振器１８は、共振器１６の約２倍の軸長
を有する筒状セラミツク誘電体の内周面に内導体
電極膜１８ａ、外周面に外導体電極膜１８ｂ、両
端面に短絡電極膜１８ｃが設けれていて、外導体
電極膜１６ｂは軸方向中央で外周囲全体にわたつ
てスリツト１８ｄで分離されており、電極膜１８
ａ，１８ｂが電極膜１８ｃによつて一端側で短絡
されて構成されたものである。共振器１８の内導
体電極膜１８ａがコネクタ１３の心線１４と導通
しているが、第１の先行例のように、外導体電極
膜１８ｂがケース１１に導通した構成にしてもよ
い。第９図に示す構造によると、第１０図のよう
にメイン電流が流れ、等価回路は第１１図のよう
になる。すなわち共振器１８による二つの並列共
振回路がホツトラインに入りこれによりスプリア
スがトラツプされる。二つの並列共振回路をホツ
トラインあるいはアースラインに入れる構造とし
ては上述のもの以外に、たとえば第３図に示す構
造において、いま一つ共振器１６を用意し、両共
振器１６，１６の短絡電極膜１６ｃ，１６ｃ同士
を接触させた構造も考えられる。 ところでこのような先行例では、たとえば筒状
のセラミツク誘電体の内・外周面に電極膜を設け
たような共振器を用いるため、小形化、コストダ
ウンといつた観点からみると充分ではなかつた。 ［考案が解決しようとする問題点］ それゆえに、この考案は、上述の先行例で示さ
れる効果を小型でしかも安いコストで得ようとす
るものである。 考案の構成 ［問題点を解決するための手段］ このため、この考案は、ケースにとり付けたコ
ネクタの心線に同軸共振器の中心導体が接続さ
れ、ホツトラインに流れるメイン電流が前記同軸
共振器に流入し流出するようにし、トラツプすべ
き周波数で前記同軸共振器が並列共振をおこすよ
うにした、同軸共振器によるトラツプ構造におい
て、 この同軸共振器は、上記同軸コネクタの背後に
位置するケースの透孔内に収容されたセミリジツ
ドケーブルからなり、このセミリジツドケーブル
は、一端側にてその中心線がコネクタの心線の上
記ケースの透孔内への突出端に接続されるととも
に、外被導体がセミリジツドケーブルの上記一端
側にて中心線に短絡され、かつ、この外被導体と
ケースの上記透孔内周面との間に間隔を有してい
ることを特徴としている。 ［作用］ 上記セミリジツドケーブルは、同軸コネクタと
高周波回路装置との接続材として機能するととも
に、このセミリジツドケーブルそのものがトラツ
プとして作用する。 ［実施例］ 第１図はこの考案の実施例を示し、先行例と同
一機能を有する部分には同一番号を付して説明を
省略する。図においてコネクタ１３の心線１４に
はセミリジツドケーブル２０の中心線２１が接続
される。２２はケーブル２０の外被導体、２３は
絶縁体である。ケーブル２０の外被導体２２と中
心線２１とは図における外被導体２２の左端でた
とえばはんだ２４によつて短絡される。そして外
被導体２２と絶縁体２３はトラツプすべき周波数
で並列共振が生じるような長さで切除される。す
なわち、セミリジツドケーブル２０の図における
左端が短絡端となり右端が開放端となる同軸共振
器が構成されることになる。 以上の実施例は先行例における第２の例に該当
するが、本考案はもちろん他の例に該当する実施
例が考えられることはいうまでもない。 考案の効果 以上の実施例からも明らかなように、この考案
によると、同軸コネクタと高周波回路装置との接
続材としてセミリジツドケーブルを用いることに
より、特別なトラツプ用の部品を使用することな
く、セミリジツドケーブルそものにトラツプ作用
を持たせることができ、スプリアス抑圧のための
トラツプ共振器が簡単かつ安価に得られ、セミリ
ジツドケーブルにより構成されるトラツプがケー
スの同軸コネクタの背後の透孔内に、外被導体が
透孔の内周面から浮いた状態で収容されているの
で、トラツプの実装のためのスペースも小さく、
セミリジツドケーブルの外被導体とケースとの接
続も不用で、トラツプの実装も容易であり、その
実用的価値は非常に大きい。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本考案の実施例の断面図、第２図
は、従来トラツプを有するバンドパスフイルタの
概略説明回路図、第３図は、第１の先行例の断面
図、第４図は電流の流れを示す説明断面図、第５
図は等価回路図、第６図は第２の先行例の断面
図、第７図は電流の流れを示す説明断面図、第８
図は等価回路図、第９図は第３の先行例の断面
図、第１０図は電流の流れを示す説明断面図、第
１１図は等価回路図。 １１はケース、１３はコネクタ、１４は心線、
２０はセミリジツドケーブル、２１は中心線、２
２は外被導体。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) ケースにとり付けたコネクタの心線に同軸共
   振器の中心導体が接続され、ホツトラインに流
   れるメイン電流が前記同軸共振器に流入し流出
   するようにし、トラツプすべき周波数で前記同
   軸共振器が並列共振をおこすようにした、同軸
   共振器によるトラツプ構造において、 この同軸共振器は、上記同軸コネクタの背後
   に位置するケースの透孔内に収容されたセミリ
   ジツドケーブルからなり、このセミリジツドケ
   ーブルは、一端側にてその中心線がコネクタの
   心線の上記ケースの透孔内への突出端に接続さ
   れるとともに、外被導体がセミリジツドケーブ
   ルの上記一端側にて中心線に短絡され、かつ、
   この外被導体とケースの上記透孔内周面との間
   に間隔を有していることを特徴とする、同軸共
   振器によるトラツプ構造。 (2) 上記同軸共振器は1/4波長同軸共振器である
   ことを特徴とする、実用新案登録請求の範囲第
   １項記載の同軸共振器によるトラツプ構造。