JPH03174719A - 乾式成膜装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は超ＬＳＩ製造工程において、今後重要度が極
めて高くなるとされている。低温で絶縁膜を生成する乾
式成膜装置に関する。

〔従来の技術〕

従来の超ＬＳＩ製造工程においては、Ｓｉｎｇ。

Ｓｉ＋Ｎａ等の絶縁膜の生成に、反応室内に２枚の平板
電極を対向させ、ヒータを内蔵した一方の電極板上にウ
ェーハを設置し、対向する電極との間にＲＦ電力（ＲＦ
は５０ｋＨｚないし数十ＭＨｚの無線周波数を意味し、
通常１３．５６Ｈｚが使用される）を印加し、低圧プラ
ズマを発生させてウェーハ上に薄膜を形成させる平行平
板式プラズマＣＶＤ装置が用いられてきた。

〔発明が解決しようとする課題〕

この乾式成膜装置である平行平板式プラズマＣＶＤ装置
を用いた絶縁膜の生成では、プラズマ状態のもとて化学
的に活性なイオン、ラジカルを利用するため、熱ＣＶＤ
装置のように反応ガスを熱分解してウェーハ上に薄膜を
気相成長させるものと比べ、より低温で薄膜を形成させ
ることが可能であり、形成される薄膜の熱的損傷の低減
、下地層物質との間の反応の制御、非耐熱性基板への薄
膜形成が可能となり、また、熱力学的に反応が可能であ
っても反応が著しく遅い場合、プラズマ励起状態が関与
するために反応が促進されたり、熱力学的には通常困難
と考えられる反応が可能となる場合があるなど、多くの
長所を有する。しかし、この平行平板式プラズマＣＶＤ
装置を超ＬＳＩの製造に適用しようとすると、Ｍ配線の
ヒロ・２り。

マイグレーション、断線等、品質管理上のさまざまな問
題を生しることが分かってきた。

これらの問題を解決する有望な成膜方法としてＥＣＲプ
ラズマに代表される有磁場マイクロ波プラズマによる成
膜法が研究されており、この方法では膜形成が室温で行
われるため、膜性能に他にはない優れた特長を有する。

この場合、ウェーハはプラズマにより加熱されるので、
室温成膜にはウェーハを冷却することが必要であり、こ
の冷却方法としてまず、第２図に基本構成を示す有磁場
マイクロ波プラズマＣＶＤ装置において、ウェーハ１０
が載置されるウェーハ支持台３１に装置外部から冷媒と
してたとえば冷却水を導き、ウェーハ１０からウェーハ
支持台３１に伝達された熱を冷却水で運び去る構成が考
えられる。しかし、装置の反応室１７内はかなり高真空
であり、またウェーハ１０とウェーハ支持台３１とは数
点で接触しているに過ぎないため、熱伝達が悪く、ウェ
ーハ支持台を冷却する効果が現れにくい。

なお、第２図において、符号１はプラズマ室５内に磁界
を発生させるための励磁ソレノイド、２はプラズマ原料
ガスをプラズマ室５内に導入するための導入管路、３は
マイクロ波を伝達する導波管、４は導波管３内の大気か
らプラズマ室５内を真空に隔離するマイクロ波窓、６は
プラズマ室上と反応家出とを開口を介して連通状態に仕
切るアパーチャ、９は成膜原料ガスの導入管路、１２は
プ− ラズマ室圭および反応家出を真空引きするための排気ボ
ートである。

そこで、ウェーハとウェーハ支持台との接触を良好にす
るため、ウェーハ支持台を静電チャックとした場合には
、静電チャックが一平面内で面方向に対向配置された２
枚の板状電極を絶縁物例えば酸化アルミセラ亙ツクス内
に埋設して円板状に形成され、電極の前面側で厚さが０
．１ｍオーダの酸化アルξの層を介して平面度が約１−
の層表面にウェーハを全面接触状態に吸着する構成のた
め、熱の伝達が良好に行われ、静電チャックは有望な冷
却手段を提供する。しかし、成膜中にはウェーハに膜形
成に伴う圧縮応力が働き、この圧縮応力が静電チャック
の吸着能力を越えた場合、ウェーハが全面離脱するか、
中央部が凸状に部分離脱して熱伝達率が低下する問題が
生じる。さらに、製造技術上の制約から、直径が１０イ
ンチに近い静電チャックを得ることは困難であり、適用
されるウェーハサイズにも限界が生じ、静電チャックに
代る新しいウェーハ冷却手段が求められていた。

６ 他方、乾式成膜装置においては、ウェーハ前面側の空間
内で起こる気相反応により発生するごみがウェーハ表面
に付着し、サブごクロンルールの超ＬＳＩにおいては歩
留りを極端に低下させる問題があり、これへの対応はウ
ェーハの被成膜面を鉛直方向下向きとした。いわゆるフ
ェースダウンの状態でウェーハを搬送し、成膜すると効
果があることが分かってきており、そのための具体的装
置構成の実現も同時に求められる状況になってきている
。

この発明の目的は、成膜中のウェーハに生ずる内部応力
あるいは歪みに関係なくウェーハの全面接触状態に等し
い効果的な冷却と、さらに好ましくは大直径ウェーハま
でのフェースダウン成膜との三大目標が達成される乾式
成膜装置の構成を提供することである。

〔課題を解決するための手段〕

上記課題を解決するために、この発明においては、有磁
場マイクロ波プラズマＣＶＤ法による乾式成膜装置の基
本構成を、ウェーハが載置されるウェーハ支持台の表面
が、ウェーハを周縁部で支持するためのリング状支持面
を残して凹に形成されるとともに、ウェーハの周縁部を
ウェーハ支持台に押圧する押圧手段と、外部から前記ウ
ェーハ支持台の凹部にガスを導くためのガス導入管路と
を備え、ウェーハとウェーハ支持台凹部とにより形成さ
れる閉鎖空間にガスを導入してウェーハに発生した熱を
ガスを介してウェーハ支持台に伝達する構成とするもの
とする。そして、この構成による乾式成膜装置において
、ウェーハの周縁部をウェーハ支持台に押圧する押圧手
段をリング状の重量物とするとともに、ウェーハとウェ
ーハ支持台とにより形成されるＭ鎖空間に導入されるガ
スがガス流量鍍整手段を介して導入され該閉鎖空間から
外部へ洩れるガスを補いつつ該閉鎖空間のガス圧力が所
定の値を維持するようにガス流量調整手段が制御される
構成とするか、あるいはウェーハが載置されるウェーハ
支持台の表面が、ウェーハが重力に逆らって載置される
。鉛直方向下向きの装着面として形成され、ウェーハ周
縁部をウェーハ支持台に押圧する押圧手段が、それぞれ
個別に鉛直方向に移動可能に固定部材に取り付けられる
複数の押圧片を周方向に配してリング状に形成され、外
部からの駆動操作により該複数の押圧片の一部の個数が
ウェーハを上方へ引き上げて前記装着面に接触状態に保
持し、残りの個数がウェーハをばね力によりウェーハ支
持台に押圧する構成とするか、あるいはさらに、前記、
ウェーハが載置されるウェーハ支持台の表面が、ウェー
ハが重力に逆らって載置される。鉛直方向下向きの装着
面として形成される構成において、ウェーハ支持台が鉛
直方向に移動可能に固定部材に取り付けられる構成とす
るものとする。

〔作用〕

乾式成膜装置をこのように構成し、ウェーハとウェーハ
支持台の凹部とにより形成される閉鎖空間に適当な圧力
のガス例えばＨｅガスを送り込むと、成膜時のイオン衝
撃によりウェーハに発生した熱は、熱伝導率の大きいＨ
ｅガスと接触するウェーハ全面からＨｅガスを介してウ
ェーハ支持台に伝達さ９ れ、成膜中に歪みが発生してもこの歪みには関係なく良
好な熱伝達状態を維持することができる。

また、この構成において、ウェーハの周縁部をウェーハ
支持台に押圧する押圧手段をリング状の重量物とすると
ともに、ウェーハとウェーハ支持台とにより形成される
閉鎖空間に導入されるガスがガス流量調整手段を介して
導入され該閉鎖空間から外部へ洩れるガスを補いつつ該
閉鎖空間のガス圧力が所定の値を維持するようにガス流
量調整手段が制御される構成とすれば、厳密な気密が保
たれない閉鎖空間から反応室内へリークするＨｅガスを
ガス流量調整手段を介して補いつつ、熱伝達に十分にし
てかつ、ウェーハ支持台に膜質向上の目的をもって印加
されるＲＦ雷電圧下でも火花放電を生じない範囲の一部
ガス圧力に閉鎖空間内を保つことができ、反応室内の構
成を複雑化することなく大サイズのウェーハまで、また
成膜中の歪みに関係なく、良好なウェーハ冷却が可能な
酸膜装置とすることができる。

また、前記基本構成による乾式成膜装置におい０ て、ウェーハが載置されるウェーハ支持台の表面が、ウ
ェーハが重力に逆らって載置される。鉛直方向下向きの
装着面として形成され、ウェーハ周縁部をウェーハ支持
台に押圧する押圧手段が、それぞれ個別に鉛直方向に移
動可能に固定部材に取り付けられる複数の押圧片を周方
向に配してリング状に形成され、外部からの駆動操作に
より該複数の押圧片の一部の個数がウェーハを上方へ引
き上げて前記装着面に接触状態に保持し、残りの個数が
ウェーハをばね力にまりウェーハ支持台に押圧する構成
とすれば、静電チャックを用いることなくウェーハがそ
の被成膜面を鉛直方向下向きとしたフェースダウンの状
態でウェーハ支持台に装着されるため、製造技術上の制
約を受けることなく大直径のウェーハまでフェースダウ
ンの状態でウェーハ支持台に装着することができ、気相
反応により生じたごみによる。いわゆるパーティクル汚
損を大直径ウェーハまで避けることができる。

また、ウェーハのウェーハ支持台への押圧は、ばね力に
より行われるから、押圧手段をリング状重置物とする場
合と比べ、はるかに大きい押圧力が容易に得られ、ウェ
ーハとウェーハ装着面凹部とにより形成される閉鎖空間
からのガス洩れを実質的に防止することができる。この
ため、例えば、この閉鎖空間を所定圧力の冷媒ガスタン
クと連通させた封し切り状態として成膜を行うことがで
き、冷媒ガス供給系が著しく簡素化される。このため、
装置全体の構成を、押圧手段にリング状重量物を用い、
ガス補給系にガス流量調整手段を用いる場合の構成と比
べ、さほど複雑にすることなく前記フェースダウン搬送
、フェースダウン底膜が実現される。

また、前記、ウェーハが載置されるウェーハ支持台の表
面が、ウェーハが重力に逆らって載置される。鉛直方向
下向きの装着面として形成される構成において、ウェー
ハ支持台が鉛直方向に移動可能に固定部材に取り付けら
れる構成とすれば、ウェーハを上方へ引き上げて装着面
に接触状態に保持する方の押圧片に、重量物であるウェ
ーハ支持台のほぼ全重量をかけることができ、ウェーハ
が全周縁にわたり、ウェーハ支持台による重量とばね力
とによる押圧力を受け、閉鎖空間の気密性がより向上し
、ガス供給系の信頼性をさらに高めることができる。

〔実施例〕

第１図に本発明による有磁場マイクロ波プラズマＣＶＤ
法による乾式放膜装置構成の第１の実施例を示す。図に
おいて第２図と同一の部材には同一符号を付し、説明を
省略する。

ウェーハ１０が載置されるウェーハ支持台１１の表面は
、ウェーハ１０を周縁部で支持するためのリング状支持
面１１ａを残して座ぐり加工により凹に形成され、この
凹部とウェーハ１０とで形成される扁平な円板状空隙１
４に冷媒ガスを送り込むためのガ・ス導入管路１日と、
この円板状空隙１４に導入された冷媒ガスの圧力を圧力
計２２に伝達するためのガス圧測定ライン２１とがウェ
ーハ支持台１１に接続されている。また、ウェーハ支持
台１１の内部には水冷のための空洞が設けられ、この空
洞に冷却水導入管路１９．冷却水導出管路２０が接続さ
れている。ウ１３ エーハ支持台１１はカバー１３とともに反応室内の気密
を保ちつつ上下動ができるように金属ベローズ１５がカ
バー１３と反応室１７の底面との間に介装され、成膜に
先立ってウェーハ支持台１１を図示の位置よりも下方へ
降ろし、ウェーハ１０の周縁部を自重で押圧するリング
状のウェーハ押え７がストッパ８に乗った後ウェーハ支
持台１１をさらに降ろすことによりウェーハ押え７とウ
ェーハ支持台の支持面１１ａとの間に十分な空隙ができ
るような位置関係にストッパ８が設けられている。

図示しないウェーハハンドリング機構によりウェーハ１
０をウェーハ支持台１１に載置したのち、ウェーハ支持
台１１を上下動機構により上昇させ、成膜位置で停止さ
せたとき、ウェーハ押え７がストッパ８から離れ、ウェ
ーハ押え７の自重がウェーハ１０の周縁にかかり、この
結果、ウェーハ１０とウェーハ支持台１１との間に円板
状空隙１４が形成される。

第１図の例では、ウェーハ１０とウェーハ支持台１１と
の間にシール材を設けていないため、冷媒ガ４ スの一部は反応室１７内へ洩れる。従って冷媒ガスは反
応室でのプロセスに害のないガスを用いる。

ガスの圧力は熱伝達が十分に行われ、かつウェーハの裏
面にかかるガス圧によってウェーハが割れない程度（ｉ
ｌ常約Ｉ　Ｔｏｒｒ）にとり、この圧力が空隙１４内で
一定に保たれるよう、空隙１４のガス圧力を圧力計２２
で検出し７、ガス流量調整手段であるマスフローコント
ローラ　（以下ＭＦＣと記す）２３を通過する冷媒ガス
の流量を制御する。ＭＦＣは圧力計２２から与えられる
信号電圧に比例したガス流量を通過させるから、空隙１
４のガス圧力が反応室１７へのガス洩れにより低下して
所定の圧力に対して不足する分のガス補給を、ＭＦＣの
フルスケール流量を与える信号電圧をＥ。（通常５Ｖ）
、空、隙１４のガス圧力に比例した信号電圧をＥ、とし
て、信号電圧：　ｋ＋　Ｅ　ｏ　　ｋｚＥ　ｐ　　（ｋ
、ｋｚは定数）を与えて行うことにより、ガス圧を一定
に保つことができる。

第３図ないし第８図は本発明の第２の実施例を示すもの
で、ウェーハＱウェーハ支持台（以下にはウェーハ装着
台と記す）への装着開始から成膜準備完了までの各段階
におけるウェーハ装着台周辺の状態を視角を変えて描い
たものである。また、第９図はこの実施例による乾式成
膜装置の全体構成を示す図であり、第１図ないし第８図
と同一の部材には同一の符号が付されている。以下、こ
の装置の操作を説明する。

まず、反応室Ｈにウェーハが存在しないとき、ウェーハ
装着台４４はロードロック室５１内で水平移動するべく
待機中のウェーハ搬送ハンド４５より高い位置にストッ
パ４６．４７を係合させて静止させておく。ストッパ４
６はウェーハ装着台４４に固定して取りつけた落下防止
片、ストッパ４７は反応空出の側壁面に取り付けられ、
水平方向に可動であるが垂直方向には移動しない落下防
止片である。

ウェーハをウェーハ装着台４４の装着面４４ａに押圧す
る押圧手段は、リングを４分割して得られる押圧片３２
．３３．３４．３５にそれぞれ面に垂直方向にシャツ）
　３６，３７．・・・、４３を立設させて形成され、反
応空出の外部からこれらのシャフトを介して各押圧片を
個別に上下動できるように構成されている。

そこで、まず、外部の操作でこれらシャフトを介して全
押圧片を搬送ハンド４５より低い位置に静止させておく
。

この状態からウェーハ４９を装着台４４に装着するには
、まず、ゲートバルブ４８を開け、ウェーババンド４５
に乗せたウェーハの面の中心点がウェーハ装着台４４の
中心を通る鉛直線上にあるようにウェーババンド４５を
水平移動させる。シャフト４０．４２の間隔はウェーハ
４９が接触せぬよう十分量いた設計としておく必要があ
る。

次に、図示しない上下駆動機構を用いてシャツ）３６３
７および３８．３９を気密を保ちつつほぼ同時に引き上
げることにより、押圧片３２，３５をほぼ同一レベルを
保ちながら上昇させる。

押圧片３２，３５はまずウェーハ４９をウェーハ搬送ハ
ンド４５からすくい取ったのちこれをウェーハ装着台４
４に押圧し、これによってガス冷却用凹部５０は閉鎖空
間となる。押圧をさらに強めることにより、ウェーハ装
着台４４は重量が下から支えられる７ ことにより押し上げられ、このため、固定ストッパ４６
は可動ストッパ１７から浮き上がる。この状態を横から
見た断面図が第５図、下から見た断面図が第６図である
。その後ウェーハ搬送ハンド４５を引き、ゲートパルプ
４８を閉じる。ただし、この位置で下からプラズマを照
射するとゲートパルプ４８に膜が付着して開閉動作や気
密保持などに悪影響が出るため、ウェーハ装着台をゲー
トバルブより下に降ろす必要がある。そのためには、可
動ストッパ４７を気密を保ちつつ外側に引き、固定スト
ッパ４６の動きを自由にしたのち、図示しない上下駆動
機構を用いてシャフト３６，３７．３８．３９を平等に
下降させる。押圧片３２，３３，３４．３５が同一平面
内に位置するところよりさらに一定の距離だけ下降させ
ると、押圧片？３．３４はウェーハ装着台４４の重力を
受けて一緒に下降し、シャフト４０，４１．．４２．４
３の上部にあらかしめ取り付けておいたばね２５が圧縮
されてその反作用により押圧片３３，３４　もウェーハ
４９の周縁部を押圧する。この状態を横から見た断面図
が第７図、下から見た断面図が第８図である。

１８ この状態になると、ウェーハ４９はその全周縁をウェー
ハ装着台４４とばね２５とにより強く押圧されるため、
ガス冷却用凹部５０は実質気密に閉鎖され冷却媒体ガス
を流入させることができる。このようにして、水冷され
たウェーハ装着台４４とウェーハ４９との間には良好な
熱伝導が確保され、プラズマ照射による低温成膜が可能
となる。

〔発明の効果〕

以上に述べたように、本発明においては、マイクロ波と
磁界との共鳴効果によりプラズマ化されたガスにより反
応性ガスを活性化してウェーハ上に薄膜を形成する乾式
成膜装置の基本構成を、ウェーハが載置されるウェーハ
支持台の表面が、ウェーハを周縁部で支持するためのリ
ング状支持面を残して凹に形成されるとともに、ウェー
ハの周縁部をウェーハ支持台に押圧する押圧手段と、外
部から前記ウェーハ支持台の凹部にガスを導くためのガ
ス導入管路とを備え、ウェーハとウェーハ支持台凹部と
により形成される閉鎖空間にガスを導入してウェーハに
発生した熱をガスを介してウェーハ支持台に伝達する構
成としたので、成膜時にイオン衝撃によりウェーハ表面
に発生した熱は、前記閉鎖空間に導入された冷媒ガスと
接触するウェーハ全面から冷媒ガスを介してウェーハ支
持台に伝達され、このウェーハ支持台に装置の外部から
冷媒を送るなど、適当な手段でウェーハ支持台を冷却す
ることにより、成膜中にウェーハに歪みが生じてもこの
歪みには関係なくウェーハからの良好な熱伝達状態が維
持される。また、この構成は製造技術上の制約を受ける
ことなく単純な工作技術により可能であるから、大サイ
ズウェーへの冷却も何らの問題なく可能となる。そして
、この構成において、ウェーハの周縁部をウェーハ支持
台に押圧する押圧手段をリング状の重量物とするととも
に、ウェーハとウェーハ支持台とにより形成される閉鎖
空間に導入されるガスがガス流量調整手段を介して導入
され該閉鎖空間から外部へ洩れるガスを補いつつ該閉鎖
空間のガス圧力が所定の値を維持するようにガス流量調
整手段が制御される構成とすることにより、反応室内の
構成を複雑化することなく、従って運用も容易な成膜装
置とすることができる。本発明の装置により直径が８イ
ンチの大口径ウェーハにプラズマを照射し、同時に膜質
向上のためのＲＦ電圧をウェーハに印加してイオン衝撃
を与えて成膜した場合にも十分な冷却効果が得られ、本
発明による装置構成により、低温成膜を特長とする有磁
場マイクロ波プラズマＣＶＤ法による乾式成膜装置の利
点を引き出ｒ； しうろことが確認されみ。

さらに、前記基本構成による乾式成膜装置において、ウ
ェーハが載置されるウェーハ支持台の表面が、ウェーハ
が重力に逆らって載置される。鉛直方向下向きの装着面
として形成され、ウェーハ周縁部をウェーハ支持台に押
圧する押圧手段が、それぞれ個別に鉛直方向に移動可能
に固定部材に取り付けられる複数の押圧片を周方向に配
してリング状に形成され、外部からの駆動操作により該
複数の押圧片の一部の個数がウェーハを上方へ引き上げ
て前記装着面に接触状態に保持し、残りの個数がウェー
ハをばね力によりウェーハ支持台に１ 押圧する構成とすることにより、例えば、リングを構成
する複数の押圧片中の対向する押圧片を用いてウェーハ
をウェーハ装着面に保持させることができるため、静電
チャックを用いることなく大直径のウェーハまでフェー
スダウン搬送、フェースダウン成膜が可能となり、ウェ
ーハ被成膜面のパーティクル汚損が防止される。そして
、ウェーハのウェーハ装着面への押圧が、大きい押圧力
を容易に得ることのできるばね力により行われ、ウェー
ハとウェーハ装着面凹部とにより形成される閉鎖空間が
実質気密に保たれるため、冷媒ガスの供給系がガス流量
調整手段等を必要とすることなく簡素に構成され、装置
全体としての構造をさほど複雑化することなく前記フェ
ースダウン搬送。

成膜を実現させることができる。また、ウェーハ支持台
が鉛直方向に移動可能に固定部材に取り付けられる構成
とすることにより、ウェーハを上方へ引き上げて装着面
に接触状態に保持する方の押圧片に、重量物であるウェ
ーハ支持台のほぼ全重量をかけることができ、ウェーハ
が全周縁にわた２− リ、ウェーハ支持台による重量とばね力とによる押圧力
を受け、閉鎖空間の気密性がより向上し、ガス供給系の
信頼性をさらに高めることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例による乾式成膜装置の槽
底を示す縦断面図、第２図は本発明が対象とする乾式成
膜装置の基本構成を示す縦断面図、第３図ないし第８図
は本発明の第２の実施例による乾式成膜装置のウェーハ
装着台へのウェーハ装着開始から成膜準備完了に到る各
段階でのウェーハ装着台周辺の状態を示す図であって、
第３図および第４図は装着待機状態を、第５図および第
６図は装着途中の状態を、第７図および第８図は成膜準
備完了の状態を示すそれぞれ縦断面図および横断面図、
第９図は第２の実施例による乾式成膜装置の全体構成を
示す図である。 １：励磁ソレノイド、７：ウエーハ押え　（押圧手段’
）　、１０．４９　　ｎウェーハ、１１，３１　　：ウ
エーハ支持台、１４：空隙（閉鎖空間）、１８：ガス導
入管路、２１：ガス圧測定ライン、２５：ばね、３２，
３３，３４．３５　　：押圧片、３６，３７，３８，３
９，４０，４１，４２，４３　　：シャフト、４４：ウ
ェーハ装着台（ウェーハ支持台）。 第 ９ 図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）マイクロ波と磁界との共鳴効果によりプラズマ化さ
   れたガスにより反応性ガスを活性化してウェーハ上に薄
   膜を形成する乾式成膜装置であって、ウェーハが載置さ
   れるウェーハ支持台の表面が、ウェーハを周縁部で支持
   するためのリング状支持面を残して凹に形成されるとと
   もに、ウェーハの周縁部をウェーハ支持台に押圧する押
   圧手段と、外部から前記ウェーハ支持台の凹部にガスを
   導くためのガス導入管路とを備え、ウェーハとウェーハ
   支持台凹部とにより形成される閉鎖空間にガスを導入し
   てウェーハに発生した熱をガスを介してウェーハ支持台
   に伝達することを特徴とする乾式成膜装置。 ２）請求項第１項に記載の乾式成膜装置において、ウェ
   ーハの周縁部をウェーハ支持台に押圧する押圧手段をリ
   ング状の重量物とするとともに、ウェーハとウェーハ支
   持台とにより形成される閉鎖空間に導入されるガスがガ
   ス流量調整手段を介して導入され該閉鎖空間から外部へ
   洩れるガスを補いつつ該閉鎖空間のガス圧力が所定の値
   を維持するようにガス流量調整手段が制御される構成と
   したことを特徴とする乾式成膜装置。 ３）請求項第１項に記載の乾式成膜装置において、ウェ
   ーハが載置されるウェーハ支持台の表面が、ウェーハが
   重力に逆らって載置される、鉛直方向下向きの装着面と
   して形成され、ウェーハ周縁部をウェーハ支持台に押圧
   する押圧手段が、それぞれ個別に鉛直方向に移動可能に
   固定部材に取り付けられる複数の押圧片を周方向に配し
   てリング状に形成され、外部からの駆動操作により該複
   数の押圧片の一部の個数がウェーハを上方へ引き上げて
   前記装着面に接触状態に保持し、残りの個数がウェーハ
   をばね力によりウェーハ支持台に押圧するように構成さ
   れていることを特徴とする乾式成膜装置。 ４）請求項第３項に記載の乾式成膜装置において、ウェ
   ーハ支持台が鉛直方向に移動可能に固定部材に取り付け
   られていることを特徴とする乾式成膜装置。