JPH03175333A - 光伝送線路測定器 - Google Patents
光伝送線路測定器Info
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- JPH03175333A JPH03175333A JP32308589A JP32308589A JPH03175333A JP H03175333 A JPH03175333 A JP H03175333A JP 32308589 A JP32308589 A JP 32308589A JP 32308589 A JP32308589 A JP 32308589A JP H03175333 A JPH03175333 A JP H03175333A
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- Japan
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- optical
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- transmission line
- semiconductor laser
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、光伝送線路の障害点測定装置で特に近距離の
障害点を測定するものに関する。
障害点を測定するものに関する。
〈従来の技術〉
光ファイバの破断点等を検出するために、光ファイバの
一端から光パルスを送り、後方散乱光を観測する０ＴＤ
Ｒ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｔｉｎｅ Ｄｏｎａｉｎ Ｒｅｆ
ｌｅｃｔａｒ ）が従来から用いられている。
一端から光パルスを送り、後方散乱光を観測する０ＴＤ
Ｒ（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｔｉｎｅ Ｄｏｎａｉｎ Ｒｅｆ
ｌｅｃｔａｒ ）が従来から用いられている。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかしながら、０ＴＤＲは破断点からの後方散乱光の時
間遅れを測定しているため、短距離（５ｍ以下）の測定
は不可能である。
間遅れを測定しているため、短距離（５ｍ以下）の測定
は不可能である。
本発明は上記のような課題を解決するためになされたも
ので、光伝送線路の短距離の破断点の位置を測定可能な
破断点測定装置を実現することを目的とする。
ので、光伝送線路の短距離の破断点の位置を測定可能な
破断点測定装置を実現することを目的とする。
〈課題を解決するための手段〉
本発明の＃１は入射光の少なくとも一部を反射するミラ
ーと光伝送線路の障害点との間で光源からの光を干渉さ
せ、光源の光周波数を掃引したときの干渉光出力から前
記ミラーと前記障害点との間の共振器長を演算すること
により、障害点位置を測定するように構成したことを特
徴とする光伝送線路測定器に関する。
ーと光伝送線路の障害点との間で光源からの光を干渉さ
せ、光源の光周波数を掃引したときの干渉光出力から前
記ミラーと前記障害点との間の共振器長を演算すること
により、障害点位置を測定するように構成したことを特
徴とする光伝送線路測定器に関する。
本発明の第２は光源と、この光源の出力波長を掃引する
掃引手段と、前記光源の出力光を入射する光分岐手段と
、この光分岐手段の出力光を入射してその透過光を光伝
送線路に導くハーフミラ−と、このハーフミラ−と前記
光伝送線路の障害点との間で干渉した光が前記ハーフミ
ラ−を介して前記分岐手段に戻り前記光源からの光と分
離された後入射する受光素子と、この受光素子の出力が
示す干渉ピーク同士の間隔から前記障害点の位置を演算
する演算手段とを備えたことを特徴とする光伝送線路測
定器に存する。
掃引手段と、前記光源の出力光を入射する光分岐手段と
、この光分岐手段の出力光を入射してその透過光を光伝
送線路に導くハーフミラ−と、このハーフミラ−と前記
光伝送線路の障害点との間で干渉した光が前記ハーフミ
ラ−を介して前記分岐手段に戻り前記光源からの光と分
離された後入射する受光素子と、この受光素子の出力が
示す干渉ピーク同士の間隔から前記障害点の位置を演算
する演算手段とを備えたことを特徴とする光伝送線路測
定器に存する。
本発明の第３は後面に反射ミラーを有する半導体レーザ
と、この半導体レーザの出力周波数を掃引する掃引手段
と、前記半導体レーザの前面からの出射光を２つに分岐
して一方の出力光を前記光伝送線路に導く光分岐手段と
、この光分岐手段の他方の出力光を入射する光スペクト
ル線幅測定装置と、前記反射ミラーと前記障害点との間
の干渉により生ずる前記光スペクトル線幅測定装置の出
力変化から前記障害点の位置を演算する演算手段とを備
えたことを特徴とする光伝送線路測定器に間する。
と、この半導体レーザの出力周波数を掃引する掃引手段
と、前記半導体レーザの前面からの出射光を２つに分岐
して一方の出力光を前記光伝送線路に導く光分岐手段と
、この光分岐手段の他方の出力光を入射する光スペクト
ル線幅測定装置と、前記反射ミラーと前記障害点との間
の干渉により生ずる前記光スペクトル線幅測定装置の出
力変化から前記障害点の位置を演算する演算手段とを備
えたことを特徴とする光伝送線路測定器に間する。
く作用〉
本発明によれば、ミラーと障害点との間の距離に対応し
て干渉周波数の間隔が変化するので、この間隔から障害
点の位置を演算することができる。
て干渉周波数の間隔が変化するので、この間隔から障害
点の位置を演算することができる。
〈実施例〉
以下本発明を図面を用いて詳しく説明する。
第１図は本発明に係る光伝送線路測定器の第１の実施例
を示す構成ブロック図である。半導体レーザ駆動電′ａ
１１は光源を構成するＤＦＢ半導体レーザ１の注入ｔｈ
ｍを駆動する。半導体レーザ１を出射した光はコリメ
ートレンズ２で平行光にされ、戻り光防止用の光アイソ
レータ３を通って、光分岐手段を構成するビームスプリ
ッタ４に入射する。ビームスプリッタ４を透過した光は
レンズ５で絞られ、ハーフミラ−６を介して被測定ファ
イバ７に入射する。被測定ファイバ７の破断点Ａからの
後方散乱光は干渉後ハーフミラ−６を透過し、レンズ５
で平行光となり、ビームスプリッタ４で反射し、受光素
子を構成するフォトダイオード８に入射する。フォトダ
イオード８の出力はフィルタ付カウンタ９で計数され、
さらに演算表示部１０で破断点Ａの位置が演算され、表
示される。
を示す構成ブロック図である。半導体レーザ駆動電′ａ
１１は光源を構成するＤＦＢ半導体レーザ１の注入ｔｈ
ｍを駆動する。半導体レーザ１を出射した光はコリメ
ートレンズ２で平行光にされ、戻り光防止用の光アイソ
レータ３を通って、光分岐手段を構成するビームスプリ
ッタ４に入射する。ビームスプリッタ４を透過した光は
レンズ５で絞られ、ハーフミラ−６を介して被測定ファ
イバ７に入射する。被測定ファイバ７の破断点Ａからの
後方散乱光は干渉後ハーフミラ−６を透過し、レンズ５
で平行光となり、ビームスプリッタ４で反射し、受光素
子を構成するフォトダイオード８に入射する。フォトダ
イオード８の出力はフィルタ付カウンタ９で計数され、
さらに演算表示部１０で破断点Ａの位置が演算され、表
示される。
また演算表示部１０は半導体レーザ駆動電源１１に電流
値の指示を与えることにより、光源の出力周波数を掃引
する掃引手段をも構成する。
値の指示を与えることにより、光源の出力周波数を掃引
する掃引手段をも構成する。
上記の構成の光伝送線路測定器の動作を次に説明する。
この光伝送線路測定器は、半導体レーザ１の駆動電流を
変えることにより、発振波長を変化させ、ハーフミラ−
６と被測定ファイバ７の破断点Ａとで形成される共振器
の共振器長を測定することにより、短距離の破断点位置
を正確に測定するものである０周波数が掃引された光が
ハーフミラ−６を介して被測定ファイバ７に入射すると
、破断点Ａとハーフミラ−６との間における干渉により
、ハーフミラ−６からビームスプリッタ４へ戻る光は上
記共振器長に対応した周波数間隔で干渉ピークを生じる
。被測定ファイバ７の直前に配！したハーフミラ−６と
破断点Ａとの間で形成される共振器の出力が強められる
条件は、共振器長すなわちハーフミラ−６と破断点Ａと
の間の距離を２、光速をＣ２半導体レーザ１の発振周波
数をｆ、光ファイバ７の屈折率をｎとすると、次式で表
される。
変えることにより、発振波長を変化させ、ハーフミラ−
６と被測定ファイバ７の破断点Ａとで形成される共振器
の共振器長を測定することにより、短距離の破断点位置
を正確に測定するものである０周波数が掃引された光が
ハーフミラ−６を介して被測定ファイバ７に入射すると
、破断点Ａとハーフミラ−６との間における干渉により
、ハーフミラ−６からビームスプリッタ４へ戻る光は上
記共振器長に対応した周波数間隔で干渉ピークを生じる
。被測定ファイバ７の直前に配！したハーフミラ−６と
破断点Ａとの間で形成される共振器の出力が強められる
条件は、共振器長すなわちハーフミラ−６と破断点Ａと
の間の距離を２、光速をＣ２半導体レーザ１の発振周波
数をｆ、光ファイバ７の屈折率をｎとすると、次式で表
される。
ｇ＝ｍ（ｃ／２ｆ）（１／ｎ） ＝１１）ただ
しｍ＝１．２．３・・・ ここで半導体レーザ１の発振周波数を変化させ、次に出
力が強められるときの発振周波数をｆ−とすると、 Ｒ＝ｃ／２ｎ （ｆ−ｆ −） −（２＞と
なる、したがって第３図に示すように、半導体レーザ１
の注入電流と中心波長の関係が分かっていれば、ｆ−ｆ
−の値を知ることができ、共振器長２を測定することが
できる０、ｔた半一体レーザ１の中心波長が分かってい
なくても、第３図の傾き（ここでは約１．３ＧＨｚ／ｍ
Ａ）が分かっていれば測定可能である。
しｍ＝１．２．３・・・ ここで半導体レーザ１の発振周波数を変化させ、次に出
力が強められるときの発振周波数をｆ−とすると、 Ｒ＝ｃ／２ｎ （ｆ−ｆ −） −（２＞と
なる、したがって第３図に示すように、半導体レーザ１
の注入電流と中心波長の関係が分かっていれば、ｆ−ｆ
−の値を知ることができ、共振器長２を測定することが
できる０、ｔた半一体レーザ１の中心波長が分かってい
なくても、第３図の傾き（ここでは約１．３ＧＨｚ／ｍ
Ａ）が分かっていれば測定可能である。
ここで実際の動作例を以下に示す。
（イ）半導体レーザ１の注入電流を例えば３０ｍＡから
１０ｍＡ／秒で上げてゆき、このときのフォトダイオー
ド８の出力が第２図の１２のようになっなとする。
１０ｍＡ／秒で上げてゆき、このときのフォトダイオー
ド８の出力が第２図の１２のようになっなとする。
（ロ）この出力はフィルタ付カウンタ９においてフィル
タでスロープ成分１３を取除さ、カウンタで計数され２
力ウント／秒となる。
タでスロープ成分１３を取除さ、カウンタで計数され２
力ウント／秒となる。
（ハ＞ＳＸ表示部１０で（イ）および（ロ）の数値を用
いてピークからピーク迄の電流ｆｉｉ ５ ｍ Ａを求
め、レーザ発振周波数差 １．３ＧＨｚ／ｍＡｘ５ｍＡ より、共振器長Ｐは ｇ＝３ｘ１０８／２ｘ１．３ｘ５Ｇ ０．０２ｍ となる、なお半導体レーザ１に電流が流れ過ぎないよう
に、演算表示部１０より駆動電源１１にリミッタをかけ
ている。
いてピークからピーク迄の電流ｆｉｉ ５ ｍ Ａを求
め、レーザ発振周波数差 １．３ＧＨｚ／ｍＡｘ５ｍＡ より、共振器長Ｐは ｇ＝３ｘ１０８／２ｘ１．３ｘ５Ｇ ０．０２ｍ となる、なお半導体レーザ１に電流が流れ過ぎないよう
に、演算表示部１０より駆動電源１１にリミッタをかけ
ている。
上記の手順により、半導体レーザ１の電流掃引幅を３０
〜１６０ｍＡ（周波数差で１８０ＧＨｚ）、レーザ線幅
をＩＭＨｚとしたとき、最短測定距離（ＯＴＤＲでデッ
ドゾーン）は掃引幅で決まり、０．５ｍｍ、最長測定距
離は線幅で決まり、１００ｍとなる。ただし最長測定距
離は、現在数も線幅の狭い（１ｋＨｚ ）半導体レーザ
を用いれば、１１００ｋ迄測定可能となる。
〜１６０ｍＡ（周波数差で１８０ＧＨｚ）、レーザ線幅
をＩＭＨｚとしたとき、最短測定距離（ＯＴＤＲでデッ
ドゾーン）は掃引幅で決まり、０．５ｍｍ、最長測定距
離は線幅で決まり、１００ｍとなる。ただし最長測定距
離は、現在数も線幅の狭い（１ｋＨｚ ）半導体レーザ
を用いれば、１１００ｋ迄測定可能となる。
このような構成の光伝送線路測定器によれば、光源の波
長を変えて、干渉法を用いることにより、被測定ファイ
バの短距離の破断点の位置を高精度で測定することがで
きる。
長を変えて、干渉法を用いることにより、被測定ファイ
バの短距離の破断点の位置を高精度で測定することがで
きる。
また光分岐手段として、ビームスプリッタの代りに超音
波光変調器を用いて出射光に変関をかけ、受光素子の出
力をロックインアンプで同期検波すれば、Ｓ／Ｎ比が向
上する。
波光変調器を用いて出射光に変関をかけ、受光素子の出
力をロックインアンプで同期検波すれば、Ｓ／Ｎ比が向
上する。
またフィルタ付きカウンタの代りにＡ／Ｄ変換器を用い
てコンピュータで演算処理してもよい。
てコンピュータで演算処理してもよい。
また破断点が多数個ある場合にも、ＦＦＴアナライザを
用いて破断点の分布を知ることができる。
用いて破断点の分布を知ることができる。
第４図は本発明に係る光伝送線路測定器の第２の実施例
を示す構成ブロック図である。第１図と同じ部分は同一
の記号を付しである。半導体レーザ駆動電源１１は演算
表示部２０の指示に基づいて、ＤＦＢ半導体レーザ１を
ある電流で発振させる。ここでＤＦ８半導体レーザ１は
少なくともレーザ光の一部を反射する後面のミラーと反
射を抑えな前面の端面を備えている。ＤＦＢ半導体レー
ザ１の前面の端面から出射された光はレンズ２で平行光
にされ、光アイソレータ１３に入射する。
を示す構成ブロック図である。第１図と同じ部分は同一
の記号を付しである。半導体レーザ駆動電源１１は演算
表示部２０の指示に基づいて、ＤＦＢ半導体レーザ１を
ある電流で発振させる。ここでＤＦ８半導体レーザ１は
少なくともレーザ光の一部を反射する後面のミラーと反
射を抑えな前面の端面を備えている。ＤＦＢ半導体レー
ザ１の前面の端面から出射された光はレンズ２で平行光
にされ、光アイソレータ１３に入射する。
ここで光アイソレータ１３はアイソレーション比が２０
〜３０ｄＢ程度で、ＤＦＢ半導体レーザ１に戻り光を与
えて半導体レーザ１の後面のミラーと被測定光ファイバ
破断点との間で共振器を形成するとともに、半導体し〜
ザ１の破損あるいは劣化を防止するためのものである。
〜３０ｄＢ程度で、ＤＦＢ半導体レーザ１に戻り光を与
えて半導体レーザ１の後面のミラーと被測定光ファイバ
破断点との間で共振器を形成するとともに、半導体し〜
ザ１の破損あるいは劣化を防止するためのものである。
光アイソレータ１３を通過した光はビームスグリツタ１
４で２つに分岐され、一方の出射光（透過光）はレンズ
５で絞られ、被測定光ファイバ７に入射する。被測定光
ファイバ７の破断点Ａで生じた後方散乱光は元の経路を
たどってＤＦＢ半導体レーザ１に戻る。
４で２つに分岐され、一方の出射光（透過光）はレンズ
５で絞られ、被測定光ファイバ７に入射する。被測定光
ファイバ７の破断点Ａで生じた後方散乱光は元の経路を
たどってＤＦＢ半導体レーザ１に戻る。
ビームスプリッタ１４の他方の分岐光（反射光）はアイ
ソレーション比が３０〜６０ｄＢの光アイソレータ２３
を通り、レンズ１５で絞られ、光ファイバ２１を介して
光スペクトル線幅測定装置２２に入射する。光スペクト
ル線幅測定装置２２はこの入射光の光スペクトル線幅を
測定し、その出力に基づいて演算表示部２０が破断点Ａ
の位置を演算する。
ソレーション比が３０〜６０ｄＢの光アイソレータ２３
を通り、レンズ１５で絞られ、光ファイバ２１を介して
光スペクトル線幅測定装置２２に入射する。光スペクト
ル線幅測定装置２２はこの入射光の光スペクトル線幅を
測定し、その出力に基づいて演算表示部２０が破断点Ａ
の位置を演算する。
上記のような構成の光伝送線路測定器の動作を次に説明
する。演算表示部２０は特定のレーザ周波数における光
スペクトル線幅出力を入力した後、半導体レーザ駆動電
源１１に指示を出して半導体レーザ１の駆動電流を変化
させ、異なったレーザ周波数における光スペクトル線幅
を入力する。以下同様に半導体レーザ駆動電源１１に順
次指示を出して、半導体レーザ１の駆動電流値を変化さ
せ、変化するレーザ周波数に対応する各周波数光スペク
トル線幅を入力する。スペクトル線幅はレーザの発振周
波数に対して一定周波数て変化するので、この周期を演
算表示部２０で測定し、（２）式を用いて半導体レーザ
１（の後面の端面）と被測定ファイバ７中の破断点Ａの
間の距ＩＩＱを測定することができる。この距離ｅから
半導体レーザ１と光ファイバ７入射口との間の距離を引
算すれば、被測定光ファイバ７における破断点距離を求
めることかできる。ｇ／Ｊえば第５図のようなスペクト
ル線幅データが得られた場合、（２）式に代入すると、 ｇ＝（３Ｘ１０β）／（２Ｘ１０．８Ｘ１．５）＝９．
３ｍｍ となる、なお第５図において、半導体レーザ１への戻り
光が無い場合を比較のために示している。
する。演算表示部２０は特定のレーザ周波数における光
スペクトル線幅出力を入力した後、半導体レーザ駆動電
源１１に指示を出して半導体レーザ１の駆動電流を変化
させ、異なったレーザ周波数における光スペクトル線幅
を入力する。以下同様に半導体レーザ駆動電源１１に順
次指示を出して、半導体レーザ１の駆動電流値を変化さ
せ、変化するレーザ周波数に対応する各周波数光スペク
トル線幅を入力する。スペクトル線幅はレーザの発振周
波数に対して一定周波数て変化するので、この周期を演
算表示部２０で測定し、（２）式を用いて半導体レーザ
１（の後面の端面）と被測定ファイバ７中の破断点Ａの
間の距ＩＩＱを測定することができる。この距離ｅから
半導体レーザ１と光ファイバ７入射口との間の距離を引
算すれば、被測定光ファイバ７における破断点距離を求
めることかできる。ｇ／Ｊえば第５図のようなスペクト
ル線幅データが得られた場合、（２）式に代入すると、 ｇ＝（３Ｘ１０β）／（２Ｘ１０．８Ｘ１．５）＝９．
３ｍｍ となる、なお第５図において、半導体レーザ１への戻り
光が無い場合を比較のために示している。
第４図のような構成の場合、ＤＦＢ半導体レーザ１から
被測定光ファイバ７迄の距離を１ｍｍ以上とすれば、ス
ペクトル線幅ＩＭＨｚ、電流変化による周波数掃引幅１
８０ＧＨｚの一般的なりＦＢレーザでも、理論的にデヅ
ドゾーンＯｍｍ、Ｉｋ長測定距離！ ＯＯｍの性能を得
ることができる。
被測定光ファイバ７迄の距離を１ｍｍ以上とすれば、ス
ペクトル線幅ＩＭＨｚ、電流変化による周波数掃引幅１
８０ＧＨｚの一般的なりＦＢレーザでも、理論的にデヅ
ドゾーンＯｍｍ、Ｉｋ長測定距離！ ＯＯｍの性能を得
ることができる。
このような構成の光伝送線路測定器によれば、半導体レ
ーザと破断点の間で共振器を構成し、光スペクトル幅変
化を観測することにより、光ファイバの極短距離の破断
点の位置が高分解能で測定可能となる。特に破断点の位
置が短距離の場合には干渉光の明暗が低周波になるので
、スペクトル幅の方が測定が容易である。
ーザと破断点の間で共振器を構成し、光スペクトル幅変
化を観測することにより、光ファイバの極短距離の破断
点の位置が高分解能で測定可能となる。特に破断点の位
置が短距離の場合には干渉光の明暗が低周波になるので
、スペクトル幅の方が測定が容易である。
なお上記の実施例においてＤＦＢ半導体レーザの波長掃
引は、電流でなく温度で行ってもよい。
引は、電流でなく温度で行ってもよい。
またＤＦＢ半導体レーザ１の代りにシングルモードで発
振する任意の半導体レーザを用いることができる。
振する任意の半導体レーザを用いることができる。
まな破断点が多数ある場合でも、線幅−電流の関係をフ
ーリエ変換すれば、破断点の分布を測定することができ
る。
ーリエ変換すれば、破断点の分布を測定することができ
る。
またビームスプリヅタ１４からの分岐光を光スペクトル
線幅装置２２に入射する代りに、半導体レーザ１の側面
光（モニタ側出射光）を光スペクトル線幅装置２２に入
射してもよい。
線幅装置２２に入射する代りに、半導体レーザ１の側面
光（モニタ側出射光）を光スペクトル線幅装置２２に入
射してもよい。
なお上記の各実施例において、被測定光伝送線路として
光ファイバを用いたが、光導波路等能の光伝送線路にも
同様に適用することができる。
光ファイバを用いたが、光導波路等能の光伝送線路にも
同様に適用することができる。
また上記の各実施例において、破断点以外の短距離の障
害点位置を測定することもできる。
害点位置を測定することもできる。
〈発明の効果〉
以上述べたように本発明によれば、光伝送線路の短距離
の障害点の位置を測定可能な光伝送線路測定器を簡単な
構成で実現することができる。
の障害点の位置を測定可能な光伝送線路測定器を簡単な
構成で実現することができる。
第１図は本発明に係る光伝送線路測定器の第１の実施例
を示す構成ブロック図、第２図および第３図は第１図装
置の特性曲線図、第４図は本発明に係る光伝送線路測定
器の第２の実施例を示す構成ブロック図、第５図は類４
図装置の特性曲線図である。 １・・・光源または半導体レーザ、４，１４・・・光分
岐手段、６・・・ハーフミラ−１７・・・光伝送線路、
８・・・受光素子、１０．２０・・・演算表示部、１１
・・・掃引手段、２２・・・光スペクトル線幅測定装置
、Ａ・・・←瞥旨＋Ｌ’ｓ運、−勾一一 Δ−′Ｖ蟹廖歪
を示す構成ブロック図、第２図および第３図は第１図装
置の特性曲線図、第４図は本発明に係る光伝送線路測定
器の第２の実施例を示す構成ブロック図、第５図は類４
図装置の特性曲線図である。 １・・・光源または半導体レーザ、４，１４・・・光分
岐手段、６・・・ハーフミラ−１７・・・光伝送線路、
８・・・受光素子、１０．２０・・・演算表示部、１１
・・・掃引手段、２２・・・光スペクトル線幅測定装置
、Ａ・・・←瞥旨＋Ｌ’ｓ運、−勾一一 Δ−′Ｖ蟹廖歪
Claims (3)
- （１）入射光の少なくとも一部を反射するミラーと光伝
送線路の障害点との間で光源からの光を干渉させ、光源
の光周波数を掃引したときの干渉光出力から前記ミラー
と前記障害点との間の共振器長を演算することにより、
障害点位置を測定するように構成したことを特徴とする
光伝送線路測定器。 - （２）光源と、この光源の出力波長を掃引する掃引手段
と、前記光源の出力光を入射する光分岐手段と、この光
分岐手段の出力光を入射してその透過光を光伝送線路に
導くハーフミラーと、このハーフミラーと前記光伝送線
路の障害点との間で干渉した光が前記ハーフミラーを介
して前記分岐手段に戻り前記光源からの光と分離された
後入射する受光素子と、この受光素子の出力が示す干渉
ピーク同士の間隔から前記障害点の位置を演算する演算
手段とを備えたことを特徴とする光伝送線路測定器。 - （３）後面に反射ミラーを有する半導体レーザと、この
半導体レーザの出力周波数を掃引する掃引手段と、前記
半導体レーザの前面からの出射光を２つに分岐して一方
の出力光を前記光伝送線路に導く光分岐手段と、この光
分岐手段の他方の出力光を入射する光スペクトル線幅測
定装置と、前記反射ミラーと前記障害点との間の干渉に
より生ずる前記光スペクトル線幅測定装置の出力変化か
ら前記障害点の位置を演算する演算手段とを備えたこと
を特徴とする光伝送線路測定器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32308589A JP2626099B2 (ja) | 1989-09-26 | 1989-12-13 | 光伝送線路測定器 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1-249926 | 1989-09-26 | ||
| JP24992689 | 1989-09-26 | ||
| JP32308589A JP2626099B2 (ja) | 1989-09-26 | 1989-12-13 | 光伝送線路測定器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03175333A true JPH03175333A (ja) | 1991-07-30 |
| JP2626099B2 JP2626099B2 (ja) | 1997-07-02 |
Family
ID=26539555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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- 1989-12-13 JP JP32308589A patent/JP2626099B2/ja not_active Expired - Fee Related
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