JPH03175693A - Ｉｔｏ膜の端子電極 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔機側 各種装置におけるＩＴＯ膜と外部導体との電気的接続を
図るための端子電極に関し、 ＩＴＯＩＩ！Ｉとの接合強度の向上を図った端子電極を
提供することを目的とし、 ＩＴＯ膜に接合した水ガラスの焼成膜と、前記焼成膜の
上に塗布した恨ペーストを焼成してなる中間導電体と、
外部導体との電気的接続のために前記中間導電体の上に
設けられた接続用導電体とから構成されたことを特徴と
する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、各種装置におけるＩＴＯ膜と外部導体との電
気的接続を図るための端子電極に関する。

酸化インジウム（ＩｎｘＯ３）を主成分とし、数％の酸
化スズを含むＩＴＯＪ１９は、優れた透光性を有してお
り、液晶パネル、プラズマデイスプレィパネル、タッチ
パネルなどの各種の装置における透明導電部材として広
く用いられている。

〔従来の技術〕

第３図（ａ）及び（ｂ）はタッチパネルＴＰの構成を示
す正面図及び側面図である。

タッチパネルＴＰは、例えば、特開昭６２−２１７３１
６号公報に開示されている静電容量方式の座標入力装置
として、ＣＲＴなどの画面の前面に装着されて使用され
る。

ガラス基板２１の表面及び裏面には、それぞれ全面にわ
たって、所定の面抵抗値をもった透明導電膜としてのＩ
ＴＯ膜２膜上２３が形成されている。裏面側のＩＴ○１
模２３はデイスプレィ装置殻のノイズの影響を除くため
のシールド電極となる。

ガラス基板２１の周囲において、表面側のＩＴＯ膜２膜
上２には、図外のタッチ位置検知回路を設けたフレキシ
ブル基板の端子（外部導体）に接続するための接続用Ｒ
電体として、半田を溶融させて盛り上げた半田バンプ２
４が、所定のピッチｐ（例えば２０ｆｆ１１１）をもっ
て多数設けられる。

ＩＴＯ膜２膜上２上意の点（座標）Ｐに指などを触れる
（タッチする）と、ＩＴＯ膜２膜上２Ｐで人体の静電容
量を介して接地され、ＩＴＯ膜２膜上２囲の各点と接地
ラインとの間の抵抗値に変化が生じる。この変化に対応
した信号が、各半田バンブ２４を介してタッチ位置検知
回路に伝えられ、これによって座標の指定が可能となる
。

第２図は従来の端子電極２０を示すタッチパネルＴＰ２
の部分断面図である。

一般に上述のように半田バンプ２４を設ける場合には、
半田とＩＴＯ膜２膜上２直接の接合が困難であるため、
半田バンブ２４とＩＴＯＩＩ！４２２との間に、銀ペー
ストをスクリーン印刷して焼成した銀導電膜からなる中
間導電体２５が設けられる。

すなわち、従来においては、中間導電体２５と半田バン
プ２４とによって、ＩＴＯ膜２膜上２部導体とを電気的
に接続するための端子電極２０が構成されている。

なお、図中の符号２６は、ＩＴＯ膜２膜上２護するため
に、ＩＴＯ膜２膜上２辺部（端子電極２０の形成領域）
以外の表面を覆って設けられた、例えば有機シリケイト
などからなる保護膜である。

〔発明が解決しようとする課題〕

銀導電膜は、導電性及びコストの面から中間導電体２５
の材質として最適である。

しかしながら、従来においては、中間導電体２５とＩＴ
Ｏ膜２膜上２接合強度が、中間導電体２５と半田バンブ
２４との接合強度に比べて小さく、中間導電体２５とＩ
ＴＯ膜２膜上２間、つまり、ＩＴＯ膜２膜上２子電極２
０との間で、剥離が生じ易いという問題があった。

このため、タッチパネルＴＰ２の電気的接続の信頼性が
低下することになる。

本発明は、上述の問題に鑑み、ＴＴＯ膜との接合強度の
向上を図った端子Ｔｉ極を提供することを目的としてい
る。

（課題を解決するための手段） 本発明は、上述の課題を解決するため、第１図に示すよ
うに、ＩＴＯ膜２膜上２合した水ガラスの焼成膜１６と
、前記焼成膜１６の上に塗布した銀ペーストを焼成して
なる中間導電体１５と、外部導体との電気的接続のため
に前記中間導電体１５の上に設けられた接続用導電体２
４とから構成されたことを特徴とする。

〔作　用〕

水ガラスの焼成膜１６はＩＴＯ膜２膜上２合する。焼成
膜１６とＩＴＯ膜２膜上２合力は大きい。

中間導電体１５は、焼成膜１６の上に塗布した銀ペース
トを焼成することによって設けられる。

焼成Ｆ！１６と中間導電体１５の接合力も大きい。

銀ペーストの焼成の際に、銀ペースト中の根粒子が焼成
膜１６に染み込み、ＩＴＯ膜２膜上２間導電体１５の導
通が可能となる。

接続用導電体２４は、外部導体との電気的接続のために
中間導電体１５の上に設けられる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ説明する。

第１図は本発明に係る端子電極ＩＯを示す夕・ノチパネ
ルＴＰＩの部分断面図である。

同図において、第２図及び第３図と同一の機能を有する
構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。

端子電極ＩＯは、水ガラスの焼成１１Ｊ１６、中間導電
体１５、及び半田バンプ２４から構成されており、以下
のようにして形成される。

まず、ＩＴＯ膜２膜上２に、ケイ酸ナトリウムを主成分
とする無機水ガラス液をスプレー塗布し、４５０［”Ｃ
］の温度で３０分の焼成を行い、ガラス基板２１の表面
側のほぼ全面を被う１５００〜２０００　［入〕の厚さ
の焼成１１り１６を形成する。

水ガラスは、ＩＴＯとの接合の親和性が良いことが知ら
れ°ζおり、焼成膜１６とＩＴＯ膜２膜上２接合強度は
大きい。

次に、ガラス基板２１の周囲の所定位置に、スクリーン
印刷によって銀ペーストを塗布し、所定のパターン形状
の銀ペースト層を設ける。そして、４５０［’Ｃ］の温
度で３０分の焼成を行い、３０μｍの厚さの層状部を有
する中間導電体１５を形成する。

焼成膜１６の表面は、ＩＴＯ膜２膜上２面よりも粗いの
で、中間導電体１５の下面が焼成膜１６の表面の凹凸に
入り込んだ状態で接合することによるいわゆるアンカー
効果によって、焼成膜１６と中間導電体１５とが物理的
に強固に接合するとともに、銀ペーストのガラス職分と
水ガラス成分とがガラス質化して化学的に結合すること
によっても接合の強度が増大する。

また、水ガラスの焼成膜１６は、周知のように微視的に
は空疎（ポーラス）である、したがって、銀ペーストの
焼成時に、銀粒子が焼成膜１６に浸透してＩＴＯＩＩ！
２２に到達する。これによって、焼成膜１６の内の中間
導電体１５の下方の部分は、導電性を有することになる
。

すなわち、焼成膜１６は絶縁体であるが、焼成１１！　
１６の厚さを上述の程度の値とした場合には、充分にＩ
ＴＯ膜２膜上２部との導通を図ることができる。

その後においては、中間導電体１５上に、外部導体との
接続に必要な量の半田が盛り上げられ、半田バンプ２４
が設けられる。

上述の実施例によれば、周辺部をも含めてガラス基板２
１の全面を焼成膜１６で覆うようにしたので、この焼成
膜１６をＩＴＯ膜２膜上２護するための保護膜すること
ができる。言い換えれば、従来において、ガラス基板２
Ｉの周辺部以外に設けられていた保護膜２６を水ガラス
の焼成によって形成することとし、保護膜の形成領域を
ガラス基板２１の周辺部まで延長するだけで、端子電極
１０を構成する焼成膜１６を設けることができる。

したがって、従来と同数の５！造工数で、電気的接続の
信頼性の向上を図ったタッチパネルＴＰを製造すること
ができる。

上述の実施例においては、タッチパネルＴＰにおける端
子電極１０を例示したが、透明導電体としてＩＴＯ膜を
用いる各種の装置にも本発明を適用することができる。

［発明の効果］ 本発明によれば、ＩＴＯ膜と端子電極との接合強度の向
上を図ることができる。

４、

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る端子電極を示すタッチパネルの部
分断面図、 第２図は従来の端子電極を示すタッチパネルの部分断面
図、 第３図はタッチパネルの構成を示す図である。 図において、 １０は端子電極、 １５は中間ｉ！Ａ電体、 ！６は水ガラスの焼成膜、 ２２はＩＴＯ膜、 ２４は半田バンプ（接続用導電体） である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）ＩＴＯ膜（２２）に接合した水ガラスの焼成膜（
   １６）と、 前記焼成膜（１６）の上に塗布した銀ペー ストを焼成してなる中間導電体（１５）と、外部導体と
   の電気的接続のために前記中間 導電体（１５）の上に設けられた接続用導電体（２４）
   と から構成されたＩＴＯ膜の端子電極。