JPH03176955A - 走査形電子ビーム装置 - Google Patents
走査形電子ビーム装置Info
- Publication number
- JPH03176955A JPH03176955A JP1315949A JP31594989A JPH03176955A JP H03176955 A JPH03176955 A JP H03176955A JP 1315949 A JP1315949 A JP 1315949A JP 31594989 A JP31594989 A JP 31594989A JP H03176955 A JPH03176955 A JP H03176955A
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- Japan
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- deflector
- sample
- magnetic field
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、電子ビームを試料上の所望の位置に照射した
り、電子ビームを試料上で走査するための偏向器を備え
た走査形電子ビーム装置に関する。
り、電子ビームを試料上で走査するための偏向器を備え
た走査形電子ビーム装置に関する。
［従来の技術］
従来、第２図に示すような構成の走査形オージェ電子分
光装置が知ら′れている。第２図において、１は電子銃
、２は集束レンズ、４は偏向コイル３ｘ、３ｙから成る
電磁形偏向器、５は対物レンズ、８は試料、９はアナラ
イザ、１０は増幅器、１１は陰極線管、１２は走査信号
発生器、１３は制御回路、１５は偏向コイル電源である
。
光装置が知ら′れている。第２図において、１は電子銃
、２は集束レンズ、４は偏向コイル３ｘ、３ｙから成る
電磁形偏向器、５は対物レンズ、８は試料、９はアナラ
イザ、１０は増幅器、１１は陰極線管、１２は走査信号
発生器、１３は制御回路、１５は偏向コイル電源である
。
電子銃１から放出された電子ビームは集束レンズ２及び
対物レンズ５によって、前記試料８上に集束される。前
記走査信号発生器１２では制御回路１３に設定された観
察倍率及び走査速度に基づいて走査信号が発生され、該
走査信号（鋸歯状波）が偏向コイル電源に供給されてい
る。そして、該偏向コイル電源からは偏向コイル３ｘ、
３ｙに励磁電流が供給されている。これにより、試料６
に照射される電子ビームが偏向されて、該電子ビームに
より試料が２次元的に走査される。
対物レンズ５によって、前記試料８上に集束される。前
記走査信号発生器１２では制御回路１３に設定された観
察倍率及び走査速度に基づいて走査信号が発生され、該
走査信号（鋸歯状波）が偏向コイル電源に供給されてい
る。そして、該偏向コイル電源からは偏向コイル３ｘ、
３ｙに励磁電流が供給されている。これにより、試料６
に照射される電子ビームが偏向されて、該電子ビームに
より試料が２次元的に走査される。
該電子ビームの走査により、試料から放出されたオージ
ェ電子などは、アナライザ９によって捕集・分光されて
検出される。そして、該検出信号は増幅器１０を介して
陰極線管１１に供給される。
ェ電子などは、アナライザ９によって捕集・分光されて
検出される。そして、該検出信号は増幅器１０を介して
陰極線管１１に供給される。
該陰極線管１１は前記走査信号発生器１２によって発生
された走査信号に同期して掃引されているため、陰極線
管１１上には、２次元のオージェ電子像などが画像表示
される。
された走査信号に同期して掃引されているため、陰極線
管１１上には、２次元のオージェ電子像などが画像表示
される。
［発明が解決しようとする課題］
さて、上述したような構成による走査形オージェ電子分
光装置では、電子ビームを試料上で走査するため、偏向
コイル３Ｘ及び３ｙから成る磁界形偏向器４を設けてい
る。この磁界形偏向器４は電子ビームを大きく偏向する
ことができるため、試料上の広範囲を走査して観察を行
なうような低倍率の像観察を行なう場合には特に適して
いる。
光装置では、電子ビームを試料上で走査するため、偏向
コイル３Ｘ及び３ｙから成る磁界形偏向器４を設けてい
る。この磁界形偏向器４は電子ビームを大きく偏向する
ことができるため、試料上の広範囲を走査して観察を行
なうような低倍率の像観察を行なう場合には特に適して
いる。
しかし、該磁界形偏向器の場合は、偏向コイルの周波数
応答性が悪いため、走査信号発生器１２から偏向コイル
電源１５を介して偏向コイル３ｘ。
応答性が悪いため、走査信号発生器１２から偏向コイル
電源１５を介して偏向コイル３ｘ。
３ｙに供給される偏向信号が正確な鋸歯状波である場合
でも、該コイルの有する応答遅れに起因する偏向磁場の
歪みが発生することがある。特に、テレビレート程度の
高速走査を行なう場合には、周期の速い鋸歯状波が用い
られることから偏向磁場の歪みの影響は顕著である。そ
のため、該高速走査中に指定した所望の観測点に電子ビ
ームを固定して点分析を行なう場合などは、前記走査中
に求めた走査信号内の所望の電流（定電流）値を偏向コ
イルに与えても、前記偏向コイルの周波数応答性に起因
する誤差により、所望の観δ１り点に電子ビームが偏向
されない場合がある。
でも、該コイルの有する応答遅れに起因する偏向磁場の
歪みが発生することがある。特に、テレビレート程度の
高速走査を行なう場合には、周期の速い鋸歯状波が用い
られることから偏向磁場の歪みの影響は顕著である。そ
のため、該高速走査中に指定した所望の観測点に電子ビ
ームを固定して点分析を行なう場合などは、前記走査中
に求めた走査信号内の所望の電流（定電流）値を偏向コ
イルに与えても、前記偏向コイルの周波数応答性に起因
する誤差により、所望の観δ１り点に電子ビームが偏向
されない場合がある。
そのため、前記周波数応答性の悪い磁界形偏向器に変え
て、周波数応答性の良い静電形の偏向器が用いられる場
合があるが、該静電層偏向器は扱い易い印加電圧の範囲
では、磁界形偏向器程電子ビームを大きく偏向すること
ができないという問題がある。
て、周波数応答性の良い静電形の偏向器が用いられる場
合があるが、該静電層偏向器は扱い易い印加電圧の範囲
では、磁界形偏向器程電子ビームを大きく偏向すること
ができないという問題がある。
そこで、前記磁界形偏向器と静電層偏向器とを備えた走
査形電子ビーム装置が提案されているが、この場合、電
子光学系が大形化してまうことか問題となる。
査形電子ビーム装置が提案されているが、この場合、電
子光学系が大形化してまうことか問題となる。
さらに、オージェ電子分光装置等では試料に照射される
電子ビームが対物レンズと試料との間で、外乱磁場によ
って不正に偏向されることを防止するために防磁筒（図
示せず）が設けられるが、該防磁筒の設置によりさらに
光学系が大形化することが問題となっている。
電子ビームが対物レンズと試料との間で、外乱磁場によ
って不正に偏向されることを防止するために防磁筒（図
示せず）が設けられるが、該防磁筒の設置によりさらに
光学系が大形化することが問題となっている。
本発明は上述した問題点を考慮した、磁界形偏向器と静
電層偏向器とを備えた小型な走査形電子ビーム装置を提
供することを目的としている。
電層偏向器とを備えた小型な走査形電子ビーム装置を提
供することを目的としている。
［課題を解決するための手段］
本発明は、電子銃から放出された電子ビームを試料上に
集束するための集束レンズと、該試料上で電子ビームを
走査するための磁界形偏向器を備えた走査形電子ビーム
装置において、前記試料と試料直上の集束レンズとの間
の電子ビーム通路を包囲するように磁気シールド材から
なる静電層偏向器を設けたことを特徴とする走査形電子
ビーム装置。
集束するための集束レンズと、該試料上で電子ビームを
走査するための磁界形偏向器を備えた走査形電子ビーム
装置において、前記試料と試料直上の集束レンズとの間
の電子ビーム通路を包囲するように磁気シールド材から
なる静電層偏向器を設けたことを特徴とする走査形電子
ビーム装置。
［実施例］
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。第１
図は本発明の一実施例を説明するための装置構成図であ
る。第１図において、第２図と同一の構成要素には同一
番号を付すと共に説明を省略する。第１図に示す実施例
が従来例と異なるのは、対物レンズと試料との間に、磁
気シールド材からなる静電層偏向器７を設けると共に、
該静電偏向器７と磁界形偏向器４のいずれかを選択して
使用するための切り換え器１４を設けた点である。
図は本発明の一実施例を説明するための装置構成図であ
る。第１図において、第２図と同一の構成要素には同一
番号を付すと共に説明を省略する。第１図に示す実施例
が従来例と異なるのは、対物レンズと試料との間に、磁
気シールド材からなる静電層偏向器７を設けると共に、
該静電偏向器７と磁界形偏向器４のいずれかを選択して
使用するための切り換え器１４を設けた点である。
該静電層偏向器７は磁気シールド材で形成されたＸ方向
偏向板６ｘ、 （６ｘ−図示せず）と該Ｘ方向偏向板
に直交する向きに配置された磁気シールド板６１．’６
１−により電子ビーム通路を包囲すると共に、磁気シー
ルド材で形成されたＹ方向偏向板６ｙ、 （６ｙ−図
示せず）と該Ｙ方向偏向板に直交する向きに配置された
磁気シールド板６ｍ、６ｍ−により電子ビーム通路を包
囲するように構成されている。ここで、電圧の印加され
る偏向板と接地電位にあるシールド板は絶縁のため０゜
５乃至１ｍｍ程度の間隔をおいて配置されている。
偏向板６ｘ、 （６ｘ−図示せず）と該Ｘ方向偏向板
に直交する向きに配置された磁気シールド板６１．’６
１−により電子ビーム通路を包囲すると共に、磁気シー
ルド材で形成されたＹ方向偏向板６ｙ、 （６ｙ−図
示せず）と該Ｙ方向偏向板に直交する向きに配置された
磁気シールド板６ｍ、６ｍ−により電子ビーム通路を包
囲するように構成されている。ここで、電圧の印加され
る偏向板と接地電位にあるシールド板は絶縁のため０゜
５乃至１ｍｍ程度の間隔をおいて配置されている。
上述のような構成の装置において、制御回路１３におい
て観測倍率が高倍率、例えば２００倍以上に設定された
場合、該制御回路１３から切り換え器１４に切り換え信
号が供給され、走査信号発生器１２において発生された
走査信号が増幅器１６、 １ｇ、及び反転増幅器１７．
１９を介して各偏向板に供給されるようにスイッチが切
り換えられる。
て観測倍率が高倍率、例えば２００倍以上に設定された
場合、該制御回路１３から切り換え器１４に切り換え信
号が供給され、走査信号発生器１２において発生された
走査信号が増幅器１６、 １ｇ、及び反転増幅器１７．
１９を介して各偏向板に供給されるようにスイッチが切
り換えられる。
ここで、前記走査信号の例えばＸ方向の走査信号はｌ曽
咄器１６を介して正極側の静電偏向板６Ｘに供給される
と共に、反転増幅器１７を介して負極側の静電偏向板６
ｘ−に供給される。同様にＹ方向の走査信号は増幅器１
８を介して正極側の静電偏向板６ｙに供給されると共に
、図示しない反転増幅器１７を介して図示しない負極側
の静電偏向板６ｙ−にも供給されている。
咄器１６を介して正極側の静電偏向板６Ｘに供給される
と共に、反転増幅器１７を介して負極側の静電偏向板６
ｘ−に供給される。同様にＹ方向の走査信号は増幅器１
８を介して正極側の静電偏向板６ｙに供給されると共に
、図示しない反転増幅器１７を介して図示しない負極側
の静電偏向板６ｙ−にも供給されている。
これにより、該静電偏向器７によって電子ビムが偏向さ
れて、該電子ビームによる試料の走査が行なわれる。
れて、該電子ビームによる試料の走査が行なわれる。
さて、本発明においては、上述したような構成による静
電層偏向器７が対物レンズと試料との間に設けられてい
る。そのため、試料に照射される電子ビームの外乱磁場
による不正偏向が防止されるため、試料上を電子ビーム
により正確に照射及び走査することができる。
電層偏向器７が対物レンズと試料との間に設けられてい
る。そのため、試料に照射される電子ビームの外乱磁場
による不正偏向が防止されるため、試料上を電子ビーム
により正確に照射及び走査することができる。
一方、制御回路１３において観測倍率が低倍率、例えば
２００倍未満に設定された場合には、該制御回路１３か
ら切り換え器］４に切り換え信号が供給され、走査信号
発生器１２において発生された走査信号が偏向コイル電
源に供給されている。
２００倍未満に設定された場合には、該制御回路１３か
ら切り換え器］４に切り換え信号が供給され、走査信号
発生器１２において発生された走査信号が偏向コイル電
源に供給されている。
そして、該偏向コイル電源からは偏向コイル３ｘ３ｙに
励磁電流が供給される。これにより、前記電子ビームは
磁場形偏向器４によって偏向されて、試料が２次元的に
走査される。この場合も、前記静電層偏向器７の有する
磁気シールド効果によって、試料に照射される電子ビー
ムが外乱磁場によって不正偏向を受けることは防止され
るので、試料上を正確に照射及び走査することができる
。
励磁電流が供給される。これにより、前記電子ビームは
磁場形偏向器４によって偏向されて、試料が２次元的に
走査される。この場合も、前記静電層偏向器７の有する
磁気シールド効果によって、試料に照射される電子ビー
ムが外乱磁場によって不正偏向を受けることは防止され
るので、試料上を正確に照射及び走査することができる
。
なお、上述した実施例は本発明の一実施例に過ぎず、本
発明は種々変形して実施することができる。例えば、上
述した実施例においては、磁気シールド材で形成された
Ｘ方向偏向板と該Ｘ方向偏向板に直交する向きに配置さ
れた磁気シールド板により電子ビーム通路を包囲すると
共に、磁気シールド材で形成されたＹ方向偏向板と該Ｙ
方向偏向板に直交する向きに配置された磁気シールド板
により電子ビーム通路を包囲するようにし、夫々を電子
ビーム通路に沿って配置して静電層偏向器を椙威したか
、該静電層偏向器は磁気シールド材で形成されたＸ方向
偏向板と該Ｘ方向偏向板に直交する向きに配置された磁
気シールド利で形成されたＹ方向偏向板とによって、電
子ビーム通路を包囲するように形成されていても良い。
発明は種々変形して実施することができる。例えば、上
述した実施例においては、磁気シールド材で形成された
Ｘ方向偏向板と該Ｘ方向偏向板に直交する向きに配置さ
れた磁気シールド板により電子ビーム通路を包囲すると
共に、磁気シールド材で形成されたＹ方向偏向板と該Ｙ
方向偏向板に直交する向きに配置された磁気シールド板
により電子ビーム通路を包囲するようにし、夫々を電子
ビーム通路に沿って配置して静電層偏向器を椙威したか
、該静電層偏向器は磁気シールド材で形成されたＸ方向
偏向板と該Ｘ方向偏向板に直交する向きに配置された磁
気シールド利で形成されたＹ方向偏向板とによって、電
子ビーム通路を包囲するように形成されていても良い。
［発明の効果コ
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、電子
銃から放出された電子ビームを試料上に集束するための
集束レンズと、該試料上で電子ビムを走査するための磁
界形偏向器を備えた走査形電子ビーム装置において、前
記試料と試料直上の集束レンズとの間の電子ビーム通路
を包囲するように磁気シールド材からなる静電層偏向器
を設けたことにより、磁界形偏向器と静電層偏向器とを
備えた小形な走査形電子ビーム装置が提供される。また
、該静電層偏向器が磁気シールド材によって構成されて
いるため、試料に照射される電子ビームが外乱磁場によ
って不正偏向を受けることかないので、試料が電子線に
よって正確に照射または走査される。
銃から放出された電子ビームを試料上に集束するための
集束レンズと、該試料上で電子ビムを走査するための磁
界形偏向器を備えた走査形電子ビーム装置において、前
記試料と試料直上の集束レンズとの間の電子ビーム通路
を包囲するように磁気シールド材からなる静電層偏向器
を設けたことにより、磁界形偏向器と静電層偏向器とを
備えた小形な走査形電子ビーム装置が提供される。また
、該静電層偏向器が磁気シールド材によって構成されて
いるため、試料に照射される電子ビームが外乱磁場によ
って不正偏向を受けることかないので、試料が電子線に
よって正確に照射または走査される。
昂１図は本発明の一火施例を説明するための装置構成図
、第２図は従来例を説明するための図である。 １；電子銃 ２：集束レンズ３ｘ：Ｘ方向
偏向コイル ３ｙ：Ｙ方向偏向コイル ４：磁界形偏向器 ５：対物レンズ６ｘ、６ｘ−
：Ｘ方向偏向板 ６ｙ、６ｙ ：Ｙ方向偏向板 ６１．６１−：磁気シールド板 ６ｍ、６ｍ：磁気シールド板 ７：静電層偏向器 ８：試料 ９：アナライザ １０：増幅器 １１：陰極線管 １１ａ、ｌｌｂ：陰極線管偏向器 １２：走査信号発生器 １３：制御回路１４：切り換
え器 １５：偏向コイル電源０
、第２図は従来例を説明するための図である。 １；電子銃 ２：集束レンズ３ｘ：Ｘ方向
偏向コイル ３ｙ：Ｙ方向偏向コイル ４：磁界形偏向器 ５：対物レンズ６ｘ、６ｘ−
：Ｘ方向偏向板 ６ｙ、６ｙ ：Ｙ方向偏向板 ６１．６１−：磁気シールド板 ６ｍ、６ｍ：磁気シールド板 ７：静電層偏向器 ８：試料 ９：アナライザ １０：増幅器 １１：陰極線管 １１ａ、ｌｌｂ：陰極線管偏向器 １２：走査信号発生器 １３：制御回路１４：切り換
え器 １５：偏向コイル電源０
Claims (1)
- 電子銃から放出された電子ビームを試料上に集束する
ための集束レンズと、該試料上で電子ビームを走査する
ための磁界形偏向器を備えた走査形電子ビーム装置にお
いて、前記試料と試料直上の集束レンズとの間の電子ビ
ーム通路を包囲するように磁気シールド材からなる静電
形偏向器を設けたことを特徴とする走査形電子ビーム装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1315949A JPH03176955A (ja) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | 走査形電子ビーム装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1315949A JPH03176955A (ja) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | 走査形電子ビーム装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03176955A true JPH03176955A (ja) | 1991-07-31 |
Family
ID=18071538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1315949A Pending JPH03176955A (ja) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | 走査形電子ビーム装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03176955A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20220018072A (ko) * | 2013-09-06 | 2022-02-14 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 하전 입자 광 디바이스 |
| JP2023160052A (ja) * | 2022-04-21 | 2023-11-02 | 日本電子株式会社 | 荷電粒子線装置および荷電粒子線装置の制御方法 |
-
1989
- 1989-12-05 JP JP1315949A patent/JPH03176955A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20220018072A (ko) * | 2013-09-06 | 2022-02-14 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 하전 입자 광 디바이스 |
| JP2023160052A (ja) * | 2022-04-21 | 2023-11-02 | 日本電子株式会社 | 荷電粒子線装置および荷電粒子線装置の制御方法 |
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