JPH03177585A - 金属層のエッチング方法 - Google Patents
金属層のエッチング方法Info
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- JPH03177585A JPH03177585A JP31562489A JP31562489A JPH03177585A JP H03177585 A JPH03177585 A JP H03177585A JP 31562489 A JP31562489 A JP 31562489A JP 31562489 A JP31562489 A JP 31562489A JP H03177585 A JPH03177585 A JP H03177585A
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- JP
- Japan
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- etching
- metal layer
- etching solution
- selective etching
- soln
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
- H05K3/068—Apparatus for etching printed circuits
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
電極パターンの形成などに用いられる金属層のエツチン
グ方法に関し、 金属層に対するパターニングの精度を損なうことなく、
エツチング処理の制御の容易化と所要時間の短縮を可能
とすることを目的とし、特定の金属を溶解する選択エツ
チング溶液による金属層のエツチング方法であって、前
記選択エツチング溶液と同一の主成分からなり且つ当該
選択エツチング溶液よりも化学的活性度の高い活性選択
エツチング溶液によって、前記金属層の表面を被う酸化
膜を除去した後に、連続して当該選択エツチング溶液に
よって当該金属層を溶解することを特徴として構成され
る。
グ方法に関し、 金属層に対するパターニングの精度を損なうことなく、
エツチング処理の制御の容易化と所要時間の短縮を可能
とすることを目的とし、特定の金属を溶解する選択エツ
チング溶液による金属層のエツチング方法であって、前
記選択エツチング溶液と同一の主成分からなり且つ当該
選択エツチング溶液よりも化学的活性度の高い活性選択
エツチング溶液によって、前記金属層の表面を被う酸化
膜を除去した後に、連続して当該選択エツチング溶液に
よって当該金属層を溶解することを特徴として構成され
る。
本発明は、電極パターンの形成などに用いられる金属層
のエツチング方法に関する。
のエツチング方法に関する。
プラズマデイスプレィパネル（ＦＤＰ）を含む各種の電
子デバイス（を子装置）の微細な電極の形成などにおい
て、エツチングによる金属層の部公的な除去（パターニ
ング）が広く行われており、量産性を高める上で、制御
が容易で且つ高精度のパターンを形成可能なエツチング
方法が要望されている。
子デバイス（を子装置）の微細な電極の形成などにおい
て、エツチングによる金属層の部公的な除去（パターニ
ング）が広く行われており、量産性を高める上で、制御
が容易で且つ高精度のパターンを形成可能なエツチング
方法が要望されている。
ＦＤＰは、表示面側及び背面側の一対の透明基板を放電
間隙を設けて対向配置し、透明基板の内側に設けた電極
によって画定される放電セルを選択的に発光可能に＃Ｉ
戒されている。
間隙を設けて対向配置し、透明基板の内側に設けた電極
によって画定される放電セルを選択的に発光可能に＃Ｉ
戒されている。
例えば、ＡＣ（交流）駆動方式の対向電極型ＰＤＰの製
造においては、一対のガラス基板のそれぞれの表面に、
複数の帯状の電極、誘電体層、保護膜を順次形威し、各
ガラス基板の電極が格子状に対向するように両ガラス基
板を所定の間隙を設けて配置し、封止ガラスによって周
囲を密封した後に放電用のガスを封入する。
造においては、一対のガラス基板のそれぞれの表面に、
複数の帯状の電極、誘電体層、保護膜を順次形威し、各
ガラス基板の電極が格子状に対向するように両ガラス基
板を所定の間隙を設けて配置し、封止ガラスによって周
囲を密封した後に放電用のガスを封入する。
電極は、ガラス板の表面に、例えばクロム（Ｃｒ）−銅
（Ｃｕ）−クロムの三層構造の金属層（膜厚は５０００
〜１００００人）を形成するスパッタリング蒸着工程と
、レジスト塗布、パターン露光、レジスト現像、及びＣ
ｒ又はＣｕに対してそれぞれ選択性を有するエツチング
溶液を用いたいわゆるウェットエツチング（ケミカルエ
ツチング）からなるフォトリソグラフィー工程とによっ
て形成されている。
（Ｃｕ）−クロムの三層構造の金属層（膜厚は５０００
〜１００００人）を形成するスパッタリング蒸着工程と
、レジスト塗布、パターン露光、レジスト現像、及びＣ
ｒ又はＣｕに対してそれぞれ選択性を有するエツチング
溶液を用いたいわゆるウェットエツチング（ケミカルエ
ツチング）からなるフォトリソグラフィー工程とによっ
て形成されている。
従来、Ｃｒに対するエツチング溶液としては、塩化水素
（ＨＣ’／りを主成分とする水溶液、すなわち、塩酸が
用いられていた。
（ＨＣ’／りを主成分とする水溶液、すなわち、塩酸が
用いられていた。
一般に、ウェットエツチングにおいて、スプレー（噴霧
）又は浸漬などによって被エツチング材をエツチング溶
液に浸した状ａ（ウェット状態）とする時間、すなわち
エツチング処理の所要時間としては、被エツチング材の
溶解に要する時間（以下「エツチング時間」という）と
、エツチング時間の誤差を見込んだオーバーエツチング
時間とを合わせた時間が設定される。
）又は浸漬などによって被エツチング材をエツチング溶
液に浸した状ａ（ウェット状態）とする時間、すなわち
エツチング処理の所要時間としては、被エツチング材の
溶解に要する時間（以下「エツチング時間」という）と
、エツチング時間の誤差を見込んだオーバーエツチング
時間とを合わせた時間が設定される。
エツチング時間は、エツチング溶液の濃度及び温度によ
り定まるエツチング速度（エツチングレート）と被エツ
チング材の層厚とに基づいて算出できる。
り定まるエツチング速度（エツチングレート）と被エツ
チング材の層厚とに基づいて算出できる。
しかしながら、上述のように、Ｃｒを所定濃度の塩酸で
溶解する場合には、Ｃｒが大気に触れることによってそ
の表面に耐酸性の酸化クロム（Ｃｒｏ）膜が形成され、
これによって、ウェット状態とした後もなかなかＣｒの
溶解が開始されず、エツチング処理の所要時間が長くな
るという問題があった。
溶解する場合には、Ｃｒが大気に触れることによってそ
の表面に耐酸性の酸化クロム（Ｃｒｏ）膜が形成され、
これによって、ウェット状態とした後もなかなかＣｒの
溶解が開始されず、エツチング処理の所要時間が長くな
るという問題があった。
また、Ｃｒｏ膜の形成状態（膜厚なと）の如何によって
、Ｃ「の溶解の開始の遅れ時間が変動するので、ＰＤＰ
の量産に際して、Ｃｒｏ膜の形成状態に応じて遅れ時間
を考慮して所要時間を設定しなければならない。すなわ
ち、エツチング処理の所要時間を一義的に設定できず、
エツチング処理の制御が複雑になるともに、実際の遅れ
時間が設定時に予想した（見込んだ）時間よりも短い場
合には、実質的にオーバーエツチング時間が長くなり、
レジスト層の下部におけるＣｒ（被エツチング材）の余
分のエツチング量（サイドエツチング量）が多くなりパ
ターニングの精度が損なわれるという問題があった。
、Ｃ「の溶解の開始の遅れ時間が変動するので、ＰＤＰ
の量産に際して、Ｃｒｏ膜の形成状態に応じて遅れ時間
を考慮して所要時間を設定しなければならない。すなわ
ち、エツチング処理の所要時間を一義的に設定できず、
エツチング処理の制御が複雑になるともに、実際の遅れ
時間が設定時に予想した（見込んだ）時間よりも短い場
合には、実質的にオーバーエツチング時間が長くなり、
レジスト層の下部におけるＣｒ（被エツチング材）の余
分のエツチング量（サイドエツチング量）が多くなりパ
ターニングの精度が損なわれるという問題があった。
本発明は、上述の問題に鑑み、金属層に対するパターニ
ングの精度を損なうことなく、エツチング処理の制御の
容易化と所要時間の短縮を可能とすることを目的として
いる。
ングの精度を損なうことなく、エツチング処理の制御の
容易化と所要時間の短縮を可能とすることを目的として
いる。
本発明は、上述の課題を解決するため、第１図に示すよ
うに、特定の金属を溶解する選択エツチング溶液１７に
よる金属層２２のエツチング方法であって、前記選択エ
ツチング溶液１７と同一の主成分からなり且つ当該選択
エツチング溶液１７よりも化学的活性度の高い活性選択
エツチング溶液１６によって、前記金属層２２の表面を
被う酸化膜２２ａを除去した後に、連続して当該選択エ
ツチング溶液１７によって当該金属層２２を溶解するこ
とを特徴として構成される。
うに、特定の金属を溶解する選択エツチング溶液１７に
よる金属層２２のエツチング方法であって、前記選択エ
ツチング溶液１７と同一の主成分からなり且つ当該選択
エツチング溶液１７よりも化学的活性度の高い活性選択
エツチング溶液１６によって、前記金属層２２の表面を
被う酸化膜２２ａを除去した後に、連続して当該選択エ
ツチング溶液１７によって当該金属層２２を溶解するこ
とを特徴として構成される。
特定の金属を溶解する選択エツチング溶液１７による金
属層２２の溶解の前に、選択エツチング溶液１７と同一
の主成分からなり且つ化学的活性度の高い活性選択エツ
チング溶液１６によって、金属層２２の表面を被う酸化
Ｍ２２ａが除去される。
属層２２の溶解の前に、選択エツチング溶液１７と同一
の主成分からなり且つ化学的活性度の高い活性選択エツ
チング溶液１６によって、金属層２２の表面を被う酸化
Ｍ２２ａが除去される。
以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ説明する。
第１図は本発明に係るエツチング装置１の概略の溝底を
示す断面正面図、第２図は第１図の■−■矢視断面図で
ある。
示す断面正面図、第２図は第１図の■−■矢視断面図で
ある。
エツチング装置ｌは、搬入口１０ａ及び搬出口１０ｂを
設けたエツチング槽ｌＯ１搬送ローラ１１．１１・・・
、液止めローラ１２，１３、第１エツチンク溶液１６を
噴出するノズル１４、第２エツチング溶液１７を噴出す
るノズル１５などから溝底されており、ＦＤＰの電極形
成のためのパターンエツチング手段として製造ラインに
組み込まれている。なお、各ローラの支軸及び駆動手段
の図示は省略されている。
設けたエツチング槽ｌＯ１搬送ローラ１１．１１・・・
、液止めローラ１２，１３、第１エツチンク溶液１６を
噴出するノズル１４、第２エツチング溶液１７を噴出す
るノズル１５などから溝底されており、ＦＤＰの電極形
成のためのパターンエツチング手段として製造ラインに
組み込まれている。なお、各ローラの支軸及び駆動手段
の図示は省略されている。
ワークとしてのガラス基板２１の上面には、前工程にて
Ｃｒからなる金属層２２がスパッタリング蒸着されてお
り、さらにその上に金属ｌＩ２２のパターニングのため
の図外のレジスト層が設けられている。金属１１２２の
表層部は、大気に触れることによって酸化し、金属層２
２のエツチングを阻害するＣｒＯからなる酸化層２２ａ
となっている。
Ｃｒからなる金属層２２がスパッタリング蒸着されてお
り、さらにその上に金属ｌＩ２２のパターニングのため
の図外のレジスト層が設けられている。金属１１２２の
表層部は、大気に触れることによって酸化し、金属層２
２のエツチングを阻害するＣｒＯからなる酸化層２２ａ
となっている。
ガラス基板２１は、搬入口１０ａからエツチング槽１０
内に搬入され、搬送ローラ１１によって矢印Ｍ１方向に
所定速度で搬送されつつ、第１及び第２エツチング溶液
１６．１７による２段階のエツチング処理を受け、搬出
口１０ｂから排出される。搬送速度は可変であり、これ
によって工・ンチング処理全体の所要時間の設定が可能
となっている。
内に搬入され、搬送ローラ１１によって矢印Ｍ１方向に
所定速度で搬送されつつ、第１及び第２エツチング溶液
１６．１７による２段階のエツチング処理を受け、搬出
口１０ｂから排出される。搬送速度は可変であり、これ
によって工・ンチング処理全体の所要時間の設定が可能
となっている。
ノズル１４は、ノズル１５に対して、搬送方向Ｍ１にお
ける前方側に配置されている。したがって、ガラス基板
２１の上面は、まず、液止めローラ１３で第２エツチン
グ溶液１７と分離された第１エツチング溶液１６によっ
てウェット状態とされ、液止めローラ１３を通過した後
は第２エツチング溶液１７によってウェット状態とされ
ることとなる。ガラス基板２１の上面をウェット状態と
した第１及び第２エツチング溶液１６．１７は、それぞ
れガラス基板２１の両端縁部からエツチング槽１０の下
部に流れ落ち、仕切壁１０ｅによって仕切られた液溜め
部１０ｃ、１０ｄに溜められ、その後に図外の循環路を
通って再びノズル１４゜１５から噴出される。
ける前方側に配置されている。したがって、ガラス基板
２１の上面は、まず、液止めローラ１３で第２エツチン
グ溶液１７と分離された第１エツチング溶液１６によっ
てウェット状態とされ、液止めローラ１３を通過した後
は第２エツチング溶液１７によってウェット状態とされ
ることとなる。ガラス基板２１の上面をウェット状態と
した第１及び第２エツチング溶液１６．１７は、それぞ
れガラス基板２１の両端縁部からエツチング槽１０の下
部に流れ落ち、仕切壁１０ｅによって仕切られた液溜め
部１０ｃ、１０ｄに溜められ、その後に図外の循環路を
通って再びノズル１４゜１５から噴出される。
エツチング装置１１ｆｌでは、第１エツチング溶液１６
として濃度が３０％の塩酸が用いられ、第２エツチング
溶液１７として濃度が１０％の塩酸が用いられる。
として濃度が３０％の塩酸が用いられ、第２エツチング
溶液１７として濃度が１０％の塩酸が用いられる。
第３図はエツチング溶液の濃度とエツチング処理の所要
時間ＴＳとの関係を示すグラフである。
時間ＴＳとの関係を示すグラフである。
同図において、黒丸はＣ「が実際に溶解し始めた時点（
エツチング開始）を示し、白丸はＣｒが実際に全て溶解
した時点（エツチング終了）を示している。したがって
、黒丸から白丸までの時間がＣｒのエツチング時間ＴＥ
となる。エツチングの開始及び終了は、Ｃｒと塩酸との
反応により発生する水素の気泡によって確認することが
できる。
エツチング開始）を示し、白丸はＣｒが実際に全て溶解
した時点（エツチング終了）を示している。したがって
、黒丸から白丸までの時間がＣｒのエツチング時間ＴＥ
となる。エツチングの開始及び終了は、Ｃｒと塩酸との
反応により発生する水素の気泡によって確認することが
できる。
同図に示されるように、エツチング時間ＴＥは塩酸の濃
度によって大きくは変わらないが、所要時間ＴＳは、塩
酸の液温の高低に係わらず、濃度が高くなるにつれて短
くなる。つまり、塩酸の濃度が高い程、Ｃｒの表面を被
うＣｒＯに対する除去作用が強く、ウェット状態とした
時点からエツチング開始までの時間が短い、したがって
、高濃度の塩酸を用いることによって所要時間ＴＳの短
縮が可能となる。
度によって大きくは変わらないが、所要時間ＴＳは、塩
酸の液温の高低に係わらず、濃度が高くなるにつれて短
くなる。つまり、塩酸の濃度が高い程、Ｃｒの表面を被
うＣｒＯに対する除去作用が強く、ウェット状態とした
時点からエツチング開始までの時間が短い、したがって
、高濃度の塩酸を用いることによって所要時間ＴＳの短
縮が可能となる。
しかしながら、一般に、濃度が高い程、サイドエツチン
グ量が増加する傾向にある。
グ量が増加する傾向にある。
このため、ＣｒＯが除去された後に、高濃度の塩酸を用
いてＣｒのエツチングを行うと、低濃度の塩酸を用いる
場合に比べて、オーバーエッチング時間におけるサイド
エツチング量が多くなり、パターニングの精度が低下す
ることになる。
いてＣｒのエツチングを行うと、低濃度の塩酸を用いる
場合に比べて、オーバーエッチング時間におけるサイド
エツチング量が多くなり、パターニングの精度が低下す
ることになる。
そこで、エンチング装置１においては、上述のようにエ
ツチング処理を２段階に分け、前段階では高濃度の塩酸
によってＣｒＯを除去し、後段階ではサイドエツチング
作用の弱い低濃度の塩酸によってＣｒの溶解を行う。
ツチング処理を２段階に分け、前段階では高濃度の塩酸
によってＣｒＯを除去し、後段階ではサイドエツチング
作用の弱い低濃度の塩酸によってＣｒの溶解を行う。
つまり、ＣｒＯを高濃度の塩酸で除去することにより、
所要時間ＴＳを短く設定できるので、Ｃ「○の形成状態
の如何などによって生じる設定時間と実際の所要時間Ｔ
Ｓとの誤差が、所要時間ＴＳを長く設定した場合の誤差
に比べて小さくなり、オーバーエツチング時間の誤差も
小さくさる。さらに、Ｃｒを低濃度の塩酸で溶解するこ
とにより、オーバーエツチング時間におけるサイドエツ
チング量が少なくなる。
所要時間ＴＳを短く設定できるので、Ｃ「○の形成状態
の如何などによって生じる設定時間と実際の所要時間Ｔ
Ｓとの誤差が、所要時間ＴＳを長く設定した場合の誤差
に比べて小さくなり、オーバーエツチング時間の誤差も
小さくさる。さらに、Ｃｒを低濃度の塩酸で溶解するこ
とにより、オーバーエツチング時間におけるサイドエツ
チング量が少なくなる。
したがって、所要時間ＴＳを一義的に設定したとしても
、Ｃｒに対して高精度のパターニングを施すことができ
、従来のようにＣｒ０Ｏ形戒状態に応じて所要時間ＴＳ
の設定変更を行う必要がなくなり、エンチング処理の制
御が容易となることからＰＤＰの量産性が向上する。
、Ｃｒに対して高精度のパターニングを施すことができ
、従来のようにＣｒ０Ｏ形戒状態に応じて所要時間ＴＳ
の設定変更を行う必要がなくなり、エンチング処理の制
御が容易となることからＰＤＰの量産性が向上する。
上述の実施例によれば、第１及び第２エツチング溶液１
６．１７の主成分（Ｈ（１）が同一であるので、これら
を厳密に分離する必要がない、つまり、多少の混合が生
じてもエツチング作用が極端に損なわれることはないの
で、１個のエツチング槽１０内にて、ＣｒＯの除去とＣ
「の溶解とを連続的に行うことが可能となる。したがっ
て、主成分の異なる２種のエツチング溶液を用いる場合
のように、２段階のエツチング処理の間に洗浄やエツチ
ング槽間の搬送などを行う必要がなく、ＣｒＯの除去後
にＣｒが大気に触れて再びＣｒＯが形成されるといった
不都合が生じない。
６．１７の主成分（Ｈ（１）が同一であるので、これら
を厳密に分離する必要がない、つまり、多少の混合が生
じてもエツチング作用が極端に損なわれることはないの
で、１個のエツチング槽１０内にて、ＣｒＯの除去とＣ
「の溶解とを連続的に行うことが可能となる。したがっ
て、主成分の異なる２種のエツチング溶液を用いる場合
のように、２段階のエツチング処理の間に洗浄やエツチ
ング槽間の搬送などを行う必要がなく、ＣｒＯの除去後
にＣｒが大気に触れて再びＣｒＯが形成されるといった
不都合が生じない。
上述の実施例においては、第１エツチング溶液１６とし
て、第２エツチング溶液１７よりも濃度を高くすること
によってＣｒＯに対する化学的活性度を高めた塩酸を用
いたが、第１及び第２エツチング溶液１６．１７として
同一の濃度の塩酸を用い、第１エツチング溶液１６の液
温を第２エツチング溶液１７の液温よりも高くすること
によって第４図に示されるように、ＣｒＯに対する化学
的活性度を高めるようにしてもよい。
て、第２エツチング溶液１７よりも濃度を高くすること
によってＣｒＯに対する化学的活性度を高めた塩酸を用
いたが、第１及び第２エツチング溶液１６．１７として
同一の濃度の塩酸を用い、第１エツチング溶液１６の液
温を第２エツチング溶液１７の液温よりも高くすること
によって第４図に示されるように、ＣｒＯに対する化学
的活性度を高めるようにしてもよい。
また、濃度、液温を異ならせる他に、過酸化水素などの
活性剤を添加して組成を変え、化学的活性度を高めるよ
うにしてもよい。
活性剤を添加して組成を変え、化学的活性度を高めるよ
うにしてもよい。
上述の実施例においては、Ｃ「からなる金属層２２のエ
ツチングを例示したが、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タン
グステン）、Ｔｉ（チタン）などからなる金属層に対し
て、それぞれ選択性を有するエツチング溶液によってパ
ターニングを施す場合にも、本発明を通用することがで
きる。
ツチングを例示したが、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タン
グステン）、Ｔｉ（チタン）などからなる金属層に対し
て、それぞれ選択性を有するエツチング溶液によってパ
ターニングを施す場合にも、本発明を通用することがで
きる。
〔発明の効果）
本発明によれば、金ＫＮに対するパターニングの精度を
損なうことなく、エツチング処理の制御の容易化と所要
時間の短縮が可能となる。
損なうことなく、エツチング処理の制御の容易化と所要
時間の短縮が可能となる。
第１図は本発明に係るエツチング装置の概略の構成を示
す断面正面図、 第２図は第１図の■−■矢視断面図、 第３図はエツチング溶液の濃度とエツチング処理の所要
時間との関係を示すグラフ、 第４図はエツチング溶液の液温とエツチング処理の所要
時間との関係を示すグラフである。 図において、 １Ｇは第１エツチング溶液 グ溶液）、 Ｉ７は第２エツチング溶液 液）、 ２２は金属層、 ２２ａは酸化膜である。 （活性遺灰エツチン （選択エツチング溶 １６・・・第１エツチング溶液 １７・・・第２エツチング溶液 ２２・・・金属層 ２２ａ・・・酸化膜 （活性選択エツジ （選択エラチンづ １ エツチング装置 本発明に係るエツチング装置の概略の構成を示す断面正
面図第 図 第１図の■−■矢視断面図 第 図
す断面正面図、 第２図は第１図の■−■矢視断面図、 第３図はエツチング溶液の濃度とエツチング処理の所要
時間との関係を示すグラフ、 第４図はエツチング溶液の液温とエツチング処理の所要
時間との関係を示すグラフである。 図において、 １Ｇは第１エツチング溶液 グ溶液）、 Ｉ７は第２エツチング溶液 液）、 ２２は金属層、 ２２ａは酸化膜である。 （活性遺灰エツチン （選択エツチング溶 １６・・・第１エツチング溶液 １７・・・第２エツチング溶液 ２２・・・金属層 ２２ａ・・・酸化膜 （活性選択エツジ （選択エラチンづ １ エツチング装置 本発明に係るエツチング装置の概略の構成を示す断面正
面図第 図 第１図の■−■矢視断面図 第 図
Claims (1)
- （１）特定の金属を溶解する選択エッチング溶液（１７
）による金属層（２２）のエッチング方法であって、 前記選択エッチング溶液（１７）と同一の 主成分からなり且つ当該選択エッチング溶液（１７）よ
りも化学的活性度の高い活性選択エッチング溶液（１６
）によって、前記金属層（２２）の表面を被う酸化膜（
２２ａ）を除去した後に、連続して当該選択エッチング
溶液（１７）によって当該金属層（２２）を溶解する ことを特徴とする金属層のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31562489A JPH03177585A (ja) | 1989-12-04 | 1989-12-04 | 金属層のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31562489A JPH03177585A (ja) | 1989-12-04 | 1989-12-04 | 金属層のエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03177585A true JPH03177585A (ja) | 1991-08-01 |
Family
ID=18067607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31562489A Pending JPH03177585A (ja) | 1989-12-04 | 1989-12-04 | 金属層のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03177585A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06320094A (ja) * | 1993-04-28 | 1994-11-22 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 流体処理装置および方法 |
-
1989
- 1989-12-04 JP JP31562489A patent/JPH03177585A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06320094A (ja) * | 1993-04-28 | 1994-11-22 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 流体処理装置および方法 |
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