JPH03178060A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH03178060A JPH03178060A JP31644189A JP31644189A JPH03178060A JP H03178060 A JPH03178060 A JP H03178060A JP 31644189 A JP31644189 A JP 31644189A JP 31644189 A JP31644189 A JP 31644189A JP H03178060 A JPH03178060 A JP H03178060A
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- bias
- recording
- bias layer
- magneto
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は光ビームを照射して情報の記録、再生。
消去を行なう光磁気記録媒体に関する。
（従来の技術）
光磁気記録媒体にレーザ光を照射し、情報の記録、再生
、消去を行なう光磁気記録技術は、光記録技術の有する
高記録密度性や媒体の可換性といった特徴と、磁気記録
技術の有するデータの書換え性とを併せ持つメモリ技術
として、実用化が開始され今後の発展が期待されている
。
、消去を行なう光磁気記録技術は、光記録技術の有する
高記録密度性や媒体の可換性といった特徴と、磁気記録
技術の有するデータの書換え性とを併せ持つメモリ技術
として、実用化が開始され今後の発展が期待されている
。
現在、実用に供されている光磁気記録方法は、記録層に
データ変調されたレーザパルス光を集光照射して加熱し
、加熱部の保磁力を外部印加磁界以下に低下させ、この
領域の磁化方向を外部印加磁界の向きに変えることによ
うデータを記録するというものである。データを書き換
える際には、記録時と逆向きに外部印加磁界を加え、−
様なレーザ光を照射して旧データの消去をまず行なって
から記録を行なう。従ってディスクメモリーとしては、
２（ｇ１転の動作が必要となり１同じ回転速度で動作す
る磁気ディスクメモリーと比べ、転送レートが１７２以
下になってしまうという本質的な欠点がある。
データ変調されたレーザパルス光を集光照射して加熱し
、加熱部の保磁力を外部印加磁界以下に低下させ、この
領域の磁化方向を外部印加磁界の向きに変えることによ
うデータを記録するというものである。データを書き換
える際には、記録時と逆向きに外部印加磁界を加え、−
様なレーザ光を照射して旧データの消去をまず行なって
から記録を行なう。従ってディスクメモリーとしては、
２（ｇ１転の動作が必要となり１同じ回転速度で動作す
る磁気ディスクメモリーと比べ、転送レートが１７２以
下になってしまうという本質的な欠点がある。
このような欠点を解決し、光磁気記録にシいても磁気記
録同様に１回転の動作でデータの書換えｃオーバーライ
ド）を可能とするための技術的提案が近年多数なされて
いる。これらの提案は磁界変調方式と光変調方式に大別
できる。前者は磁気記録同様に、外部磁界を高速に変調
してオーバーライトするものであう、浮上磁気ヘッドを
用いた例と、共鳴コイルを用いた例が報告されているが
、媒体に対する制約が大きく、また消費電力やシーク時
間が長いという問題がある。−力、後者は照射する光の
光強度もしくは照射時間を変えることによジオ−パーラ
イトするものであり、交換結合媒体と初期化磁石を用い
た例（特開昭６２−１７５９４９号公報に記載）と単層
膜の磁壁移動を利用する例（例えばＡｐｐｌ 、Ｐｈｙ
ｓ 、Ｌｅｔｔ 、５２．１８．ＰＰ１５３７−１５３
９ 。
録同様に１回転の動作でデータの書換えｃオーバーライ
ド）を可能とするための技術的提案が近年多数なされて
いる。これらの提案は磁界変調方式と光変調方式に大別
できる。前者は磁気記録同様に、外部磁界を高速に変調
してオーバーライトするものであう、浮上磁気ヘッドを
用いた例と、共鳴コイルを用いた例が報告されているが
、媒体に対する制約が大きく、また消費電力やシーク時
間が長いという問題がある。−力、後者は照射する光の
光強度もしくは照射時間を変えることによジオ−パーラ
イトするものであり、交換結合媒体と初期化磁石を用い
た例（特開昭６２−１７５９４９号公報に記載）と単層
膜の磁壁移動を利用する例（例えばＡｐｐｌ 、Ｐｈｙ
ｓ 、Ｌｅｔｔ 、５２．１８．ＰＰ１５３７−１５３
９ 。
１９８８）が報告されている。光変調方式のうち、特開
昭６２−１７５９４９号公報紀載の技術記載ビームで光
強度を変えるだけでオーバーライド可能な方式であるが
、交換結合媒体は製造が難しく、オーバーライドに先立
って補助層だけを初期化するための大型磁石（３ＫＯｅ
以上）を必要とするので、装置の小型化が困雌である。
昭６２−１７５９４９号公報紀載の技術記載ビームで光
強度を変えるだけでオーバーライド可能な方式であるが
、交換結合媒体は製造が難しく、オーバーライドに先立
って補助層だけを初期化するための大型磁石（３ＫＯｅ
以上）を必要とするので、装置の小型化が困雌である。
また、単層膜の磁壁移動を利用する方式は、磁壁位置で
の磁壁エネルギーの空間的変化率が高パワーレーザ照射
時（記録）と低パワーレーザ照射時（消去）とで異なる
ようにすることによジオ−パーライトを行なうものであ
り、大きな反転磁区（高いＣ／Ｎが得られる）を完全に
消去するのは困難であシ、また完全に消去しようとする
と、小さな反転磁区しか形成できないとい５原理的な制
約が存在する。
の磁壁エネルギーの空間的変化率が高パワーレーザ照射
時（記録）と低パワーレーザ照射時（消去）とで異なる
ようにすることによジオ−パーライトを行なうものであ
り、大きな反転磁区（高いＣ／Ｎが得られる）を完全に
消去するのは困難であシ、また完全に消去しようとする
と、小さな反転磁区しか形成できないとい５原理的な制
約が存在する。
（発明が解決しようとする課題）
従来の光変調オーバーライド方式では実用上充分なもの
が開発されてシらず、特に記録特性と消去特性の両立が
難しく、十分なＣ／Ｎ比が得られないという欠点があっ
た。
が開発されてシらず、特に記録特性と消去特性の両立が
難しく、十分なＣ／Ｎ比が得られないという欠点があっ
た。
本発明はこのような問題点に鑑みなされたものであり、
十分なＣ／Ｎ比を有し、実用に適した光磁気記録媒体を
提供することを目的とする。
十分なＣ／Ｎ比を有し、実用に適した光磁気記録媒体を
提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
本発明は、熱的に変化するバイアス磁界を供給するバイ
アス層と、熱的に変化する磁化特性を有する記録層と、
熱伝導率がバイアス層よりも高い熱拡散層が順次積層さ
れてなることを特徴とする光磁気記録媒体である。
アス層と、熱的に変化する磁化特性を有する記録層と、
熱伝導率がバイアス層よりも高い熱拡散層が順次積層さ
れてなることを特徴とする光磁気記録媒体である。
すなわちバイアス層の記録層とは反対側の面にバイアス
層よりも熱伝導率の良い熱拡散層を設はバイアス層の膜
厚がそれ程厚くない。例えば３００ｎｍ程度の場合にか
いてもバイアス層の記録層側の面の温度はバイアス層の
キュリー点以上に加熱されているという条件を消しつつ
、バイアス層の記録層とは反対側の面の温度はバイアス
層のキュリー点以上に保持できる様にしたものである。
層よりも熱伝導率の良い熱拡散層を設はバイアス層の膜
厚がそれ程厚くない。例えば３００ｎｍ程度の場合にか
いてもバイアス層の記録層側の面の温度はバイアス層の
キュリー点以上に加熱されているという条件を消しつつ
、バイアス層の記録層とは反対側の面の温度はバイアス
層のキュリー点以上に保持できる様にしたものである。
バイアス層膜厚方向にこの様な温度差を設ける事によう
、温度差がない場合に比べればＨｏ（Ｔ）の大きさ自体
は多少減少するものの記録、消去後の冷却過程において
バイアス層の記録層側に近い面がバイアス層の自己漏洩
磁界もしくは外部磁界によって反転しようとしてもバイ
アス層の記録層とは反対側の面に近い領域から交換力が
作用し反転が防止できるのである。
、温度差がない場合に比べればＨｏ（Ｔ）の大きさ自体
は多少減少するものの記録、消去後の冷却過程において
バイアス層の記録層側に近い面がバイアス層の自己漏洩
磁界もしくは外部磁界によって反転しようとしてもバイ
アス層の記録層とは反対側の面に近い領域から交換力が
作用し反転が防止できるのである。
（作用）
本発明では記録、消去時にバイアス層がその自己漏洩磁
界もしくは外部磁界によって反転するのを防止できるの
で記録層の反転磁区の安定赴向上し適切な再生パワーマ
ージンを確保すると同時に記録層の速度低下を防止しさ
らに媒体の生産性が欠落するのを防止できる。
界もしくは外部磁界によって反転するのを防止できるの
で記録層の反転磁区の安定赴向上し適切な再生パワーマ
ージンを確保すると同時に記録層の速度低下を防止しさ
らに媒体の生産性が欠落するのを防止できる。
（実施例）
以下、図面を参照して本発明の光磁気媒体及び記録方法
を詳細に説明する。
を詳細に説明する。
第１図は本発明の光磁気媒体の一実施例の構成図であり
、１は記録層、２はバイアス層、３は熱拡散層、４は中
間層、５は干渉層、６は基板である。記録層１としては
常温から’ｌ’ｃｏａｐ未満までの温度領域にかける保
磁力Ｈｃ（Ｔａ−Ｔｅ）が、バイアス磁界Ｈａ（ｒ）と
実用的な外部磁界Ｈｅｘ （１ｋＯｅ程度）の和よりも
低く、かつ常温もしくは再生パワー照射時にはヒツトの
安定性が良好な程度に高い。
、１は記録層、２はバイアス層、３は熱拡散層、４は中
間層、５は干渉層、６は基板である。記録層１としては
常温から’ｌ’ｃｏａｐ未満までの温度領域にかける保
磁力Ｈｃ（Ｔａ−Ｔｅ）が、バイアス磁界Ｈａ（ｒ）と
実用的な外部磁界Ｈｅｘ （１ｋＯｅ程度）の和よりも
低く、かつ常温もしくは再生パワー照射時にはヒツトの
安定性が良好な程度に高い。
Ｈｃ （Ｔａ−ＪＩ’ｅ ）がｌ ｋｏｅ 〜３ ｋｏ
ｅ程度で、又適度な記録速度と消去パワー及び再生パワ
ーのマージンを得る上でＴｃｏ鎗ｐが１５０〜２５０℃
程度の膜が好ましく、例えば２０〜２５ｎｍ厚のＧｄＴ
ｂＣ０膜が用いられる。バイアス層２としては磁化ＭＯ
Ｂが常温から再生パフ−照射時の温度までは変化が小さ
く、消去パワー照射時の温度領域で急激に変化して記録
層側へ大きなバイアス磁界Ｈａ （ｒ ）を発生する膜
材料が好ましく例えば２００〜５００ｎｍ厚のＴｂＤｙ
ＦｅＣ０膜が用いられる。バイアス層中のＲＥ組成比は
補償組成から離れた例えば１３〜１９ａｔ％及び２６〜
３０ａｔ％ 程度とするのが常温のＭＳＢを大きくす
るので好筐しく、ＲＥ中のＤｙ量やＴＭ中のＣＯｔは記
録層のＴｃｏｍｐに合わせて決定されバイアス層のキュ
ーリー点ＴＣＢがＴｃｏｍｐよりも低い１００〜２００
℃とするのが良い。熱拡散層４としては、バイアス層膜
厚方向に温度差を誘起しやすくする上でバイアス層より
も熱伝導率の高い膜が良く、Ａｔ、Ａｕ、Ｃｕ等の金属
膜が用いられ、その膜厚は５０〜２００ｎｍ程度とする
のが好ましい。中間層は記録層とバイアス層が静磁的に
結合するための層であり、非磁性層であれば何でも良く
、例えばｌＱｎｍ層のＳ ｉ−Ｎｇが用いられる。干渉
層５は本発明を実施する□際し必ずしも必要でないが、
カーエンハンスメント効果を得る上ではめった方が好壕
しく例えば１４Ｑｎｍ厚の５ｉ−Ｎ膜が用いられ基板６
としては例えばガラス円板を用いる事ができる。第１園
に示す光磁気媒体を用いて本発明を以下の手順で実施し
その効果を確認した。又比較用として第１図の熱拡散層
３の代わｂにバイアス層３よυも熱伝導率の悪い５ｉ−
Ｎｇを１）００ｎ形威した媒体を作成して同時に評価し
た。媒体の初期磁化方向としては、第１図において記録
層ｌは下向き（Ｔｃｏｓｓｐを有するので記録方向が下
向きかつＴｃｏ曽ｐ未満で消去するので、消去方向も下
向きとなる）バイアス層２は上向き（下向きにバイアス
磁界を発生する）とし、比較用の媒体も各々同じ向きに
整えた。次に光磁気テスターに媒体を塔載し、下向きに
８００（δｅ）の外部磁界を印加して記録バフ −３ｍ
Ｗのレーザ光を用いてパルス記録。
ｅ程度で、又適度な記録速度と消去パワー及び再生パワ
ーのマージンを得る上でＴｃｏ鎗ｐが１５０〜２５０℃
程度の膜が好ましく、例えば２０〜２５ｎｍ厚のＧｄＴ
ｂＣ０膜が用いられる。バイアス層２としては磁化ＭＯ
Ｂが常温から再生パフ−照射時の温度までは変化が小さ
く、消去パワー照射時の温度領域で急激に変化して記録
層側へ大きなバイアス磁界Ｈａ （ｒ ）を発生する膜
材料が好ましく例えば２００〜５００ｎｍ厚のＴｂＤｙ
ＦｅＣ０膜が用いられる。バイアス層中のＲＥ組成比は
補償組成から離れた例えば１３〜１９ａｔ％及び２６〜
３０ａｔ％ 程度とするのが常温のＭＳＢを大きくす
るので好筐しく、ＲＥ中のＤｙ量やＴＭ中のＣＯｔは記
録層のＴｃｏｍｐに合わせて決定されバイアス層のキュ
ーリー点ＴＣＢがＴｃｏｍｐよりも低い１００〜２００
℃とするのが良い。熱拡散層４としては、バイアス層膜
厚方向に温度差を誘起しやすくする上でバイアス層より
も熱伝導率の高い膜が良く、Ａｔ、Ａｕ、Ｃｕ等の金属
膜が用いられ、その膜厚は５０〜２００ｎｍ程度とする
のが好ましい。中間層は記録層とバイアス層が静磁的に
結合するための層であり、非磁性層であれば何でも良く
、例えばｌＱｎｍ層のＳ ｉ−Ｎｇが用いられる。干渉
層５は本発明を実施する□際し必ずしも必要でないが、
カーエンハンスメント効果を得る上ではめった方が好壕
しく例えば１４Ｑｎｍ厚の５ｉ−Ｎ膜が用いられ基板６
としては例えばガラス円板を用いる事ができる。第１園
に示す光磁気媒体を用いて本発明を以下の手順で実施し
その効果を確認した。又比較用として第１図の熱拡散層
３の代わｂにバイアス層３よυも熱伝導率の悪い５ｉ−
Ｎｇを１）００ｎ形威した媒体を作成して同時に評価し
た。媒体の初期磁化方向としては、第１図において記録
層ｌは下向き（Ｔｃｏｓｓｐを有するので記録方向が下
向きかつＴｃｏ曽ｐ未満で消去するので、消去方向も下
向きとなる）バイアス層２は上向き（下向きにバイアス
磁界を発生する）とし、比較用の媒体も各々同じ向きに
整えた。次に光磁気テスターに媒体を塔載し、下向きに
８００（δｅ）の外部磁界を印加して記録バフ −３ｍ
Ｗのレーザ光を用いてパルス記録。
消去パワー４ｍＷのレーザ光を用いてＤＣ消去し、再生
パワー１ｍＷのレーザ光を用いて再生する実験をくりか
えして行なった。その結果、熱拡散層３として１００ｎ
ｍ１００ｎ膜を形成した本発明の光磁気媒体は、初期に
得られた記録Ｃ／Ｎ ’： ４５ ｄＢ・消去率−４５
ｄＢの値を繰シ返し記録／消去稜も保持したが、比較用
として形成した熱拡散層３の代わりにｌＱＱｎｍの５ｉ
−Ｎ膜を形成したサンプルでは、徐々にＣ／Ｎ比が低下
すると共に、再生パワーレベルにシけるＣ／Ｎの低下が
再生動作の継続によって発生した。
パワー１ｍＷのレーザ光を用いて再生する実験をくりか
えして行なった。その結果、熱拡散層３として１００ｎ
ｍ１００ｎ膜を形成した本発明の光磁気媒体は、初期に
得られた記録Ｃ／Ｎ ’： ４５ ｄＢ・消去率−４５
ｄＢの値を繰シ返し記録／消去稜も保持したが、比較用
として形成した熱拡散層３の代わりにｌＱＱｎｍの５ｉ
−Ｎ膜を形成したサンプルでは、徐々にＣ／Ｎ比が低下
すると共に、再生パワーレベルにシけるＣ／Ｎの低下が
再生動作の継続によって発生した。
以上の結果は第２図に示すレーザ照射領域のバイアス層
２の膜厚（Ｚ）方向の熱分布によって説明できる。第２
図（ａ）は記録用レーザ熱照射時のレーザスポット中心
点でのバイアス層のＺ軸方向の熱分布を示してシリ、第
２図（ｂ）はスポット電磁方向（ｒ）とＺ方向の磁化状
態（↑が磁化方向）を示すものである。第２図（ａ）に
示される様に本発明の光磁気媒体及び記録方法において
はレーザ照射時にバイアス層の記録層に近い面側の温度
は充分にバイアス層のキューリー点ＴＣＢ以上Ｖこ上昇
しているという条件を消しつつ、バイアス層の記録層と
反対側の面の温度は熱拡散層３の効果によってキー−り
一点ＴＣＢ未満に保持されるので、第２図（ｂ） Ｋ示
される様にバイアス１ｉ２の記録層とは反対側の面の磁
化はスポット中心位置（ｒ＝０ ）に釦いても初期磁化
方向を保持している状態にある。
２の膜厚（Ｚ）方向の熱分布によって説明できる。第２
図（ａ）は記録用レーザ熱照射時のレーザスポット中心
点でのバイアス層のＺ軸方向の熱分布を示してシリ、第
２図（ｂ）はスポット電磁方向（ｒ）とＺ方向の磁化状
態（↑が磁化方向）を示すものである。第２図（ａ）に
示される様に本発明の光磁気媒体及び記録方法において
はレーザ照射時にバイアス層の記録層に近い面側の温度
は充分にバイアス層のキューリー点ＴＣＢ以上Ｖこ上昇
しているという条件を消しつつ、バイアス層の記録層と
反対側の面の温度は熱拡散層３の効果によってキー−り
一点ＴＣＢ未満に保持されるので、第２図（ｂ） Ｋ示
される様にバイアス１ｉ２の記録層とは反対側の面の磁
化はスポット中心位置（ｒ＝０ ）に釦いても初期磁化
方向を保持している状態にある。
この様な磁化状態から冷却されてきた場合、第２図（ｂ
）でキューリー点以上に加熱されている領域（矢印のな
い部分）の磁化が立上ってくるわけであるが、もしバイ
アス層の自己漏洩磁界もしくは外部磁界によって第２図
（ｂ）の矢印とは反対側に立上ろうとした場合、第２図
（ｂ）でキューリー点未満に加熱されている部分から交
換力が働き矢印と反対側に立上ろうとするのを防止し結
果としてバイアス層全体の磁化方向は初期磁化方向を保
存する事になるわけである。
）でキューリー点以上に加熱されている領域（矢印のな
い部分）の磁化が立上ってくるわけであるが、もしバイ
アス層の自己漏洩磁界もしくは外部磁界によって第２図
（ｂ）の矢印とは反対側に立上ろうとした場合、第２図
（ｂ）でキューリー点未満に加熱されている部分から交
換力が働き矢印と反対側に立上ろうとするのを防止し結
果としてバイアス層全体の磁化方向は初期磁化方向を保
存する事になるわけである。
一方で比較用に形成した熱拡散層３の代わりに８ｉ−Ｎ
膜を用いた試料ではバイアス層の層厚方向に急峻な温度
差をもたせる事ができないので、記録層側へ大きなバイ
アス磁界を供給できるような磁化状態をバイアス層内に
形成する為には、バイアス層の記録層と反対側の面もそ
のキューリー点ＴＣＢ以上に加熱しなければならないの
で、冷却時にバイアス層が反転してし１い、又バイアス
層が反転しない程度の加熱方式では記録層側へ充分なバ
イアス磁界を供給し得る磁化状態が得られないので所期
のオーバーライド機能を安定して得る事ができないので
ある。
膜を用いた試料ではバイアス層の層厚方向に急峻な温度
差をもたせる事ができないので、記録層側へ大きなバイ
アス磁界を供給できるような磁化状態をバイアス層内に
形成する為には、バイアス層の記録層と反対側の面もそ
のキューリー点ＴＣＢ以上に加熱しなければならないの
で、冷却時にバイアス層が反転してし１い、又バイアス
層が反転しない程度の加熱方式では記録層側へ充分なバ
イアス磁界を供給し得る磁化状態が得られないので所期
のオーバーライド機能を安定して得る事ができないので
ある。
本発明によれはバイアス層自体が反転するのを防止でき
るので、再生時のデータの安定性が向上でき、かつ繰り
返し記録／消去の安定性が向上できる。
るので、再生時のデータの安定性が向上でき、かつ繰り
返し記録／消去の安定性が向上できる。
第１図は本発明の一実施例の構成図、第２図は本発明の
一実施例の特性図である。 １・・・記録層、２・・・バイアス層、３・・・熱拡散
層、４・・・中間層、５・・・干渉層、６・・・基板。
一実施例の特性図である。 １・・・記録層、２・・・バイアス層、３・・・熱拡散
層、４・・・中間層、５・・・干渉層、６・・・基板。
Claims (1)
- （１）熱的に変化するバイアス磁界を供給するバイアス
層と、熱的に変化する磁化特性を有する記録層と、熱伝
導率がバイアス層よりも高い熱拡散層が順次積層されて
なることを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1316441A JP2772078B2 (ja) | 1989-12-07 | 1989-12-07 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1316441A JP2772078B2 (ja) | 1989-12-07 | 1989-12-07 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03178060A true JPH03178060A (ja) | 1991-08-02 |
| JP2772078B2 JP2772078B2 (ja) | 1998-07-02 |
Family
ID=18077124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1316441A Expired - Fee Related JP2772078B2 (ja) | 1989-12-07 | 1989-12-07 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2772078B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5873017A (ja) * | 1981-10-26 | 1983-05-02 | Ricoh Co Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
| JPS6280847A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-14 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 磁気記憶媒体 |
| JPS62167642A (ja) * | 1986-01-18 | 1987-07-24 | Victor Co Of Japan Ltd | 光磁気記録媒体の記録装置 |
-
1989
- 1989-12-07 JP JP1316441A patent/JP2772078B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5873017A (ja) * | 1981-10-26 | 1983-05-02 | Ricoh Co Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
| JPS6280847A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-14 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 磁気記憶媒体 |
| JPS62167642A (ja) * | 1986-01-18 | 1987-07-24 | Victor Co Of Japan Ltd | 光磁気記録媒体の記録装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2772078B2 (ja) | 1998-07-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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