JPH03178178A - レーザガスまたはガス混合物の組成を制御する装置 - Google Patents
レーザガスまたはガス混合物の組成を制御する装置Info
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- JPH03178178A JPH03178178A JP2293793A JP29379390A JPH03178178A JP H03178178 A JPH03178178 A JP H03178178A JP 2293793 A JP2293793 A JP 2293793A JP 29379390 A JP29379390 A JP 29379390A JP H03178178 A JPH03178178 A JP H03178178A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザガスまたはガス混合物の組成を制御する
装置、とくにただし限定するものではないが、エキシマ
レーザに使用するこの種の装置に関する。
装置、とくにただし限定するものではないが、エキシマ
レーザに使用するこの種の装置に関する。
エキシマガスレーザから最大出力をえるため、レーザガ
スまたはガス混合物組成を一定に維持することが必要で
ある。レーザガスまたはガス混合物の組成の変動はレー
ザ作用によりまたはプラスチックのような、レーザに使
用される構成要素からの析出によって発生する不純物に
よって発生する。ある不純物を液化によって除去するた
め極低温トラップを使用することが提案されたが、この
技術はすべての予想される不純物を除去することができ
ない欠点を有する。
スまたはガス混合物組成を一定に維持することが必要で
ある。レーザガスまたはガス混合物の組成の変動はレー
ザ作用によりまたはプラスチックのような、レーザに使
用される構成要素からの析出によって発生する不純物に
よって発生する。ある不純物を液化によって除去するた
め極低温トラップを使用することが提案されたが、この
技術はすべての予想される不純物を除去することができ
ない欠点を有する。
エキシマレーザガス混合物は代表的にヘリウム、ネオン
、キセノンおよびクリプトンのような稀ガスの一つ以上
および弗素または塩化水素のようなハロゲン含有分子を
含有する。レーザガスまたはガス混合物を高温で反応さ
せて不純物およびハロゲンを除去する不純物除去の別の
技術が提案された。前記提案された両技術はレーザガス
またはガス混合物から不純物を除去するのにある程度成
功したが、それらはレーザガスまたはガス混合物の＆ｌ
１ｔｉ、の制御をそれぞれ一定の限界内に維持すること
に適していない０本発明の目的は一般的にレーザガスま
たはガス混合物の組成を制御する進歩した装置を提供す
ることにある。
、キセノンおよびクリプトンのような稀ガスの一つ以上
および弗素または塩化水素のようなハロゲン含有分子を
含有する。レーザガスまたはガス混合物を高温で反応さ
せて不純物およびハロゲンを除去する不純物除去の別の
技術が提案された。前記提案された両技術はレーザガス
またはガス混合物から不純物を除去するのにある程度成
功したが、それらはレーザガスまたはガス混合物の＆ｌ
１ｔｉ、の制御をそれぞれ一定の限界内に維持すること
に適していない０本発明の目的は一般的にレーザガスま
たはガス混合物の組成を制御する進歩した装置を提供す
ることにある。
本発明のこのおよび他の目的および利点は、本発明の好
ましい実施例が記載される、下記の説明に開示された詳
細から一層明らかになるであろう。
ましい実施例が記載される、下記の説明に開示された詳
細から一層明らかになるであろう。
本発明の第１実施例によれば、ガスレーザにほぼ平行に
接続して選択的にそこからガス混合物をうけ入れ不純物
をガスまたはガス混合物から除去し、また選択的に清浄
化されたガスまたはガス混合物をガスレーザに戻しうる
極低温ガスプロセッサ、前記極低温ガスプロセッサにほ
ゞそれと平行にガス流接続し、また前記ガスレーザに平
行に接続して選択的にガスまたはガス混合物をそこから
うけ入れ、ハロゲンおよび／または不純物をガスまたは
ガス混合物から除去し、また選択的に脱ハロゲンまたは
清浄化されたガスまたはガス混合物をガスレーザに戻し
うる高温ガス清浄器、前記ガスレーザからガスまたはガ
ス混合物をうけ入れるように接続し前記ガスまたはガス
混合物を分析してレーザガスまたはガス混合物の実際の
＆１１１ｆｔ、を示す出力信号を発生するように作用し
うるガス分析装置、選択的に清浄ガスまたは選択された
清浄ガス混合物の成分をガスレーザに供給するように接
続しろる清浄レーザガスまたはガス混合物源、および前
記ガス分析装置からガスまたはガス混合物の実際の＆Ｉ
ｌ戒を示す前記出力信号をうけいれ、実際の組成値と所
要の組成値とを比較するように作用し、また極低温およ
び／または高温ガス清浄器および／または清浄ガスもし
くはガス混合物源を作動してレーザガスまたはガス混合
物の＆１１威を制御する制御装置を有する、レーザガス
またはガス混合物の組成を制御する装置、が提供される
。
接続して選択的にそこからガス混合物をうけ入れ不純物
をガスまたはガス混合物から除去し、また選択的に清浄
化されたガスまたはガス混合物をガスレーザに戻しうる
極低温ガスプロセッサ、前記極低温ガスプロセッサにほ
ゞそれと平行にガス流接続し、また前記ガスレーザに平
行に接続して選択的にガスまたはガス混合物をそこから
うけ入れ、ハロゲンおよび／または不純物をガスまたは
ガス混合物から除去し、また選択的に脱ハロゲンまたは
清浄化されたガスまたはガス混合物をガスレーザに戻し
うる高温ガス清浄器、前記ガスレーザからガスまたはガ
ス混合物をうけ入れるように接続し前記ガスまたはガス
混合物を分析してレーザガスまたはガス混合物の実際の
＆１１１ｆｔ、を示す出力信号を発生するように作用し
うるガス分析装置、選択的に清浄ガスまたは選択された
清浄ガス混合物の成分をガスレーザに供給するように接
続しろる清浄レーザガスまたはガス混合物源、および前
記ガス分析装置からガスまたはガス混合物の実際の＆Ｉ
ｌ戒を示す前記出力信号をうけいれ、実際の組成値と所
要の組成値とを比較するように作用し、また極低温およ
び／または高温ガス清浄器および／または清浄ガスもし
くはガス混合物源を作動してレーザガスまたはガス混合
物の＆１１威を制御する制御装置を有する、レーザガス
またはガス混合物の組成を制御する装置、が提供される
。
好ましくは前記制御装置はコンピュータを備えている。
装置はエキシマガスレーザに接続しうるのが有利である
。
。
装置はヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトンまたは
アルゴンガスのような稀ガスの一つ以上および弗素また
は塩化水素のようなハロゲン含有分子含有するレーザガ
スを利用するエキシマガスレーザに接続しうるのが有利
である。
アルゴンガスのような稀ガスの一つ以上および弗素また
は塩化水素のようなハロゲン含有分子含有するレーザガ
スを利用するエキシマガスレーザに接続しうるのが有利
である。
装置は、不純物として、ガスまたはガス混合物中にＣＯ
□、 Ｃ１ｚ、 Ｃｏ、 ＣＣＩ□ ＣＦ□ ＳｉＦ、
、 ＩＰ、 ＮＯ。
□、 Ｃ１ｚ、 Ｃｏ、 ＣＣＩ□ ＣＦ□ ＳｉＦ、
、 ＩＰ、 ＮＯ。
ＮＯ□Ｎ、Ｏ□ＩＩ□０．ＮＨ１ＮｈＯ□Ｈ□ＣＦＩＯ
，ＯＦ□ＣＨｓＣＩ、 ＣＨｅおよびＣＩ（３Ｆの一つ
以上を含有するエキシマガスレーザに接続しうるのが好
ましい。
，ＯＦ□ＣＨｓＣＩ、 ＣＨｅおよびＣＩ（３Ｆの一つ
以上を含有するエキシマガスレーザに接続しうるのが好
ましい。
前記極低温ガスプロセッサは液化によって前記不純物の
一つ以上を除去するように作用するのが有利である。
一つ以上を除去するように作用するのが有利である。
装置はガスレーザと極低温ガスプロセッサの間のガス流
を選択的に制御するように作用しうる極低温ガスプロセ
ッサのそれぞれ入力端および出力側に第１および第２の
開閉可能なガス流弁を有することが便利である。
を選択的に制御するように作用しうる極低温ガスプロセ
ッサのそれぞれ入力端および出力側に第１および第２の
開閉可能なガス流弁を有することが便利である。
高温ガス清浄器は、高温金属装置によって、ガスまたは
ガス混合物からハロゲンおよび／または不純物を除去す
るように作用しうる高温ゲッタを有するのが好ましい。
ガス混合物からハロゲンおよび／または不純物を除去す
るように作用しうる高温ゲッタを有するのが好ましい。
装置はガスレーザと高温ガス清浄器の間のガス流を選択
的に制御するように作用しうる高温ガス清浄器の入力側
および出力側にそれぞれ第３および第４の開閉可能なガ
ス流弁を有するのが好ましい。
的に制御するように作用しうる高温ガス清浄器の入力側
および出力側にそれぞれ第３および第４の開閉可能なガ
ス流弁を有するのが好ましい。
装置は極低温ガスプロセッサおよび高温ガス清浄器の出
力側に弁付きガス流接続されたガス圧縮機、および極低
温ガスプロセッサのおよび高温ガス清浄器の出力側に弁
接続されかつガス圧縮機とガス流接続されたガス貯蔵装
置を有し、前記ガス圧縮機およびガス貯蔵装置は、制御
装置によって、ガスまたはガス混合物をガスレーザから
うけ入れかつ貯蔵して補修がガスレーザに実施されるの
を容易にするか、または極低温ガスプロセッサによって
レーザガス混合物から分離されたガスをうけ入れるよう
に作用しうるのが便利である。
力側に弁付きガス流接続されたガス圧縮機、および極低
温ガスプロセッサのおよび高温ガス清浄器の出力側に弁
接続されかつガス圧縮機とガス流接続されたガス貯蔵装
置を有し、前記ガス圧縮機およびガス貯蔵装置は、制御
装置によって、ガスまたはガス混合物をガスレーザから
うけ入れかつ貯蔵して補修がガスレーザに実施されるの
を容易にするか、または極低温ガスプロセッサによって
レーザガス混合物から分離されたガスをうけ入れるよう
に作用しうるのが便利である。
清浄レーザガスまたはレーザガス混合物の清浄な個々の
ガス成分の源は該または各ガスもしくは成分用の個々の
コンテナ、前記コンテナをガスレーザに接続しうるガス
流管に選択的に連通ずる装置、および前記コンテナとガ
スレーザに接続しうる管の端部の中間に前記管の第５の
開閉可能なガス流弁を有するのが好ましい。
ガス成分の源は該または各ガスもしくは成分用の個々の
コンテナ、前記コンテナをガスレーザに接続しうるガス
流管に選択的に連通ずる装置、および前記コンテナとガ
スレーザに接続しうる管の端部の中間に前記管の第５の
開閉可能なガス流弁を有するのが好ましい。
本発明を一層よく理解するためまたそれがどのように実
施されるかを示すため例示として図面を参照する。
施されるかを示すため例示として図面を参照する。
本発明の第１実施例による、レーザガスまたはガス混合
物の組成を制御する装置は第１図に示されている。この
実施例において、放置はエクシマレーザ１のようなレー
ザのレーザガスまたはガス混合物の組成を制御するため
使用される。しかしながら、この装置は他の形式のガス
レーザのレーザガスまたはガス混合物の組成を制御する
のにも使用することができる。この装置は基本的にガス
レーザ１にほゞそれと平行に接続された極低温ガスプロ
セッサ２、極低温ガスプロセッサ２にほゞそれと平行に
ガス流接続し、かつレーザ１と平行にそれと接続しうる
高温ガス清浄器３、ガス分析装置４、清浄なレーザガス
またはレーザガス混合物の清浄な個々の成分のガス源お
よび制御装置６を有する。
物の組成を制御する装置は第１図に示されている。この
実施例において、放置はエクシマレーザ１のようなレー
ザのレーザガスまたはガス混合物の組成を制御するため
使用される。しかしながら、この装置は他の形式のガス
レーザのレーザガスまたはガス混合物の組成を制御する
のにも使用することができる。この装置は基本的にガス
レーザ１にほゞそれと平行に接続された極低温ガスプロ
セッサ２、極低温ガスプロセッサ２にほゞそれと平行に
ガス流接続し、かつレーザ１と平行にそれと接続しうる
高温ガス清浄器３、ガス分析装置４、清浄なレーザガス
またはレーザガス混合物の清浄な個々の成分のガス源お
よび制御装置６を有する。
極低温ガスプロセッサ２は、プロセッサ２の出力および
レーザ１の入力として作用する第１菅７およびレーザの
出力およびプロセッサ２の人力として作用する第２管８
を通してレーザｌとガス流接続している。管７．８によ
って、プロセッサ２は選択的にガスまたはガス混合物を
レーザ１からうけ取り、ガスまたはガス混合物から不純
物を除去しまた選択的に純粋ガスまたはガス混合物をレ
ーザ１に戻す。
レーザ１の入力として作用する第１菅７およびレーザの
出力およびプロセッサ２の人力として作用する第２管８
を通してレーザｌとガス流接続している。管７．８によ
って、プロセッサ２は選択的にガスまたはガス混合物を
レーザ１からうけ取り、ガスまたはガス混合物から不純
物を除去しまた選択的に純粋ガスまたはガス混合物をレ
ーザ１に戻す。
レーザ１がエクシマガスレーザである場合、レーザガス
またはガス混合物は、ヘリウム、ネオン、クセノン、ク
リプトンおよびアルゴンのような稀ガスの一つ以上およ
び弗素または塩化水素の一つ以上のようなハロゲン含有
分子を含んでいる。適当なエクシマレーザガス混合物は
約９９％のヘリウムおよびネオンの一つ以上、約０．９
％のクセノン、クリプトンおよびアルゴンの一つ以上お
よび約０．１％の弗素および／または塩化水素を含有す
るのが有利である。しかしてそのようなレーザガス混合
物において、ハロゲン含有分子はクセノン、クリプトン
またはアルゴンと結合して弗化または塩化クセノン、ク
リプトンまたはアルゴン（すなわち、ＸｅＦ、 ＸｅＣ
１，ＫｒＦ、 ＫｒＣ１，＾ｒｃ１． ＡｒＦ）を形成
する。
またはガス混合物は、ヘリウム、ネオン、クセノン、ク
リプトンおよびアルゴンのような稀ガスの一つ以上およ
び弗素または塩化水素の一つ以上のようなハロゲン含有
分子を含んでいる。適当なエクシマレーザガス混合物は
約９９％のヘリウムおよびネオンの一つ以上、約０．９
％のクセノン、クリプトンおよびアルゴンの一つ以上お
よび約０．１％の弗素および／または塩化水素を含有す
るのが有利である。しかしてそのようなレーザガス混合
物において、ハロゲン含有分子はクセノン、クリプトン
またはアルゴンと結合して弗化または塩化クセノン、ク
リプトンまたはアルゴン（すなわち、ＸｅＦ、 ＸｅＣ
１，ＫｒＦ、 ＫｒＣ１，＾ｒｃ１． ＡｒＦ）を形成
する。
プロセッサ２は、異なったガスは異なった温度で液化し
て極低温のトラップを形成しそれにより不純物をレーザ
ガス混合物から除去しうること、を利用している０代表
的不純物はＣ（ｈ、 Ｃ１ｚ、 Ｃｏ。
て極低温のトラップを形成しそれにより不純物をレーザ
ガス混合物から除去しうること、を利用している０代表
的不純物はＣ（ｈ、 Ｃ１ｚ、 Ｃｏ。
ＣＣＩｊ、 ＣＦ□５ＩＦＴ、 ＩＩＦ、 Ｎｏ、 Ｎ
Ｏ！、ＮｔＯａ、 ＨＩＯ，ＮＨ３１Ｎ、０□Ｈｔ、
ＣＦｉＯ，ＯＦ＊１ＣＨｓＣＩ、ＣＨ４およびＣ）Ｉ３
Ｆであり、それらはレーザ１または一般にプラスチック
材料から作られる装置からの析出の結果として存在する
。ガスまたはガス混合物は、プロセッサ２入力端の管８
内の第１の開閉可能なガス流弁９、プロセッサ２の出力
側の第１ガス流管７に設置された第２の開閉可能なガス
流弁ｌＯにより、管７．８を通して選択的にプロセッサ
にまたレーザｌに出入させる。
Ｏ！、ＮｔＯａ、 ＨＩＯ，ＮＨ３１Ｎ、０□Ｈｔ、
ＣＦｉＯ，ＯＦ＊１ＣＨｓＣＩ、ＣＨ４およびＣ）Ｉ３
Ｆであり、それらはレーザ１または一般にプラスチック
材料から作られる装置からの析出の結果として存在する
。ガスまたはガス混合物は、プロセッサ２入力端の管８
内の第１の開閉可能なガス流弁９、プロセッサ２の出力
側の第１ガス流管７に設置された第２の開閉可能なガス
流弁ｌＯにより、管７．８を通して選択的にプロセッサ
にまたレーザｌに出入させる。
高温ガス清浄器３もまた第３ガス流管１１および第４ガ
ス流管１２によってプロセッサ２とガス流接続している
。清浄器３はプロセッサ２およびレーザｌに、は＼それ
と平行に、管１１によって接続され、管１１は清浄器３
への入力、プロセッサ２からの出力およびレーザ１から
それに接続された管８を通る出力を形成している。管１
２はレーザ１、プロセッサ２および清浄器３を清浄器３
およびプロセッサ２の出力側をレーザｌの入力側にガス
管７を通して接続することにより接続している。清浄器
３は選択的にレーザ１からガスまたはガス混合物をうけ
、ガスまたは混合物からハロゲンおよび／または不純物
を除去し、また選択的に脱ハロゲンまたは浄化ガスまた
はガス混合物をレーザ１に戻すように作用する。
ス流管１２によってプロセッサ２とガス流接続している
。清浄器３はプロセッサ２およびレーザｌに、は＼それ
と平行に、管１１によって接続され、管１１は清浄器３
への入力、プロセッサ２からの出力およびレーザ１から
それに接続された管８を通る出力を形成している。管１
２はレーザ１、プロセッサ２および清浄器３を清浄器３
およびプロセッサ２の出力側をレーザｌの入力側にガス
管７を通して接続することにより接続している。清浄器
３は選択的にレーザ１からガスまたはガス混合物をうけ
、ガスまたは混合物からハロゲンおよび／または不純物
を除去し、また選択的に脱ハロゲンまたは浄化ガスまた
はガス混合物をレーザ１に戻すように作用する。
このため、選択的作用を可能にするため、第３の開閉可
能なガス流弁１３が管１１の清浄器３入力端に設置され
、また第４の開閉可能なガス流弁１４が管１２の清浄器
３出力側に設置されている。
能なガス流弁１３が管１１の清浄器３入力端に設置され
、また第４の開閉可能なガス流弁１４が管１２の清浄器
３出力側に設置されている。
弁１３．１４は選択的にレーザ１と高温ガス清浄器３の
間のガス流を制御し、弁１３はレーザｌから清浄器３へ
のガス流を制御するように作用し、弁１４は清浄器３か
らレーザ１に戻る清浄ガスの流れを制御する。
間のガス流を制御し、弁１３はレーザｌから清浄器３へ
のガス流を制御するように作用し、弁１４は清浄器３か
らレーザ１に戻る清浄ガスの流れを制御する。
ガス清浄器３は、高温金属装置によって、ガスまたはガ
ス混合物からハロゲンおよび／または不純物を除去する
ように作用する高温ゲッタを有する。高温金属装置はハ
ロゲンおよび／または不純物に作用して低蒸気圧の塩を
作る高温金属とすることができる。−層揮発性のこれら
の塩は冷却または低温トラップによって除去することが
できる。
ス混合物からハロゲンおよび／または不純物を除去する
ように作用する高温ゲッタを有する。高温金属装置はハ
ロゲンおよび／または不純物に作用して低蒸気圧の塩を
作る高温金属とすることができる。−層揮発性のこれら
の塩は冷却または低温トラップによって除去することが
できる。
このようにしてハロゲン含有量が多すぎるならばハロゲ
ンをガスまたはガス混合物から除去することができる。
ンをガスまたはガス混合物から除去することができる。
ガス分析装Ｗ４は第５ガス流管１５を通してレーザ１に
接続され、第５ガス流管１５は管８とガス流接続してレ
ーザ１から分析装置４への入力として作用する。ガス分
析装置４はレーザ１からうけ入れたガスまたはガス混合
物を分析してレーザガスまたはガス混合物の実際の組成
を示す出力信号１６を発生するように作用する。これら
の信号１６は制御装置６の要求により制御装置６に伝達
される。
接続され、第５ガス流管１５は管８とガス流接続してレ
ーザ１から分析装置４への入力として作用する。ガス分
析装置４はレーザ１からうけ入れたガスまたはガス混合
物を分析してレーザガスまたはガス混合物の実際の組成
を示す出力信号１６を発生するように作用する。これら
の信号１６は制御装置６の要求により制御装置６に伝達
される。
清浄なレーザガスまたはレーザガス混合物の清浄な個々
の取分のガス源５は選択的に清浄ガスまたは選択された
清浄ガス混合物成分を第６ガス流管１７を通してガスレ
ーザ１に供給するように選択的に接続され、第６ガス流
管１７は第５の開閉可能なガス流弁１８を通して弁１４
の出力側の管１２に接続される。ガス源５は該または各
ガスもしくは成分用の図示しない個々のコンテナを有し
、そのすべては要求に応じてガス流管１７に選択的に接
続することができる。このようにして、レーザｌに供給
されるガスまたはガス混合物の組成を制御可能に変更す
ることができる。
の取分のガス源５は選択的に清浄ガスまたは選択された
清浄ガス混合物成分を第６ガス流管１７を通してガスレ
ーザ１に供給するように選択的に接続され、第６ガス流
管１７は第５の開閉可能なガス流弁１８を通して弁１４
の出力側の管１２に接続される。ガス源５は該または各
ガスもしくは成分用の図示しない個々のコンテナを有し
、そのすべては要求に応じてガス流管１７に選択的に接
続することができる。このようにして、レーザｌに供給
されるガスまたはガス混合物の組成を制御可能に変更す
ることができる。
組成を必要に応じて確実に正確に制御するため、制御装
置６は図示しないコンピュータを備え、かつレーザ１の
レーザガスまたはガス混合物の実際の組成を示す出力信
号１６をガス分析装置４からうけ入れ、実際の組成値を
制御装置６に記憶された所要の組成値と比較し各制御溝
１１９．２０を通して極低温ガスプロセッサ２お・よび
／または高温ガス清浄器３を作用させるように働く、さ
らに制御装置６は制御信号２１によってガス源５および
弁１８の作用を制御するように働く、このようにして、
制御装置６はガス分析装置４からうけ入れた実際のガス
またはガス混合物の組成値を所要値と比較し、ハロゲン
含有量が多すぎるとレーザ１のガスまたはガス混合物は
高温ガス清浄器３を通される。ハロゲンガス含有量が少
なすぎると、ハロゲン成分はガス源５を通して制御装置
６の制御の下で補充される。含有不純物が多すぎると制
御装置６はプロセッサ２および清浄器３を適当に選択し
、ガスまたはガス混合物を蒸気圧に関する記憶されたデ
ータベースに従ってレーザｌからそこに通す、しかして
第１図の装置はレーザ１におけるガスまたはガス混合物
の取分に完全な制御を実施することができる。
置６は図示しないコンピュータを備え、かつレーザ１の
レーザガスまたはガス混合物の実際の組成を示す出力信
号１６をガス分析装置４からうけ入れ、実際の組成値を
制御装置６に記憶された所要の組成値と比較し各制御溝
１１９．２０を通して極低温ガスプロセッサ２お・よび
／または高温ガス清浄器３を作用させるように働く、さ
らに制御装置６は制御信号２１によってガス源５および
弁１８の作用を制御するように働く、このようにして、
制御装置６はガス分析装置４からうけ入れた実際のガス
またはガス混合物の組成値を所要値と比較し、ハロゲン
含有量が多すぎるとレーザ１のガスまたはガス混合物は
高温ガス清浄器３を通される。ハロゲンガス含有量が少
なすぎると、ハロゲン成分はガス源５を通して制御装置
６の制御の下で補充される。含有不純物が多すぎると制
御装置６はプロセッサ２および清浄器３を適当に選択し
、ガスまたはガス混合物を蒸気圧に関する記憶されたデ
ータベースに従ってレーザｌからそこに通す、しかして
第１図の装置はレーザ１におけるガスまたはガス混合物
の取分に完全な制御を実施することができる。
第２図に示す本発明の第２実施例による装置は基本的に
第１図の装置と同じであり、同様の構成要素は同じ符号
で示され詳細には説明しない、しかしながら、第２図の
装置はプロセッサ２および清浄器３のそれぞれ弁１０．
１４の出力側のガス管１２を備えた弁２３を通るガス流
接続中にガス圧縮機２２を有する。ガス圧縮機は、制御
装置６の制御の下で弁１０．１４および２３の選択作用
によって作動され、ガスをプロセッサ２、清浄器３また
はその双方からうけ入れる。圧縮機２２の作用は制御装
置６により制御溝＆Ｉ２６を通して制御される。ガス貯
蔵装置２５は別の選択的に開閉しうる弁２６を通してプ
ロセッサ２および清浄器３の出力側の管７と接続される
。圧縮機２２およびガス貯蔵装置２５はガス流管２７を
通してガス流接続され、ガス流管２７には選択的に開閉
しうる弁２７ａが設けられる。弁２７ａはガス貯蔵装置
２５を圧縮機２２から遮断しうるように作用する。ガス
貯蔵装置２５は弁２６．２７ａを通して制御導線２８を
通る制御装置６の制御の下で作用することがてきる。制
御導線管２８は圧力モニタまたは導線を備えている。ガ
ス貯蔵装置２５はガスレーザ１からガスまたはガス混合
物がうけ入れかつ貯蔵して補修がガスレーザ１において
実施されるのを容易にするか、または極低温ガスプロセ
ッサ２によってレーザガス混合物から分離されたガスを
うけ入れる。
第１図の装置と同じであり、同様の構成要素は同じ符号
で示され詳細には説明しない、しかしながら、第２図の
装置はプロセッサ２および清浄器３のそれぞれ弁１０．
１４の出力側のガス管１２を備えた弁２３を通るガス流
接続中にガス圧縮機２２を有する。ガス圧縮機は、制御
装置６の制御の下で弁１０．１４および２３の選択作用
によって作動され、ガスをプロセッサ２、清浄器３また
はその双方からうけ入れる。圧縮機２２の作用は制御装
置６により制御溝＆Ｉ２６を通して制御される。ガス貯
蔵装置２５は別の選択的に開閉しうる弁２６を通してプ
ロセッサ２および清浄器３の出力側の管７と接続される
。圧縮機２２およびガス貯蔵装置２５はガス流管２７を
通してガス流接続され、ガス流管２７には選択的に開閉
しうる弁２７ａが設けられる。弁２７ａはガス貯蔵装置
２５を圧縮機２２から遮断しうるように作用する。ガス
貯蔵装置２５は弁２６．２７ａを通して制御導線２８を
通る制御装置６の制御の下で作用することがてきる。制
御導線管２８は圧力モニタまたは導線を備えている。ガ
ス貯蔵装置２５はガスレーザ１からガスまたはガス混合
物がうけ入れかつ貯蔵して補修がガスレーザ１において
実施されるのを容易にするか、または極低温ガスプロセ
ッサ２によってレーザガス混合物から分離されたガスを
うけ入れる。
しかして、圧縮機２２およびガス貯蔵装置２５は制御装
置６によって作動され、たとえばレーザを開ける必要が
あるときガスまたはガス混合物をレーザ１から回収する
。そうでなければまたはさらに、−旦ハロゲンおよび不
純物成分がプロセッサ２および／または清浄器３によっ
てレーザ１のガスまたはガス混合物から除去された後、
残りの稀ガスの極低温によりプロセッサ２内において分
離を実施することができる。そこで、液体窒素が極低温
ガスプロセッサ２の基礎として使用されるならば、ヘリ
ウムおよび／またはネオンとの混合物からキセノン、ク
リプトンまたはアルゴンをトラップすることが可能にな
る。−旦キセノン、りリブトンまたはアルゴンが分離さ
れると、それは極低温または機械的給送によって別の場
所に貯蔵されるか、容器２５内にさえ貯蔵することがで
きる。同様に、ヘリウムおよび／またはネオンは装置内
に貯蔵されるかまたは圧縮機２２で加圧後そこから分離
される。しかして、第２図の実施例は第１図の実施例に
おいて実施されたのと同様の組成制御ができるばかりで
なく、稀ガスの分離および貯蔵が可能である。現在高価
な稀ガスはそのような回収を経済的に有利にする。
置６によって作動され、たとえばレーザを開ける必要が
あるときガスまたはガス混合物をレーザ１から回収する
。そうでなければまたはさらに、−旦ハロゲンおよび不
純物成分がプロセッサ２および／または清浄器３によっ
てレーザ１のガスまたはガス混合物から除去された後、
残りの稀ガスの極低温によりプロセッサ２内において分
離を実施することができる。そこで、液体窒素が極低温
ガスプロセッサ２の基礎として使用されるならば、ヘリ
ウムおよび／またはネオンとの混合物からキセノン、ク
リプトンまたはアルゴンをトラップすることが可能にな
る。−旦キセノン、りリブトンまたはアルゴンが分離さ
れると、それは極低温または機械的給送によって別の場
所に貯蔵されるか、容器２５内にさえ貯蔵することがで
きる。同様に、ヘリウムおよび／またはネオンは装置内
に貯蔵されるかまたは圧縮機２２で加圧後そこから分離
される。しかして、第２図の実施例は第１図の実施例に
おいて実施されたのと同様の組成制御ができるばかりで
なく、稀ガスの分離および貯蔵が可能である。現在高価
な稀ガスはそのような回収を経済的に有利にする。
種々の変形および変更が記載しかつ図示されかた本発明
の実施例に対して、特許請求の範囲の項に限定された本
発明の範囲内において、威しうるちのである。
の実施例に対して、特許請求の範囲の項に限定された本
発明の範囲内において、威しうるちのである。
第１図はレーザガスまたはガス混合物の組成を制御する
本発明の第１実施例による装置の線図であり、第２図は
本発明の第２実施例によるレーザガスまたはガス混合物
の組成を制御する装置の線図である。
本発明の第１実施例による装置の線図であり、第２図は
本発明の第２実施例によるレーザガスまたはガス混合物
の組成を制御する装置の線図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ガスレーザにほゞ平行に接続して選択的にそこから
ガス混合物をうけ入れ、不純物をガスまたはガス混合物
から除去し、また選択的に清浄化されたガスまたはガス
混合物をガスレーザに戻しうる極低温ガスプロセッサ、
前記極低温ガスプロセッサにほゞそれと平行にガス流接
続し、また前記ガスレーザに平行に接続して選択的にガ
スまたはガス混合物をそこからうけ入れ、ハロゲンおよ
び／または不純物をガスまたはガス混合物から除去しま
た選択的に脱ハロゲンまたは清浄化されたガスまたはガ
ス混合物を前記ガスレーザに戻しうる高温ガス清浄器、
前記ガスレーザからガスまたはガス混合物をうけ入れる
ように接続しガスまたはガス混合物を分析してレーザガ
スまたはガス混合物の実際の組成を示す出力信号を発生
するように作用しうるガス分析装置、選択的に清浄ガス
または選択された清浄ガス混合物成分を前記ガスレーザ
に供給するように接続しうる清浄レーザガスまたはガス
混合物源、および前記ガス分析装置からガスまたはガス
混合物の実際の組成を示す前記出力信号をうけいれ、実
際の組成値と所要の組成値とを比較するように作用し、
また極低温ガスプロセッサおよび／または高温ガス清浄
器および／または清浄ガスもしくはガス混合物源を作動
してレーザガスまたはガス混合物の組成を制御する制御
装置を有する、レーザガスまたはガス混合物の組成を制
御する装置。 ２、制御装置はコンピュータを有する請求項１に記載の
装置。 ３、エクシマガスレーザに接続しうる請求項２に記載の
装置。 ４、稀ガスの一つ以上およびハロゲン含有分子を含むガ
スまたはガス混合物を含有するエクシマレーザに接続し
うる請求項３に記載の装置。 ５、ヘリウム、ネオン、キセノン、クリプトンまたはア
ルゴンガスの一つ以上および弗素またはハロゲン塩化物
の一つ以上であるハロゲン分子を含有するレーザガスを
利用するガスレーザに接続しうる請求項１に記載の装置
。 ６、不純物として、ガスまたはガス混合物中にＣＯ＿２
、Ｃｌ＿２、ＣＯ、ＣＣｌ＿４、ＣＦ＿４、ＳｉＦ＿４
、ＨＦ、ＮＯ、ＮＯ＿２、Ｎ＿２Ｏ＿４、Ｈ＿２Ｏ、Ｎ
Ｈ＿３、Ｎ＿２、Ｏ＿２、Ｈ＿２、ＣＦ＿２Ｏ、ＯＦ＿
２、ＣＨ＿３Ｃ１、ＣＨ＿４およびＣＨ＿３Ｆの一つ以
上を含有するエキシマガスレーザに接続しうる請求項５
に記載の装置。 ７、前記極低温ガスプロセッサは液化によつて前記不純
物の一つ以上を除去するように作用しうる請求項６に記
載の装置。 ８、ガスレーザと極低温ガスプロセッサの間のガス流を
選択的に制御するように作用しうる極低温ガスプロセッ
サのそれぞれ入力側および出力側に第１および第２の開
閉可能なガス流弁を有する請求項７に記載の装置。 ９、高温ガス清浄器は高温金属装置によつてガスまたは
ガス混合物からハロゲンおよび／または不純物を除去す
るように作用しうる高温ゲツタを有する請求項８に記載
の装置。 １０、極低温ガスプロセッサおよび高温ガス清浄器の出
力側に弁付きガス流接続されたガス圧縮機、およびガス
プロセッサおよび高温ガス清浄器の出力側に弁接続され
かつガス圧縮機とガス流接続されたガス貯蔵装置を有し
、前記ガス圧縮機およびガス貯蔵装置は、前記制御装置
によつて、ガスまたはガス混合物をガスレーザからうけ
入れかつ貯蔵して補修がガスレーザに実施されるのを容
易にするか、または極低温ガスプロセッサによつてレー
ザガス混合物から分離されたガスをうけ入れるように作
用しうる請求項９に記載の装置。 １１、清浄レーザガスまたはレーザガス混合物の清浄な
個々の成分の源は該または各ガスもしくは成分用の個々
のコンテナ、前記コンテナをガスレーザに接続しうるガ
ス流管に選択的に連通する装置および前記コンテナと前
記ガスレーザに接続しうる管の端部の中間に前記管の第
５の開閉可能なガス流弁を有する請求項１０記載の装置
。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB898927209A GB8927209D0 (en) | 1989-12-01 | 1989-12-01 | Apparatus for controlling the composition of a laser gas or gas mixture |
| GB8927209.0 | 1989-12-01 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03178178A true JPH03178178A (ja) | 1991-08-02 |
Family
ID=10667272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2293793A Pending JPH03178178A (ja) | 1989-12-01 | 1990-11-01 | レーザガスまたはガス混合物の組成を制御する装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5090020A (ja) |
| EP (1) | EP0430411B1 (ja) |
| JP (1) | JPH03178178A (ja) |
| CA (1) | CA2031372A1 (ja) |
| DE (1) | DE69010637T2 (ja) |
| GB (1) | GB8927209D0 (ja) |
Families Citing this family (58)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69200250T2 (de) * | 1991-03-06 | 1994-10-27 | Air Liquide | Verfahren zur verlängerung der gaslebensdauer von excimer-lasern. |
| GB2262184B (en) * | 1991-11-07 | 1995-06-07 | Mitsubishi Electric Corp | Pulse laser apparatus |
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| GB9207762D0 (en) * | 1992-04-04 | 1992-05-27 | British Oxygen Co Ltd | Gas mixtures for excimer lasers |
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| US5440578B1 (en) * | 1993-07-16 | 2000-10-24 | Cymer Inc | Gas replenishment method ad apparatus for excimer lasers |
| DE4417468A1 (de) * | 1994-05-19 | 1995-11-23 | Trumpf Lasertechnik Gmbh | Gaslaser |
| CA2198715C (en) | 1994-08-31 | 2004-03-09 | Richard L. Sandstrom | Gas replenishment method and apparatus for excimer lasers |
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| JP3813269B2 (ja) * | 1996-11-01 | 2006-08-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | レーザー照射システム |
| JP3917698B2 (ja) * | 1996-12-12 | 2007-05-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | レーザーアニール方法およびレーザーアニール装置 |
| JP3821324B2 (ja) | 1997-04-25 | 2006-09-13 | 株式会社ニコン | リソグラフィシステム及び素子製造方法 |
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