JPH03179793A - セラミックス基板の表面構造およびその製造方法 - Google Patents

セラミックス基板の表面構造およびその製造方法

Info

Publication number
JPH03179793A
JPH03179793A JP1318250A JP31825089A JPH03179793A JP H03179793 A JPH03179793 A JP H03179793A JP 1318250 A JP1318250 A JP 1318250A JP 31825089 A JP31825089 A JP 31825089A JP H03179793 A JPH03179793 A JP H03179793A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
plating layer
plating
ceramic substrate
thickness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1318250A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2760107B2 (ja
Inventor
Akira Yamakawa
晃 山川
Akira Sasame
笹目　彰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority to JP1318250A priority Critical patent/JP2760107B2/ja
Priority to CA002031459A priority patent/CA2031459C/en
Priority to DE69023745T priority patent/DE69023745T2/de
Priority to EP90123357A priority patent/EP0431606B1/en
Priority to US07/623,204 priority patent/US5134461A/en
Publication of JPH03179793A publication Critical patent/JPH03179793A/ja
Priority to US07/808,154 priority patent/US5190601A/en
Priority to HK174996A priority patent/HK174996A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2760107B2 publication Critical patent/JP2760107B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
    • H10W70/62—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their interconnections
    • H10W70/66—Conductive materials thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/24—Reinforcing of the conductive pattern
    • H05K3/245—Reinforcing conductive patterns made by printing techniques or by other techniques for applying conductive pastes, inks or powders; Reinforcing other conductive patterns by such techniques
    • H05K3/246—Reinforcing conductive paste, ink or powder patterns by other methods, e.g. by plating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/01—Manufacture or treatment
    • H10W70/05—Manufacture or treatment of insulating or insulated package substrates, or of interposers, or of redistribution layers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12535—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.] with additional, spatially distinct nonmetal component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12771—Transition metal-base component
    • Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
    • Y10T428/12889—Au-base component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12771—Transition metal-base component
    • Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
    • Y10T428/12944—Ni-base component

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、電子部品′：りをｆｇｕ＆させるためのセ
ラミックス基板に関するものであり、特に耐熱性に優れ
たセラミックス基板の表面構造およびその製造方法に関
するものである。
［従来の技術］ 電子部品の実装や封止を行なうために、セラミックス基
板の表面にメタライズ処理を施す。従来から行なわれて
いる典型的な例として、アルミナ等のセラミックス基板
上にＷＳＭｏ等の高融点金属を焼付け、さらにその上に
Ｎｉメッキ層を形成し、さらにその上にＡｕメッキ層を
形成したものがある。Ｎｉメッキ層は、電子部品等の半
田付けに便宜を与えるとともに、下層のメタライズ層を
保護する役目を果たす。Ａｕメッキ層は、下層のＮｉメ
ッキ層の酸化を防止することによって、Ｎｉメッキ層と
電子部品との間に良好な接続をもたらし、それによって
電子部品等の信頼性を良好に保つ役目をする。
〔発明が解決しようとする３題］ Ａｕメッキ上に半田を用いて素子等を接着する場合、セ
ラミックス基板またはセラミックス基板の表面を加熱す
ることになるが、この加熱によって最上層のＡｕが変色
し、良好な接着が得られないということがあった。Ａｕ
メッキ層の変色は、Ｎｉメ・ｔキ層中のＮｉが加熱によ
ってＡｕメッキ層中に拡散し、大気中から侵入した酸素
と結合してＮｉ酸化物を生成することが原図であると考
えられる。
上記問題点を回避するために、一般的には、Ａｕメッキ
層の厚みを約２μｍ程度と厚くすることが行なイ〕れて
いる。しかし、コスト低減のためには、Ａｕメッキ層の
厚みを小さくすることが望まれる。
特開昭５９−１１４８４６号公報は、Ｎｉメッキ層中の
ＮｉのＡｕメッキ層への拡散を抑制する方法を開示して
いる。具体的には、Ｎｉメッキ層を形成した後、このＮ
ｉメッキ層を還元性雰囲気中で９００℃から１４００℃
までの温度範囲で熱処理することによってＮｉメッキ層
の耐熱性を向上させようとしている。
しかしながら、上記方法によっても、Ａｕメッキ層の変
色を十分に防止することはできない。特に、Ａｕメッキ
層の厚みが１μｍ以下である場合には、電子部品等を接
着する際Ａｕメッキ層が変色してしまう。
この発明は上述のような状況を鑑みてなされたものであ
り、その目的は、Ｎｉ層中のＮｉのＡｕメッキ層中への
拡散を抑制するとともに、Ａｕメッキ層の厚みを小さく
することのできるセラミックス基板の表面構造およびそ
の製造方法を提供することである。
［課題を解決するための手段］ この発明に従ったセラミックス、！！仮の表面ｆＭ遣は
、セラミックス基板の表面にＡｕメッキ層を有し、さら
にその下層にＮｉＡｕ合金層を有することを特徴とする
。
この発明に従ったセラミックス基板の表面構造の製造方
法は、セラミックス基板の表面に、下から順にメタライ
ズ層、Ｎｉ層およびＡｕ層を形成し、上記基板を非酸化
性雰囲気中で加熱することによってＮｉ層とＡｕ層との
間で合金化反応を生じさせ、その後、Ｎ　Ｉ　Ａ　ｕ合
金層の上にＡｕメッキ層を形成することを特徴とする。
［発明の作用効果］ この発明では、Ａｕメッキ層の下にＮｉＡｕ合金層が位
置している。ＮｉＡｕ合金層中のＮｉは容易に離脱しな
いので、Ａｕメッキ層中へのＮｉの拡散は極力防止され
る。したがって、Ａｕメッキ層の厚みを小さくすること
ができる。
［実施例］ この発明に従ったセラミックス基板の表面構造を得るた
めの具体的な処理方法の一例を以下に説明する。
まず、セラミックス越板上にメタライズ層を形成する。
メタライズ層を形成する金属としては、たとえば、Ｗ、
Ｍｏ等の高融点金属が採用され得る。高融点金属層の上
にメッキ層を形成するようにしてもよい。メタライズ層
の形成方法としては、蒸着法、イオンブレーティング法
、スパッタ法等も採用され得る。
次に、メタライズ層の上に、Ｎｉ層を形成する。
Ｎｉ層を形成する方法として種々の方法が考えられるが
、好ましくは、電解メッキ法が採用される。
あるいは、無電解メッキ法が採用される。しかし、メッ
キ法に限定されず、蒸着法、イオンブレーティング法、
スパッタ法などによってＮｉ層を形成してもよい。
次に、Ｎｉ層の上に、Ａｕ層を形成する。この場合、常
法のメッキ法によってＡｕメッキ層を形成してもよく、
あるいは、蒸着法、イオンブレーティング法、スパッタ
法などによってＡｕ層を形成してもよい。なお、メタラ
イズ層上に直接Ｎｉ層を形成せず、他の金属層を形成し
た後に、Ｎｉ層を形成してもよい。
前述のＮｉ層およびＡｕ層は、」（に、全面にわたって
できるだけ均一の厚みを有するのが望ましい。それらの
層が不均一な厚みを有しているならば、色むらの発生に
つながるおそれがある。Ｎｉ層の厚みに対するＡｕ層の
厚みの比率は、好ましくは１／２以下とされる。Ａｕ層
の厚みがこの比率よりも大きくなれば、後に述べる合金
化処理によっでも、良好な合金層を得るのが１４−１Ｍ
になる。
Ｎｉ層の厚みに対するＡｕ層の１＆Ｊ７みの比率は、最
も好ましくは、１７１０以下である。
次に、その上にメタライズ層、Ｎｉ層およびＡＵ層を有
するセラミックス基板を５００℃以上の非酸化性雰囲気
中で４分から５分間加熱することによって、Ｎｉ層とＡ
ｕ層との間で合金化反応を生じさせる。この加熱処理に
よって、最上層としてＮｉＡｕ合金層が形成される。
次に、ＮｉＡｕ合金層の上に、常法のメッキ法によって
Ａｕメッキ層を形成する。好ましくは、Ａｕメッキ層を
形成する方法として、電解メッキ法または無電解メッキ
法が採用される。Ａｕメッキ層の厚みが大きいほど耐熱
性は向上する。しかし、下層のＮｉＡｕ合金層がＮｊの
離脱を抑制するので、Ａｕメッキ層中へのＮｉの拡散は
極力防止される。したがって、Ａｕメッキ層のｌｖみが
１゜０μｍ以下であっても、電子部品等の接着の際の加
熱時にＡｕメッキ層が変色するということは生じない。
接着のための加熱処理は、通常、４５０”ＣＸ３分間の
条件である。ＮｉＡｕ合金層がＮｉの離脱を抑制するの
で、−膜内には、Ａｕメ・ツキ層の厚みは０．２μｍ程
度で十分である。いずれにしても、Ａｕメッキ層の厚み
は必要な特性に応じて決定される。
実験例 Ｗメタライズを施した１６個のＡＩＮ基板を用意した。
各基板上には、それぞれ条件を変えて、まずＮｉメッキ
層を形成し、さらにその上にＡｕメッキ層を形成した。
第１表には、各試料に対応するメッキ層の厚みが記載さ
れている。
（以下余白） Ｎｏ、９の試料を除いて、１５個の試料に対して加熱温
度条件を変えて水素気流中で加熱処理を施し、Ｎｉメッ
キ層とＡｕメッキ層との間に合金化反応を生じさせた。
最終的に、各試料に対して、最上層としてＡｕメッキ層
を形成した。
各試料に対して、最上層のＡｕメッキ層の変色を評価し
た。この評価は、最終的に得られた試料を、４５０℃の
大気中で５分間加熱処理を行ない、この加熱後の最上層
Ａｕメッキ層の変色を観察したものである。第１表中、
ｒＯＪは変色がなかったことを示し、「Δ」はやや変色
があったことを示し、「×」はかなり変色したことを示
す。
なお、Ｎｏ、１５の試料に関しては、スパッタ法によっ
て４μｍの厚みのＮｉ層を形成し、さらにその上にメッ
キ法によって０．２μｍの厚みのＡｕメッキ層を形成し
た。Ｎｏ、１６の試料に関しては、スパッタ法によって
４μｍの厚みのＮｉ層を形威し、さらにその上にスパッ
タ法によって０．２μｍの厚みのＡｕ層を形成した。ま
た、Ｎｏ、１４の試料に関しては、変色はなかったが、
色むらが観察された。
変色の度合が大きかったＮＯ１９の試料に注目してみる
と、この試料に対しては合金化処理のための加熱が行な
われていなかった。このことが原因で最上層のＡｕメッ
キ層がかなり変色したものと弯えられる。
Ｎｏ、１の試料は、最上層のＡｕメッキ層の厚みが他の
試料に比べてかなり小さい。最上層のＡｕメッキ層の厚
みが小さすぎたために、やや変色したものと考えられる
。
Ｎｏ、６の試料に関しては、合金化処理のための加熱温
度が他の試料に比べて低い。この低い温度条件が原因と
なって変色を起こしているものと考えられる。
Ｎｏ、１０の試料に関しては、Ｎｌメッキ層の厚みが他
の試料に比べてかなり小さい。このことが原因となって
最上層のＡｕメッキ層に対して変色を生じさせているも
のと考えられる。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）セラミックス基板の表面にＡｕメッキ層を有し、
    さらにその下層にＮｉＡｕ合金層を有することを特徴と
    する、セラミックス基板の表面構造
  2. （２）セラミックス基板の表面に、下から順にメタライ
    ズ層、Ｎｉ層およびＡｕ層を形成し、前記基板を非酸化
    性雰囲気中で加熱することによってＮｉ層とＡｕ層との
    間で合金化反応を生じさせ、その後 ＮｉＡｕ合金層の上にＡｕメッキ層を形成することを特
    徴とする、セラミックス基板の表面構造の製造方法。
JP1318250A 1989-12-07 1989-12-07 セラミックス基板の表面構造およびその製造方法 Expired - Lifetime JP2760107B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1318250A JP2760107B2 (ja) 1989-12-07 1989-12-07 セラミックス基板の表面構造およびその製造方法
CA002031459A CA2031459C (en) 1989-12-07 1990-12-04 Surface structure of ceramics substrate and method of manufacturing the same
EP90123357A EP0431606B1 (en) 1989-12-07 1990-12-05 Surface structure of ceramics substrate and method of manufacturing the same
DE69023745T DE69023745T2 (de) 1989-12-07 1990-12-05 Oberflächenstruktur eines Keramiksubstrates und Verfahren zu deren Herstellung.
US07/623,204 US5134461A (en) 1989-12-07 1990-12-06 Ceramics substrate with an improved surface structure for electronic components
US07/808,154 US5190601A (en) 1989-12-07 1991-12-13 Surface structure of ceramics substrate and method of manufacturing the same
HK174996A HK174996A (en) 1989-12-07 1996-09-19 Surface structure of ceramics substrate and method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1318250A JP2760107B2 (ja) 1989-12-07 1989-12-07 セラミックス基板の表面構造およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH03179793A true JPH03179793A (ja) 1991-08-05
JP2760107B2 JP2760107B2 (ja) 1998-05-28

Family

ID=18097111

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1318250A Expired - Lifetime JP2760107B2 (ja) 1989-12-07 1989-12-07 セラミックス基板の表面構造およびその製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5134461A (ja)
EP (1) EP0431606B1 (ja)
JP (1) JP2760107B2 (ja)
CA (1) CA2031459C (ja)
DE (1) DE69023745T2 (ja)
HK (1) HK174996A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09283878A (ja) * 1996-04-11 1997-10-31 Ngk Spark Plug Co Ltd パッドを備えるセラミック基板、端子部材を備えるセラミック基板およびそれらの製造方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5190601A (en) * 1989-12-07 1993-03-02 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Surface structure of ceramics substrate and method of manufacturing the same
US5317190A (en) * 1991-10-25 1994-05-31 International Business Machines Corporation Oxygen assisted ohmic contact formation to N-type gallium arsenide
JP3575068B2 (ja) * 1994-08-02 2004-10-06 住友電気工業株式会社 平滑なめっき層を有するセラミックスメタライズ基板およびその製造方法
JP3000877B2 (ja) * 1995-02-20 2000-01-17 松下電器産業株式会社 金メッキ電極の形成方法、基板及びワイヤボンディング方法
US5744752A (en) * 1995-06-05 1998-04-28 International Business Machines Corporation Hermetic thin film metallized sealband for SCM and MCM-D modules
JP3022765B2 (ja) * 1996-03-27 2000-03-21 日本電気株式会社 半導体装置及び半導体素子の実装方法
US6225569B1 (en) 1996-11-15 2001-05-01 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Wiring substrate and method of manufacturing the same
CA2313438C (en) 2000-07-06 2003-03-11 B-Con Engineering Inc. High quality optical surface and method of producing same
DE10311031B4 (de) * 2003-03-13 2005-04-21 Siemens Ag Elektrochemischer Sensor und Verfahren zu dessen Herstellung

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1027525A (ja) * 1962-03-02
JPS5032020A (ja) * 1973-07-24 1975-03-28
JPS531858A (en) * 1976-06-29 1978-01-10 Kokusai Electric Co Ltd Method of forming thin film circuit
JPS59114846A (ja) * 1982-12-21 1984-07-03 Narumi China Corp 半導体塔載用セラミツクパツケ−ジ
JPS6056073A (ja) * 1983-09-05 1985-04-01 Hitachi Ltd セラミツク基板への部分厚付け金被覆方法
JP2579315B2 (ja) * 1987-06-17 1997-02-05 新光電気工業株式会社 セラミツクパツケ−ジ
JP2529294B2 (ja) * 1987-09-25 1996-08-28 株式会社日立製作所 多層めつき方法
KR920005459B1 (ko) * 1988-08-30 1992-07-04 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 금속의 균질화방법 및 회로기판

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09283878A (ja) * 1996-04-11 1997-10-31 Ngk Spark Plug Co Ltd パッドを備えるセラミック基板、端子部材を備えるセラミック基板およびそれらの製造方法
US5838069A (en) * 1996-04-11 1998-11-17 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Ceramic substrate having pads to be attached to terminal members with Pb-Sn solder and method of producing the same

Also Published As

Publication number Publication date
EP0431606A2 (en) 1991-06-12
DE69023745T2 (de) 1996-07-25
EP0431606A3 (en) 1993-01-27
JP2760107B2 (ja) 1998-05-28
US5134461A (en) 1992-07-28
CA2031459A1 (en) 1991-06-08
DE69023745D1 (de) 1996-01-04
EP0431606B1 (en) 1995-11-22
HK174996A (en) 1996-09-27
CA2031459C (en) 1996-01-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4626479A (en) Covering metal structure for metallized metal layer in electronic part
JPH03179793A (ja) セラミックス基板の表面構造およびその製造方法
US5045400A (en) Composition for and method of metallizing ceramic surface, and surface-metallized ceramic article
US4737416A (en) Formation of copper electrode on aluminum nitride
US6013357A (en) Power module circuit board and a process for the manufacture thereof
JPS583962A (ja) 応力のないニツケル層を与える方法
US5190601A (en) Surface structure of ceramics substrate and method of manufacturing the same
JP2590255B2 (ja) セラミックスとの接合性の良い銅材
JP2762007B2 (ja) 金属薄膜積層セラミックス基板
JPH08125310A (ja) セラミックプリント配線板及びその製造方法
US5194295A (en) Ceramic articles having heat-sealable metallic coatings and method of preparation
JP3015491B2 (ja) ＡｌＮ基板
JPH03112874A (ja) セラミック基体と銅の接合方法
JP3387655B2 (ja) セラミックスとシリコンの接合方法
JP3512617B2 (ja) 電子部品
JP3031024B2 (ja) チップ型セラミック電子部品の製造方法
JP2003293142A (ja) セラミックス基板のメタライズ方法、セラミックス回路基板の製造方法及びセラミックス回路基板
JP3133179B2 (ja) 半導体用パッケージ
JPH055592A (ja) 高温熱処理用治具
JPS6353693B2 (ja)
JPS62291154A (ja) セラミツク配線基板
JPH0598464A (ja) タンタルコンデンサ用リードフレーム材及びその製造方法
JPH06350215A (ja) 銅回路を有する窒化アルミニウム基板
JPH0391240A (ja) 金属電極配線の製造方法
JPH02101131A (ja) セラミックス表面の金属化組成物及び金属化方法