JPH0318057A - イメージセンサ - Google Patents
イメージセンサInfo
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- JPH0318057A JPH0318057A JP1150604A JP15060489A JPH0318057A JP H0318057 A JPH0318057 A JP H0318057A JP 1150604 A JP1150604 A JP 1150604A JP 15060489 A JP15060489 A JP 15060489A JP H0318057 A JPH0318057 A JP H0318057A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はファクシミリやイメージスキャナ等の画像読取
装置における入力部に川いられるイメジセンサに係り、
特に製造歩留の向上を図りながら画素密度を高密度とす
ることができる密着型イメージセンサの構造に関するも
のである。
装置における入力部に川いられるイメジセンサに係り、
特に製造歩留の向上を図りながら画素密度を高密度とす
ることができる密着型イメージセンサの構造に関するも
のである。
（従来の技術）
従来、画像読取装置としては、複数の光電素子を一列に
配列して或るイメージセンサと、このイメージセンサを
駆動する複数のＩＣチップとから構成される。そして、
蛍光灯や発光ダイオード等の光源で原稿面を照則し、そ
の反射光をセルフ中ツクレンズを介して各光電素子に等
倍に桔像させて電気信号として蓄積し、原稿の黒白に対
応する電気信号を各光電素子から時系列的に抽出して原
稿面の１ラインにおける両情報を得る。
配列して或るイメージセンサと、このイメージセンサを
駆動する複数のＩＣチップとから構成される。そして、
蛍光灯や発光ダイオード等の光源で原稿面を照則し、そ
の反射光をセルフ中ツクレンズを介して各光電素子に等
倍に桔像させて電気信号として蓄積し、原稿の黒白に対
応する電気信号を各光電素子から時系列的に抽出して原
稿面の１ラインにおける両情報を得る。
各光電素子からの電気信号の抽出は、外部からの制御信
号によって制御される前記ＩＣチップによって行われる
。各光電素子は、各光電素子に対応するＩＣチップのパ
ッドに接続する必要があるため、受光素子アレイの片側
に配置したＩＣチップに接続できる光電素子の密度には
限界があった。
号によって制御される前記ＩＣチップによって行われる
。各光電素子は、各光電素子に対応するＩＣチップのパ
ッドに接続する必要があるため、受光素子アレイの片側
に配置したＩＣチップに接続できる光電素子の密度には
限界があった。
そこで、光電素子の画素密度を高くするため、受光素子
アレイに対して両側にＩＣチップを配置したイメージセ
ンサが提案されている。
アレイに対して両側にＩＣチップを配置したイメージセ
ンサが提案されている。
このイメージセンサは、第４図に示すように、基板上１
にクロム（Ｃｒ）を着膜しフォトリソ法によるエッチン
グによりクロムパターンから成る個別電極２を形成し、
その上にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｔ）等の光電材
料から或る帯状の光導電層３を形成し、更に、酸化イン
ジウム・スズ（ＩＴＯ）から成る透明電極４を形成して
複数の光電素子を一列に配列したものである。個別電極
２は、方形状の画素２ａと引き出し電極２ｂから威り、
引き出し電極２ｂは交互に反対方向に引き出されている
。引き出し電極２ｂの端部はＩｃチップ（図示せず）の
パッドに接続され、光導電層３に蓄積した電気信号を抽
出するようになっている。
にクロム（Ｃｒ）を着膜しフォトリソ法によるエッチン
グによりクロムパターンから成る個別電極２を形成し、
その上にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｔ）等の光電材
料から或る帯状の光導電層３を形成し、更に、酸化イン
ジウム・スズ（ＩＴＯ）から成る透明電極４を形成して
複数の光電素子を一列に配列したものである。個別電極
２は、方形状の画素２ａと引き出し電極２ｂから威り、
引き出し電極２ｂは交互に反対方向に引き出されている
。引き出し電極２ｂの端部はＩｃチップ（図示せず）の
パッドに接続され、光導電層３に蓄積した電気信号を抽
出するようになっている。
（発明が解次しようとする課題）
上記したイメージセンサによれば光電素子の密度を高く
することができるが、それに伴い個別電極２の画素２ａ
間の間隔ｉが狭まり、製造工程中において隣接するクロ
ム（Ｃ ｒ）パターン同士がショートする等のおそれが
あり、製造歩留の低下を招くという問題点があった。
することができるが、それに伴い個別電極２の画素２ａ
間の間隔ｉが狭まり、製造工程中において隣接するクロ
ム（Ｃ ｒ）パターン同士がショートする等のおそれが
あり、製造歩留の低下を招くという問題点があった。
また、上記イメージセンサの構造であると、エッチング
処理等の理由から個別電極２の画素２ａ間の間隔ヱを２
０μｍ程度確保する必要があり、これ以上画素２ａ間の
間隔を狭めることは製造工程上不可能であった。。
処理等の理由から個別電極２の画素２ａ間の間隔ヱを２
０μｍ程度確保する必要があり、これ以上画素２ａ間の
間隔を狭めることは製造工程上不可能であった。。
本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、高密度化を
容易に図ることができ、また高密度化を高い歩留で実現
することができるイメージセンサを堤供することを目的
とする。
容易に図ることができ、また高密度化を高い歩留で実現
することができるイメージセンサを堤供することを目的
とする。
（課題を解決するための手段）
上記従来例の問題点を解消するため本発明は、第１の受
光素子アレイと第２の受光素子アレイとを１／２画素ピ
ッチずらして互いの受光素子アレイが相対向するように
配設して成ることを特徴としている。
光素子アレイと第２の受光素子アレイとを１／２画素ピ
ッチずらして互いの受光素子アレイが相対向するように
配設して成ることを特徴としている。
第１の受光素子アレイは、基板上に金ｙｔｔｒｓ極，光
導電層，透明電極を順次積層して形成している。
導電層，透明電極を順次積層して形成している。
第２の受光素子アレイは、透明基板上に透明電極，光導
電層，金属電極を順次積層して前記第１の受光素子アレ
イと同一画素ピッチで形威している。
電層，金属電極を順次積層して前記第１の受光素子アレ
イと同一画素ピッチで形威している。
（作用）
本発明によれば、それぞれ別の基板上に形成した比較的
密度の低い受光素子アレイから成るイメージセンサ同士
を配設して高密度のイメージセンサとするので、歩留の
向上を図りつつ高密度のイメージセンサを得ることがで
きる。また、２つのイメージセンサを配設してｔｌｌＩ
ｈ’ｉするので、高密度のイメージセンサの画素間隔
を密にすることができる。
密度の低い受光素子アレイから成るイメージセンサ同士
を配設して高密度のイメージセンサとするので、歩留の
向上を図りつつ高密度のイメージセンサを得ることがで
きる。また、２つのイメージセンサを配設してｔｌｌＩ
ｈ’ｉするので、高密度のイメージセンサの画素間隔
を密にすることができる。
（実施例）
本発明の一実施例について図面を参照しながら説明する
。
。
第１図は実施例に係るイメージセンサの平面説明図であ
り、基板１１上に個別電極としての金属電極１２，光導
電層１３，共通電極としての透明電極１４の順に積層し
た第１の受光素子アレイ１０と、透明基板２１上に共通
電極としての透明電極２２，光導電Ｊｉ２ ３，個別電
極としての金属電極２４の順に積層した第２の受光素子
アレイ２０とを、受光素子アレイの光電素子同士が相向
い合うように配設して構成している。
り、基板１１上に個別電極としての金属電極１２，光導
電層１３，共通電極としての透明電極１４の順に積層し
た第１の受光素子アレイ１０と、透明基板２１上に共通
電極としての透明電極２２，光導電Ｊｉ２ ３，個別電
極としての金属電極２４の順に積層した第２の受光素子
アレイ２０とを、受光素子アレイの光電素子同士が相向
い合うように配設して構成している。
第１の受光素子アレイ１０を第２図（ａ）（ｂ）を参照
して説明する。
して説明する。
ガラス，セラミック等の絶縁性部材から或る払板１１上
にクロム（Ｃ『）を１５０ＯＡの膜厚に着膜し、フォト
リソ法でエッチングして方形状の両素１２ａ及び引き出
し電極１２ｂのパターンから成る複数の金属電極１２を
形成する。少なくとも金属電極１２の画素１２ａ部分を
覆うようにアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）を２μｍ
の膜厚に着膜して帯状の光導電層１３を形成する。次い
で光導電層１３上に酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）を
ＩＯＯＯＡの膜厚に着膜して帯状の透明電極１４を形成
し、金属電極１２，光導電層１３，透明電極１４が重な
り合った部分が光電素子となる受光素子アレイ１０を形
威している。更に受光素子アレイ１０上には保護膜とし
てのパッシベーション膜１５が着膜されている。
にクロム（Ｃ『）を１５０ＯＡの膜厚に着膜し、フォト
リソ法でエッチングして方形状の両素１２ａ及び引き出
し電極１２ｂのパターンから成る複数の金属電極１２を
形成する。少なくとも金属電極１２の画素１２ａ部分を
覆うようにアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）を２μｍ
の膜厚に着膜して帯状の光導電層１３を形成する。次い
で光導電層１３上に酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）を
ＩＯＯＯＡの膜厚に着膜して帯状の透明電極１４を形成
し、金属電極１２，光導電層１３，透明電極１４が重な
り合った部分が光電素子となる受光素子アレイ１０を形
威している。更に受光素子アレイ１０上には保護膜とし
てのパッシベーション膜１５が着膜されている。
第２の受光素子アレイ２０を第３図（ａ）（ｂ）を参照
して説明する。
して説明する。
ガラス板等の絶縁部材から成る透明基板２ｌ上に酸化イ
ンジウム・スズ（Ｉ Ｔｏ）を１００ＯＡの膜厚に着膜
し、次いてアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）を２μｍ
の膜厚に帯状に着膜した後、フォトリソ法で透明基板２
１が露出するまでエッチングし、画素ピッチ（１）と同
一周期で両素ライン上に酸化インジウム・スズ（Ｉ Ｔ
Ｏ）及びアモルファスシリコン（ａ−Ｓｔ）が除表され
た複数の切り欠き部２２ｃ，２３ｃを有する透明電極２
２及び光導電層２３を形或する。この切り欠き部２２ｃ
，２３ｃは、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｔ）を除去
してこの部分に光を透過させるためである。従って、透
明電極２２及び光導電層２３は、それぞれ画素ピッチ毎
に形成された両素対応部２２ａ，２３ａと、それぞれの
画素対応部２２ａ，２３ａを接続する接続部２２ｂ，２
３ｂとから成り、画素対応部２２ａ，２３ａ間の間隔は
、第１の受光素子アレイ１０の画素ピッチ（１）と同一
になるように形成される。そして、クロム（Ｃ ｒ）を
全面に１５００Ａの膜厚に着膜し、フォトリソ法でエッ
チングして方形状の画素２４ａ及び引き出し電極２４ｂ
から成るパターンを画素対応部２２ａ，２３ａ上に画素
２４ａが位置するように金属電極２４を形或する。金属
電極２４の画素２４ａは画素対応部２２ａ，２３ａ上に
形成されるので、その画素ピッチは第１の受光素子アレ
イ１０と同じになる。更に、第１の受光素子アレイ１０
と同様に受光素子アレイ２ｏ上には保護膜としてのパッ
シベーション膜２５が着膜されている。
ンジウム・スズ（Ｉ Ｔｏ）を１００ＯＡの膜厚に着膜
し、次いてアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）を２μｍ
の膜厚に帯状に着膜した後、フォトリソ法で透明基板２
１が露出するまでエッチングし、画素ピッチ（１）と同
一周期で両素ライン上に酸化インジウム・スズ（Ｉ Ｔ
Ｏ）及びアモルファスシリコン（ａ−Ｓｔ）が除表され
た複数の切り欠き部２２ｃ，２３ｃを有する透明電極２
２及び光導電層２３を形或する。この切り欠き部２２ｃ
，２３ｃは、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｔ）を除去
してこの部分に光を透過させるためである。従って、透
明電極２２及び光導電層２３は、それぞれ画素ピッチ毎
に形成された両素対応部２２ａ，２３ａと、それぞれの
画素対応部２２ａ，２３ａを接続する接続部２２ｂ，２
３ｂとから成り、画素対応部２２ａ，２３ａ間の間隔は
、第１の受光素子アレイ１０の画素ピッチ（１）と同一
になるように形成される。そして、クロム（Ｃ ｒ）を
全面に１５００Ａの膜厚に着膜し、フォトリソ法でエッ
チングして方形状の画素２４ａ及び引き出し電極２４ｂ
から成るパターンを画素対応部２２ａ，２３ａ上に画素
２４ａが位置するように金属電極２４を形或する。金属
電極２４の画素２４ａは画素対応部２２ａ，２３ａ上に
形成されるので、その画素ピッチは第１の受光素子アレ
イ１０と同じになる。更に、第１の受光素子アレイ１０
と同様に受光素子アレイ２ｏ上には保護膜としてのパッ
シベーション膜２５が着膜されている。
以上のように形威された受光素子アレイ１ｏ，２０同士
を、互いの光電素子が相対向するように配設してイメー
ジセンサを構成する。この際、第２の受光素子アレイ２
０の切り欠き部２２ｃ，２３ｃに第１の受光素子アレイ
１０の画素１２ａが位置するようにし１７２画素ピッチ
（ ｔ ／２）ずらし、第１の受光素子アレイ１ｏ及び
第２の受光素子アレイ２０の画素１ ２ ａ ， ２
４ ａが１列に配列するようにする。この位置合せは
、例えば基板１１の両端に複数の十のマーカー１６を電
極作成時にフォトリソ法により同時に形成し、透明基板
２１の両端の所定の位置に＋のマーカー２６を形或して
おき、基板１１と透明基板２■のマーカー１６．２６同
士を合せることにより行なう。第１の受光素子アレイ１
０と第２の受光素子アレイ２０との配設は、接着剤を介
在させて接合固定したり、また、イメージセンサを収め
る本体に前記した条件を満たすようにそれぞれ直接固定
してもよい。
を、互いの光電素子が相対向するように配設してイメー
ジセンサを構成する。この際、第２の受光素子アレイ２
０の切り欠き部２２ｃ，２３ｃに第１の受光素子アレイ
１０の画素１２ａが位置するようにし１７２画素ピッチ
（ ｔ ／２）ずらし、第１の受光素子アレイ１ｏ及び
第２の受光素子アレイ２０の画素１ ２ ａ ， ２
４ ａが１列に配列するようにする。この位置合せは
、例えば基板１１の両端に複数の十のマーカー１６を電
極作成時にフォトリソ法により同時に形成し、透明基板
２１の両端の所定の位置に＋のマーカー２６を形或して
おき、基板１１と透明基板２■のマーカー１６．２６同
士を合せることにより行なう。第１の受光素子アレイ１
０と第２の受光素子アレイ２０との配設は、接着剤を介
在させて接合固定したり、また、イメージセンサを収め
る本体に前記した条件を満たすようにそれぞれ直接固定
してもよい。
本実施例の受光素子アレイ１０．２０では、金属電極を
個別電極として、透明電極を共通電極として形成したが
、いずれか若しくは両方の受光素子アレイを逆の構造（
共通電極を金属電極で、個別電極を透明電極で形戊する
）としてもよいことは勿論である。
個別電極として、透明電極を共通電極として形成したが
、いずれか若しくは両方の受光素子アレイを逆の構造（
共通電極を金属電極で、個別電極を透明電極で形戊する
）としてもよいことは勿論である。
上記のように構成されたイメージセンサは、透明基板２
１側から原稿からの反射光が入射するようにし、反射光
が画素１２ａ及び画素２４ａへ導かれるようにする。反
射光は受光素子アレイ２０を介して画素１２ａへ導かれ
るが、受光素子アレイ２０に形成された切り欠き部２２
ｃ，２３ｃを通過するので、受光素子アレイ２０の光導
電層２３に妨げられることなく反射光が画素１２ａへ導
かれる。また、受光素子アレイ１０と受光素子アレイ２
０とでは受光素子アレイ２０の厚さ分だけ結像する光の
光路長が異なるが、２〜３μｍ程度であるのでセルフォ
ックレンズを介して結像させる場合、誤差の範囲とする
ことができる。
１側から原稿からの反射光が入射するようにし、反射光
が画素１２ａ及び画素２４ａへ導かれるようにする。反
射光は受光素子アレイ２０を介して画素１２ａへ導かれ
るが、受光素子アレイ２０に形成された切り欠き部２２
ｃ，２３ｃを通過するので、受光素子アレイ２０の光導
電層２３に妨げられることなく反射光が画素１２ａへ導
かれる。また、受光素子アレイ１０と受光素子アレイ２
０とでは受光素子アレイ２０の厚さ分だけ結像する光の
光路長が異なるが、２〜３μｍ程度であるのでセルフォ
ックレンズを介して結像させる場合、誤差の範囲とする
ことができる。
上記実施例によれば、４０Ｘ４０μｍの画素を有する受
光素子アレイ１０を８ ｄｏｔ／ａＩＩで作成し、同じ
＜４０Ｘ４０μｍの画素を有する受光素子アレイ２０を
８ ｄａｔ／ｏｐｓで作成して両者を１／２画素ピッチ
（ｔ／２−６２．５μｍ）ずらして接合すれば１ ６
ｄｏｔ／ｍｍのイメージセンサを得ることができる。
光素子アレイ１０を８ ｄｏｔ／ａＩＩで作成し、同じ
＜４０Ｘ４０μｍの画素を有する受光素子アレイ２０を
８ ｄａｔ／ｏｐｓで作成して両者を１／２画素ピッチ
（ｔ／２−６２．５μｍ）ずらして接合すれば１ ６
ｄｏｔ／ｍｍのイメージセンサを得ることができる。
また、上記実施例によれば、受光素子アレイ１０の金属
電極１２と受光素子アレイ２０の金属電極２４部分とは
それぞれ別の基板にエッチングして形成されるので、受
光素子アレイ同士を配設する際、それぞれの画素が重な
らない程度に近接させることかでき、従来１ ６ ｄｏ
ｔ／ｍｍのイメージセンサでは２０μｍ程度離す必要が
あった金属電極の画素間隔ヱを狭めることができ、その
結果、両素部分の面積を大きくすることができるので感
度向上を図ることができる。
電極１２と受光素子アレイ２０の金属電極２４部分とは
それぞれ別の基板にエッチングして形成されるので、受
光素子アレイ同士を配設する際、それぞれの画素が重な
らない程度に近接させることかでき、従来１ ６ ｄｏ
ｔ／ｍｍのイメージセンサでは２０μｍ程度離す必要が
あった金属電極の画素間隔ヱを狭めることができ、その
結果、両素部分の面積を大きくすることができるので感
度向上を図ることができる。
（発明の効果）
本発明によれば、それぞれ別の基板上に形成した比較的
密度の低い受光素子アレイから戊るイメージセンサ同士
を配設して高密度のイメージセンサとするので、歩留の
向上を図りつつ高密度のイメージセンサを得ることがで
きる。また、２つのイメージセンサを配設して構成する
ので、高密度のイメージセンサの画素間隔を密にするこ
とができ、その結果画素部分の面積を大きくすることが
できるので、高感度のイメージセンサを得ることができ
る。
密度の低い受光素子アレイから戊るイメージセンサ同士
を配設して高密度のイメージセンサとするので、歩留の
向上を図りつつ高密度のイメージセンサを得ることがで
きる。また、２つのイメージセンサを配設して構成する
ので、高密度のイメージセンサの画素間隔を密にするこ
とができ、その結果画素部分の面積を大きくすることが
できるので、高感度のイメージセンサを得ることができ
る。
第１図は本発明実施例のイメージセンサを示す平面説明
図、第２図（ａ）は本実施例の第１の受光素子アレイの
端部を示す平面説明図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）の
ｎ−ｎ’線断面説明図、第３図（ａ）は本実施例の第２
の受光素子アレイの端部を示す平面説明図、第３図（ｂ
）は第３図（ａ）のｍ−ｍ’線断面説明図、第４図は従
来のイメージセンサを示す平面説明図である。 １０・・・・・・受光素子アレイ １１・・・・・・基板 １２・・・・・・金属電極 ｌ３・・・・・・光導電層 １４・・・・・・透明電極 ２０・・・・・・受光素子アレイ ２１・・・・・・透明基板 ２２・・・・・・透明電極 ２３・・・・・・光導電層 ２４・・・・・・金属電極 第２図 （ｂ） 第３ｖ！！ｉ （α） （ｂ）
図、第２図（ａ）は本実施例の第１の受光素子アレイの
端部を示す平面説明図、第２図（ｂ）は第２図（ａ）の
ｎ−ｎ’線断面説明図、第３図（ａ）は本実施例の第２
の受光素子アレイの端部を示す平面説明図、第３図（ｂ
）は第３図（ａ）のｍ−ｍ’線断面説明図、第４図は従
来のイメージセンサを示す平面説明図である。 １０・・・・・・受光素子アレイ １１・・・・・・基板 １２・・・・・・金属電極 ｌ３・・・・・・光導電層 １４・・・・・・透明電極 ２０・・・・・・受光素子アレイ ２１・・・・・・透明基板 ２２・・・・・・透明電極 ２３・・・・・・光導電層 ２４・・・・・・金属電極 第２図 （ｂ） 第３ｖ！！ｉ （α） （ｂ）
Claims (1)
- 基板上に金属電極、光導電層、透明電極を順次積層して
形成した第１の受光素子アレイと、透明基板上に透明電
極、光導電層、金属電極を順次積層して前記第１の受光
素子アレイと同一画素ピッチで形成した第２の受光素子
アレイとを、１／２画素ピッチずらして互いの受光素子
アレイが相対向するように配設して成ることを特徴とす
るイメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1150604A JPH0318057A (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | イメージセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1150604A JPH0318057A (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | イメージセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0318057A true JPH0318057A (ja) | 1991-01-25 |
Family
ID=15500517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1150604A Pending JPH0318057A (ja) | 1989-06-15 | 1989-06-15 | イメージセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0318057A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6309120B1 (en) | 1998-02-16 | 2001-10-30 | Nec Corporation | Printer having stacker |
| KR100487054B1 (ko) * | 2001-06-20 | 2005-05-03 | 가부시끼가이샤 도시바 | Ｃｍｏｓ 이미지 센서 |
| US10968066B2 (en) | 2015-10-16 | 2021-04-06 | Seiko Epson Corporation | Medium discharge device and image reading apparatus |
-
1989
- 1989-06-15 JP JP1150604A patent/JPH0318057A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6309120B1 (en) | 1998-02-16 | 2001-10-30 | Nec Corporation | Printer having stacker |
| KR100487054B1 (ko) * | 2001-06-20 | 2005-05-03 | 가부시끼가이샤 도시바 | Ｃｍｏｓ 이미지 센서 |
| US10968066B2 (en) | 2015-10-16 | 2021-04-06 | Seiko Epson Corporation | Medium discharge device and image reading apparatus |
| US11673760B2 (en) | 2015-10-16 | 2023-06-13 | Seiko Epson Corporation | Medium discharge device and image reading apparatus |
| US12024387B2 (en) | 2015-10-16 | 2024-07-02 | Seiko Epson Corporation | Medium discharge device and image reading apparatus |
| US12391508B2 (en) | 2015-10-16 | 2025-08-19 | Seiko Epson Corporation | Medium discharge device and image reading apparatus |
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