JPH0318073A - 金属蒸気レーザ装置 - Google Patents
金属蒸気レーザ装置Info
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- JPH0318073A JPH0318073A JP15193089A JP15193089A JPH0318073A JP H0318073 A JPH0318073 A JP H0318073A JP 15193089 A JP15193089 A JP 15193089A JP 15193089 A JP15193089 A JP 15193089A JP H0318073 A JPH0318073 A JP H0318073A
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- JP
- Japan
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- pulse
- generating circuit
- discharge
- switch means
- discharge tube
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/031—Metal vapour lasers, e.g. metal vapour generation
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［産業上の利用分野］
この発明はガス放電によって金属を加熱、気化させてレ
ーザ出力を得る放電管を備えた金属蒸気レーザ装置に関
するものである。 ［従来の技術］ 第４図は、例えばコツパー バボウア レーザス カム
オフ゛エージイ（ＣＯＰＰＥＲ ＶＡＰＯＲＬＡＳ
ＥＲＳ ＣＯＭＥ ＯＦ ＡＧＥ）レーザ フォ
ーカス ジュライ １ ９ ８ ２ （ＬＡＳＥＲＦＯ
ＣＵＳ， ＪＵＬＹ， １９８２）に記載された、従来
の銅蒸気レーザ装置の駆動Ｃ原としてのパルス発生回路
を示す図であり、第４図において１は高圧電諒、２は充
電用リアクトル、３は充電用ダイオード、４は充放電を
行うコンデンサ、５は充電用抵抗、６はサイラトロンス
イッチ、７は放電管（レーザＴＵＢＥ）である。 次に動作について説明する。高圧電源１から発生される
高圧電圧（数ＫＶ〜数十ＫＶ）は、リアクトル２、ダイ
オード３、充電用抵抗５を介してコンデンサ４に充電さ
れる。 この充電状態において、サイラトロンスイッチ６が導通
すると、主コンデンサ４に蓄えられていた電圧は、サイ
ライトロンスイッチ６を通り放電管７に印加され、放電
管７の中にガス放電を形成する．その際、放電管７のイ
ンピーダンスは充電用抵抗５の抵抗値より大幅に小さく
なるために、サイラトロンスイッチ６に流れる電流は主
として放電管７に流れる。 この放電の熱エネルギによって、放電管７内の温度は１
５００℃程度の高温に上昇し、予じめ収納してある金
属例えば銅粒子を蒸気にすると共に放電管内に銅蒸気を
充満させる。 放電管７内に形成されたガス放電によって放電プラズマ
の電子を加速し、この電子は放電管７内に充満された銅
原子に衝突すると共に銅原子の原子レベルを第一共鳴準
位である上準位に励起し、準安定準位である下準位へ励
起される数は少ないため、反転分布が形成される。上準
位にある銅原子はレーザ発振を伴って下準位に落ち、さ
らに下準位から基底準位にゆっくりと緩和する。以上の
動作を数ＫＨｚで繰り返す。 下準位から基底準位への緩和は放電管７の口径が小さい
場合は、放電管７の壁と励起原子との衝突で行われ、放
電管７の口径が大きい場合は、下準位原子と低速電子と
の超弾性衝突にて行われ、その寿命は数百μｓｅｃと長
い。 〔発明が解決しようとする課題〕 従来の銅蒸気レーザ装置は以上のように構成されている
ので、下準位から基底準位に緩和する時間が数百μＳｅ
Ｃと非常に長く、緩和が終了するのを待って次のパルス
を印加するとパルス繰り返し数が小さくなり、またパル
ス繰り返し数を高くするとパルス印加時の下準位の数が
多くなるため反転分布が不完全となり銅蒸気レーザの効
率が低下するという問題点があった。 この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、各パルスの間で下準位から基底準位への緩和
を促進させ、次のパルスでの反転分布をより安全なもの
とすることで、パルス繰り返し数が高い場合でも、効率
が高い金属蒸気レーザ装置を得ることを目的とする。 〔課題を解決するための手段】 この発明に係る金属蒸気レーザ装置は、充放電コンデン
サと多数の固体スイッチング素子を直並列接続して構成
したスイッチ手段からなり、前記放電管にガス放電を発
生させる第１のパルス電圧を供給する第１のパルス発生
回路および該第１のパルス電圧より所定時間遅れて該放
電管に第２のパルス電圧を供給する第２のパルス発生回
路と、前記第１．第２のパ゛ルス発生回路の充放電コン
デンサにそれぞれ干渉防止リアクトルを介して給電する
別個独立に設けられた複数の高圧電源とを具備したもの
である。
ーザ出力を得る放電管を備えた金属蒸気レーザ装置に関
するものである。 ［従来の技術］ 第４図は、例えばコツパー バボウア レーザス カム
オフ゛エージイ（ＣＯＰＰＥＲ ＶＡＰＯＲＬＡＳ
ＥＲＳ ＣＯＭＥ ＯＦ ＡＧＥ）レーザ フォ
ーカス ジュライ １ ９ ８ ２ （ＬＡＳＥＲＦＯ
ＣＵＳ， ＪＵＬＹ， １９８２）に記載された、従来
の銅蒸気レーザ装置の駆動Ｃ原としてのパルス発生回路
を示す図であり、第４図において１は高圧電諒、２は充
電用リアクトル、３は充電用ダイオード、４は充放電を
行うコンデンサ、５は充電用抵抗、６はサイラトロンス
イッチ、７は放電管（レーザＴＵＢＥ）である。 次に動作について説明する。高圧電源１から発生される
高圧電圧（数ＫＶ〜数十ＫＶ）は、リアクトル２、ダイ
オード３、充電用抵抗５を介してコンデンサ４に充電さ
れる。 この充電状態において、サイラトロンスイッチ６が導通
すると、主コンデンサ４に蓄えられていた電圧は、サイ
ライトロンスイッチ６を通り放電管７に印加され、放電
管７の中にガス放電を形成する．その際、放電管７のイ
ンピーダンスは充電用抵抗５の抵抗値より大幅に小さく
なるために、サイラトロンスイッチ６に流れる電流は主
として放電管７に流れる。 この放電の熱エネルギによって、放電管７内の温度は１
５００℃程度の高温に上昇し、予じめ収納してある金
属例えば銅粒子を蒸気にすると共に放電管内に銅蒸気を
充満させる。 放電管７内に形成されたガス放電によって放電プラズマ
の電子を加速し、この電子は放電管７内に充満された銅
原子に衝突すると共に銅原子の原子レベルを第一共鳴準
位である上準位に励起し、準安定準位である下準位へ励
起される数は少ないため、反転分布が形成される。上準
位にある銅原子はレーザ発振を伴って下準位に落ち、さ
らに下準位から基底準位にゆっくりと緩和する。以上の
動作を数ＫＨｚで繰り返す。 下準位から基底準位への緩和は放電管７の口径が小さい
場合は、放電管７の壁と励起原子との衝突で行われ、放
電管７の口径が大きい場合は、下準位原子と低速電子と
の超弾性衝突にて行われ、その寿命は数百μｓｅｃと長
い。 〔発明が解決しようとする課題〕 従来の銅蒸気レーザ装置は以上のように構成されている
ので、下準位から基底準位に緩和する時間が数百μＳｅ
Ｃと非常に長く、緩和が終了するのを待って次のパルス
を印加するとパルス繰り返し数が小さくなり、またパル
ス繰り返し数を高くするとパルス印加時の下準位の数が
多くなるため反転分布が不完全となり銅蒸気レーザの効
率が低下するという問題点があった。 この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、各パルスの間で下準位から基底準位への緩和
を促進させ、次のパルスでの反転分布をより安全なもの
とすることで、パルス繰り返し数が高い場合でも、効率
が高い金属蒸気レーザ装置を得ることを目的とする。 〔課題を解決するための手段】 この発明に係る金属蒸気レーザ装置は、充放電コンデン
サと多数の固体スイッチング素子を直並列接続して構成
したスイッチ手段からなり、前記放電管にガス放電を発
生させる第１のパルス電圧を供給する第１のパルス発生
回路および該第１のパルス電圧より所定時間遅れて該放
電管に第２のパルス電圧を供給する第２のパルス発生回
路と、前記第１．第２のパ゛ルス発生回路の充放電コン
デンサにそれぞれ干渉防止リアクトルを介して給電する
別個独立に設けられた複数の高圧電源とを具備したもの
である。
【イ乍用］
この発明においては、第１のパルス発生回路から供給さ
れる第１のパルス電圧間に第２のパルス発生回路から発
生される第２のパルス電圧を印加し、下準位原子と低速
電子との超弾性衝突を強性的に生じさせ、その結果、下
準位原子の緩和が促進され、第１のパルス発生回路から
第１のパルス電圧が印加される場合に反転分布がより完
全なものとなり、高い繰り返しにおいてもレーザ効率の
低下を防止する。 また、第１のパルス発生回路および第２のパルス発生回
路を多数の固体スイッチング素子を直並列接続して構成
したスイッチ手段を用いているので、応答速度が速く、
従来のサイライトロンスイッチに存在したアノードデレ
イタイムのような使用条件でスイッチング時間が変わる
ことがなく、信頼性が高く、長寿命化が図られる。 〔実施例Ｊ 以下、この発明の一実施例を図について説明する．第１
図において、１ｌは放電管、１２は放電管ｌ１と並列接
続した充電用抵抗、１３ａは充放電コンデンサ１４ａと
多数の固体スイッチング素子を直並列接続して構成した
スイッチ手段１５ａを直列接続して構成した第１のパル
ス発生回路、１３ｂは充放電コンデンサＬ４ｂと多数の
固体スイッチング素子を直並列接続して構成したスイッ
チ手段１５ｂを直列接続して構成した第２のパルス発生
回路である。この第１，第２のパルス発生回路１３ａ，
１３ｂはそれぞれリアクトル１６ａ１６ｂを介して放電
管１１と並列接続されている。 １７ａはリアクトル１８ａ、ダイオード１９ａ、干渉防
止リアクトル２０ａを介して充放電コンデンサ１４ａに
給電する高圧電源、１７ｂはリアクトル１８ｂ、ダイオ
ード１９ｂ、干渉防止リアクトル２０ｂを介して充放電
コンデンサ１４ｂに給電する高圧電源、２ｌはスイッチ
手段１５ａに導通信号を出力する発振器、２２は導通信
号を所定時間遅延させてスイッチ手段１５ｂに供給する
遅延回路である。 第２図はスイッチ手段１５ａ，１５ｂの具体例を示す構
成図であり、例えば多数のＦＥＴ２３を直並列接続した
ものである。なお、ＦＥＴ２３の代わりに、ＳＩＴ，Ｉ
ＧＢＴ，ＳＩサイリスタ、トランジスタ、サイリスク等
の固体スイッチング素子であってもよい。 次に動作を第３図のタイムチャート図を参照して説明す
る。高圧電源１７ａ，（１７ｂ）から、リアクトル１８
ａ （１８ｂ） 、ダイオード１９ａ（１９ｂ）．干渉
防止リアクトル２０ａ （２０ｂ）を介して充放電コン
デンサ１４ａ（１４ｂ）に高圧電圧が充電される。 次に、発振器２ｌからの導通信号によってスイッチ手段
１５ａが導通すると、充放電コンデンサ１４ａに充電さ
れた高圧電圧は放電管１ｌに印加され，放電管１１の中
にガス放電を形成する。 一方、遅延回路２２は発振器２ｌからの導通信号を所定
時間だけ遅延した後、スイッチ手段１５ｂを導通させ、
充放電コンデンサ１４ｂに充電されている高圧電圧を放
電管１１に印加する。 この結果、放電管１ｌには、時刻七〇において、充放電
コンデンサ１４ａの充電電圧が印加されてガス放電を発
生し、時刻ｔ０から所定時間でだけ遅延されて充放電コ
ンデンサ１４ｂの充電電圧が印加される。 上記スイッチ手段１５ａ，１５ｂＬ：ｖ導通によって該
各スイッチ手段に流れる電流Ｉａ，Ｉｂは、充放電コン
デンサ１４ａ，１４ｂとリアクトル１６ａ，１６ｂおよ
び放電管１１のインピーダンスによって決定され第３図
に示すような波形となる。 銅蒸気レーザ装置において、下準位原子の基底準位への
緩和は、内管２の口径が大きい場合は下準位と低速電子
との超弾性衝突によって行われる。 つまり、 Ｃ ｕ ＊ ＋ ｅ ｉｌａｗｌ− Ｃ ｕ ＋ ｅ
（ｒａｓｔここで、Ｃｕ＊は下準位原子 Ｃｕは基底準位原子 ｅ ｊｍｌ。１は低速電子 ｅａｒ畠富ｔｌは高速電子 となる。 第２のパルス発生回路１３ｂから印加される電圧は、銅
原子を上準位に励起しない低い電圧であるが、電子の加
速は行われるため電子と銅原子との衝突は激しくなる。 その結果、下準位原子と電子との超弾性衝突が活発にな
り、よって下準位の緩和が促進される。 なお、干渉防止リアクトル２０ａ，２０ｂはスイッチ手
段１５ａ，１５ｂを導通したときに流れる電流の周波数
成分に対しては大きなインピーダンスとなるようにイン
ダクタンス値を選ぶ。例えば一般に銅蒸気レーザ装置の
場合、放電管ｌ１に流れる電流は、パルス幅が最大でも
５００μ８８Ｃであるから、基本周波数或分としては約
ＩＭＨｚとなる。干渉防止リアクトル２０ａ，２０ｂが
ＩＭＨｚに対し充分大きなインピーダンスを持つために
は、干渉防止リアクトル２０ａ，２０ｂのインダクタン
スをＬｚとすると、 ２ｉｆＬｚ》Ｚｒ Ｚｒは放電管１ｌのインピーダンスが必要となる。通常
、インピーダンスＺＴは数Ω〜数十Ωであるから、例え
ば５０Ωとすると、 となる．よって、インダクタンスＬｚはＨｉｏｏμＨ以
上に選べばよい。インダクタンスＬｚを上記のように選
択することで、例えばスイッチ手段１５ａ，１５ｂの導
通と共に充放電コンデンサ１４ａ，１４ｂから放電電流
が流れだすことはない。 【発明の効果】 以上のように、この発明によれば、第１のパルス発生回
路と別に第２のパルス発生回路を設け、放電管に第１の
パルス発生回路から第ｌのパルス電圧が印加された後、
所定時間遅延して第２のパルス発生回路から再び上記放
電管に第２のパルス電圧を印加するように構成したので
、下準位の原子が基底準位に緩和する時間が短縮され、
その結果第ｌのパルス発生回路からの次のパルス印加時
に反転分布がより完全なものとなり、高繰り返しにおい
ても効率の高い金属蒸気レーザ装置を得ることができる
効果がある． また、第１のパルス発生回路および第−２のパルス発生
回路のスイッチ手段を、多数の固体スイッチング素子を
直並列接続して構成しているので、応答速度が早く、従
来のサイラトロンスイッチに存在したアノードデレイタ
イムのような使用条件でスイッチング時間が変わること
がなく、信頼性が高く、長寿命化が図られる。
れる第１のパルス電圧間に第２のパルス発生回路から発
生される第２のパルス電圧を印加し、下準位原子と低速
電子との超弾性衝突を強性的に生じさせ、その結果、下
準位原子の緩和が促進され、第１のパルス発生回路から
第１のパルス電圧が印加される場合に反転分布がより完
全なものとなり、高い繰り返しにおいてもレーザ効率の
低下を防止する。 また、第１のパルス発生回路および第２のパルス発生回
路を多数の固体スイッチング素子を直並列接続して構成
したスイッチ手段を用いているので、応答速度が速く、
従来のサイライトロンスイッチに存在したアノードデレ
イタイムのような使用条件でスイッチング時間が変わる
ことがなく、信頼性が高く、長寿命化が図られる。 〔実施例Ｊ 以下、この発明の一実施例を図について説明する．第１
図において、１ｌは放電管、１２は放電管ｌ１と並列接
続した充電用抵抗、１３ａは充放電コンデンサ１４ａと
多数の固体スイッチング素子を直並列接続して構成した
スイッチ手段１５ａを直列接続して構成した第１のパル
ス発生回路、１３ｂは充放電コンデンサＬ４ｂと多数の
固体スイッチング素子を直並列接続して構成したスイッ
チ手段１５ｂを直列接続して構成した第２のパルス発生
回路である。この第１，第２のパルス発生回路１３ａ，
１３ｂはそれぞれリアクトル１６ａ１６ｂを介して放電
管１１と並列接続されている。 １７ａはリアクトル１８ａ、ダイオード１９ａ、干渉防
止リアクトル２０ａを介して充放電コンデンサ１４ａに
給電する高圧電源、１７ｂはリアクトル１８ｂ、ダイオ
ード１９ｂ、干渉防止リアクトル２０ｂを介して充放電
コンデンサ１４ｂに給電する高圧電源、２ｌはスイッチ
手段１５ａに導通信号を出力する発振器、２２は導通信
号を所定時間遅延させてスイッチ手段１５ｂに供給する
遅延回路である。 第２図はスイッチ手段１５ａ，１５ｂの具体例を示す構
成図であり、例えば多数のＦＥＴ２３を直並列接続した
ものである。なお、ＦＥＴ２３の代わりに、ＳＩＴ，Ｉ
ＧＢＴ，ＳＩサイリスタ、トランジスタ、サイリスク等
の固体スイッチング素子であってもよい。 次に動作を第３図のタイムチャート図を参照して説明す
る。高圧電源１７ａ，（１７ｂ）から、リアクトル１８
ａ （１８ｂ） 、ダイオード１９ａ（１９ｂ）．干渉
防止リアクトル２０ａ （２０ｂ）を介して充放電コン
デンサ１４ａ（１４ｂ）に高圧電圧が充電される。 次に、発振器２ｌからの導通信号によってスイッチ手段
１５ａが導通すると、充放電コンデンサ１４ａに充電さ
れた高圧電圧は放電管１ｌに印加され，放電管１１の中
にガス放電を形成する。 一方、遅延回路２２は発振器２ｌからの導通信号を所定
時間だけ遅延した後、スイッチ手段１５ｂを導通させ、
充放電コンデンサ１４ｂに充電されている高圧電圧を放
電管１１に印加する。 この結果、放電管１ｌには、時刻七〇において、充放電
コンデンサ１４ａの充電電圧が印加されてガス放電を発
生し、時刻ｔ０から所定時間でだけ遅延されて充放電コ
ンデンサ１４ｂの充電電圧が印加される。 上記スイッチ手段１５ａ，１５ｂＬ：ｖ導通によって該
各スイッチ手段に流れる電流Ｉａ，Ｉｂは、充放電コン
デンサ１４ａ，１４ｂとリアクトル１６ａ，１６ｂおよ
び放電管１１のインピーダンスによって決定され第３図
に示すような波形となる。 銅蒸気レーザ装置において、下準位原子の基底準位への
緩和は、内管２の口径が大きい場合は下準位と低速電子
との超弾性衝突によって行われる。 つまり、 Ｃ ｕ ＊ ＋ ｅ ｉｌａｗｌ− Ｃ ｕ ＋ ｅ
（ｒａｓｔここで、Ｃｕ＊は下準位原子 Ｃｕは基底準位原子 ｅ ｊｍｌ。１は低速電子 ｅａｒ畠富ｔｌは高速電子 となる。 第２のパルス発生回路１３ｂから印加される電圧は、銅
原子を上準位に励起しない低い電圧であるが、電子の加
速は行われるため電子と銅原子との衝突は激しくなる。 その結果、下準位原子と電子との超弾性衝突が活発にな
り、よって下準位の緩和が促進される。 なお、干渉防止リアクトル２０ａ，２０ｂはスイッチ手
段１５ａ，１５ｂを導通したときに流れる電流の周波数
成分に対しては大きなインピーダンスとなるようにイン
ダクタンス値を選ぶ。例えば一般に銅蒸気レーザ装置の
場合、放電管ｌ１に流れる電流は、パルス幅が最大でも
５００μ８８Ｃであるから、基本周波数或分としては約
ＩＭＨｚとなる。干渉防止リアクトル２０ａ，２０ｂが
ＩＭＨｚに対し充分大きなインピーダンスを持つために
は、干渉防止リアクトル２０ａ，２０ｂのインダクタン
スをＬｚとすると、 ２ｉｆＬｚ》Ｚｒ Ｚｒは放電管１ｌのインピーダンスが必要となる。通常
、インピーダンスＺＴは数Ω〜数十Ωであるから、例え
ば５０Ωとすると、 となる．よって、インダクタンスＬｚはＨｉｏｏμＨ以
上に選べばよい。インダクタンスＬｚを上記のように選
択することで、例えばスイッチ手段１５ａ，１５ｂの導
通と共に充放電コンデンサ１４ａ，１４ｂから放電電流
が流れだすことはない。 【発明の効果】 以上のように、この発明によれば、第１のパルス発生回
路と別に第２のパルス発生回路を設け、放電管に第１の
パルス発生回路から第ｌのパルス電圧が印加された後、
所定時間遅延して第２のパルス発生回路から再び上記放
電管に第２のパルス電圧を印加するように構成したので
、下準位の原子が基底準位に緩和する時間が短縮され、
その結果第ｌのパルス発生回路からの次のパルス印加時
に反転分布がより完全なものとなり、高繰り返しにおい
ても効率の高い金属蒸気レーザ装置を得ることができる
効果がある． また、第１のパルス発生回路および第−２のパルス発生
回路のスイッチ手段を、多数の固体スイッチング素子を
直並列接続して構成しているので、応答速度が早く、従
来のサイラトロンスイッチに存在したアノードデレイタ
イムのような使用条件でスイッチング時間が変わること
がなく、信頼性が高く、長寿命化が図られる。
第１図はこの発明の一実施例による金属蒸気レーザ装置
の回路図、第２図はスイッチ手段の構成図、第３図は上
記実施例の動作を説明するタイムチャート図、第４図は
従来の金Ｒ蒸気レーザ装置の回路図である。 １ｌは放電管、１３ａはの第１のパルス発生回路、１３
ｂは第２のパルス発生回路、１５ａ，１５ｂはスイッチ
手段、１．７ａ，１７ｂは高圧電源、２１は発振器、２
２は遅延回路。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
の回路図、第２図はスイッチ手段の構成図、第３図は上
記実施例の動作を説明するタイムチャート図、第４図は
従来の金Ｒ蒸気レーザ装置の回路図である。 １ｌは放電管、１３ａはの第１のパルス発生回路、１３
ｂは第２のパルス発生回路、１５ａ，１５ｂはスイッチ
手段、１．７ａ，１７ｂは高圧電源、２１は発振器、２
２は遅延回路。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- ガス放電によって金属を加熱、気化させてレーザ出力
を得る放電管と、多数の固体スイッチング素子を直並列
接続して構成したスイッチ手段を充放電コンデンサに接
続し、このスイッチ手段の開閉によって、前記放電管に
ガス放電を発生させる第１のパルス電圧を供給する第１
のパルス発生回路と、前記スイッチ手段と同一構成のス
イッチ手段を充放電コンデンサに接続し、このスイッチ
手段の開閉によって前記放電管に第２のパルス電圧を供
給する第２のパルス発生回路と、前記第１のパルス発生
回路のスイッチ手段に導通信号を供給する発振器と、前
記導通信号を所定時間遅延して前記第２のパルス発生回
路のスイッチ手段に導通信号を供給する遅延回路と、前
記第１のパルス発生回路および前記第２のパルス発生回
路のそれぞれの充放電コンデンサに干渉防止リアクトル
を介して給電する別個独立に設けられた第１の電源およ
び第２の電源とを備えた金属蒸気レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15193089A JPH0318073A (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 金属蒸気レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15193089A JPH0318073A (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 金属蒸気レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0318073A true JPH0318073A (ja) | 1991-01-25 |
Family
ID=15529309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15193089A Pending JPH0318073A (ja) | 1989-06-14 | 1989-06-14 | 金属蒸気レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0318073A (ja) |
-
1989
- 1989-06-14 JP JP15193089A patent/JPH0318073A/ja active Pending
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