JPH03181987A - 薄膜el表示装置の駆動方法 - Google Patents
薄膜el表示装置の駆動方法Info
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- JPH03181987A JPH03181987A JP1322277A JP32227789A JPH03181987A JP H03181987 A JPH03181987 A JP H03181987A JP 1322277 A JP1322277 A JP 1322277A JP 32227789 A JP32227789 A JP 32227789A JP H03181987 A JPH03181987 A JP H03181987A
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- Japan
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- side electrode
- pixel
- scanning
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は薄膜EL表示装置の駆動方法に関する。
一般に、薄膜EL素子は画素へ波形が対称な交流電圧を
印加することにより高輝度化、長寿命化を計ることがで
きる。
印加することにより高輝度化、長寿命化を計ることがで
きる。
従来、薄膜EL表示装置の駆動方法としては薄膜EL素
子に駆動電圧を走査側及び信号側から印加し、かつ走査
側及び信号側に両極性素子を使用する双方向P ush
−P ull対称駆動法(特開昭61−282895
号公報参照)や、薄膜EL素子に駆動電圧を走査側及び
信号側から印加し、駆動時の消費電力を低減化するため
に放電過程を設ける方法(特開昭62−143096号
公報参照)があげられる。
子に駆動電圧を走査側及び信号側から印加し、かつ走査
側及び信号側に両極性素子を使用する双方向P ush
−P ull対称駆動法(特開昭61−282895
号公報参照)や、薄膜EL素子に駆動電圧を走査側及び
信号側から印加し、駆動時の消費電力を低減化するため
に放電過程を設ける方法(特開昭62−143096号
公報参照)があげられる。
上記薄膜EL表示装置の駆動方法では薄膜EL素子に駆
動電圧を走査側及び信号側から印加するので、薄膜EL
素子の非選択画素にも電圧を印加する。このため、薄膜
EL素子における非選択画素の漏れ発光を避けるべく薄
膜EL素子の発光層の輝度・電圧特性によって駆動電圧
の調整を行う必要がある。また、走査側と信号側の両方
に電源が必要である。コストを下げるためには工程及び
使用部品数を減らす必要があるが、この点は考慮されて
いない。
動電圧を走査側及び信号側から印加するので、薄膜EL
素子の非選択画素にも電圧を印加する。このため、薄膜
EL素子における非選択画素の漏れ発光を避けるべく薄
膜EL素子の発光層の輝度・電圧特性によって駆動電圧
の調整を行う必要がある。また、走査側と信号側の両方
に電源が必要である。コストを下げるためには工程及び
使用部品数を減らす必要があるが、この点は考慮されて
いない。
本発明は上記欠点を改善し、信号側の駆動用電源が不要
で薄膜EL素子の非選択画素へ電圧を印加しないことに
より薄膜EL素子の漏れ発光が生じなくて良好な表示品
質が得られる薄膜EL表示装置の駆動方法を提供するこ
とを目的とする。
で薄膜EL素子の非選択画素へ電圧を印加しないことに
より薄膜EL素子の漏れ発光が生じなくて良好な表示品
質が得られる薄膜EL表示装置の駆動方法を提供するこ
とを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明はEL発光層の両側に
互いに直交する2組のストライブ状電極群を走査側電極
群及び信号側電極群として設けた薄膜EL素子を線順次
駆動方法により駆動してドツトマトリクス表示を行わせ
る薄膜EL表示装置の駆動方法において、駆動電圧とし
て絶対値が等しくて極性が異なり、かつ絶対値が前記薄
膜EL− 素子の発光開始電圧以上である2種類の電圧を用い、前
記走査側電極群における走査中の1つの走査側電極への
み前記2種類の電圧の一方を印加して他の走査側電極を
フローティング状態とし、前記信号側電極群における前
記薄膜EL素子の選択画素に接続された信号側電極を接
地電位点に接続して前記薄膜EL素子の非選択画素に接
続された信号側電極をフローティング状態とすることで
前記薄膜EL素子における各画素の駆動電圧をオン/オ
フさせる。
互いに直交する2組のストライブ状電極群を走査側電極
群及び信号側電極群として設けた薄膜EL素子を線順次
駆動方法により駆動してドツトマトリクス表示を行わせ
る薄膜EL表示装置の駆動方法において、駆動電圧とし
て絶対値が等しくて極性が異なり、かつ絶対値が前記薄
膜EL− 素子の発光開始電圧以上である2種類の電圧を用い、前
記走査側電極群における走査中の1つの走査側電極への
み前記2種類の電圧の一方を印加して他の走査側電極を
フローティング状態とし、前記信号側電極群における前
記薄膜EL素子の選択画素に接続された信号側電極を接
地電位点に接続して前記薄膜EL素子の非選択画素に接
続された信号側電極をフローティング状態とすることで
前記薄膜EL素子における各画素の駆動電圧をオン/オ
フさせる。
第1図は本発明の実施に用いた薄膜EL表示装置の駆動
回路の一例を示す。
回路の一例を示す。
この例は薄膜EL素子に対して走査側からのみ駆動電圧
を印加して信号側からは駆動電圧を印加しないものであ
る。第1図において1はドツトマトリクス表示を行うE
L表示パネルからなる薄膜EL素子であり、EL発光層
の両側に互いに直交する2組のストライプ状電極群が走
査側電極群及び信号側電極群として設けられている。2
,3は一 互いに絶対値が等しくて極性が異なり、かつ絶対値がE
L表示パネルエにおける画素の発光開始電圧以上である
電圧(+HV、−HV)を発生する電源である。4,5
はEL表示パネル1の各信号側電極に接地電位点の接続
、非接続を行う複数のスイッチング素子CP1.CP2
.−・−CPN、 CN1.CN2.−−−CNNから
なるスイッチング素子群である。6,7はこれらのスイ
ッチング素子群CP□、cp2.・・・CPN、 CN
□。
を印加して信号側からは駆動電圧を印加しないものであ
る。第1図において1はドツトマトリクス表示を行うE
L表示パネルからなる薄膜EL素子であり、EL発光層
の両側に互いに直交する2組のストライプ状電極群が走
査側電極群及び信号側電極群として設けられている。2
,3は一 互いに絶対値が等しくて極性が異なり、かつ絶対値がE
L表示パネルエにおける画素の発光開始電圧以上である
電圧(+HV、−HV)を発生する電源である。4,5
はEL表示パネル1の各信号側電極に接地電位点の接続
、非接続を行う複数のスイッチング素子CP1.CP2
.−・−CPN、 CN1.CN2.−−−CNNから
なるスイッチング素子群である。6,7はこれらのスイ
ッチング素子群CP□、cp2.・・・CPN、 CN
□。
CN2.・・・CNNを制御するシフトレジスタ、ラッ
チ等の論理回路である。8はEL表示パネル1の各走査
側電極への+HVのオン、オフを行う複数のスイッチン
グ素子RP□、RP2.・・・RPNからなるスイッチ
ング素子群、9はEL表示パネル1の各走査側電極への
−HVのオン、オフを行う複数のスイッチング素子RN
、 、RN2.・・・RN□からなるスイッチング素子
群である。10.11はシフトレジスタ等の論理回路で
ある。スイッチング素子RP□、RP、、・・・RPN
は一端がEL表示パネル1の各走査側電極にそれぞれ接
続されて他端が共通の線に接続され、スイッチング素子
RN、 、 RN2.・・・RNNも一端がEL表示パ
ネル1の各走査側電極にそれぞれ接続されて他端が共通
の線に接続されている。12はスイッチング素子RP□
、RP2.・・・RPNの共通線を電源2と接地電位点
とに切換接続するスイッチ、13はスイッチング素子R
N1. RN、 、・・・RNNの共通線を電源3と接
地電位点とに切換接続するスイッチである。
チ等の論理回路である。8はEL表示パネル1の各走査
側電極への+HVのオン、オフを行う複数のスイッチン
グ素子RP□、RP2.・・・RPNからなるスイッチ
ング素子群、9はEL表示パネル1の各走査側電極への
−HVのオン、オフを行う複数のスイッチング素子RN
、 、RN2.・・・RN□からなるスイッチング素子
群である。10.11はシフトレジスタ等の論理回路で
ある。スイッチング素子RP□、RP、、・・・RPN
は一端がEL表示パネル1の各走査側電極にそれぞれ接
続されて他端が共通の線に接続され、スイッチング素子
RN、 、 RN2.・・・RNNも一端がEL表示パ
ネル1の各走査側電極にそれぞれ接続されて他端が共通
の線に接続されている。12はスイッチング素子RP□
、RP2.・・・RPNの共通線を電源2と接地電位点
とに切換接続するスイッチ、13はスイッチング素子R
N1. RN、 、・・・RNNの共通線を電源3と接
地電位点とに切換接続するスイッチである。
次にこの駆動回路の動作について説明する。
この駆動回路は基本的にはEL表示パネルlの走査側電
極に対する駆動電圧として絶対値がEL表示パネル1の
画素の発光開始電圧以上で、かつ絶対値が等しくて極性
が異なる2種類の電圧+HV、−HVを用い、EL表示
パネル1の信号側電極を接地状態とフローティング状態
に切り換えることにより、EL表示パネル1の各画素の
選択。
極に対する駆動電圧として絶対値がEL表示パネル1の
画素の発光開始電圧以上で、かつ絶対値が等しくて極性
が異なる2種類の電圧+HV、−HVを用い、EL表示
パネル1の信号側電極を接地状態とフローティング状態
に切り換えることにより、EL表示パネル1の各画素の
選択。
非選択を制御するものである。EL表示パネル1の走査
側電極に正極性の電圧を印加する場合をモード■、EL
表示パネル1の走査側電極に負極性の電圧を印加する場
合をモード■とする。
側電極に正極性の電圧を印加する場合をモード■、EL
表示パネル1の走査側電極に負極性の電圧を印加する場
合をモード■とする。
モード■においてはスイッチング素子RP1.RP2゜
・・RPNの共通線はスイッチ12により電源2に接続
されて+Hが印加され、スイッチング素子RN1.RN
2.・・・RN、の共通線はスイッチ13により接地電
位点に接続される。このとき、スイッチング素子RN、
。
・・RPNの共通線はスイッチ12により電源2に接続
されて+Hが印加され、スイッチング素子RN1.RN
2.・・・RN、の共通線はスイッチ13により接地電
位点に接続される。このとき、スイッチング素子RN、
。
RN2.・・・RN、、の共通線を接地電位点に接続す
るのはスイッチング素子群8がオン状態になったときに
スイッチング素子RN□、RN2.・・・RN、の両端
に両極性のHVがかかるのを防ぐためである。この状態
で、走査側のスイッチング素子RN1.RN2.・・・
RN、が全て論理回路IIの出力信号によりオフとなり
、スイッチング素子RP1.RP2.・・・IIIPN
はEL表示パネルlの走査すべき走査側電極に接続され
ているスイッチング素子のみが論理回路10からの信号
によりオンして他のスイッチング素子が全て論理回路1
0からの信号によりオフとなる。これにより、EL表示
パネルlの走査側電極群は走査される走査側電極にのみ
電圧+Hが印加されることになる。一方、信号側のスイ
ッチング素子cp1.cp2.・・・cp、が全て論理
回路6の出力信号によりオフとなり、スイッチング素子
CN1.CN2.・・・CNNが論理回路7からの表示
信号に従ってオン、オフすることによりEL表− 示パネルエの各画素の選択、非選択を行われる。
るのはスイッチング素子群8がオン状態になったときに
スイッチング素子RN□、RN2.・・・RN、の両端
に両極性のHVがかかるのを防ぐためである。この状態
で、走査側のスイッチング素子RN1.RN2.・・・
RN、が全て論理回路IIの出力信号によりオフとなり
、スイッチング素子RP1.RP2.・・・IIIPN
はEL表示パネルlの走査すべき走査側電極に接続され
ているスイッチング素子のみが論理回路10からの信号
によりオンして他のスイッチング素子が全て論理回路1
0からの信号によりオフとなる。これにより、EL表示
パネルlの走査側電極群は走査される走査側電極にのみ
電圧+Hが印加されることになる。一方、信号側のスイ
ッチング素子cp1.cp2.・・・cp、が全て論理
回路6の出力信号によりオフとなり、スイッチング素子
CN1.CN2.・・・CNNが論理回路7からの表示
信号に従ってオン、オフすることによりEL表− 示パネルエの各画素の選択、非選択を行われる。
ここで、説明を簡便にするため、工っの画素について第
2図を用いて説明する。第2図において14はEL表示
パネル1における第1の信号側電極及び第1の走査側電
極に接続されている画素であり、スイッチング素子CP
□、CN□、RP1.RN工に接続されている。この画
素14が選択WI素である場合にはスイッチング素子C
N、が論理回路6からの信号によりオンし、画素14は
第1の走査側電極に電源2から+HVが印加された走査
時に+HVが両端間に印加されて発光する。画素14が
非選択画素である場合にはスイッチング素子CN工が論
理回路6からの信号によりオフし、画素14は一端がオ
ープン状態になって電圧が印加されず発光しない。
2図を用いて説明する。第2図において14はEL表示
パネル1における第1の信号側電極及び第1の走査側電
極に接続されている画素であり、スイッチング素子CP
□、CN□、RP1.RN工に接続されている。この画
素14が選択WI素である場合にはスイッチング素子C
N、が論理回路6からの信号によりオンし、画素14は
第1の走査側電極に電源2から+HVが印加された走査
時に+HVが両端間に印加されて発光する。画素14が
非選択画素である場合にはスイッチング素子CN工が論
理回路6からの信号によりオフし、画素14は一端がオ
ープン状態になって電圧が印加されず発光しない。
モード■においてはスイッチング素子RN1. RN2
゜・・RNNの共通線がスイッチ13により電源3に接
続され、スイッチング素子RP1.RP2.・・・RP
Nの共通線がスイッチ12により接地電位点に接続され
る。このとき、スイッチング素子RP1. RP2.・
・・RP、の共通線を接地電位点に接続するのはモード
Iの場合と8 同様にスイッチング素子群9がオン状態になったときに
スイッチング素子RP□、RP、、・・・RP、の両端
に両極性のHVがかかるのを防ぐためである。この状態
で、走査側のスイッチング素子RP工、RP2.・・・
RPNが全て論理回路10の出力信号によりオフとなり
、スイッチング素子RN工、RN2.・・・RNNはE
L表示パネル1の走査すべき走査側電極に接続されてい
るスイッチング素子のみが論理回路11からの信号によ
りオンして他のスイッチング素子が全て論理回路11か
らの信号によりオフとなる。これにより、EL表示パネ
ル1の走査側電極群は走査される走査側電極にのみ電圧
−Hが印加されることになる。
゜・・RNNの共通線がスイッチ13により電源3に接
続され、スイッチング素子RP1.RP2.・・・RP
Nの共通線がスイッチ12により接地電位点に接続され
る。このとき、スイッチング素子RP1. RP2.・
・・RP、の共通線を接地電位点に接続するのはモード
Iの場合と8 同様にスイッチング素子群9がオン状態になったときに
スイッチング素子RP□、RP、、・・・RP、の両端
に両極性のHVがかかるのを防ぐためである。この状態
で、走査側のスイッチング素子RP工、RP2.・・・
RPNが全て論理回路10の出力信号によりオフとなり
、スイッチング素子RN工、RN2.・・・RNNはE
L表示パネル1の走査すべき走査側電極に接続されてい
るスイッチング素子のみが論理回路11からの信号によ
りオンして他のスイッチング素子が全て論理回路11か
らの信号によりオフとなる。これにより、EL表示パネ
ル1の走査側電極群は走査される走査側電極にのみ電圧
−Hが印加されることになる。
一方、信号側のスイッチング素子CN1. CN2.・
・・CNNは全て論理回路7の出力信号によりオフとな
り、スイッチング素子cp1. cp2.・・・cp、
は論理回路6からの表示信号に従ってオン、オフするこ
とによりEL表示パネル1の各画素の選択、非選択を行
う。
・・CNNは全て論理回路7の出力信号によりオフとな
り、スイッチング素子cp1. cp2.・・・cp、
は論理回路6からの表示信号に従ってオン、オフするこ
とによりEL表示パネル1の各画素の選択、非選択を行
う。
次にモードIの場合と同様に第2図を用いて説明する。
画素14が選択画素である場合にはスイッチング素子C
P□が論理回路6からの信号によりオンし、画素14は
第1の走査側電極に電源3から−HVが印加された走査
時に−HVが両端間に印加されて発光する。画素14が
非選択画素である場合にはスイッチング素子CP1が論
理回路6からの信号によりオフし、画素14は一端がオ
ープン状態になって電圧が印加されず発光しない。
P□が論理回路6からの信号によりオンし、画素14は
第1の走査側電極に電源3から−HVが印加された走査
時に−HVが両端間に印加されて発光する。画素14が
非選択画素である場合にはスイッチング素子CP1が論
理回路6からの信号によりオフし、画素14は一端がオ
ープン状態になって電圧が印加されず発光しない。
第4図及び第5図は各モードにおける上述のような各素
子の動作を示す。
子の動作を示す。
モードI、モードHを各画素について交互に行うことに
より、選択画素には走査側電極から+HV、−HVが印
加され、非選択画素には電圧が印加されない。つまり、
非選択画素の漏れ発光を防ぐことができる。
より、選択画素には走査側電極から+HV、−HVが印
加され、非選択画素には電圧が印加されない。つまり、
非選択画素の漏れ発光を防ぐことができる。
なお、本発明は各画素の極性を補償するためのモードの
切き換え方について制限を加えるものではなく、例えば
各画素の極性を補償するためのモードを1走査線毎に切
り換える方法や、各画素の極性を補償するためのモード
を1画面表示毎に切り換える方法等を用いることができ
る。また、本発明は上記駆動回路で使用する電源電圧+
HV。
切き換え方について制限を加えるものではなく、例えば
各画素の極性を補償するためのモードを1走査線毎に切
り換える方法や、各画素の極性を補償するためのモード
を1画面表示毎に切り換える方法等を用いることができ
る。また、本発明は上記駆動回路で使用する電源電圧+
HV。
HVについて、これらの絶対値が発光開始電圧以上であ
る点を除いて何ら制限を加えるものではない。さらに、
本発明は薄膜EL表示装置について何ら制限を加えるも
のではない。例えば薄膜EL素子の発光層材料はZnS
、 Zn5e 、 CaS 、 5rSe 、 Ca
5e及びこれらの混晶を用い、発光層の発光中心として
Mnあるいはランタン系希土類を用い、薄膜EL素子の
絶縁層としてY2O3,Sin□、Al□03.Ta2
05等の酸化物、Si、N4.BN、AIN等の窒化物
あるいはタングステンブロンズ系、ペロデスカイ1〜系
等の強誘電体を用い、薄膜EL素子の透明電極材料とし
てITO。
る点を除いて何ら制限を加えるものではない。さらに、
本発明は薄膜EL表示装置について何ら制限を加えるも
のではない。例えば薄膜EL素子の発光層材料はZnS
、 Zn5e 、 CaS 、 5rSe 、 Ca
5e及びこれらの混晶を用い、発光層の発光中心として
Mnあるいはランタン系希土類を用い、薄膜EL素子の
絶縁層としてY2O3,Sin□、Al□03.Ta2
05等の酸化物、Si、N4.BN、AIN等の窒化物
あるいはタングステンブロンズ系、ペロデスカイ1〜系
等の強誘電体を用い、薄膜EL素子の透明電極材料とし
てITO。
ZnO系等を用いることができる。簿膜EL素子の構造
としては上記絶縁層を発光層の片側あるいは両側に設け
たいわゆる絶縁構造でも、あるいは絶縁層を設けない構
造でもよい。
としては上記絶縁層を発光層の片側あるいは両側に設け
たいわゆる絶縁構造でも、あるいは絶縁層を設けない構
造でもよい。
本発明の実施例では発光層にSrS:Ceを用いた32
×32ドツトの表示容量を持つ薄膜EL表示装置を作成
して用い、駆動素子としてNchMO3IC,PchM
O5ICを用いて上記駆動回路を作成した。
×32ドツトの表示容量を持つ薄膜EL表示装置を作成
して用い、駆動素子としてNchMO3IC,PchM
O5ICを用いて上記駆動回路を作成した。
上記薄膜EL表示装置におけるE L表示パネル−11
1は発光層としてSrS:Ceを用いて第3図に示すよ
うな構造に作成した。すなわち、EL表示パネル1はE
L発光層23の両側に互いに直交する2組のストライプ
状電極群21.24を絶縁層22を介して設ける構造に
作成した。ストライプ状電極群21はRFマグネトロン
スパッタ法にてターゲットにAl2O3を2wt%ドー
プしたZnOを用いて基板温度300℃で2000λ成
膜し、続いてエツチングにて3本mm(電極線@200
μm)の透明電極に作成した。l@緑M22はEB蒸着
法にてY2O,を蒸着源に用い、基板温度70℃で30
00〜5000 A底膜して作成した。発光層23は蒸
着源としてl::ec13を0.1mo1%ドープした
SrSを用い、基板温度450℃で1μm戊膜6て作成
した。ストライプ状電極群24は抵抗線加熱蒸着法にて
Alを蒸着し、続いてエツチングにて3本man(電極
線幅200μm)の背面電極として作成した。
うな構造に作成した。すなわち、EL表示パネル1はE
L発光層23の両側に互いに直交する2組のストライプ
状電極群21.24を絶縁層22を介して設ける構造に
作成した。ストライプ状電極群21はRFマグネトロン
スパッタ法にてターゲットにAl2O3を2wt%ドー
プしたZnOを用いて基板温度300℃で2000λ成
膜し、続いてエツチングにて3本mm(電極線@200
μm)の透明電極に作成した。l@緑M22はEB蒸着
法にてY2O,を蒸着源に用い、基板温度70℃で30
00〜5000 A底膜して作成した。発光層23は蒸
着源としてl::ec13を0.1mo1%ドープした
SrSを用い、基板温度450℃で1μm戊膜6て作成
した。ストライプ状電極群24は抵抗線加熱蒸着法にて
Alを蒸着し、続いてエツチングにて3本man(電極
線幅200μm)の背面電極として作成した。
上記駆動回路は駆動素子として32ビツトの出力数を持
ち、それぞれシフトレジスタ及びラッチを内蔵したNc
hMO5IC,PchMO5ICを用いて作成した。
ち、それぞれシフトレジスタ及びラッチを内蔵したNc
hMO5IC,PchMO5ICを用いて作成した。
上記駆動素子を制御する制御回路はTTLを用いた。
12−
上記駆動回路ではスイッチング素子としてNchMO5
IC,PchMO5ICを用いたが、スイッチング素子
の種類は制限されるものではなく、例えばCMO5やバ
イポーラトランジスタ等を使用することができる。
IC,PchMO5ICを用いたが、スイッチング素子
の種類は制限されるものではなく、例えばCMO5やバ
イポーラトランジスタ等を使用することができる。
上記駆動電圧HVはEL表示パネル1の輝度が1cd/
cm2となる電圧に60Vを加えた電圧(190V)と
した。また2つのモードの切換方法としては1走査線毎
に交互にモード!、モード■を行い、これを1フレーム
毎に切り換える方法を用いた。
cm2となる電圧に60Vを加えた電圧(190V)と
した。また2つのモードの切換方法としては1走査線毎
に交互にモード!、モード■を行い、これを1フレーム
毎に切り換える方法を用いた。
上記薄膜EL表示装置の評価として、上記薄膜EL表示
装置にマイクロコンピュータからデータを入力して静止
画及び動画の再現を行ったところ、上述のように従来よ
り少ない2つの電源を用いて特別に駆動電圧の調整を行
わずに静止画、動画共に非選択画素の漏れ発光が無い良
好な表示品質が得られた。
装置にマイクロコンピュータからデータを入力して静止
画及び動画の再現を行ったところ、上述のように従来よ
り少ない2つの電源を用いて特別に駆動電圧の調整を行
わずに静止画、動画共に非選択画素の漏れ発光が無い良
好な表示品質が得られた。
以上のように本発明によればEL発光層の両側に互いに
直交する2組のストライプ状電極群を走査側電極群及び
信号側電極群として設けた薄膜EL素子を線順次駆動方
法により駆動してドツトマトリクス表示を行わせる薄膜
EL表示装置の駆動方法において、駆動電圧として絶対
値が等しくて極性が異なり、かつ絶対値が前記薄膜E
L素子の発光開始電圧以上である2種類の電圧を用い、
前記走査側電極群における走査中の1つの走査側電極へ
のみ前記2種類の電圧の一方を印加して他の走査側電極
をフローティング状態とし、前記信号側電極群における
前記薄膜EL素子の選択画素に接続された信号側電極を
接地電位点に接続して前記薄膜EL素子の非選択画素に
接続された信号側電極をフローティング状態とすること
で前記薄膜EL素子における各画素の駆動電圧をオン/
オフさせるので、薄膜EL素子に駆動電圧を走査側電極
のみから印加することで電源として正極性及び負極性の
電圧を出力する2つの電源を用いるだけであり、信号側
の駆動用電源が不要となる。しかも、薄膜EL素子の非
選択画素へ電圧を印加しないことにより薄膜EL素子の
漏れ発光が生じなくて良好な表示品質が得られる。
直交する2組のストライプ状電極群を走査側電極群及び
信号側電極群として設けた薄膜EL素子を線順次駆動方
法により駆動してドツトマトリクス表示を行わせる薄膜
EL表示装置の駆動方法において、駆動電圧として絶対
値が等しくて極性が異なり、かつ絶対値が前記薄膜E
L素子の発光開始電圧以上である2種類の電圧を用い、
前記走査側電極群における走査中の1つの走査側電極へ
のみ前記2種類の電圧の一方を印加して他の走査側電極
をフローティング状態とし、前記信号側電極群における
前記薄膜EL素子の選択画素に接続された信号側電極を
接地電位点に接続して前記薄膜EL素子の非選択画素に
接続された信号側電極をフローティング状態とすること
で前記薄膜EL素子における各画素の駆動電圧をオン/
オフさせるので、薄膜EL素子に駆動電圧を走査側電極
のみから印加することで電源として正極性及び負極性の
電圧を出力する2つの電源を用いるだけであり、信号側
の駆動用電源が不要となる。しかも、薄膜EL素子の非
選択画素へ電圧を印加しないことにより薄膜EL素子の
漏れ発光が生じなくて良好な表示品質が得られる。
第1図は本発明の実施に用いた薄膜E L表示装置の駆
動回路の一例を示すブロック図、第2図は動駆動回路に
おける1画素分の構成を示す回路図、第3図は上記薄膜
EL表示装置を示す斜視図、第4図及び第5図は上記駆
動回路における各素子の動作を示す図である。 1・・・薄膜EL素子、2,3・・・電源、4,5゜8
.9・・・スイッチング素子群、12.13・・・スイ
ッチ。 5−
動回路の一例を示すブロック図、第2図は動駆動回路に
おける1画素分の構成を示す回路図、第3図は上記薄膜
EL表示装置を示す斜視図、第4図及び第5図は上記駆
動回路における各素子の動作を示す図である。 1・・・薄膜EL素子、2,3・・・電源、4,5゜8
.9・・・スイッチング素子群、12.13・・・スイ
ッチ。 5−
Claims (1)
- EL発光層の両側に互いに直交する2組のストライプ
状電極群を走査側電極群及び信号側電極群として設けた
薄膜EL素子を線順次駆動方法により駆動してドツトマ
トリクス表示を行わせる薄膜EL表示装置の駆動方法に
おいて、駆動電圧として絶対値が等しくて極性が異なり
、かつ絶対値が前記薄膜EL素子の発光開始電圧以上で
ある2種類の電圧を用い、前記走査側電極群における走
査中の1つの走査側電極へのみ前記2種類の電圧の一方
を印加して他の走査側電極をフローテイング状態とし、
前記信号側電極群における前記薄膜EL素子の選択画素
に接続された信号側電極を接地電位点に接続して前記薄
膜EL素子の非選択画素に接続された信号側電極をフロ
ーテイング状態とすることで前記薄膜EL素子における
各画素の駆動電圧をオン/オフさせることを特徴とする
薄膜EL表示装置の駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1322277A JP2810458B2 (ja) | 1989-12-12 | 1989-12-12 | 薄膜el表示装置の駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1322277A JP2810458B2 (ja) | 1989-12-12 | 1989-12-12 | 薄膜el表示装置の駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03181987A true JPH03181987A (ja) | 1991-08-07 |
| JP2810458B2 JP2810458B2 (ja) | 1998-10-15 |
Family
ID=18141846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1322277A Expired - Fee Related JP2810458B2 (ja) | 1989-12-12 | 1989-12-12 | 薄膜el表示装置の駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2810458B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5847516A (en) * | 1995-07-04 | 1998-12-08 | Nippondenso Co., Ltd. | Electroluminescent display driver device |
| JP2003066907A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-05 | Oki Electric Ind Co Ltd | 表示装置、表示装置の駆動方法、及び表示装置の駆動回路 |
-
1989
- 1989-12-12 JP JP1322277A patent/JP2810458B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5847516A (en) * | 1995-07-04 | 1998-12-08 | Nippondenso Co., Ltd. | Electroluminescent display driver device |
| US6064158A (en) * | 1995-07-04 | 2000-05-16 | Denso Corporation | Electroluminescent display device |
| JP2003066907A (ja) * | 2001-08-30 | 2003-03-05 | Oki Electric Ind Co Ltd | 表示装置、表示装置の駆動方法、及び表示装置の駆動回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2810458B2 (ja) | 1998-10-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |