JPH03182036A

JPH03182036A - 陰極線管装置

Info

Publication number: JPH03182036A
Application number: JP32064989A
Authority: JP
Inventors: Masami Hasegawa; 政美長谷川; Shiyoujirou Hazama; 間　詳二郎
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1989-12-12
Filing date: 1989-12-12
Publication date: 1991-08-08
Anticipated expiration: 2014-02-03
Also published as: JP2854642B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的］（産業上の利用分野）本発明は陰極線管装置に関するものであり、特に電子銃
の高電圧電極近傍に発生する静電気を迅速に解消するこ
とにより電子ビームの軌道の安定化を計り、耐電圧特性
を向上させた陰極線管装置に関する。

（従来の技術）従来、陰極線管装置のファンネル部の内部及び外部に導
電膜を設けることは既知である。内部導電膜は電子銃か
ら射出された電子ビームをパネル部に導くための高電圧
を印加するために設けられ、外部導電膜は高電圧の平滑
コンデンサーを形成するために設けられている。上記の
ように、陰極線管装置には高電圧が印加されているので
、電源スィッチを入れた時や動作中に高圧部に放電が生
じ、放電電流によりカソード電極やヒーター電極または
トランジスタ等の回路素子を破壊してしまう欠点があっ
た。このような欠点を防止するために、特開昭５２−１
３９３５８号公報に示されているように外部導電膜に電
気的に接続された半導体膜を形成するものや、特開昭５
９−１７１４３９号公報に示されているように内部導電
膜の抵抗値を変化させる手法が提案されている。即ち導
電膜を一種の抵抗膜とすることによって高圧部の放電電
流を抑制し、周辺回路の損傷を防止している。

通常、陰極線管装置の電子銃構体は理想的には電子ビー
ムの無偏向時には蛍光面の中心に集中するように設計さ
れている。しかしながら実際には陰極線管と関連部品の
製造時の許容誤差や組み立て誤差のために、上記集中誤
差を修正するための適当な手段を陰極線管に設ける必要
がある。そのため陰極線管装置の製造工程において、電
子銃をネック部に封着した後偏向装置を挿着し、偏向装
置の管軸及び半径方向位置等の取り付は位置を調整し、
更に特公昭５１−４５９３６号公報に示されるように電
子ビームの管軸に対する磁気的調整をするための色純度
調整用円環磁石を装着する必要がある。

これらの主として電子ビームの位置と色純度の調整作業
（以下ＩＴＣ作業と略記）は陰極線管装置を動作させな
がら行う為、電源スィッチを入れた時ネック部に静電気
が発生する。ネック部ガラス表面に誘起される静電気は
上記特開昭５９−１７１４３９号公報の手法によっても
完全に解消する事は出来ない。陰極線管装置のスイッチ
を入れた瞬間のネック部の電荷分布を第５図に示す。第
５図において横軸は外部導電膜端部からの管軸方向の距
離を示すが、第５図の電荷分布のピークは電子銃の集束
電極近傍にある。この電荷の帯電状況を模式的に示すと
第６図のようになる。前記ネック部の静電気は第７図に
示すように時間の経過とともに自然放電のため減衰し、
電荷分布が変化することは電子ビームの軌道が不安定な
状態となることを意味する。このような状態でＩＴＣ作
業を行うと、静電気が解消された時点で再調整を行う必
要があり、作業効率の悪化を招くことになる。また特開
昭５３−９８７７３号公報に示されているように、偏向
装置の外囲器表面側に位置する領域に高抵抗層を形成し
この高抵抗層をファンネル部の低抵抗層に電気的に接続
する方法があるが、偏向装置の水平偏向コイルの絶縁被
膜が不完全な場合、大電流のリ一りが発生する恐れがあ
る。

（発明が解決しようとする課題）本発明は以上のような電子ビームの軌道を不安定にして
いる静電気を迅速に解消することによりＩＴＣ作業の効
率を高め、尚且つ大電流のリークの発生の恐れのない陰
極線管装置を得ることを目的とする。

［発明の構成］（課題を解決するための手段）上記目的のため本発明では、内面に蛍光面を形成したパ
ネル部と、前記蛍光面に対向する電子銃を内部に装着し
たネック部と、前記パネル部とネック部とを結合するフ
ァンネル部と、前記ファンネル部から前記ネック部にか
けての外囲器部分に装着された偏向装置とを少なくとも
備え、前記ファンネル部の内面に内部導電膜を外面に外
部導電膜を各々形成した陰極線管装置において、前記ネ
ック部外面の電子銃近傍の領域から前記ファンネル部の
外部導電膜にかけて、高抵抗率の半導体膜から低抵抗率
の半導体膜へと順次断続的に形成された複数の半導体膜
を形成し、前記複数の半導体膜間及び前記半導体膜と前
記外部導電膜との間に所定の間隔を設けであることを特
徴とする。

（作用）電子銃の集束電極部近傍のネック部ガラスに誘起される
電荷を、電子銃の集束電極部近傍に形成された固有の抵
抗率の半導体膜に集中させ、前記電荷を複数段階を経て
外部導電膜に移動せしめることにより迅速に静電気を解
消し、安定した電子ビーム軌道を得ることが可能となる
。また、複数の半導体膜の間には所定の間隔を設けであ
るので、電荷の移動を妨げることなく、偏向装置の水平
偏向コイルが接触する部分での電流のリークの発生を防
止することが可能となる。

（実施例）以下、本発明の実施例について説明する。

実施例１本発明の一実施例について第１図及び第２図を参照して
説明する。第１図は本発明をカラー陰極線管に実施した
例についての全体構成を示す断面図、第２図は第１図の
電子銃からファンネル部を示す部分断面図である。パネ
ル部（１）と、漏斗状のファンネル部（３）及びネック
部（２）から真空外囲器が形成されている。そして前記
パネル部（１）の内面には蛍光面（４）が被着形成され
ており、ネック部（２）にはパネル部（＋）の水平軸に
沿って一列に配列された３本の電子ビームを射出するイ
ンライン型電子銃（５）が配設されている。また蛍光面
に近接対向する位置にはシャドウマスク（ＩＩ）がマス
クフレーム（１２）によって支持固定されている。

ここで前記ファンネル部（３）の内面には内部導電膜（
７）が外面に外部導電膜（８）が各々形成されている。

このようなカラー陰極線管に、前記ファンネル部（３）
から前記ネック部（２）にかけての部分に偏向装置（９
）が挿着されている。上記のカラ陰極線管において、前
記ネック部（２）外面の電子銃（５）の集束電極（６）
近傍の領域から前記ファンネル部（３）の外部導電膜（
８）にかけて、高抵抗率から低抵抗率へと順次断続的に
複数の半導体膜（１０）を形成し、前記複数の半導体膜
間及び前記半導体膜（１０）と前記外部導電膜（８）と
の間に所定の間隔を設けである。即ち電子銃の集束電極
（６）近傍には抵抗率が１０９乃至１０”Ωｍの半導体
膜（１０゜１）を形成し、この高抵抗率の半導体膜（１
０，１）から外部導電膜（８）に向かって抵抗率が緩や
かに外部導電膜（８）の抵抗率１０乃至１０２Ωｍに近
づくように５乃至１５ｍｍの間隔で膜幅１０■の半導体
膜を複数形成する。形成する半導体膜の数はネック部（
２）から外部導電膜（８）までの距離を上記の膜幅、間
隔で形成できる程度とし、このとき半導体膜の抵抗率の
変化は、黒鉛に含む酸化鉄の量を変化させることによっ
て調整する。また、膜の形成方法としてはスプレー法と
刷毛塗りの二つがあるが、膜の均一性という点でスプレ
ー法の方が有利である。

第２図に示す実施例では、半導体膜（１０，１）の抵抗
率は１０９乃至１０８Ωｍ１半導体膜（１０，２）の抵
抗率は１０８乃至１０７Ωｍ１半導体膜（１０，３１の
抵抗率は１０７乃至１０６Ωｍ１半導体膜（１０，４）
の抵抗率は１０６乃至１０５Ωｍとなるように変化させ
た。尚、抵抗率を複数ある半導体膜の間で例えば、半導
体膜（１０，１）から半導体膜（１０，４）までの抵抗
率の変化を１０ｓΩｍ、　１０’Ωｍ、　１０５Ωｍ、
　１０’Ωｍのように不連続に変化させると、電荷の移
動が局部的に急激となり局部的な電荷集中を生じ、ネッ
ク部のガラスにクラックが発生し真空度の低下を引き起
こす現象（以下ネック貫通と略称）の恐れがあるので好
ましくない。

次にこのようにして断続的に形成した半導体膜（１０）
の作用について説明する。第５図に示すように陰極線管
装置にスイッチを入れた瞬間のネック部の電荷分布にお
いて、原点はファンネル部（３）の外部導電膜（８）端
に相当しており、この部分はアースに接続されているた
め、電荷分布は０となっている。また電荷分布のピーク
は電子銃の集束電極（６）近傍に発生している。この電
荷を複数の半導体膜（１０）を断続形成することにより
、第一段階として電子銃の集束電極近傍のネック部に形
成された半導体膜（１０，１）に集中させ、これを第３
図（ａ）乃至（Ｃ）に示すように順次複数段階を経て抵
抗率の低い半導体膜に移動させ、最終的に外部導電膜（
８）に移動させることにより静電気を解消する。このと
き断続的に形成される半導体膜（１０）の抵抗率をネッ
ク部（２）から外部導電膜（８）にかけて緩やかに変化
させることにより電荷を円滑にアスに導くことができる
。第４図は第２図の実施例によるネック部（２）の電荷
分布の時間的変化を示すもので、従来の陰極線管装置に
おける電荷分布の時間的変化を示す第７図と比較して迅
速に静電気が解消されていることがわかる。また、この
ように断続的とした理由は、半導体膜が形成される部分
には偏向装置（９）の水平偏向コイルが接触するため、
半導体膜が連続的に形成されていると水平偏向コイルの
絶縁が不十分な場合、大電流のリークが発生する可能性
があるからである。

上記実施例では半導体膜間の間隔を均一にとっているが
、この間隔を変化させても良い。この場合、図示してい
ないが、電子銃側の間隔を２０狐程度に大きくとり、外
部導電膜側の間隔を５ｕ程度に小さくとってもよい。

実施例２本発明の他の実施例について説明する。尚、この実施例
の全体構成は実施例１と同じなので詳細な説明は省略す
る。実施例２において、前記ネック部（２）外面の電子
銃（５）の集束電極（６）近傍の領域から前記ファンネ
ル部（３）の外部導電膜（８）にかけて、吸湿性をもち
水分を吸収したときの抵抗率が半導体の領域となる高分
子膜を吸湿性の低いものから高いものへと断続的に複数
形成し、実質的に高抵抗から低抵抗へと変化せしめ、ま
た前記複数の吸湿性高分子膜間及び前記吸湿性高分子膜
と前記外部導電膜（８）との間に所定の間隔を設けであ
る。吸湿性高分子膜は空気中の水分を吸収することによ
り、その抵抗値を下げ半導体膜として作用することが可
能となる。即ち、抵抗率を変化させる手段としてこの実
施例では吸湿性高分子膜を用いている。吸湿性の高いも
のを低抵抗、低いものを高抵抗として作用させる。複数
の吸湿性高分子膜間の電荷の移動作用については上記実
施例１と同様であり、詳細な説明は省略する。

上記実施例では吸湿性半導体として高分子膜を用いたが
、高分子膜に限らず吸湿性があり水分を吸収したときの
抵抗値が上記実施例１で示した抵抗値の範囲内となる半
導体として機能するものであればよい。

実施例３吸湿性半導体膜を用いて抵抗率を変化させる他の手段と
して、同一の吸湿性を持った複数の膜の膜幅を大きいも
のから小さいものへと変化させることにより、実質的に
高抵抗から低抵抗へと変化させてもよい。実施例２と比
較して膜ごとに吸湿性を変化させる必要がないので、コ
スト的に有利となる。

また、実施例２と同様に吸湿性半導体膜として高分子膜
に限らないのは言うまでもない。

上記実施例２及び３において、上記実施例１と同様に膜
間の間隔を変化させてもよい。

［発明の効果］以上説明したように、ネック部からファンネル部の外部
導電膜にかけて順次抵抗率を下げて半導体膜を断続的に
形成することにより、電子銃の集束電極近傍に発生した
静電気を局部的な電荷集中によるネック貫通を起こすこ
となく迅速に解消することが可能となる。また半導体膜
の間には間隔を設けであるので、偏向装置からの電流の
リークを防止することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の陰極線管装置の実施例を示す断面図、
第２図は第１図における半導体膜の形成状態を示す一部
拡大断面図、第３図（ａ）乃至第３図（ｃ）は第２図の
電荷の移動を説明するための模式断面図、第４図は本発
明の実施例におけるネック部電荷分布の時間的変化を示
すグラフ、第５図は従来の陰極線管装置のネック部分の
電荷分布状況を示すグラフ、第６図は従来の陰極線管装
置のネック部分の帯電状況を示す模式断面図、第７図は
従来の陰極線管装置におけるネック部電荷分布の時間的
変化を示すグラフである。（１）・・・パネル（２）・・・ネック（３）・・・ファンネル・・・蛍光面・・・電子銃・・・集束電極・・・内部導電膜・・・外部導電膜・・・偏向装置・・・半導体膜・・・シャドウマスク・・・マスクフレーム

Claims

【特許請求の範囲】

内面に蛍光面を形成したパネル部と、前記蛍光面に対向
する電子銃を内部に装着したネック部と、前記パネル部
と前記ネック部とを結合するファンネル部と、前記ファ
ンネル部から前記ネック部にかけての外囲器部分に装着
された偏向装置とを少なくとも備え、前記ファンネル部
の内面に内部導電膜を外面に外部導電膜を各々形成した
陰極線管装置において、前記ネック部外面の電子銃近傍
の領域から前記ファンネル部の外部導電膜にかけて、実
質的に高抵抗率から低抵抗率となる順次断続的に形成さ
れた複数の半導体膜を有し、前記複数の半導体膜間及び
前記半導体膜と前記外部導電膜との間に所定の間隔を設
けてなることを特徴とする陰極線管装置。