JPH03182095A - 閃光撮影システム - Google Patents
閃光撮影システムInfo
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- JPH03182095A JPH03182095A JP31993189A JP31993189A JPH03182095A JP H03182095 A JPH03182095 A JP H03182095A JP 31993189 A JP31993189 A JP 31993189A JP 31993189 A JP31993189 A JP 31993189A JP H03182095 A JPH03182095 A JP H03182095A
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- terminal
- capacitor
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- Discharge-Lamp Control Circuits And Pulse- Feed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、ＩＧＢＴ （ＩｎｓｖｌａｔｅｄＧａｔｅ
Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓ ｉ ｓ −ｔｏｒ）
などの大電流スイッチング素子を用いた電子閃光装置の
ゲート駆動回路に関するものである。
Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓ ｉ ｓ −ｔｏｒ）
などの大電流スイッチング素子を用いた電子閃光装置の
ゲート駆動回路に関するものである。
〔従来の技術１
従来ＩＧＢＴ等大電流スイッチング素子を用いた電子閃
光装置においてスイッチング素子のゲート駆動電圧は高
く、電圧供給源の確保は難かしく、主コンデンサの両端
に抵抗等により分圧しゲート駆動電圧を得る方法を採用
していた。
光装置においてスイッチング素子のゲート駆動電圧は高
く、電圧供給源の確保は難かしく、主コンデンサの両端
に抵抗等により分圧しゲート駆動電圧を得る方法を採用
していた。
〔発明が解決しようとしている問題点］しかしながら、
該方法では上記分圧抵抗を介して主コンデンサにたまっ
た電荷が放電し、すぐに主コンデンサの両端の電圧が低
下するといった欠点があった。
該方法では上記分圧抵抗を介して主コンデンサにたまっ
た電荷が放電し、すぐに主コンデンサの両端の電圧が低
下するといった欠点があった。
本発明は上記事項に鑑みなされたもので、スイツチング
素子のゲート駆動電圧を昇圧回路の発振トランスの２次
側を２つの電圧出力端子にふり分け、１つは主コンデン
サ充電用、１つはゲート駆動電圧供給用とし、主コンデ
ンサの充電電荷を用いずに、上記スイッチング素子のゲ
ート駆動電圧を供給し上記の不都合を防止した閃光装置
を提供せんとするものである。
素子のゲート駆動電圧を昇圧回路の発振トランスの２次
側を２つの電圧出力端子にふり分け、１つは主コンデン
サ充電用、１つはゲート駆動電圧供給用とし、主コンデ
ンサの充電電荷を用いずに、上記スイッチング素子のゲ
ート駆動電圧を供給し上記の不都合を防止した閃光装置
を提供せんとするものである。
［実施例１
以下本発明を図示の実施例に基づいて詳細に説明する。
第１図は本発明の実施例を示す回路図である。
図において、１は電源電池、２は電源スィッチ、３は定
電圧源でＶｒｅｆ＋ 、Ｖｒｅｆｚ 。
電圧源でＶｒｅｆ＋ 、Ｖｒｅｆｚ 。
Ｖｃｃの定電圧を発生させる、４はコンデンサ、５は抵
抗で４．５により電源立上り時リセットパルスをつくる
。３６はＩ１０付の公知のワンチップマイクロコンピュ
ータ−で、発光・調光の制御を行なう。６は抵抗で、ワ
ンチップマイクロコンピュータ−（以下μ−Ｃｏｍと略
す）のＳ、端子に接続される。又コンデンサ４．抵抗５
によるパルス回路から出力される信号線はμ−Ｃｏｍの
Ｒｅ５ｅｔ端子に接続される。
抗で４．５により電源立上り時リセットパルスをつくる
。３６はＩ１０付の公知のワンチップマイクロコンピュ
ータ−で、発光・調光の制御を行なう。６は抵抗で、ワ
ンチップマイクロコンピュータ−（以下μ−Ｃｏｍと略
す）のＳ、端子に接続される。又コンデンサ４．抵抗５
によるパルス回路から出力される信号線はμ−Ｃｏｍの
Ｒｅ５ｅｔ端子に接続される。
７はダイオードで、抵抗６に接続される。９は抵抗、１
０はｎｐｎトランジスタ（以下ｎｐｎ−Ｔｒと略す）で
、このｎｐｎ−Ｔｒのベースにダイオード７のカソード
が接続される。又１０のベース・エミッタ間に抵抗９が
接続される。
０はｎｐｎトランジスタ（以下ｎｐｎ−Ｔｒと略す）で
、このｎｐｎ−Ｔｒのベースにダイオード７のカソード
が接続される。又１０のベース・エミッタ間に抵抗９が
接続される。
８はダイオードでカーソドがｎｐｎ−Ｔｒｉ。
のエミッタに接続される、１１はｐｎｐ トランジスタ
（以下ｐｎｐ−Ｔｒと略す）であり、ｐｎｐ−Ｔｒｌｌ
のベースにｎｐｎ−ＴｒｌＯのコレクタが接続される。
（以下ｐｎｐ−Ｔｒと略す）であり、ｐｎｐ−Ｔｒｌｌ
のベースにｎｐｎ−ＴｒｌＯのコレクタが接続される。
ｐｎｐ−Ｔｒｌｌのエミッタはスイッチ２に接続される
。１２はトランスで１次巻線１２ａにはｐｎｐ−Ｔｒｌ
ｌのコレクタが接続される。帰還巻線１２ｂは抵抗４０
を通してグランド（ＧＮＤ）に接線する。又帰還巻線１
２ｂのもう片方の端子にはｎｐｎ−ＴｒｌＯのエミッタ
に接続される。２次巻線は１２ｃ、１２ｄと分割してお
り１２ｃは高圧出力用、１２ｄはＩＧＢＴ駆動電圧出力
用となっている。上記各素子な含む点線１００で囲まれ
た部分は昇圧回路を構成する。１２ｃと接続する１３は
整流用ダイオード、１２ｄと接続する１４は整流用ダイ
オードである。１５はコンデンサでダイオード１４のカ
ソードとＧＮＤに接続される。１６は抵抗でダイオード
１４のカソードに接続される。１７は定電圧ダイオード
で、カソードは抵抗１６に接続される。
。１２はトランスで１次巻線１２ａにはｐｎｐ−Ｔｒｌ
ｌのコレクタが接続される。帰還巻線１２ｂは抵抗４０
を通してグランド（ＧＮＤ）に接線する。又帰還巻線１
２ｂのもう片方の端子にはｎｐｎ−ＴｒｌＯのエミッタ
に接続される。２次巻線は１２ｃ、１２ｄと分割してお
り１２ｃは高圧出力用、１２ｄはＩＧＢＴ駆動電圧出力
用となっている。上記各素子な含む点線１００で囲まれ
た部分は昇圧回路を構成する。１２ｃと接続する１３は
整流用ダイオード、１２ｄと接続する１４は整流用ダイ
オードである。１５はコンデンサでダイオード１４のカ
ソードとＧＮＤに接続される。１６は抵抗でダイオード
１４のカソードに接続される。１７は定電圧ダイオード
で、カソードは抵抗１６に接続される。
定電圧ダイオード１７のアノードはＧＮＤに接続される
。定電圧ダイオード１７と並列にコンデンサ１８が接続
され、抵抗１６、コンデンサ１８に１）ｎｐ−Ｔｒ １
９のエミッタが接続される。２０はｎｐｎ−Ｔｒでコレ
クタにはｐｎｐ−Ｔｒｉ９のベースが接続される。ｎｐ
ｎ−Ｔｒ２０のベースには抵抗３４が接続され、ｎｐｎ
−Ｔｒ２０のエミッタはＧＮＤに接続されｐｎｐ−Ｔｒ
ｉ９の０Ｎ−ＯＦＦを制御する。３８はｎｐｎ−Ｔｒで
スイッチング素子３０のベースに接続されｎｐｎ−Ｔｒ
３８のオン時スイッチング素子３０をオフする。３９は
ｎ◆ｐｎ−Ｔｒ３８のベース抵抗、２１．２２は抵抗で
、整流用ダイオード１３の出力電圧を検知する分圧抵抗
を構成する。２３はダイオードで、２４は主コンデンサ
である。２３は２４のもれ電流を防止するダイオードで
ある。
。定電圧ダイオード１７と並列にコンデンサ１８が接続
され、抵抗１６、コンデンサ１８に１）ｎｐ−Ｔｒ １
９のエミッタが接続される。２０はｎｐｎ−Ｔｒでコレ
クタにはｐｎｐ−Ｔｒｉ９のベースが接続される。ｎｐ
ｎ−Ｔｒ２０のベースには抵抗３４が接続され、ｎｐｎ
−Ｔｒ２０のエミッタはＧＮＤに接続されｐｎｐ−Ｔｒ
ｉ９の０Ｎ−ＯＦＦを制御する。３８はｎｐｎ−Ｔｒで
スイッチング素子３０のベースに接続されｎｐｎ−Ｔｒ
３８のオン時スイッチング素子３０をオフする。３９は
ｎ◆ｐｎ−Ｔｒ３８のベース抵抗、２１．２２は抵抗で
、整流用ダイオード１３の出力電圧を検知する分圧抵抗
を構成する。２３はダイオードで、２４は主コンデンサ
である。２３は２４のもれ電流を防止するダイオードで
ある。
ダイオード２３のアノードはダイオード１３のカソード
に、２３のカソードは主コンデンサ２４に接続される。
に、２３のカソードは主コンデンサ２４に接続される。
２５は抵抗でダイオード２３のカソードに接続される。
２６はコンデンサ、２７はトリガトランスで、１次側に
コンデンサ２６が接続される。
コンデンサ２６が接続される。
２８は閃光放電管でトリガトランス２７により発光する
。２９はダイオードで、３０はスイッチング素子（例え
ばＩ ＧＢＴ （Ｉ ｎｓｕ １ ａｔｅｄＧａｔｅ
Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓ ｉ ｓ −ｔｏｒ）
の様な伝導度変調型ＭＯ３ＦＥＴ）でコレクタにダイオ
ード２９のカソードと抵抗２５、コンデンサ２６が接続
される。
。２９はダイオードで、３０はスイッチング素子（例え
ばＩ ＧＢＴ （Ｉ ｎｓｕ １ ａｔｅｄＧａｔｅ
Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓ ｉ ｓ −ｔｏｒ）
の様な伝導度変調型ＭＯ３ＦＥＴ）でコレクタにダイオ
ード２９のカソードと抵抗２５、コンデンサ２６が接続
される。
スイッチング素子３０のエミッタはＧＮＤに接続される
。ベースはｎｐｎ−Ｔｒ３８のコレクタ、ｐｎｐ−Ｔｒ
ｉ９のコレクタに接続される。
。ベースはｎｐｎ−Ｔｒ３８のコレクタ、ｐｎｐ−Ｔｒ
ｉ９のコレクタに接続される。
３１．３２はコンパレータでコンパレータ３１は充電電
圧検知用のコンパレータで抵抗２１．２２の分圧値が正
端子に入力され、充電電圧に対応する基準電圧Ｖ ｒ
ｅ ｆ ＋が定電圧回路３より負端子に接続される。入
力が充電電圧以下ならローレベル（以下ＬＬと略す）充
電電圧以上ならハイレベル（以下Ｈ’Ｌと略す）が出力
される。
圧検知用のコンパレータで抵抗２１．２２の分圧値が正
端子に入力され、充電電圧に対応する基準電圧Ｖ ｒ
ｅ ｆ ＋が定電圧回路３より負端子に接続される。入
力が充電電圧以下ならローレベル（以下ＬＬと略す）充
電電圧以上ならハイレベル（以下Ｈ’Ｌと略す）が出力
される。
３２はレギュレータ電圧検知用コンパレータで、昇圧回
路１００により、主コンデンサ２４の両端の電圧を一定
にコントロールするためのもので、抵抗２１．２２の分
圧値が負端子に接続されレギュレータ電圧に対応する基
準電圧Ｖ ｒ ｅ ｆ ２が定電圧回路３より正端子に
接続される。入力がレギュレータ電圧以下ならＨＬを出
力し、レギュレータ電圧以上であるならＬＬを出力する
。
路１００により、主コンデンサ２４の両端の電圧を一定
にコントロールするためのもので、抵抗２１．２２の分
圧値が負端子に接続されレギュレータ電圧に対応する基
準電圧Ｖ ｒ ｅ ｆ ２が定電圧回路３より正端子に
接続される。入力がレギュレータ電圧以下ならＨＬを出
力し、レギュレータ電圧以上であるならＬＬを出力する
。
３３は公知のラッチ回路で、Ｓ端子はセット端子、Ｒ端
子はリセット端子を示し、Ｑ端子は出力端子である。ラ
ッチ回路３３のＳ端子はコンパレータ３１の出力と接続
され充電完了レベルに達するとＱ端子の出力をＨＬにす
る。ラッチ回路３３のＲ端子はコンデンサ４、抵抗５の
リセットパルス回路に接続される。
子はリセット端子を示し、Ｑ端子は出力端子である。ラ
ッチ回路３３のＳ端子はコンパレータ３１の出力と接続
され充電完了レベルに達するとＱ端子の出力をＨＬにす
る。ラッチ回路３３のＲ端子はコンデンサ４、抵抗５の
リセットパルス回路に接続される。
３５はカメラ（不図示）のＸ接点である。ＸはμｍＣｏ
ｍ３６のＸ端子に接続されるμｍＣｏｍ３６のＳ０端子
はコンパレータ３２の出力に接続されＳ１端子はラッチ
回路の出力Ｑ端子と接続され、Ｓ、端子は抵抗３４を通
してｎｐｎ−Ｔｒ２０に接続される。またＳ、端子は抵
抗６を通してダイオード７のアノードに接続される。
ｍ３６のＸ端子に接続されるμｍＣｏｍ３６のＳ０端子
はコンパレータ３２の出力に接続されＳ１端子はラッチ
回路の出力Ｑ端子と接続され、Ｓ、端子は抵抗３４を通
してｎｐｎ−Ｔｒ２０に接続される。またＳ、端子は抵
抗６を通してダイオード７のアノードに接続される。
３７は調光回路で発光時、被写体（不図示）が適正露出
するように光量が適正になったら信号を出力する回路で
、μｍＣｏｍ３６のＳ４端子に接続される。μｍＣｏｍ
３６のＳ、端子はカメラやレンズ（不図示）からの情報
な入・出力する端子である。
するように光量が適正になったら信号を出力する回路で
、μｍＣｏｍ３６のＳ４端子に接続される。μｍＣｏｍ
３６のＳ、端子はカメラやレンズ（不図示）からの情報
な入・出力する端子である。
Ｓ６はリセット信号を出力する端子でラッチ回路３３の
リセット端子に接続されるｓｓ６は抵抗３９を介してｎ
ｐｎ−Ｔｒ３８のベースに接続されスイッチング素子３
０のゲートを完全にオフするための信号端子である。
リセット端子に接続されるｓｓ６は抵抗３９を介してｎ
ｐｎ−Ｔｒ３８のベースに接続されスイッチング素子３
０のゲートを完全にオフするための信号端子である。
次に動作について説明する。
第２図に発振、充電に関するフローチャート、第３図に
発光動作のフローチャートを示す。まず発振、充電動作
を説明する。
発光動作のフローチャートを示す。まず発振、充電動作
を説明する。
電源スィッチ２をオンすると、電源１により定電圧源３
が動作し定電圧Ｖｃｃ、Ｖｒｅｆ＋Ｖ ｒ ｅ ｆ ２
を発生する。これによりμｍＣｏｍ３６、ラッチ回路の
電源がオンする。
が動作し定電圧Ｖｃｃ、Ｖｒｅｆ＋Ｖ ｒ ｅ ｆ ２
を発生する。これによりμｍＣｏｍ３６、ラッチ回路の
電源がオンする。
また、ＶＣＣオンによりコンデンサ４、抵抗５によりリ
セットパルスが発生し、μｍＣｏｍ３６とラッチ回路に
リセットがかかり初期化する。
セットパルスが発生し、μｍＣｏｍ３６とラッチ回路に
リセットがかかり初期化する。
まず、初めは発振動作が行なわれていないため、主コン
デンサ２４の電圧検知のための抵抗２１．２２、分圧値
が充電完了レベルに達していないため、コンパレータ３
１の出力はＬＬとなりラッチ回路３３の出力ＱはＬＬの
ままである。
デンサ２４の電圧検知のための抵抗２１．２２、分圧値
が充電完了レベルに達していないため、コンパレータ３
１の出力はＬＬとなりラッチ回路３３の出力ＱはＬＬの
ままである。
又コンパレータ３２の出力はＨＬとなる。よってμｍＣ
ｏｍ３６のステップ１にてＳ端子がＬＬであることが検
知され、ステップ２にてＳｏ端子がＨＬであると判定さ
れμ−Ｃｏｍ３６出力Ｓ。
ｏｍ３６のステップ１にてＳ端子がＬＬであることが検
知され、ステップ２にてＳｏ端子がＨＬであると判定さ
れμ−Ｃｏｍ３６出力Ｓ。
端子をＨＬとする。Ｓ、端子信号は抵抗６、ダイオード
７を介してｎｐｎ−Ｔｒｉｏベースに電流が流れ、オン
しこれによりｐｎｐ−Ｔｒｌｌをオンして発振トランス
１２の１次巻線１２ａに電流が流れて２次側に電圧を励
起する。このとき帰還巻線１２ｂにも電圧が励起し、ｎ
ｐｎ−Ｔｒｉ。
７を介してｎｐｎ−Ｔｒｉｏベースに電流が流れ、オン
しこれによりｐｎｐ−Ｔｒｌｌをオンして発振トランス
１２の１次巻線１２ａに電流が流れて２次側に電圧を励
起する。このとき帰還巻線１２ｂにも電圧が励起し、ｎ
ｐｎ−Ｔｒｉ。
のエミッタの電圧をもちあげる。このためｎｐｎ−Ｔｒ
ｉｏがオフし、ｐｎｐ−Ｔｒｌｌがオフする。
ｉｏがオフし、ｐｎｐ−Ｔｒｌｌがオフする。
上記の動作を繰り返すことで、発振がおこなわれ２次側
に高圧が発生する。
に高圧が発生する。
なお２次側出力はコイル１２ｃと１２ｄに印加されてお
り、１２ｃは高圧用で主コンデンサ２４の充電のための
２次巻線で、１２ｄはスイッチング素子（ＩＧＢＴ等）
の駆動電圧用の２次巻線である。
り、１２ｃは高圧用で主コンデンサ２４の充電のための
２次巻線で、１２ｄはスイッチング素子（ＩＧＢＴ等）
の駆動電圧用の２次巻線である。
発振トランスの２次巻線１２ｃより出力された高圧電圧
をダイオード１３で整流し、主コンデンサ２４のもれ電
流防止用のダイオード２３を介して主コンデンサ２４に
充電していく、又、抵抗２５を介してコンデンサ２６も
充電する。この主コンデンサ２４の両端の電圧を抵抗２
１．２２により電圧検知し、発光可能な充電完了レベル
（以下充完レベルと略す）に達すると、すなわち充完レ
ベルに対応する基準電圧Ｖ ｒ ｅ ｆ ｒより大きく
なると、コンパレータ３１の出力はＨＬとなりラッチ回
路３３の出力Ｑ端子はＨＬとなりラッチがかかる。する
とμｍＣｏｍ３６のＳ、入力はＨＬとなりステップ１に
て、これが検知されステップ４に進み発光許可状態、す
なわちＸオン許可状態として発光動作の割りこみが可能
となる。
をダイオード１３で整流し、主コンデンサ２４のもれ電
流防止用のダイオード２３を介して主コンデンサ２４に
充電していく、又、抵抗２５を介してコンデンサ２６も
充電する。この主コンデンサ２４の両端の電圧を抵抗２
１．２２により電圧検知し、発光可能な充電完了レベル
（以下充完レベルと略す）に達すると、すなわち充完レ
ベルに対応する基準電圧Ｖ ｒ ｅ ｆ ｒより大きく
なると、コンパレータ３１の出力はＨＬとなりラッチ回
路３３の出力Ｑ端子はＨＬとなりラッチがかかる。する
とμｍＣｏｍ３６のＳ、入力はＨＬとなりステップ１に
て、これが検知されステップ４に進み発光許可状態、す
なわちＸオン許可状態として発光動作の割りこみが可能
となる。
主コンデンサ２４の電圧がフル充完すなわちレギュレー
タ電圧に達するまで発振動作をくりかえし、コンパレー
タ３２のレギュレータ電圧に対応する基準電圧Ｖ ｒ
ｅ ｆ ｚ以上になったら、コンパレータ３２の出力は
ＬＬになり、μｍＣｏｍ３６のＳ０人力はＬＬとなり、
ステップ５に進みＳ３出力をＬＬとして、昇圧回路１０
０の発振動作は停止する。発振停止とともに抵抗２１．
２２の分圧電圧が低下するため、再度上述の発振動作を
くりかえす。
タ電圧に達するまで発振動作をくりかえし、コンパレー
タ３２のレギュレータ電圧に対応する基準電圧Ｖ ｒ
ｅ ｆ ｚ以上になったら、コンパレータ３２の出力は
ＬＬになり、μｍＣｏｍ３６のＳ０人力はＬＬとなり、
ステップ５に進みＳ３出力をＬＬとして、昇圧回路１０
０の発振動作は停止する。発振停止とともに抵抗２１．
２２の分圧電圧が低下するため、再度上述の発振動作を
くりかえす。
上記発振動作に際して発振トランス１２の２次巻線１２
ｄからの出力はダイオード１４を通して整流され、コン
デンサ１５に充電され抵抗１６、定電圧ダイオード１７
によりスイッチング素子３０に必要なゲート電圧を設定
する。コンデンサ１８は電圧安定用のコンデンサで、ｎ
ｐｎ−Ｔｒ２０％ｐｎｐ−Ｔｒ３８でゲート電圧をコン
トロールする。
ｄからの出力はダイオード１４を通して整流され、コン
デンサ１５に充電され抵抗１６、定電圧ダイオード１７
によりスイッチング素子３０に必要なゲート電圧を設定
する。コンデンサ１８は電圧安定用のコンデンサで、ｎ
ｐｎ−Ｔｒ２０％ｐｎｐ−Ｔｒ３８でゲート電圧をコン
トロールする。
次に発光動作を説明する。
充完状態のときは、第２図のステップ４にてＸオン許可
となっており、この状態でμｍＣｏｍ３６はＸ接点３５
のオンに応答して第３図フローを実行する。まずステッ
プｌにてＳ４端子をＨＬとして調光回路３７の動作スタ
ートする。又μｍＣｏｍ３６のＳ、端子がＨＬとなりラ
ッチ３３にリセットがかかる。μｍＣｏｍ３６のＳ２端
子はＨＬとなり、抵抗３４を介してｎｐｎ−Ｔｒ２０の
ベースに電流が流れオンする。これによりｐｎｐ−Ｔｒ
１９のベース電流が引かれるため、ｐｎｐ−Ｔｒ１９が
オンしスイッチング素子３０のゲートに電圧が発生する
。（このときＳ６端子はＬＬである）これによりスイッ
チング素子３０がオンし、トリガコンデンサ２６の電荷
がトランス２７に流れパルスが発生し、トリガトランス
２７の２次側に大きなパルス電圧が発生し、閃光放電管
２８が発光する。
となっており、この状態でμｍＣｏｍ３６はＸ接点３５
のオンに応答して第３図フローを実行する。まずステッ
プｌにてＳ４端子をＨＬとして調光回路３７の動作スタ
ートする。又μｍＣｏｍ３６のＳ、端子がＨＬとなりラ
ッチ３３にリセットがかかる。μｍＣｏｍ３６のＳ２端
子はＨＬとなり、抵抗３４を介してｎｐｎ−Ｔｒ２０の
ベースに電流が流れオンする。これによりｐｎｐ−Ｔｒ
１９のベース電流が引かれるため、ｐｎｐ−Ｔｒ１９が
オンしスイッチング素子３０のゲートに電圧が発生する
。（このときＳ６端子はＬＬである）これによりスイッ
チング素子３０がオンし、トリガコンデンサ２６の電荷
がトランス２７に流れパルスが発生し、トリガトランス
２７の２次側に大きなパルス電圧が発生し、閃光放電管
２８が発光する。
調光回路より被写体が適正光量に達したとき発光ストッ
プ信号が発生し、μｍＣｏｍ３６のＳ４端子をＬＬにす
る。ステップ１２にて、これが検知されるとステップ１
３にてμｍＣｏｍ３６のＳ６端子をＨＬにして抵抗３９
を介してｎｐｎ−Ｔｒ３８をオンする。これによりスイ
ッチング素子３０のゲート電圧を断ちオフとなる。又μ
ｍＣｏｍ３６のＳ２端子をＬＬにして抵抗３４を介して
ｎｐｎ−Ｔｒ２０をオフにしｐｎｐ−Ｔｒ１９をオフに
する。上記動作でスイッチング素子３０のオフにより発
光が停止する。又μ−Ｃｏｍ３６のＳ、端子は発光停止
とともにＬＬとなりラッチ回路３３にリセットを解除す
る。
プ信号が発生し、μｍＣｏｍ３６のＳ４端子をＬＬにす
る。ステップ１２にて、これが検知されるとステップ１
３にてμｍＣｏｍ３６のＳ６端子をＨＬにして抵抗３９
を介してｎｐｎ−Ｔｒ３８をオンする。これによりスイ
ッチング素子３０のゲート電圧を断ちオフとなる。又μ
ｍＣｏｍ３６のＳ２端子をＬＬにして抵抗３４を介して
ｎｐｎ−Ｔｒ２０をオフにしｐｎｐ−Ｔｒ１９をオフに
する。上記動作でスイッチング素子３０のオフにより発
光が停止する。又μ−Ｃｏｍ３６のＳ、端子は発光停止
とともにＬＬとなりラッチ回路３３にリセットを解除す
る。
第４図は本発明の他の一実施例を示す回路図で、第１図
実施例と同一構成部には、同一記号が附されている。
実施例と同一構成部には、同一記号が附されている。
第４図において、４１．４２は抵抗でコンデンサ１５の
電圧検知用の分圧抵抗である。４３はコンデンサ、４４
はダイオードでアノードには抵抗４１、カソードにはコ
ンデンサ１５が接続されている。
電圧検知用の分圧抵抗である。４３はコンデンサ、４４
はダイオードでアノードには抵抗４１、カソードにはコ
ンデンサ１５が接続されている。
４５はコンデンサ１５の電圧検知用コンパレータで定電
圧回路３のＶ ｒ ｅ ｆ ｓ端子より出力される基準
電圧がコンパレータ４１の負端子に接続され、基準電圧
以上になったらＨＬが出力される。
圧回路３のＶ ｒ ｅ ｆ ｓ端子より出力される基準
電圧がコンパレータ４１の負端子に接続され、基準電圧
以上になったらＨＬが出力される。
４６はラッチ回路で、コンパレータ３１と同様コンパレ
ータ４５の出力がＨＬになると、その信号をラッチして
Ｑを出力する。ＱはμｍＣｏｍ３６のＳ７端子に接続さ
れるリセット端子にはμｍＣｏｍ３６のＳ、端子とリセ
ット回路コンデンサ４、抵抗５に接続される。
ータ４５の出力がＨＬになると、その信号をラッチして
Ｑを出力する。ＱはμｍＣｏｍ３６のＳ７端子に接続さ
れるリセット端子にはμｍＣｏｍ３６のＳ、端子とリセ
ット回路コンデンサ４、抵抗５に接続される。
抵抗４１，４２、コンデンサ４３、ダイオード４４によ
りコンデンサ１５の電圧検知回路１０１を形成している
。μｍＣｏｍ３６のＳｏ端子はカメラ・レンズ（不図示
）内の回路と接続されカメラ情報が入力される。
りコンデンサ１５の電圧検知回路１０１を形成している
。μｍＣｏｍ３６のＳｏ端子はカメラ・レンズ（不図示
）内の回路と接続されカメラ情報が入力される。
４７は表示回路で、充電完了状態等、情報を表示する回
路、４８はバッテリチエツク回路で電源電圧をモータし
ている回路である。表示回路４７は、μｍＣｏｍ３６の
Ｓｏ端子、バッテリチエツク回路４８はμｍＣｏｍ３６
のＳ９端子に接続される。
路、４８はバッテリチエツク回路で電源電圧をモータし
ている回路である。表示回路４７は、μｍＣｏｍ３６の
Ｓｏ端子、バッテリチエツク回路４８はμｍＣｏｍ３６
のＳ９端子に接続される。
次に動作について説明する。
第５図に発振・充電に関するフローチャートを示す。
電源スィッチ２をオンすると電源１により定電圧源３が
動作し、定電圧Ｖｃｃ、ＶｒｅｆＶ ｒ ｅ ｆ ｚ
、 Ｖ ｒ ｅ ｆ ｓが発生する。これにより各回路
の電源がオンする。またＶｃｅ立ち上げによりコンデン
サ４、抵抗５によりリセットパルスが発生μ−Ｃｏｍ３
６とラッチ回路３２．４６’ｃこりセットがかかり初期
化する。
動作し、定電圧Ｖｃｃ、ＶｒｅｆＶ ｒ ｅ ｆ ｚ
、 Ｖ ｒ ｅ ｆ ｓが発生する。これにより各回路
の電源がオンする。またＶｃｅ立ち上げによりコンデン
サ４、抵抗５によりリセットパルスが発生μ−Ｃｏｍ３
６とラッチ回路３２．４６’ｃこりセットがかかり初期
化する。
まず初めは、発振動作が行なわれていないため主コンデ
ンサ２４の電圧検知のための抵抗２１２２の分圧値が充
電完了レベルに達していないため、コンパレータ３１の
出力はＬＬとなりラッチ回路３３の出力ＱはＬＬのまま
である。
ンサ２４の電圧検知のための抵抗２１２２の分圧値が充
電完了レベルに達していないため、コンパレータ３１の
出力はＬＬとなりラッチ回路３３の出力ＱはＬＬのまま
である。
同様にコンパレータ４５の出力はＬＬとなり、ラッチ回
路４６の出力ＱはＬＬのままである。コンパレータ３２
の出力はＶ ｒ ｅ ｆ ｚの電圧に達するまでＨＬと
なるのでステップ１．２及び後述のステップ３′を介し
てステップ３にてμｍＣｏｍ３６の出力Ｓ３端子はＨＬ
となる。Ｓ３端子信号は抵抗６、ダイオード７を介して
ｎｐｎ−Ｔｒｌｏのベースに電流が流れｎｐｎ−Ｔｒｉ
ｏがオンし、これによりｐｎｐ−Ｔｒｌｌをオンし、発
振トランス１２の１次巻線１２ａに電流が流れ、２次側
に電圧を励起する。
路４６の出力ＱはＬＬのままである。コンパレータ３２
の出力はＶ ｒ ｅ ｆ ｚの電圧に達するまでＨＬと
なるのでステップ１．２及び後述のステップ３′を介し
てステップ３にてμｍＣｏｍ３６の出力Ｓ３端子はＨＬ
となる。Ｓ３端子信号は抵抗６、ダイオード７を介して
ｎｐｎ−Ｔｒｌｏのベースに電流が流れｎｐｎ−Ｔｒｉ
ｏがオンし、これによりｐｎｐ−Ｔｒｌｌをオンし、発
振トランス１２の１次巻線１２ａに電流が流れ、２次側
に電圧を励起する。
このとき帰還巻線１２ｂにも電圧が励起し、ｎｐｎ−Ｔ
ｒｉｏのエミッタ電圧をもちあげる。
ｒｉｏのエミッタ電圧をもちあげる。
このためｎｐｎ−Ｔｒｉｏがオフしｐｎｐ−Ｔｒｌｌが
オフする。
オフする。
これをくりかえして発振が行なわれ２次側に高圧が発生
する。なお、２次側は１２ｃと１２６に分かれており、
１２ｃは高圧用で主コンデンサ２４の充電のための２次
巻線で１２ｄはスイッチング素子（ＩＧＢＴ等）の駆動
電圧用の２次巻線である。
する。なお、２次側は１２ｃと１２６に分かれており、
１２ｃは高圧用で主コンデンサ２４の充電のための２次
巻線で１２ｄはスイッチング素子（ＩＧＢＴ等）の駆動
電圧用の２次巻線である。
発振トランスの２次巻線１２ｃより出力された高圧電圧
をダイオード１３で整流し、主コンデンサ２４に充電し
ていく。又、抵抗２５を介してコンデンサ２６も充電す
る。この主コンデンサ２４の両端の電圧を抵抗２１．２
２により電圧検知し、発光可能な充完レベルに達すると
、すなわち充完レベルに対応する基準電圧Ｖｒｅｆ、よ
り大きくなると、コンパレータ３１の出力はＨＬとなり
ラッチ回路３３の出力Ｑ端子はＨＬとなり、ラッチがか
かる。これにて、ステップ１からステップ４に進む。ス
テップ４では抵抗４１．４２による分圧値がコンデンサ
１５の充完レベルに対応するＶ ｒ ｅ ｆ ３電圧以
下のときはステップ５６にてＳ２端子をＬＬ％Ｓ６端子
なＨＬにして発光を禁止する。Ｖ ｒ ｅ ｆ ｓ電圧
以上で、充完していたらステップ７に進みＸオン後の発
光許可を行ない、発光動作の割り込みが可能となる。こ
のとき、μｍＣｏｍ３６のＳ８端子より充完の表示を表
示回路４７で行なう。主コンデンサ２４の電圧がフル充
完、すなわちレギュレータ電圧に対応する基準電圧Ｖ
ｒ ｅ ｆ ２以上になったら、コンパレータ３２の出
力はＬＬになりステップ８にてμｍＣｏｍ３６のＳ３端
子はＬＬとなり、昇圧回路１００の発振動作は停止する
。
をダイオード１３で整流し、主コンデンサ２４に充電し
ていく。又、抵抗２５を介してコンデンサ２６も充電す
る。この主コンデンサ２４の両端の電圧を抵抗２１．２
２により電圧検知し、発光可能な充完レベルに達すると
、すなわち充完レベルに対応する基準電圧Ｖｒｅｆ、よ
り大きくなると、コンパレータ３１の出力はＨＬとなり
ラッチ回路３３の出力Ｑ端子はＨＬとなり、ラッチがか
かる。これにて、ステップ１からステップ４に進む。ス
テップ４では抵抗４１．４２による分圧値がコンデンサ
１５の充完レベルに対応するＶ ｒ ｅ ｆ ３電圧以
下のときはステップ５６にてＳ２端子をＬＬ％Ｓ６端子
なＨＬにして発光を禁止する。Ｖ ｒ ｅ ｆ ｓ電圧
以上で、充完していたらステップ７に進みＸオン後の発
光許可を行ない、発光動作の割り込みが可能となる。こ
のとき、μｍＣｏｍ３６のＳ８端子より充完の表示を表
示回路４７で行なう。主コンデンサ２４の電圧がフル充
完、すなわちレギュレータ電圧に対応する基準電圧Ｖ
ｒ ｅ ｆ ２以上になったら、コンパレータ３２の出
力はＬＬになりステップ８にてμｍＣｏｍ３６のＳ３端
子はＬＬとなり、昇圧回路１００の発振動作は停止する
。
発振停止とともに、抵抗２１．２２の分圧電圧が低下す
るため、また発振動作をくりかえす。
るため、また発振動作をくりかえす。
尚、発振動作が繰り返される際に、急激に電源の電流を
引くため電源電圧が低下する。電源低下による定電圧電
源の動作不良を防ぐためバッテリチエツク回路４８が設
けられて、電源ｌの電圧が一定電圧以下になったら回路
４８はＨＬを出力し、μｍＣｏｍ３６のＳ９端子にＨＬ
出力信号を送る。このＨＬをステップ３′にて検知して
おり、ステップ３′にて、Ｓ、端子の出力を禁止する。
引くため電源電圧が低下する。電源低下による定電圧電
源の動作不良を防ぐためバッテリチエツク回路４８が設
けられて、電源ｌの電圧が一定電圧以下になったら回路
４８はＨＬを出力し、μｍＣｏｍ３６のＳ９端子にＨＬ
出力信号を送る。このＨＬをステップ３′にて検知して
おり、ステップ３′にて、Ｓ、端子の出力を禁止する。
これにより、昇圧回路１００は発振が停止し電源電圧が
回復したら、バッテリチエツク回路４８の出力はＬＬと
なり、ステップ３′、３にてμｍＣｏｍ３６のＳ、端子
出力の禁止をやめる。このように発振をくりかえして充
電を行なう。
回復したら、バッテリチエツク回路４８の出力はＬＬと
なり、ステップ３′、３にてμｍＣｏｍ３６のＳ、端子
出力の禁止をやめる。このように発振をくりかえして充
電を行なう。
次に発光動作であるが、これは第１図実施例と同一であ
るのでその説明は省略する。
るのでその説明は省略する。
第６図は本発明の他の一実施例を示す回路図で、第４図
実施例と同一構成部には同一記号が附されている。
実施例と同一構成部には同一記号が附されている。
第６図において２０１はｐｎｐ−Ｔｒでエミッタにコン
デンサ１５が接続されている。２０２はｎｐｎ−Ｔｒで
ｐｎｐ−Ｔｒ２０１のベースにｎｐｎ−Ｔｒ２０２のコ
レクタが接続されているｎｐｎ−Ｔｒ２０２のエミッタ
にはＧＮＤが接続されている。２０３は抵抗でｎｐｎ−
Ｔｒ２０２のベース抵抗になっておりμｍＣｏｍ３６の
Ｓ＋。
デンサ１５が接続されている。２０２はｎｐｎ−Ｔｒで
ｐｎｐ−Ｔｒ２０１のベースにｎｐｎ−Ｔｒ２０２のコ
レクタが接続されているｎｐｎ−Ｔｒ２０２のエミッタ
にはＧＮＤが接続されている。２０３は抵抗でｎｐｎ−
Ｔｒ２０２のベース抵抗になっておりμｍＣｏｍ３６の
Ｓ＋。
端子に接続されている。Ｓｈｏ端子は出力端子でコンデ
ンサ１５の電圧を検知するどきＨＬとなる端子である。
ンサ１５の電圧を検知するどきＨＬとなる端子である。
２０４．２０５は抵抗でｐｎｐ−Ｔｒ２０１オン時、コ
ンデンサ１５の電圧を測定する抵抗でその分圧点はコン
パレータ４５の正端子に接続されている。
ンデンサ１５の電圧を測定する抵抗でその分圧点はコン
パレータ４５の正端子に接続されている。
コンパレータ４５の出力はμｍＣｏｍ３６のＳｌ＋端子
に接続されコンデンサ１５が充完していたらＨＬの信号
を受は取る。
に接続されコンデンサ１５が充完していたらＨＬの信号
を受は取る。
該第６図実施例の発振フローは第５図のフローとほぼ同
一であり、第５図のステップ４をＳ ＩＩ＝ＨＬとし、
更にステップ４の実行前に端子Ｓ、。から一定時間ＨＬ
を出力ステップを追加したフローを用いて制御される。
一であり、第５図のステップ４をＳ ＩＩ＝ＨＬとし、
更にステップ４の実行前に端子Ｓ、。から一定時間ＨＬ
を出力ステップを追加したフローを用いて制御される。
又、発光動作フローは第３図のフローとほぼ同一である
が、第３図のステップ１１実行前に端子Ｓ、。からＨＬ
を出力してコンデンサ１５の充電レベル検知を行なわせ
るとともに、その充電レベル検知結果として端子Ｓｌｌ
がＬＬの時には端子Ｓ３をＨＬとして端子Ｓ、がＨＬと
なるまで待ち、端子Ｓ、がＨＬとなることでステップ１
１に進ませる様に制御される。
が、第３図のステップ１１実行前に端子Ｓ、。からＨＬ
を出力してコンデンサ１５の充電レベル検知を行なわせ
るとともに、その充電レベル検知結果として端子Ｓｌｌ
がＬＬの時には端子Ｓ３をＨＬとして端子Ｓ、がＨＬと
なるまで待ち、端子Ｓ、がＨＬとなることでステップ１
１に進ませる様に制御される。
［効 果］
以上の如く本発明に係る閃光装置では大電流スイッチン
グ素子のゲート駆動電圧を主コンデンサの充電系とは別
経路にて得たものであるので、従来装置のように主コン
デンサの充電電圧が低下してしまう様な不都合を防止し
得るものである。
グ素子のゲート駆動電圧を主コンデンサの充電系とは別
経路にて得たものであるので、従来装置のように主コン
デンサの充電電圧が低下してしまう様な不都合を防止し
得るものである。
尚、実施例では大電流スイッチング素子としてはＩＧＢ
Ｔを示したが、制御極に駆動電圧を印加している間導通
状態となる素子なら他の素子を用いても良いことはもち
ろんである。
Ｔを示したが、制御極に駆動電圧を印加している間導通
状態となる素子なら他の素子を用いても良いことはもち
ろんである。
第１図は本発明に係る閃光装置の一実施例を示す回路図
、第２図、第３図は第１図実施例の制御フローを示す説
明図、第４図は本発明の他の一実施例を示す回路図、第
５図は第４図実施例の制御フローを示す説明図、第６図
は本発明の他の一実施例を示す回路図である。 １２・・・発振トランス １５・・・ゲート駆動電圧用コンデンサ２４・・・主コ
ンデンサ ３０・・・スイッチング素子 ３６・・・マイクロコンピュータ−
、第２図、第３図は第１図実施例の制御フローを示す説
明図、第４図は本発明の他の一実施例を示す回路図、第
５図は第４図実施例の制御フローを示す説明図、第６図
は本発明の他の一実施例を示す回路図である。 １２・・・発振トランス １５・・・ゲート駆動電圧用コンデンサ２４・・・主コ
ンデンサ ３０・・・スイッチング素子 ３６・・・マイクロコンピュータ−
Claims (2)
- （１）主コンデンサからの電荷によって内光を発生する
閃光放電管を有し、ゲート電圧のオンオフによりスイッ
チする大電流スイッチング素子で発光を制御する内光装
置において、昇圧回路を構成するトランスの出力コイル
の出力端を分割し第１の出力端からの電圧にて主コンデ
ンサを充電し、第２の出力端からの電圧にて、前記スイ
ッチング素子のゲート電圧を得ることを特徴とする閃光
装置。 - （２）前記第２の出力端からの電圧にて充電されるゲー
ト電圧供給用コンデンサが設けられ該コンデンサの充電
電圧にて前記スイッチング素子のゲート電圧が供給され
る特許請求の範囲第１項の閃光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31993189A JP2974347B2 (ja) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | 閃光撮影システム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31993189A JP2974347B2 (ja) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | 閃光撮影システム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03182095A true JPH03182095A (ja) | 1991-08-08 |
| JP2974347B2 JP2974347B2 (ja) | 1999-11-10 |
Family
ID=18115838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31993189A Expired - Fee Related JP2974347B2 (ja) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | 閃光撮影システム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2974347B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5532555A (en) * | 1994-03-07 | 1996-07-02 | Olympus Optical Co., Ltd. | Electronic flash apparatus using gate controlled switching device directly driven by CPU |
| CN106364328A (zh) * | 2016-09-30 | 2017-02-01 | 新风光电子科技股份有限公司 | 制动能量吸收装置及其控制方法 |
-
1989
- 1989-12-08 JP JP31993189A patent/JP2974347B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5532555A (en) * | 1994-03-07 | 1996-07-02 | Olympus Optical Co., Ltd. | Electronic flash apparatus using gate controlled switching device directly driven by CPU |
| CN106364328A (zh) * | 2016-09-30 | 2017-02-01 | 新风光电子科技股份有限公司 | 制动能量吸收装置及其控制方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2974347B2 (ja) | 1999-11-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |