JPH03183045A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野］ 本発明は光磁気記録に用いられる光磁気記録媒体に関す
るちので、特にその多層膜の構造と光磁気記録膜の材料
に関する。

［従来の技術１ 特許出願公告間６２−２７４５８に示されるごとくに、
カー回転角を増大するため、あるいは光磁気記録膜の耐
候性を向上させるために光磁気記録膜の両側に保護膜を
設けたり、反射層を構成することが行われていた。また
光磁気配！！ＩＩＩとしては、特許出願公開間５９−１
５９５０９．５９−１５９５１０等に示されるごく、Ｔ
ｂＦｅＣｏが用いられるのが一般的である。

［発明が解決しようとする課題］ 従来の技術においては、情報信号のＣ／Ｎ比を向上させ
るために重希土類と遷移金属からなる合金を光磁気記録
膜を用いて、第１保護膜・光磁気記録膜・第２保護膜・
反射膜の順に積層した４層構造をとっていた。しかし光
磁気配ＢａにＴｂなどの重希土類を用いると、記録パワ
ーに対する感度が悪くなり高い記録パワーを必要とする
欠点がある。また同時に記録バイアス磁場に対する感度
が悪くより大きな記録バイアス磁場を必要とするので、
消費電力の点からも発熱から６問題があった。そこで光
磁気記録膜に軽希土類であるＮｄを加え、記録パワー感
度と記録磁場感度を改善することが行われた。そこで本
発明は軽希土類のＮｄと重希土類のり、ｙと遷移金属で
あるＦｅとＣＯからなる合金を光磁気記録膜に用いて、
Ｎｄの組成比と希土類全体の組成比を最適化することに
より、低レーザーパワーかつ低磁場で記録できしかも高
いＣ／Ｎ比の信号を再生可能な光磁気記録媒体を提供す
ることを目的とする。

［課題を解決するための手段］ 本発明の光磁気記録媒体は基板上に少なくとも第１保護
膜・光磁気記録膜・第２保護膜・反射膜の順に積層した
光磁気記録媒体において、前記光磁気記録膜の組成が軽
希土類のＮｄと重希土類のＤｙと遷移金属のＦｅとＣＯ
から構成される合金で、かつ前記光磁気記録膜の組成を Ｎｄｘ　Ｄ：Ｊｙ　　（ＦｅＣｏ）　＋０Ｏ−ｘ−ＩＴ
で表したとき ２≦ｘ≦５ ２５≦ｘ＋ｙ≦３０ であることを特徴とする。

〔実　施　例］ 以下に実施例に基づいて本発明の詳細な説明する。

（実施例１） Ｎｄｘ　Ｄｙ２ｔ、＊−＊Ｆｅ＊ｍ、ｍＣＯｘ。

なる組成の非結晶膜を光磁気記録膜とし、ｌ、６ミクロ
ンピッチのスパイラル状の案内溝を有する直径１３０ｍ
ｍのポリカーボネート基板上に、第１保護膜／光磁気記
録膜／第２保護膜／反射膜の順に成膜して光磁気記録媒
体を作成した。第１図は本実施例の膜構成を示したちの
である。第１保護膜／第２保護膜は窒化アルミニウムシ
リコンである０反射膜にはアルミニウムタンクルを用い
た０本発明の実施例として上記組成のうちＸ＝３、Ｏａ
ｔ％からｘ＝５．Ｏａｔ％の間とした記録膜を有する光
磁気記録媒体を作製した。比較例としてその領域以外の
Ｘの値を有する光磁気記録媒体を作製した。サンプルの
番号と記録膜組成の関係を第１表に示した。

以下に、作製した光磁気記録媒体の電気特性についての
評価結果を述べる。評価は７．５ｍ／ｓｅｃの線速度で
４．９ＭＨｚの信号を記録することによって行った。

まず記録レーザーパワーとＣ／Ｎ比の関係について述べ
る。信号は３０００ｅのバイアス磁界のもとで記録した
。第２図はＮｄの組成比Ｘを変えたときの記録レーザー
パワーと搬送波対ノイズ比（Ｃ／Ｎ比）の関係である。

飽和したときのＣ／Ｎ比は、Ｘが３ａｔ％のとき最大値
となることがわかる。このとき記録レーザーパワーに対
する媒体の記録感度は、Ｘがｆａｔ％のとき本発明の実
施例に比べて０．５ｍＷはど悪くなることがわかる。

次にＮｄの組成比Ｘの値を更に細かく変えて、記録レー
ザーパワーとＣ／Ｎ比の関係を調べる。

第３図に、Ｘと記録レーザーパワーに対するＣ／Ｎ比の
関係を示した。Ｘが２ａｔ％から５ａｔ％のときＣ／Ｎ
比が５０ｄＢを越え、それ以外の組成領域と比較して１
ｄＢ以上高くなっていることがわかる。第４図に、Ｎｄ
の組成比ＸとＣ／Ｎ比が飽和したときの記録レーザーパ
ワーの関係を示した。Ｘが２ａｔ％を下回ると記録パワ
ー感度が悪くなることがわかる。

第５図に記録磁場とＣ／Ｎ比の関係を示した。

Ｎｄの組成比Ｘが本発明の組成領域即ち２から５ａｔ％
からはずれたとき、飽和時の記録バイアス磁界は高くな
ってしまう、このことは第６図に更に詳しく示されてい
る。第６図では、Ｘの値を０．５ａｔ％づつ変えたとき
Ｃ／Ｎ比が飽和するバイアス磁界が示されている。Ｘが
２から５ａｔ％であれば１２５０ｅから１５００ｅの低
いバイアス磁界でＣ／Ｎ比が飽和することがわかる。

（実施例２） Ｎｄｘ　Ｄ　ｙｙ　　（Ｆ　ｅ　ＣＯ）　＋ｏｏ−＋＋
−ｙなる組成の非晶質膜を光磁気記録膜とし、１．６ミ
クロンピッチのスパイラル状の案内溝を有する直径１３
０ｍｍのポリカーボネート基板上に、第１保護膜／光磁
気記録膜／第２保護膜／反射膜の順に成膜して光磁気記
録媒体を作成した。第１図は本実施例の膜構成を示した
ものである。第１保護膜／第２保護膜は窒化アルミニウ
ムシリコンである０反射膜にはアルミニウムタンタルを
用いた。

以下に、作成した光磁気記録媒体の電気特性についての
評価結果を述べる。評価は７．５ｍ／５ｅｃｌｒ３速度
で４．９ＭＨｚの信号を記録することによって行った。

第７図に、希土類の組成比ｘ＋ｙと記録レーザーパワー
に対して飽和したときのＣ／Ｎ比の関係を示した。Ｘ＋
ｙが２４ａｔ％に下がったり３０ａｔ％を越えると、Ｃ
／Ｎ比は本発明の実施例の範囲である２５ａｔ％≦ｘ＋
ｙ≦３０ａｔ％での値よりｌｄＢ以上減少することがわ
かる。

第８図に、希土類の組成比ｘ＋ｙと記録飽和磁場の関係
を示した。ｘ＋ｙが２４ａｔ％に下がったり３０ａｔ％
を越えると、記録飽和磁場は本発明の実施例の範囲であ
る２５ａｔ％≦ｘ＋ｙ≦３０ａｔ％での値より２５０ｅ
以上大きくなってしまう。

なお、本発明はこれらの実施例に限定されると考えられ
るべきではなく１本発明の主旨を逸脱しないかぎり種々
の変更は可能である。

例えば第１保護膜、第２保護膜は窒化物あるいは酸化物
のセラミックであればよい、また反射膜はアルミニウム
チタンであって６本実施例と同等の特性を持ちえる。さ
らに基板はガラスであって６よい。

［発明の効果］ 以上述べたように本発明によれば、低レーザーパワーか
つ低磁場で記録できしかも高いＣ／Ｎ比の信号を再生可
能な光磁気記録媒体を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光磁気記録媒体における構造を示す図
である。 第２図はＮｄの組成比Ｘを変えたときの、記録レーザー
パワーとＣ／Ｎ比の関係を示す図である。Ｘはｘ＝１ａ
ｔ％、○はｘ＝３ａｔ％、■はｘ＝５ａｔ％、△はｘ＝
７ａｔ％である。 第３図はＮｄの組成比ＸとＣ／Ｎ比の関係を示す図であ
る。 第４図はＮｄの組成比ＸとＣ／Ｎ比が飽和したときの記
録レーザーパワーの関係を示す図である。 第５図はＮｄの組成比Ｘを変えたときの、記録バイアス
磁場とＣ／Ｎ比の関係を示す図である。 ＸはＸ＝ｌａｔ％、○はｘ＝３ａｔ％、■はＸ＝５ａｔ
％、△はｘ＝７ａｔ％である。 第６図はＮｄの組成比Ｘと飽和磁場の関係を示す図であ
る。 第７図は希土類の組成比ｘ＋ｙとＣ／Ｎ比の関係を示す
図である。Ｘはｘ＝２ａｔ％、○はＸ＝５ａｔ％である
。 第８図は希土類の組成比ｘ＋ｙと飽和バイアス磁場の関
係を示す図である。Ｘはｘ＝２　ａ　ｔ％。 Ｏはｘ＝５ａｔ％である。 ・基板 ・第１保護膜 光磁気記録層 ・第２保護膜 ・反射膜 以上

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に少なくとも第１保護膜・光磁気記録膜・
   第２保護膜・反射膜の順に積層した光磁気記録媒体にお
   いて、前記光磁気記録膜の組成が軽希土類のＮｄと重希
   土類のＤｙと遷移金属のＦｅとＣｏから構成される合金
   で、かつ前記光磁気記録膜の組成を Ｎｄ＿ｘＤｙ＿ｙ（ＦｅＣｏ）＿１＿０＿０＿−＿ｘ＿
   −＿ｙで表したとき ２≦ｘ≦５ ２５≦ｘ＋ｙ≦３０ であることを特徴とする光磁気記録媒体。
2. （２）前記第１保護膜及び第２保護膜が窒化物であるこ
   とを特徴とする請求項１記載の光磁気記録媒体。
3. （３）前記第１保護膜及び第２保護膜が窒化アルミニウ
   ムシリコンであることを特徴とする請求項２記載の光磁
   気記録媒体。