JPH03183117A - リソグラフィ光源用固体レーザ装置 - Google Patents

リソグラフィ光源用固体レーザ装置

Info

Publication number
JPH03183117A
JPH03183117A JP2251445A JP25144590A JPH03183117A JP H03183117 A JPH03183117 A JP H03183117A JP 2251445 A JP2251445 A JP 2251445A JP 25144590 A JP25144590 A JP 25144590A JP H03183117 A JPH03183117 A JP H03183117A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solid
wavelength
laser
state laser
nonlinear optical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2251445A
Other languages
English (en)
Inventor
Akira Itani
井谷　彰
Kazuo Shimazaki
島崎　和男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsui Petrochemical Industries Ltd
Original Assignee
Mitsui Petrochemical Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsui Petrochemical Industries Ltd filed Critical Mitsui Petrochemical Industries Ltd
Publication of JPH03183117A publication Critical patent/JPH03183117A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70025—Production of exposure light, i.e. light sources by lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/101—Lasers provided with means to change the location from which, or the direction in which, laser radiation is emitted
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/35—Non-linear optics
    • G02F1/37—Non-linear optics for second-harmonic generation
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70575—Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength or matching of optical components to wavelength
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P76/00—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography
    • H10P76/20—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising organic materials
    • H10P76/204—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising organic materials of organic photoresist masks
    • H10P76/2041—Photolithographic processes
    • H10P76/2042—Photolithographic processes using lasers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/35—Non-linear optics
    • G02F1/353—Frequency conversion, i.e. wherein a light beam is generated with frequency components different from those of the incident light beams
    • G02F1/354—Third or higher harmonic generation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はリソグラフィ光源用固体レーザ装置に関するも
のである。
［従来の技術］ ＩＣの高集積度が増し製造プロセスが複雑化する中で、
半導体製造装置はますます神技に近い技術が求められて
いる。半導体製造装置業界は１６メガビツトダイナミツ
クラム（以下ＭＤＲＡＭという：記憶保持動作を必要と
する随時読み出し書き込みメモリ）はもちろ／、、６４
ＭＤＲＡＭ以降まで見据えた技術開発に取り組んでいる
。
半導体製造装置といってもその種類は露光装置、イオン
注入装置、エツチング（食刻）装置、ＣｖＤ（化学気相
成長法）装置、スパッタリング装置、検査装置、組立装
置など様々だカー　なかでもＩＣの集積度と関連して注
目を集めているのがステッパー（逐次移動式縮小露光装
置）である。これは光を利用して電子回路のパターンを
シリコンウェファ−上に焼き付ける装置である八　ステ
ッパーでどれだけ細い線が描かれるかがメモリーなどの
集積度を直接決めることにもなる。
リソグラフィ技術はこのような半導体デバイス微細化の
基本となる技術である。光露光を始めとして、電子ビー
ム露ＬＸ線露九　イオンビーム露光など各種リソグラフ
ィ技術について微細化への努力が進められている。
現在主流になっているリソグラフィ用光源は超高圧水銀
灯のＧ線（４３６ｎｍ）であるカー　Ｉ線（３６５ｎｍ
）を使用したタイプも発表されている。さらに将来の微
細加工には光露光としてＫｒＦエキシマレーザ（波長２
４８ｎｍ）型のステッパーで対応する計画が進行中であ
る。
［発明が解決しようとする問題点］ しかしＧＩＩＡ　（４３６ｎｍ）、　１線（３６５ｎｍ
）ではＩＣの集積度が光源波長の制約から限られており
、　１６ＭＤＲＡＭまでと考えられている。更に集積度
を高くするには短波長のエキシマレーザが次世代光源と
して候補に上がり研究開発が進められている。
しかし　エキシマレーザはＩＣ製造ラインに導入される
にあたり不備な点が多い。従来のＩＣ製造工場では使わ
れることの無かったフッソガスが初めて導入されるわけ
である八　かなり危険なガスであるためガス配管材料、
配管方式などの十分な安全対策が要求される。
また周辺装置としてガス設備が必要であり装置が大型し
設置場所も制約されることのほか発電騒音対策（ガス循
環設備）も必要と思われる。
本発明は、上記実情を鑑み威したものであり、エキシマ
レーザ並みに短波長化したコンパクトな固体レーザ装置
をリソグラフィ用光源として実現しようとするものであ
る。
［問題点を解決するための手段］ 本発明の固体レーザ装置ＩＬ　　固体レーザと、この固
体レーザから出力される固体レーザ光を波長変換して短
波長化する非線形光学材料とを備え、リソグラフィ用光
源として使用することを特徴とする装置である。
［作用］ 本発明を用いれば１６ＭＤＲＡＭ以降１７）ＩＣ集積度
に対応しかつＩＣ製造プロセスに適するリソグラフィ用
光源が得られる。
以下、本発明の具体的態様を説明する。
本発明で用いる固体レーザとして１九　各種固体レーザ
、例えＣＩ、ＹＡＧレーザ、ルビーレーザ（Ｃｒ”：　
　Ａｌ、Ｏ，ｊＣｒ”を活性物質とシテ母体結晶中のＡ
１に置換したもの」）、ガラスレーザ、アレキサンドラ
イトレーザ（Ｃｒ３◆：ＢｅＡ１２０４）、ガーネット
レーザ（Ｃｒ”：　　Ｙ３Ｇａ５０１２Ｃｒ３”：　　
Ｇｄ３Ｇａ、Ｏ，、、Ｃｒｓ”：　　Ｙ、５ｃ２Ｇａ、
０．２．　　Ｃｒ３＋：　　Ｇｄ、５ｃ２Ｇａ、０．２
．Ｃｒ”：Ｇｄ、５ｃ２Ａｌ、０，２．Ｃｒ”：　　Ｌ
ａ３Ｌｕ２Ｇａ。
０１、）サファイアレーザ（Ｔｉｎ◆：ＡｌｔＯｓ）等
を使用できる。また、Ｃｅ”◆を活性物質としたＹＬＦ
レーザでは３０８ｎｍ　〜３２５ｎｍの発振光が得られ
る。
ここで、アレキサンドライトレーザ、ガーネットレーザ
、サファイアレーザ等は発振波長に一定の幅を有するも
の１転　波長可変固体レーザのレーザ媒質として用いる
ことができ、この波長可変固体レーザを本発明の固体レ
ーザとして用いることもできる。
ここで、波長可変固体レーザ（丸　エネルギー幅の広い
レーザ遷移を持つ固体であるレーザ媒質と、十分広い波
長範囲をもつ共振器と、発振波長を同調させる素子とを
備えたもので、波長同調素子と共振器とを兼ねた、波長
選択性を持つ共振器を使用する場合もある。波長可変固
体レーザの他の例として半導体レーザを使用したものも
例示できる。
波長可変固体レーザを用いることで、最適な波長が得ら
れるという点で効果的である。
これら固体レーザから出力されるレーザ光の波長は以下
の第１表のようにほぼ６８０〜２５００ｎｍの範囲にあ
る。この内６８０−１２００ｎｍの範囲のものがよい。
固体レーザから出力されるレーザ１叡　光非線形光学材
料により、例えＩｆ、１６０〜６００ｎｍ。
より好ましい範囲では２００ｎｍ〜３００ｎｍの短波長
に波長変換される。
非線形光学材料としては、無機　有機いずれも使用でき
、非線形光学無機材料として臥　（ベータ型ホウ酸バリ
ウム（β−ＢａＢａＯ＊）の単結みＫ　Ｈ４Ｆ　Ｏ，単
結Ｊｋ、ＫＢｓＯｎ・４Ｈ，Ｏ単結龜ＫＤ２ＰＯ，、Ｌ
ｉＢ１Ｏｓ、ＫＴｉＯＰＯ，、Ｌ　ｉ　Ｉ　Ｏｓ、ＫＮ
、Ｏ，、ＮＨ，Ｈ２ＰＯ，、Ｒ６Ｈ２Ａ　ｓ　Ｏａ、Ｃ
ｓＨ，Ａｓ１４、Ｒ，Ｈ，ＰＯ４、Ｃｓ　Ｄ２　Ａ　ｓ
　Ｏａ、ＬｉＮ、Ｏ５、Ｂ　ａ２Ｎ　ａ　Ｎ　ｂｓｏ＋
ｓなどで例示される非線形光学結晶を例示でき、好まし
く鷹　β−Ｂ　ａ　Ｂ　２０ａ、Ｋ　Ｔ　ｉ　ＯＰ　Ｏ
ａ　がよい。これら結晶１３　　少なくともレーザー光
の入射面が球面状態となっており、この結晶のＸ２面に
平行でかっＺ軸とのなす角度がレーザ光の波長変換の際
の位相整合角を含むように表面が球面状になっている。
また、非線形光学有機材料としてｊ戴　ＵＲＥＡ（尿素
）、ｄ　　ＬＡＰ　（（Ｄ２Ｎ２）’２ＣＮＤ　（ＣＨ
ｅ）３ＣＨ（ＮＤ３）　４Ｃｏｏ−Ｄ２ＰＯ，−Ｄ２０
）、ＭＮＡ（２−メチル−４・ニトロアニリン）、ＭＡ
Ｐ（メチル−（２，４−ジニトロフェニル）−アミノー
２−プロパネート）、ＰＯＭ（３−メチル−４−ニトロ
ピリジン−ｌ−オキサイド）、ｍＮＡ（メタ−ニトロア
ニリン）を例示できる。このなかでもＵＲＥＡ、ｄ−Ｌ
ＡＰが好適である。
β−ＢａＢ２０４単結晶の場合、レーザ光取　この単結
晶のＸ２面にレーザ光の偏光方向がこの結晶のＹ方向に
平行となるように入射させる。
非線形光学有機材料に　固体レーザからのレーザ光が入
射されると、基本波とともに第２高調波、第３高調波、
第４高調波というよう番：、ｎ倍の高調波（ｎ＝自然数
）を発生する。そして、このような高調波をプリズムあ
るいはビーム・スプリッタ等で分離することで短波長レ
ーザ光が得られる。
通常、第３高調波に発生に関しては２次の非線形光学効
果による第２高調波と基本波による光混合（ミキシング
）の方が高効率でありこの和周波混合が利用される。
ここで、非線形光学材料の種類によって波長変換特性が
異なる。
例え１！、Ｋ　Ｔ　ｉ　ＯＰ　Ｏａでは固体レーザから
出力された１１０６４ｎの光が５３２ｎｍに波長変換さ
れる。
β−Ｂ　ａ　Ｂ、Ｏ，では固体レーザから出力された１
１０６４ｎの光を３個のβ−Ｂ　ａ　Ｂ、Ｏａ結晶で２
１２．８ｎｍに波長変換できる。
Ｋ　Ｔ　ｉ　ＯＰ　Ｏａで１１０６４ｎの光を５３２ｎ
ｍに波長変換し　さらにそれをβ−ＢａＢ２（Ｌで２６
６ｎｍとしたのち、さらにβ−Ｂ　ａ　Ｂ、Ｏａで２１
２、８ｎｍにすることができる。
以上のようにして得ら也　短波長化されたレーザ光は、
本発明において、半導体製造の際に行うリソグラフィの
光源として用いられる。本発明で得られるレーザ光の波
長は１６０−１２００ｎｒｒＬ％より好ましい範囲では
２００ｎｍ〜３００ｎｍの短波長であるため、より高集
積化された半導体の製造ができる。
本発明では、非線形光学材料により波長変換されて得ら
れたレーザ光の強度分布を均一な光にするインテグレー
タを備えることが好適で、このインテグレータにより、
照明強度分布が均一でむらの無い光が得ら札　リソグラ
フィ用短波長光源としてより最適なものとなる。
インテグレータとして１モ　　光学ガラスの一面あるい
は両面に小さな凸レンズあるいは凹レンズを均一に形威
したもの、あるい眠　光学ガラスの一面あるいは両面に
凸レンズあるいは凹レンズ状の筋を同心円状あるいは平
行に形威したものなど、あるいＬ　　各種レンズの組合
せにより形威したものを例示できるカー　要は入射され
たレーザ光が均一な光となればどのようなインテグレー
タを使用してもよい。
なお、リソグラフィ臥　半導体レジスト上をトレーザ光
で走査して半導体パターンを描くスキャン式と、半導体
パターンを描いたマスクを介して露光するマスク式があ
るカー　本発明では、インテグレータを用いない場合は
前者に適用でき、インテグレータを用いた場合は後者に
適用される。
以上により、固体レーザ光の波長を非線形光学材料を用
いてエキシマレーザ並みに短波長化したリソグラフィ用
光源用固体レーザ装置が得られる。
［実施例］ 以下第１図を参照しつつ本発明の詳細な説明する。
この実施例の装置は、波長可変固体レーザからのレーザ
光をβ−ＢａＢ、０．で短波長化し　インテグレータで
均一化するようにしたものである。
波長可変固体レーザ（叡　アレキサンドライトレーザを
使用している。
第１図に示したように　リアミラー１、Ｑ−スイッチセ
ル２、アレキサンドライトロッド（レーザ媒質）３、複
屈折フィルター（波長同調素子）４、エタロン（波長狭
帯域化素子）５、出力ミラー７が一直線状に配置されて
波長可変固体レーザ（Ｌ）が形威さ札　この固体レーザ
（Ｌ）から、アレキサンドライト基本レーザ光が出力さ
れるようになっている。
この波長可変固体レーザ（Ｌ）の出力ミラー側に　順次
、第１非線形光学材料（β−ＢａＢｚＯａ）８、波長板
１０、第２非線形光学材料（β−ＢａＢ、０．）　　１
１、プリズム１３が直線状に配置さへさら＆へ　プリズ
ム１３の近傍にインテグレータ１４が配置されている。
ここで、波長板１ｏとは複屈折をもつ結晶から切り出し
た１枚の平行平面板πの位相差を与えるものを１／２波
長板、２πの位相差を与えるものを１波長板という。こ
こでは１／２波長板を用いる。
以下、この一実施例の装置を用いたりソゲラフイエ程を
説明する。
アレキサンドライトレーザ光は共振器（リアミラー１及
び出力ミラー７）内にブリュウースター角に配設した複
屈折フィルター４で発振波長を７４４ｎｍに同調さ札　
更に光軸上に配設したエタロン５で発振スペクトルを狭
帯域化（ｏ、ｏｏｓｎｍ以下）される。こうして得られ
たレーザ光（基本波）６は第１非線形光学材料　（β−
ＢａＢ。
０４）８を透過味　該結晶８は基本波光の一部を第２高
調波（３７２ｎｍ）９に変換する。次＆；基本波６と第
２高調波９を波長板１０に入射し偏光面を一致させる。
偏光面が一致した基本波６と第２高調波９は第２非線形
光学材料（β−ＢａＢ２０４）１１に入射される。第２
非線形光学材料１１は基本波６と第２高調波９とをミキ
シングし第３高調波（２４８ｎｍ）１２を発生させる。
第２非線形光学材料１１を透過したレーザ光は第３高調
波１２以外の波長を有するものも含まれており、プリズ
ム１３でこれらは分離される。プリズム１３で分離され
た第３高調波１２はインチグレーター１４に入射さ也　
光強度分布が均一化される。
［発明の効果］ 本発明を用いれば１６ＭＤＲＡＭ以降のＩＣ集積度に対
応しかつＩＣ製造プロセスに適するリソグラフィ用光源
をエキシマレーザに比較して、安全で、簡単な構成の固
体レーザによって得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明リソグラフィ用レーザ装置の一例を示し
た概略説明図である。 ｌ・・・リアミラー ２・・・Ｑ−スイッチ、 ３・・・アレキサンドライトロッド、 ４・・・複屈折フィルター ５・・・エタロン、 ６・・・アレキサンドライトレーザ基本波、７・・・出
力ミラー ８・・・第１非線形光学結龜 ９・・・第２高調波、 １０・・・波長板 １１・・・第２非線形光学結龜 １２・・・第３高調源 １３・　・　・プリズム、 １４・・・インチグレータ。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）固体レーザと、この固体レーザから出力される固
    体レーザ光を波長変換して短波長化する非線形光学材料
    とを備え、リソグラフィ用光源として使用することを特
    徴とする固体レーザ装置。
  2. （２）固体レーザが、波長可変レーザである請求項１記
    載の固体レーザ装置。
  3. （３）固体レーザが、アレキサンドライトレーザである
    請求項２記載の固体レーザ装置。
  4. （４）非線形光学材料により波長変換されて得られたレ
    ーザ光の波長が、２００ｎｍ〜３００ｎｍである請求項
    １〜３のいずれかに記載の固体レーザ装置。
  5. （５）非線形光学材料により波長変換されて得られたレ
    ーザ光を均一な光にするインテグレータを備えた請求項
    １〜４のいずれかの固体レーザ装置。
JP2251445A 1989-09-21 1990-09-20 リソグラフィ光源用固体レーザ装置 Pending JPH03183117A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24586089 1989-09-21
JP1-245860 1989-09-21

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH03183117A true JPH03183117A (ja) 1991-08-09

Family

ID=17139905

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2251445A Pending JPH03183117A (ja) 1989-09-21 1990-09-20 リソグラフィ光源用固体レーザ装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5113402A (ja)
EP (1) EP0418890A3 (ja)
JP (1) JPH03183117A (ja)
KR (1) KR910007200A (ja)
CA (1) CA2025871A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5838709A (en) * 1995-06-07 1998-11-17 Nikon Corporation Ultraviolet laser source
JP2006324601A (ja) * 2005-05-20 2006-11-30 Sunx Ltd レーザ装置及びレーザ加工装置
JP2007251147A (ja) * 2006-02-15 2007-09-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 露光方法及び半導体装置の作製方法
US8233203B2 (en) 2006-02-15 2012-07-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Exposure method and method of manufacturing semiconductor device

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5144630A (en) * 1991-07-29 1992-09-01 Jtt International, Inc. Multiwavelength solid state laser using frequency conversion techniques
US6450641B2 (en) 1992-06-02 2002-09-17 Lasersight Technologies, Inc. Method of corneal analysis using a checkered placido apparatus
USRE37504E1 (en) 1992-12-03 2002-01-08 Lasersight Technologies, Inc. Ophthalmic surgery method using non-contact scanning laser
US6716210B2 (en) 1992-12-03 2004-04-06 Lasersight Technologies, Inc. Refractive surgical laser apparatus and method
US5904678A (en) * 1995-06-19 1999-05-18 Lasersight Technologies, Inc. Multizone, multipass photorefractive keratectomy
US6210169B1 (en) * 1997-01-31 2001-04-03 Lasersight Technologies, Inc. Device and method for simulating ophthalmic surgery
US6007202A (en) 1997-10-23 1999-12-28 Lasersight Technologies, Inc. Eye illumination system and method
US6409718B1 (en) 1998-02-03 2002-06-25 Lasersight Technologies, Inc. Device and method for correcting astigmatism by laser ablation
US6497701B2 (en) 1999-04-30 2002-12-24 Visx, Incorporated Method and system for ablating surfaces with partially overlapping craters having consistent curvature
NL1012098C2 (nl) * 1999-05-19 2000-11-21 Stork Screens Bv Werkwijze voor het vervaardigen van een drukvorm, alsmede daarbij toepasbare laserinrichting.
US6882665B2 (en) * 2000-10-10 2005-04-19 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light wavelength converting module
JP2005057043A (ja) * 2003-08-04 2005-03-03 Topcon Corp 固体レーザ装置及び波長変換光学部材の製造方法
JP2006310743A (ja) * 2005-03-31 2006-11-09 Topcon Corp レーザ発振装置
US20080020083A1 (en) * 2006-06-06 2008-01-24 Kabushiki Kaisha Topcon Method for joining optical members, structure for integrating optical members and laser oscillation device
US8711470B2 (en) 2010-11-14 2014-04-29 Kla-Tencor Corporation High damage threshold frequency conversion system
EP2663898B1 (en) * 2011-01-12 2015-03-25 Eulitha A.G. Method and system for printing high-resolution periodic patterns

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4272694A (en) * 1979-11-15 1981-06-09 The University Of Rochester System for converting the frequency of coherent radiation
US4346314A (en) * 1980-05-01 1982-08-24 The University Of Rochester High power efficient frequency conversion of coherent radiation with nonlinear optical elements
US4599727A (en) * 1984-10-26 1986-07-08 Massachusetts Institute Of Technology Strontium aluminum fluoride laser
US4791927A (en) * 1985-12-26 1988-12-20 Allied Corporation Dual-wavelength laser scalpel background of the invention
JPS62162376A (ja) * 1986-01-11 1987-07-18 Asukaru:Kk コヒ−レントな紫外線の発生方法
JPS6489431A (en) * 1987-09-30 1989-04-03 Toshiba Corp Pattern transfer apparatus
US4873692A (en) * 1988-08-12 1989-10-10 Spectra-Physics Pulsed tunable solid state laser

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5838709A (en) * 1995-06-07 1998-11-17 Nikon Corporation Ultraviolet laser source
JP2006324601A (ja) * 2005-05-20 2006-11-30 Sunx Ltd レーザ装置及びレーザ加工装置
JP2007251147A (ja) * 2006-02-15 2007-09-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 露光方法及び半導体装置の作製方法
US8233203B2 (en) 2006-02-15 2012-07-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Exposure method and method of manufacturing semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
EP0418890A2 (en) 1991-03-27
KR910007200A (ko) 1991-04-30
EP0418890A3 (en) 1992-03-25
US5113402A (en) 1992-05-12
CA2025871A1 (en) 1991-03-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH03183117A (ja) リソグラフィ光源用固体レーザ装置
US7184616B2 (en) Method and apparatus for fiber Bragg grating production
US5940418A (en) Solid-state laser system for ultra-violet micro-lithography
US6373869B1 (en) System and method for generating coherent radiation at ultraviolet wavelengths
JP3514073B2 (ja) 紫外レーザ装置及び半導体露光装置
JP3594384B2 (ja) 半導体露光装置、投影露光装置及び回路パターン製造方法
US5473409A (en) Semiconductor light exposure device
JP2004086193A (ja) 光源装置及び光照射装置
US20200112137A1 (en) Laser system
US7397598B2 (en) Light source unit and light irradiation unit
JP2001269789A (ja) レーザ加工装置
US6836592B2 (en) Method and apparatus for fiber Bragg grating production
US20260088583A1 (en) Ultraviolet laser apparatus and electronic device manufacturing method
JPH1167623A (ja) 露光光源および露光装置ならびに半導体装置の製造方法
US5706076A (en) Semiconductor light exposure apparatus
JPH09236837A (ja) レーザー光源
JPH0750442A (ja) 加工用レーザ装置
JPH11251666A (ja) レーザ光発生方法及びその装置
US20260058429A1 (en) Laser apparatus, laser system, and method of manufacturing electronic device
US20250062587A1 (en) Laser system and electronic device manufacturing method
CN120940809A (zh) 激光系统、激光加工方法以及中介层的制造方法
WO1998022997A2 (en) Solid state laser system for ultra-violet micro-lithography
JPH10270326A (ja) 露光光源ならびに露光方法および露光装置
LIU Writing and Projection Lithography
JP2002050815A (ja) 光源装置、露光装置、露光装置の製造方法、及びデバイス製造方法