JPH0318354B2

JPH0318354B2 -

Info

Publication number: JPH0318354B2
Application number: JP56197217A
Authority: JP
Inventors: Tetsushi Nose; Noritaka Mochizuki; Masaki Fukaya; Toshuki Komatsu
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1981-12-08
Filing date: 1981-12-08
Publication date: 1991-03-12
Also published as: JPS5897861A

Description

【発明の詳細な説明】本発明はフアクシミリ等の読取り装置に関し、
特に、結像系を介して、指向性を有するセンサー
アレーで原稿を読取る読取り装置に関する。

近年薄膜センサーとしてアモルフアスシリコン
やCdSe等がコンパクトで長尺の原稿読取り系に
広く用いられつつある。その代表的な応用例がフ
アクシミリ等のデジタル画像装置である。第１図
は従来知られている薄膜センサーの構造の一例を
示す。第１図Ａに於て、１はアモルフアスシリコ
ン等の受光体、２ａ，２ｂはアルミニウム等の金
属電極、３はガラス等の基板である。薄膜センサ
ーをデジタルラインセンサーとして構成したとき
の１ビツトの拡大平面図が第１図Ｂであり、第１
図Ｂの断面４について示したのが第１図Ａの構造
である。電極２ａ及び２ｂには電圧が印加されて
おり、アモルフアスシリコン層１の内、斜線を施
した領域に光が入ると、出力電流の変化が起こ
り、光を感じる様になつている。第１図Ｂで受光
面が蛇行しているのは大きな出力電流を得るため
である。第１図Ａで示す様に、従来のセンサーの
構造では、光がどの方向から入射しても感度は余
り変化がない。このことは電極が透明電極であつ
ても同じことである。尚、以後便宜上、第１図Ａ
の構造をもつものを以下ではギヤツプタイプ
（Gap Type）と称する。

第１図Ａ，Ｂに示すフオトセンサーを用いたフ
アクシミリ等の読取り系の一実施例を第２図Ａ，
Ｂに示す。第２図に於い５は原稿で、６ａ，６
ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅは読み取られる原稿面で２
列の千島状配列をしており、結像系７ａ，７ｂ，
７ｃ，７ｄ，７ｅによつてラインセンサー８ａ，
８ｂ，８ｃ，８ｄ，８ｅにそれぞれ対応し分担し
て読みとられている。結像系を第２図Ａのように
復眼構成にすることによつて、原稿面からセンサ
ーまでの距離を短かくし、コンパクトな読取り系
を実現している。尚、矢印は原稿５が移動する方
向を示す。

第２図Ａのうち、各構成要素の千島状配列のう
ち、列の断面について示したのが第２図Ｂであ
る。第２図Ｂに於ける結像系７ａ，７ｃ，７ｄは
倒立等倍結像の例を示してあるが一般には結像は
縮小結像であつてもよい。第２図Ｂに示すよう
に、結像系が複眼倒立結像であれば、本来読取る
べき原稿面以外から隣の結像系の瞳を通つて迷光
が入り、所謂ノイズとなる。このため、９ａ，９
ｃ，９ｅ，９ｇおよび１０ａ，１０ｃ，１０ｅ，
１０ｇに示すような遮光板を設ける必要が生じ
る。例えば、第２図Ｂの点線で示した光線１１ａ
や光線１１ｂのような光は上記の遮光板がなけれ
ばセンサー８ａに入り好ましくない。従つて通常
の感度に指向性のないセンサーをこのような読取
り系に応用する場合は、遮光板９ａ，９ｃ，９
ｅ，９ｇおよび１０ａ，１０ｃ，１０ｅ，１０ｇ
が必要となる。その他、１０ａ〜１０ｇの遮光板
はセンサーの基板１２と結像系支持体および結像
系７ａ，７ｃ，７ｅの間で発生する内面散乱等を
防ぐ目的も兼ねている。

このように、従来使用されているセンサー例え
ばCCD等の固体センサーや、アモルフアスシリ
コン等の薄膜センサーを使う場合、復眼系によつ
て読み取り系を構成する場合には遮光の問題が発
生する。尚、第１図では２列の千島状読取り配列
について示したが、１列の読取り系についても全
く同様に遮光板が必要であることは論を待たな
い。

本発明の目的は、その感度に指向性を持たせた
センサー、特にアモルフアスシリコン等に代表さ
れるセンサーアレーを有する読取り装置を提供す
ることにあり、斯様なセンサーを用いることによ
り上述した複眼の倒立結像系に要求される遮光板
を不要にしたり、更にセルフオツク等の正立等倍
結像系の場合に於いても内面散乱等によつて発生
する迷光をおさえ、読取り系のＳ／Ｎ比の向上を
計るものである。以下、図面を用いて本発明を詳
述する。

第３図は本発明に係るセンサーの一実施例を示
す図でセンサーに垂直に入射する光を最大受光量
とする指向性を有する場合である。図中16はCr
等の金属膜、１７はガラズ等の膜、１８ａおよび
１８ｂはアルミニウム等の金属電極、１９はアモ
ルフアスシリコン層で、斜線を施こした領域１９
ａで光を感じる。即ち、領域１９ａが感光領域を
形成している。２０はガラス等の基板である。第
３図Ａの構造を有する薄膜センサーは、例えば第
１図Ａの上にガラス蒸着或いはイオンプレーテイ
ングでSiO₂膜を設け、更にその上にCr膜等のパ
ターンを施すことによつて実現できる。第３図Ａ
に於て、入射光１５ａおよび入射光１５ｂの入射
角をそれぞれQ₁、Q₂とすると、第３図Ａに示す
ように、入射光１５ａは受光部に入るが入射光１
５ｂは受光部から外れてしまうためセンサーに感
じない。ここで、入射角をθとしたときの、入射
角θと受光量との関係の実例をいくつか第３図Ｂ
に示す。第３図Ａに於て、遮光膜１６（遮光手
段）のギヤツプを（開口部の幅）をl₂、金属電極
１８Ａ，１８Ｂ間のギヤツプ（感光領域の幅）
l₁、膜１７の厚さをｄとする。

第３図Ｂに示す例に於て、例１はl₁＝3μｍ、ｄ
＝6μｍで入射側媒体が空気のときで、膜１７の
屈折率を1.5とした場合。例２はl₁＝3μｍ、l₂＝6μ
ｍ、ｄ＝6μｍで入射側媒体が空気のときで、膜
１７の屈折率を1.5としたとき。例３はl₁＝3μｍ、
l₂＝3μｍ、ｄ＝6μｍで入射側媒体が膜１７と同じ
屈折率のとき。例４は、l₁＝3μｍ、l₂＝6μｍ、ｄ
＝6μｍで入射側媒体が膜１７と同じ屈折率のと
きである。これら４つの例より容易に判るよう
に、l₁、l₂およびｄを適当に調整し、入射側の媒
体との組合せによつて、入射角と受光量の相関性
を多様に変えることができ、入射角の小さい光の
み受け、入射角の大きい光には感じないセンサー
が実現できる。

第４図は、第３図Ａに示す様に、センサーに垂
直に入射する光を最大の効率で受ける様なセンサ
ーに於て、センサーに垂直に入射する光に対して
角度θminで入射する光より受光量の落下がはじ
まり、θmaxで入射する光に対してセンサーが何
も感じなくなる様な特性を示している。この場合
のθmin、及びθmaxの値は前記センサーを構成す
るパラメーター、l₁、l₂、ｄ及び前記ガラス等の
膜１７の屈折率ｎにより定めることが出来る。第
３図Ａに示す、光の入射側の媒質の屈折率をＮと
すると、である。同じくθmaxは、である。ここで、この(1)(2)式を用いて具体的に設
計を行う一例を以下に示す。

例えば、結像系のF_NOが4.0のときは開口数は
0.125である。従つて、このときのセンサーの受
光角はθ＝7.2°で、このときはθmin＝7.2°とすれ
ばよい。外部媒質は空気でＮ＝１とする。また、
隣りのレンズを通つてセンサーに入つてくる光に
対して例えばθmax＝23.6°で感じないように設計
した場合について考える。ところで、電極間距離
l₁の値は実際には以下のような制約によつて寸法
に制限がつく、即ち ○イ電極間距離が小さければ受光部のパターンを
細かくして、センサーのＳ／Ｎ比を上げる設計
が可能である。逆に、電極間距離が大きければ
センサーのＳ／Ｎ比が小さくなる。

○ロ電極間距離が小さくなると、製作時のパター
ニング技術に高精度のものが要求され、パター
ニング技術によつて微細化の限界が決まつてく
る。

などの事情があり、これらのことを考慮すると、
電極間距離l₁の値としては2μl₁20μの範囲に
あることが望ましい。また、誘電体膜の膜厚ｄに
ついては、通常ガラス蒸着等によつて製作するこ
とを考慮すると、数μｄ＋数μが通常考えら
れる厚さである。これらのことを考えると、(1)、
(2)の式において、Ｎ＝１、ｎ＝1.5、l₁＝2μｍ、θmin＝7.2°、
θmax＝23.578° これより、l₂＝3.755μｍ、ｄ＝10.49μｍとなる。
即ち、l₁＝2μｍ、l₂＝3.755μｍ、ｄ＝10.49μｍ、
ｎ＝1.5とした時、θmin＝7.2°、θmax＝23.6°の指
向性をもつたセンサーが得られる。

第３図Ａ，Ｂに示す様にセンサーに垂直に入射
する光を中心として受光量を最大とする場合とは
異なり、第５図Ａ，Ｂに示すセンサーは、センサ
ーに斜めから入射する光を中心として受光量を最
大とする場合の実施例を示す為のものである。第
５図Ａに付した番号で第３図Ａに付した番号と同
じものは同じ部材を示すのでここでは説明を省
く。尚、l₃は遮光膜１６の開口の中心と電極１８
ａ，１８ｂの間の開口部即ち感光領域の中心との
変位量である。第５図Ｂは、第５図Ａのセンサー
の各パラメーターの値が、l₁＝6μｍ、l₂＝6μｍ、
l₃＝2μｍ、ｄ＝10μｍ、ｎ＝1.5、Ｎ＝１の場合の
光の入射角θに対する受光量の関係を示す図であ
る。

次に第５図に示す様に、センサーに対して斜め
に入射する光に対して受光率が最大になる様な場
合の、センサーの一般的な構造に関して述べる。
第６図は或る角度θcの斜入射光を中心として光を
受ける場合の、一般的な受光感度特性曲線を示す
もので、この様な受光感度特性を示すセンサーの
一般的な構成を第７図Ａ，Ｂに示す。尚、第７図
Ａ，Ｂに示すセンサーは第５図Ａに示すセンサー
と同一形状のセンサーであり、第７図Ａでは
θmax1、θmax2の光線を、第７図Ｂではθmin1、
θmin2の光線を示している。第７図に示す構造の
ときは、光束の入射側の媒質の屈折率をＮ、ガラ
ス膜１７の屈折率をｎとするとθmax1、θmax2、
θmin1、θmin2は以下の様に定まる。

ここでθmax2はマイナス符号に対応させて表
現してある。ここでｄ＝10.5μｍ、l₁＝20μｍ、l₂
＝3.8μｍ、l₃＝1.0μｍ、ｎ＝1.5、Ｎ＝1.0と取る
と、 θmax1＝31.5° θmax2＝−15.5° θmin1＝15.5° θmin2＝0.8° なる指向性を有するセンサーが得られる。

この様な非対称な受光特性は、金属電極１８
ａ，１８ｂに対して遮光膜１６のパターンを変え
ることにより、自由に制御可能である。

上述した様に、垂直入射光又は或る角度を成す
入射光に分けて受光感度特性を持たせることは必
要である。例えば第２図に示す様に、結像系を介
してセンサーアレーに入射する光は、中央部のビ
ツトに入射する光と周辺部のビツトに入射する光
の種光線の傾きは異なる。従つて、中央部のビツ
トな垂直入射光に対して最大の受光感度を、又、
周辺部のビツトは斜入射光に対して最大の受光感
度を持たせることが望ましい。この様な設定は、
電極及び遮光膜がフオトリソグラフイーの手法に
よつて形成出来るため、オリジナルマスク作成時
に相対的な位置を加味して作成しておけば良く、
量産性に適した薄膜センサーを比較的容易に製造
出来る。

この様に、センサーアレーを各ビツトの入射す
る光の主光線の入射角に応じて遮光膜の開口部を
形成し、各ビツトの入射光に対する指向性を個別
に制御することにより、センサーアレーの各ビツ
トによる読取りのＳ／Ｎ比を均等に向上させるこ
とが出来、正確な原稿読取りが可能な読取り装置
を提供できる。

前記センサーに於いて、ガラス蒸着によつて膜
層１７を構成する場合には、膜厚ｄを余り大きく
すると膜１７の表面が微小な凹凸状を呈し光の散
乱を生じて好ましくないが、通常10μｍ程度以下
なら表面の良好な膜が得られる。

第８図に上述した本発明に係るギヤツプタイプ
のセンサーで、光が基板側よりより入射する場合
の一実施例を示す図である。第８図の構成を示す
付番で、第３図Ａの付番と同一番号のものは同じ
部材を表わすが、第８図の構成は第３図Ａに示す
構成と多少、異つている。即ち第８図に示す如く
センサーの構成は、ガラス等の透明基板２０上に
Cr等の金属膜１６のパターンが遮光膜として蒸
着され、更にその上にはガラス蒸着膜１７を設
け、更にその上にはアモルフアスシリコン等の受
光体１９及び電極１８が設けられた構成である。
そして光線１５ａは受光体１９の光を感じる部分
１９ａに達するが、光せ１５ｂは１９ａに到達せ
ず検知されない。

上記ギヤツプタイプのセンサーは、紙面に含ま
れる面内で指向性を持たせており、第２図に示す
様なラインセンサーとして使用する場合には、一
方向のみについて指向性があれば充分で、この場
合は指向性の存在する面とラインセンサーのライ
ン方向を平行にすれば良い。然しながら、斯様な
ギヤツプタイプの薄膜センサーは一次元方向のみ
でなく２次元方向についても指向性をもたせるこ
とが可能であり、この事例を、第９図、第１０図
及び第１１図に示す。

第９図に於て、１６は遮光膜で斜線を施こした
部分が光を遮えぎる部分である。１７はガラスを
蒸着あるいはイオンプレーテイング等によつて設
けた透明膜、１８は金属電極、２０はガラス等の
基板である。第９図に於て、金属電極１８間に電
位差を与えることによつて、入射光を電流信号と
してとり出す訳であるが、金属電極間の距離が小
さい程一定の入射光に対する電流値は大きいた
め、第９図の金属電極１８のパターンにみられる
ように、電極間が相近接している部分１９ｂが、
離れている部分１９ｅよりも相対的に強い感度を
示し実質上アモルフアスシリコン等の感光体層１
９の感光部の形状は矩形状をなし、感光膜１６の
矩形状開口と組み合わせることによつて、総合的
にｘ−ｙ方向の２方向について指向性をもたせる
ことが出来る。又、シリコン受光体１９を細かく
矩形のパターン状にし、金属電極１８のパターン
を単純化したものを第１０図に示す。第１０図に
示す様に受光体１９を構成する各ビツトは、１個
づつ矩形状に独立して形成されており、遮光膜１
６のパターンと相俟つてセンサーの指向性を出し
ている。尚、第９図及び第１０図に示すセンサー
に於いては金属電極は透明電極であつても良い。

第１１図Ａ，Ｂは二次元的に指向性を持つセン
サーの場合の例の実施例を示す図で、第１１図Ａ
は斜視図、第１１図Ｂはその断面図である。第１
１図Ａ，Ｂに示すセンサーに付された番号で第９
図及び第１０図の付番と同一のものは同一の部材
を示すものである。第１１図Ｂに於て、遮光膜１
６の内側の径および外側の径をd₁、d₁′又電極１
８の内側の径および外側の径をd₂、d₂′とすると、
例えばd₂′＞d₁′かつd₂＞d₁とすればセンサーから
有限離距離れ、同心円状の電極およびマスクの中
心に立てた法線上に存在する点からの光を最も良
く感じるような特性をもつことになる。尚、電極
１８は金属電極あるいは透明電極どちらであつて
もよい。又、電極および遮光膜の形状は同心円状
だけでなく例えば楕円形状であつてもよい。更
に、電極および遮光膜のパターンの中心は、いず
れもシリコン受光体膜１９に垂直に立てた同一直
線（法線）上にあるが、一般には電極および遮光
膜のそれぞれのパターンの中心を結ぶ直線はシリ
コン受光体１９に垂直でなくともよく、そのよう
な場合はレンズの結像でいう軸外結像的な作用を
もつた指向性が発生する。

上記実施例はギヤツプタイプのセンサーを考え
てきたが、第１２図は本発明を適用した他のタイ
プのセンサー（以後このセンサーをサンドイツチ
タイプのセンサーと称す）を示す。

第１２図に於いて、２５は金属電極、２６はア
モルフアスシリコン等の受光体、２７は透明電
極、２８はガラス蒸着膜、２９はCr等の遮光膜、
３０はガラス基板である。第１２図に示す構成に
於いて、受光体２６で光を感じる部分は、金属電
極２５と透明電極２７の間で電圧がかかる部分、
即ち受光体２６の内、斜線を施こした部分２６ａ
のみである。故に、入射光２４ａは受光体で検知
されるが、２４ｂは検知されない。この様にサン
ドイツチタイプのセンサーでは、金属電極２５と
遮光膜２９の相互のパターンを選択することによ
り、先に示したギヤツプタイプと同様、光の入射
方向によつて感度の大幅に異なるセンサーを実現
することが出来る。尚、受光体２６はシリコンに
限らずCaSe等であつても良いし、又、ガラス蒸
着膜はZns等の他の透明な膜でも良い。

第１３図Ａ，Ｂは一次元方向に指向性を有する
サンドイツチタイプのセンサーの一実施例を示す
ものである。

第１３図Ａに於て、３１は金属電極、３２はア
モルフアスシリコン受光体膜、３３は透明電極
膜、３４はガラス蒸着膜のような比較的厚い透明
膜、３５はCrのような遮光膜、３６はガラス基
板である。金属電極３１は細長い多数列のパター
ンを成している状況を示している。第１３図Ｂは
遮光板３５の平面図を示したもので、ｘ−ｙ方向
の方向性は金属電極３１と相対応して構成されて
おり、この場合センサーはｙ方向について指向性
があり、ｘ方向については指向性は存在しない。
尚、第１３図Ｂに於て、斜線を示した部分が光を
遮断する領域である。

第１４図Ａ，Ｂ，Ｃは、二次元方向に指向性を
有するサンドイツチタイプのセンサーの一実施例
を示すものである。第１４図Ａを構成する部材は
第１３図Ａを示す部材と同じで、３１は金属電
極、３２はアモルフアスシリコン受光体膜、３３
は透明電極膜、３４はガラス蒸着膜、３５はCr
等の遮光膜、３６はガラス基板である。Crの遮
光膜３５についての１ビツト全体の平面図を第１
４図Ｂおよび第１４図Ｃに示す。第１４図Ｂは光
が透過するパターンが矩形をしている場合であ
り、第１４図Ｃは光が通過するパターンが円形状
をなしている場合の例について示す。センサーの
２次元アレイ状の感光部の各中心と、遮光板の光
の透過域の各パターンの中心を一致させると、ｘ
方向、ｙ方向それぞれについて指向特性は対称に
なり、しかもｘ、ｙ各方向ともに指向性を持たせ
ることができる。又、センサーの２次元アレイ状
の感光部の各中心と、遮光板の光の透過域の各パ
ターンの中心をずらせると、ｘ方向、ｙ方向それ
ぞれについて指向特性は非対象になる。従つて、
入射光の入射角度に応じて指向特性をもたせるこ
とが可能である。

上述したサンドイツチ型センサーの実施例に於
いては、受光体の一方に設けられる電極を金属電
極としたが、これは透明電極であつても良い。

以上示したギヤツプタイプ、及びサンドイツチ
タイプの各センサーに於いては、ガラス蒸着膜の
層は１層の場合のみについて示したが、一般には
ガラス蒸着膜の上に誘電体層を設けて、その上に
更に遮光膜とガラス蒸着膜と言う様にガラス蒸着
膜と遮光膜層を多層重ねても良い。

次に本発明のセンサーを適用した読取り装置の
実施例を第１５図〜第１８図に示す。第１５図及
び第１６図に示す読取り装置は、千島状に原稿を
読み取る場合の実施例で、第１５図は倒率像で、
第１６図は正立像で読み取る場合を示している。
第１５図及び第１６図に於いて、４１は原稿、４
２ａ〜４２ｅは原稿面の読み取らるべき書画、４
３ａ〜４３ｅは各々本発明に係るセンサーアレ
ー、４４ａ〜４４ｅは前記原稿面書画の像であ
る。第１５図に示す装置では結像系は４５ａ〜４
５ｅで示す様に１群で、第１６図に示す装置では
結像系は４６ａ〜４６ｅ，４７ａ〜４７ｅ，４８
ａ〜４８ｅで示す如く３群構成であり、４７ａ〜
４７ｅはフイールドレンズとしての機能を有して
いる。本発明に係るセンサーを用いることによ
り、一つのレンズ系が受け持つ受光角は2θをカバ
ー出来る程度であり、斜めから入射する光束４９
に対して光を感じない。この様なセンサーを用い
れば従来使用していた遮光体を必要としなくな
る。

第１７図及び第１８図に示す読取り装置は、千
島状配列の読み取りとは異なり、通常の一例で読
み取る場合の装置を示すものである。第１７図に
示す装置は第１５図に示す装置と同じく原稿面を
側立像で読み取る場合、第１８図は同じく第１６
図の装置で示す如く原稿面を正立像で読み取る場
合を示す。第１７図及び第１８図の装置に施こし
た付番で第１５図及び第１６図と同じものは同じ
部材を示すので、ここでは説明を省く。第１７図
及び第１８図に示す装置では、センサー５０は長
尺センサーである。これ等の場合にも、センサー
の受光角が2θをカバーし、更に斜入射光４９に対
して、上述した如くセンサーが感じない様にすれ
ば、遮光体なしに読み取り系が構成出来る。

以上の第１５図、第１６図、第１７図、第１８
図の実施例は結像系が通常のレンズ（屈折率が一
定の媒体に曲率をもたせることによつて結像作用
をもたらす手段）の場合を示したが、実際には通
常のレンズのみに限らず、結像作用をもつものな
らいずれについても適用でき、例えば、ゾーンプ
レートのような位相レンズ、あるいはセルフオツ
クのような不均質レンズ、更には分布屈折率平板
マイクロレンズアイ（昭和56年度電子通信学会総
合全国大会、992、伊賀健一他５名）であつても
よい。このうち、ゾーンプレートや分布屈折率平
板マイクロレンズアイは、フオトリソグラフイの
手法によつて複眼系のパターンが製作されるの
で、モノリツクな構成に適しており、本発明の薄
膜センサーがモノリツクに構成できるところに特
長をもつ点と相俟つて、コンパクトで量産性の良
い読取り装置を実現するのに好都合である。また
一般的には、現在使用されているフアクシミリの
様な１次元の読取り装置に限らず、２次元の読取
り装置についても適用出来ることは言うまでもな
い。

以上示した様に本発明に係るアモルフアスシリ
コン等に代表させる薄膜センサーに於いてはその
感光方向に指向性を持たせることにより、ライン
センサーの中央のビツトの周辺のビツトで感光特
性を所望の特性に取ることが出来たり、フアクシ
ミリ等のデジタル画像装置に於ける複眼の結像系
に要求される遮光板を不要としたり、セルフオツ
ク等の正立等倍結像系の場合に於いても内面散乱
等によつて発生する迷光の抑え、Ｓ／Ｎ比の良好
な読取り装置が得られるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａ，Ｂは従来のギヤツプタイプのセンサ
ーを説明する為の図、第２図Ａ，Ｂは従来の複眼
読取り装置の一実施例を示す図、第３図Ａ，Ｂ及
び第４図は各々本発明を適用したギヤツプタイプ
のセンサーの一実施例を説明する為の図、第５図
Ａ，Ｂ、第６図及び第７図Ａ，Ｂは各々本発明を
適用した他のタイプのギヤツプセンサーを説明す
る為の図、第８図は本発明を適用した他のタイプ
のギヤツプセンサーを示す図、第９図、第１０図
及び第１１図Ａ，Ｂは各々、本発明に係る三次元
方向に指向性を有するギヤツプタイプセンサーの
実施例を示す図、第１２図は本発明を適用したサ
ンドイツチタイプのセンサーを説明する為の図、
第１３図Ａ，Ｂは各々、本発明を適用した一次元
方向に指向性を有するサンドイツチタイプセンサ
ーの実施例を示す図。第１４図Ａ，Ｂ，Ｃは
各々、本発明を適用した二次元方向に指向性を有
するサンドイツチタイプセンサーの実施例を示す
図、第１５図、第１６図、第１７図、及び第１８
図は各々本発明に係るセンサーを用いた複眼光学
系を示す図。１５ａ，１５ｂ……入射光束、１６……遮光
膜、１７……ガラス蒸着膜、１８ａ，１８ｂ……
電極、１９……受光体、２０……基板。

Claims

【特許請求の範囲】

１結像系と該結像系を介して原稿を読取るセン
サーアレーと該センサーアレーを構成する各単位
ビツトの感光領域に入射する光を規制する為に設
けた所定の開口部を有する遮光手段とを有し、該
遮光手段の開口部を前記結像系を介して前記各単
位ビツトに入射する光の主光線の入射角に応じて
形成することにより、前記各単位ビツトの入射光
に対する指向性を個別に制御したことを特徴とす
る読取り装置。