JPH03184216A - 透明導電膜の形成方法 - Google Patents
透明導電膜の形成方法Info
- Publication number
- JPH03184216A JPH03184216A JP32283489A JP32283489A JPH03184216A JP H03184216 A JPH03184216 A JP H03184216A JP 32283489 A JP32283489 A JP 32283489A JP 32283489 A JP32283489 A JP 32283489A JP H03184216 A JPH03184216 A JP H03184216A
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- transparent conductive
- vacuum
- microwave
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概 要］
各種表示パネルに用いられる透明導電膜の形成方法、特
に真空中で透明導電膜を熱処理することにより低抵抗の
透明導電膜を形成する方法の改良に関し、 真空中加熱処理の所要時間を短縮することができる透明
導電膜の形成方法の提供を目的とし、真空中での透明導
電膜の熱処理は、マイクロ波を透過する窓を備えた処理
槽中に前記透明導電膜を載置して、前記処理槽内を真空
にした後、前記窓を通してマイクロ波を照射することに
よって行うようにする。
に真空中で透明導電膜を熱処理することにより低抵抗の
透明導電膜を形成する方法の改良に関し、 真空中加熱処理の所要時間を短縮することができる透明
導電膜の形成方法の提供を目的とし、真空中での透明導
電膜の熱処理は、マイクロ波を透過する窓を備えた処理
槽中に前記透明導電膜を載置して、前記処理槽内を真空
にした後、前記窓を通してマイクロ波を照射することに
よって行うようにする。
〔産業上の利用分野］
本発明は各種表示パネルに用いられる透明導電膜の形成
方法に関し、特に真空中で透明導電膜を加熱することに
より低抵抗の透明導電膜を形成する方法の改良に関する
。
方法に関し、特に真空中で透明導電膜を加熱することに
より低抵抗の透明導電膜を形成する方法の改良に関する
。
酸化インジウム・スズ（以下ＩＴＯとする）等の金属酸
化物よりなる透明導電膜は、タッチパネルや平板形デイ
スプレィデバイスの透明電極形成用として不可欠なもの
であり、上記デイスプレィデバイスの大型化、高解像度
化、あるいは表示駆動特性の安定化等のためには低抵抗
なものが要求されている。このため低抵抗の透明導電膜
を容易に形成し得る方法の実現が望まれている。
化物よりなる透明導電膜は、タッチパネルや平板形デイ
スプレィデバイスの透明電極形成用として不可欠なもの
であり、上記デイスプレィデバイスの大型化、高解像度
化、あるいは表示駆動特性の安定化等のためには低抵抗
なものが要求されている。このため低抵抗の透明導電膜
を容易に形成し得る方法の実現が望まれている。
第２図は透明導電膜を用いるタッチパネルの製造工程の
概略説明図であり、第３図は形成されるタッチパネルの
透明電極を示す概略断面図である。
概略説明図であり、第３図は形成されるタッチパネルの
透明電極を示す概略断面図である。
以下、タッチパネルの製造工程を第２図に基づき説明す
る。
る。
■ 透明な絶縁性基板、例えばガラス基板１上にＩＴＯ
透明導電膜２を蒸着法かあるいはスパッタ法により被着
、形成する。
透明導電膜２を蒸着法かあるいはスパッタ法により被着
、形成する。
■ 上記ＩＴＯ透明導電膜２の表面に後述する銀電極４
が形成される部分を残してＳｉＯ２を蒸着してＳｉＯ□
保＃Ｉ膜３を形成する。
が形成される部分を残してＳｉＯ２を蒸着してＳｉＯ□
保＃Ｉ膜３を形成する。
■ 上記の保護膜３を形成しない部分に粘着材を混合し
た銀を塗布して、銀電極４を形成する。この銀電極は外
部機器に接続する導線を接続するためのものである。
た銀を塗布して、銀電極４を形成する。この銀電極は外
部機器に接続する導線を接続するためのものである。
■ 前記ＳｉＯ□保護膜３上にガラス保護膜５を形成す
るために水ガラスを塗布する。
るために水ガラスを塗布する。
■ 上記の水ガラスを塗布した透明ガラス基板１を大気
中で４６０〜４７０°Ｃ程度に加熱する。この大気中の
加熱は水ガラスを焼成してガラス保護膜５を形成すると
ともに、銀電極３中の粘着材を蒸発させるためのもので
ある。
中で４６０〜４７０°Ｃ程度に加熱する。この大気中の
加熱は水ガラスを焼成してガラス保護膜５を形成すると
ともに、銀電極３中の粘着材を蒸発させるためのもので
ある。
■ ところで上記■の大気中における高温焼成を施すこ
とにより製造されたタッチパネルｌＯ中の透明導電膜２
の抵抗値は焼成前の１０倍程度も大きくなってしまい、
このままではこれを実際にタッチパネルとして使用する
には不適当である。そこでこの透明ガラス基板ｌＯを真
空中で４５０°Ｃ程度に加熱する。この真空中の熱処理
によって■Ｔｏ透明導電膜２の過剰である酸素が追い出
されて抵抗値はほぼ上記■の大気中高温焼成を行う以前
の水準に低下する。
とにより製造されたタッチパネルｌＯ中の透明導電膜２
の抵抗値は焼成前の１０倍程度も大きくなってしまい、
このままではこれを実際にタッチパネルとして使用する
には不適当である。そこでこの透明ガラス基板ｌＯを真
空中で４５０°Ｃ程度に加熱する。この真空中の熱処理
によって■Ｔｏ透明導電膜２の過剰である酸素が追い出
されて抵抗値はほぼ上記■の大気中高温焼成を行う以前
の水準に低下する。
第４図は上記■の真空熱処理に用いる装置の概略構成断
面図である。図において２１はガラス製の真空処理槽で
あり、排気孔２２ａを介して真空ポンプ２２が連結され
ている。また真空処理槽２１内の側面には加熱熱源であ
るヒータ２３が設けられている。
面図である。図において２１はガラス製の真空処理槽で
あり、排気孔２２ａを介して真空ポンプ２２が連結され
ている。また真空処理槽２１内の側面には加熱熱源であ
るヒータ２３が設けられている。
上記■までの工程を終了して製造されたタッチパネル１
０は、真空焼成槽２２内に間隔をおいて積み重ねられ、
図示しない保持機構により保持される。
０は、真空焼成槽２２内に間隔をおいて積み重ねられ、
図示しない保持機構により保持される。
そして真空処理槽２１内をＩ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒ程
度の真空度にした後、ヒータ１３によりタッチパネル１
０を４５０°Ｃ程度に加熱する。
度の真空度にした後、ヒータ１３によりタッチパネル１
０を４５０°Ｃ程度に加熱する。
ところで、上記のように従来の真空熱処理工程において
は加熱熱源としてヒータを使用している。
は加熱熱源としてヒータを使用している。
このため直接加熱する必要のない透明ガラス基板１や、
金属製の真空処理槽２１をも加熱することになり、熱処
理開始時の昇温および熱処理終了後の降温に長時間を要
するため、この真空中熱処理工程は２４時間程度を要す
るものであった。 また真空中で長時間加熱されるため
、形成された銀電極４と透明導電膜２との接着強度が劣
化する傾向があり、このため製造された製品は使用中に
電極の剥離や、電極部の抵抗の急変等の異常が発生し易
いという問題点もある。
金属製の真空処理槽２１をも加熱することになり、熱処
理開始時の昇温および熱処理終了後の降温に長時間を要
するため、この真空中熱処理工程は２４時間程度を要す
るものであった。 また真空中で長時間加熱されるため
、形成された銀電極４と透明導電膜２との接着強度が劣
化する傾向があり、このため製造された製品は使用中に
電極の剥離や、電極部の抵抗の急変等の異常が発生し易
いという問題点もある。
本発明は真空中加熱処理の所要時間を短縮することがで
きる透明導電膜の形成方法の提供を目的とする。
きる透明導電膜の形成方法の提供を目的とする。
本発明は上記の課題を解決するために、透明な絶縁性基
板上に金属酸化物からなる透明導電膜を被着した後、該
透明導電膜を真空中で加熱処理することにより低抵抗の
透明導電膜を形成する方法であって、この加熱処理を、
マイクロ波を透過する窓を備えた処理槽中に前記透明導
電膜を載置して前記処理槽内を真空にした後、前記窓を
通してマイクロ波を照射することによって行うものであ
る。
板上に金属酸化物からなる透明導電膜を被着した後、該
透明導電膜を真空中で加熱処理することにより低抵抗の
透明導電膜を形成する方法であって、この加熱処理を、
マイクロ波を透過する窓を備えた処理槽中に前記透明導
電膜を載置して前記処理槽内を真空にした後、前記窓を
通してマイクロ波を照射することによって行うものであ
る。
本発明では、抵抗値を低減するために加熱すべき透明導
電膜は直接マイクロ波によって加熱する。
電膜は直接マイクロ波によって加熱する。
マイクロ波は透明ガラス基板ｌや真空処理槽１１の外囲
器１１Ａは透過するため、これらの加熱不要部分を直接
温めることはない。このため熱処理開始時の昇温および
熱処理終了時の降温に要する時間を大幅に短縮すること
ができる。
器１１Ａは透過するため、これらの加熱不要部分を直接
温めることはない。このため熱処理開始時の昇温および
熱処理終了時の降温に要する時間を大幅に短縮すること
ができる。
以下第１図を用いて本発明の一実施例を説明する。
第１図は本発明の透明導電膜の製造方法に用いられる真
空熱処理装置の一実施例を示す概略構成図である。
空熱処理装置の一実施例を示す概略構成図である。
第１図において１１は真空処理槽であり、金属製の外囲
器１１Ａにより形成されている。また真空処理槽１１内
には図示しない保持機構があり、タッチパネル１０は間
隔をおいて積み上げられてこの保持機構により保持され
ている。
器１１Ａにより形成されている。また真空処理槽１１内
には図示しない保持機構があり、タッチパネル１０は間
隔をおいて積み上げられてこの保持機構により保持され
ている。
真空処理槽１１にはマイクロ波を導入するために設けら
れた窓１２を有し、この窓に取りつけられた導波管１３
を介してマイクロ波の発振器となる数キロワット出力の
マグネトロン１４が接続されている。
れた窓１２を有し、この窓に取りつけられた導波管１３
を介してマイクロ波の発振器となる数キロワット出力の
マグネトロン１４が接続されている。
また１５はマグネトロン１４に電力を供給するマグネト
ロン電源であり、１６は真空処理槽ｌｌ中を排気して真
空とする真空ポンプである。
ロン電源であり、１６は真空処理槽ｌｌ中を排気して真
空とする真空ポンプである。
以下、本実施例による透明導電膜の真空中加熱処理の説
明をする。
明をする。
上記〔従来技術〕で説明したように大気中における焼成
処理を終了して銀電極４およびガラス保護膜５が形成さ
れたタッチパネル１０を真空処理槽１１中に載置する。
処理を終了して銀電極４およびガラス保護膜５が形成さ
れたタッチパネル１０を真空処理槽１１中に載置する。
次に真空ポンプ１６により真空処理槽ＩＩの内部の空気
を排出してＩ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒ程度の真空とする
。
を排出してＩ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒ程度の真空とする
。
真空度が前記の程度になった時点でマグネトロン１４を
動作させて、導波管１３を通してマイクロ波を真空処理
槽１１内に導入する。導入されたマイクロ波は透明溝を
膜２を直接加熱する。
動作させて、導波管１３を通してマイクロ波を真空処理
槽１１内に導入する。導入されたマイクロ波は透明溝を
膜２を直接加熱する。
熱処理開始時の昇温にはマグネトロンの出力および被処
理物である透明ガラス基板の量にもよるが、十数骨で所
定の温度（４５０°Ｃ程度）に上昇する。
理物である透明ガラス基板の量にもよるが、十数骨で所
定の温度（４５０°Ｃ程度）に上昇する。
透明導電膜２の温度が一定温度に達した段階でマグネト
ロン１４の出力を調整して４５０°Ｃ程度を４ないし５
時間程度維持して、透明導電膜２の抵抗値を熱処理前の
１０分の工程度に低減させる。
ロン１４の出力を調整して４５０°Ｃ程度を４ないし５
時間程度維持して、透明導電膜２の抵抗値を熱処理前の
１０分の工程度に低減させる。
上記の熱処理が終了すると、タッチパネルＩＯを取り出
すために真空処理槽１１内が降温するまでしばらく放置
する。ここで透明導電膜２と銀電極４以外には高温とな
っている部分がないためタッチパネル１１を取り出し得
る温度にまで降温するまで約１時間程度しか要さない。
すために真空処理槽１１内が降温するまでしばらく放置
する。ここで透明導電膜２と銀電極４以外には高温とな
っている部分がないためタッチパネル１１を取り出し得
る温度にまで降温するまで約１時間程度しか要さない。
このため上記の熱処理工程に要する時間は約５ないし６
時間程度となり、従来のヒータを用いた方法と比べて約
４分のｌ程度にまで短縮することができる。
時間程度となり、従来のヒータを用いた方法と比べて約
４分のｌ程度にまで短縮することができる。
また加熱時間が短縮されるために同様に温められる銀電
極４の透明導電膜２に対する接着強度の劣化を従来より
抑えることができるため、タッチパネルの使用時に電極
が剥離したり電極部の抵抗値が急変する等の障害発生率
も低くなる。
極４の透明導電膜２に対する接着強度の劣化を従来より
抑えることができるため、タッチパネルの使用時に電極
が剥離したり電極部の抵抗値が急変する等の障害発生率
も低くなる。
さらにマイクロ波を加熱熱源とすることにより、加熱源
を真空処理槽１１の内部に配置する必要がなく、導波管
により比較的遠方からでもマイクロ波を導くことができ
るため装置の設計も容易となり、このため真空熱処理装
置の小型化、簡単化が達成される。
を真空処理槽１１の内部に配置する必要がなく、導波管
により比較的遠方からでもマイクロ波を導くことができ
るため装置の設計も容易となり、このため真空熱処理装
置の小型化、簡単化が達成される。
マイクロ波はガラスを透過するため、真空処理槽ｌｌ内
に載置されたタッチパネルＩＯ中の透明ガラス基板ｌを
直接温めないので、熱効率が良く、従って消費電力を！
ｆｆ滅することができる。
に載置されたタッチパネルＩＯ中の透明ガラス基板ｌを
直接温めないので、熱効率が良く、従って消費電力を！
ｆｆ滅することができる。
なお本発明は上記一実施例において用いたＩＴＯの他に
も、インジウムやスズ、アンチモン等よりなる金属酸化
物より低抵抗の透明導電膜を形成する方法として適用し
てもよい。
も、インジウムやスズ、アンチモン等よりなる金属酸化
物より低抵抗の透明導電膜を形成する方法として適用し
てもよい。
以上説明したように、本発明による透明導電膜の形成方
法によれば、抵抗値を低減する真空熱処理工程を大幅に
短縮することができる。また品質的にも電極の剥離や抵
抗値の急変等の障害の少ない製品を製造でき、さらに真
空熱処理装置が小型化、簡単化されるとともに消費電力
も節減できるため、実用上の効果が大きい。
法によれば、抵抗値を低減する真空熱処理工程を大幅に
短縮することができる。また品質的にも電極の剥離や抵
抗値の急変等の障害の少ない製品を製造でき、さらに真
空熱処理装置が小型化、簡単化されるとともに消費電力
も節減できるため、実用上の効果が大きい。
第１図は本発明の透明導電膜の形成方法に用いられる真
空熱処理装置の一実施例を示す概略構成断面図、 第２図は透明導電膜を用いるタッチパネルの製造工程の
概略を示す図、 第３図はタッチパネルの透明電極部分を示す概略断面図
、 第４図は従来の透明導電膜の形成方法に用いられる真空
熱処理装置の一実施例を示す概略構成断面図である。 図において、 １ ・・・ 透明ガラス基板、 ＩＴＯ透明導電膜、 ＳｉＯ□保護膜、 銀電極、 ガラス保護膜、 タッチパネル、 真空処理槽、 マイクロ波導入窓、 導波管、 マグネトロン、 マグネトロン電源、 真空ポンプ。 ま９月１１電哄を弔い）ヌ、７チへ゛年１しの袈漬′ｒ
栓／ｌ塵幡αａ１図 第２図 従者／ｌｔ参熟に理装置ｎ−例を零７綴醇講暖訝め必第
４図
空熱処理装置の一実施例を示す概略構成断面図、 第２図は透明導電膜を用いるタッチパネルの製造工程の
概略を示す図、 第３図はタッチパネルの透明電極部分を示す概略断面図
、 第４図は従来の透明導電膜の形成方法に用いられる真空
熱処理装置の一実施例を示す概略構成断面図である。 図において、 １ ・・・ 透明ガラス基板、 ＩＴＯ透明導電膜、 ＳｉＯ□保護膜、 銀電極、 ガラス保護膜、 タッチパネル、 真空処理槽、 マイクロ波導入窓、 導波管、 マグネトロン、 マグネトロン電源、 真空ポンプ。 ま９月１１電哄を弔い）ヌ、７チへ゛年１しの袈漬′ｒ
栓／ｌ塵幡αａ１図 第２図 従者／ｌｔ参熟に理装置ｎ−例を零７綴醇講暖訝め必第
４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 透明な絶縁性基板（１）上に金属酸化物からなる透明導
電膜（２）を被着した後、該透明導電膜（２）を真空中
で熱処理することにより低抵抗の透明導電膜を形成する
方法において、 前記熱処理は、マイクロ波を透過する窓（１２）を備え
た処理槽（１１）中に前記透明導電膜（２）を載置して
、前記処理槽（１１）内を真空にした後に、前記窓（１
２）を通してマイクロ波を照射することによって行うこ
とを特徴とする透明導電膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32283489A JPH03184216A (ja) | 1989-12-12 | 1989-12-12 | 透明導電膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32283489A JPH03184216A (ja) | 1989-12-12 | 1989-12-12 | 透明導電膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03184216A true JPH03184216A (ja) | 1991-08-12 |
Family
ID=18148126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32283489A Pending JPH03184216A (ja) | 1989-12-12 | 1989-12-12 | 透明導電膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03184216A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010514666A (ja) * | 2007-01-05 | 2010-05-06 | サン−ゴバン グラス フランス | 薄層を堆積させる方法、およびこのように得られた製品 |
| JP2012079747A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Sharp Corp | 化合物半導体発光素子の製造方法 |
| JP2016510297A (ja) * | 2013-01-18 | 2016-04-07 | サン−ゴバン グラス フランス | コーティングを備えた基材を得る方法 |
-
1989
- 1989-12-12 JP JP32283489A patent/JPH03184216A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010514666A (ja) * | 2007-01-05 | 2010-05-06 | サン−ゴバン グラス フランス | 薄層を堆積させる方法、およびこのように得られた製品 |
| JP2013076170A (ja) * | 2007-01-05 | 2013-04-25 | Saint-Gobain Glass France | 薄層を堆積させる方法、およびこのように得られた製品 |
| US9073781B2 (en) | 2007-01-05 | 2015-07-07 | Saint-Gobain Glass France | Method for depositing a thin layer and product thus obtained |
| JP2012079747A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Sharp Corp | 化合物半導体発光素子の製造方法 |
| JP2016510297A (ja) * | 2013-01-18 | 2016-04-07 | サン−ゴバン グラス フランス | コーティングを備えた基材を得る方法 |
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