JPH03185350A - 酸素センサのヒータ制御装置 - Google Patents
酸素センサのヒータ制御装置Info
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- JPH03185350A JPH03185350A JP1325205A JP32520589A JPH03185350A JP H03185350 A JPH03185350 A JP H03185350A JP 1325205 A JP1325205 A JP 1325205A JP 32520589 A JP32520589 A JP 32520589A JP H03185350 A JPH03185350 A JP H03185350A
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- heater
- value
- resistance
- sensor
- control
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F02—COMBUSTION ENGINES; HOT-GAS OR COMBUSTION-PRODUCT ENGINE PLANTS
- F02D—CONTROLLING COMBUSTION ENGINES
- F02D41/00—Electrical control of supply of combustible mixture or its constituents
- F02D41/02—Circuit arrangements for generating control signals
- F02D41/14—Introducing closed-loop corrections
- F02D41/1438—Introducing closed-loop corrections using means for determining characteristics of the combustion gases; Sensors therefor
- F02D41/1493—Details
- F02D41/1494—Control of sensor heater
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/403—Cells and electrode assemblies
- G01N27/406—Cells and probes with solid electrolytes
- G01N27/4067—Means for heating or controlling the temperature of the solid electrolyte
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D23/00—Control of temperature
- G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
- G05D23/20—Control of temperature characterised by the use of electric means with sensing elements having variation of electric or magnetic properties with change of temperature
- G05D23/24—Control of temperature characterised by the use of electric means with sensing elements having variation of electric or magnetic properties with change of temperature the sensing element having a resistance varying with temperature, e.g. a thermistor
- G05D23/2401—Control of temperature characterised by the use of electric means with sensing elements having variation of electric or magnetic properties with change of temperature the sensing element having a resistance varying with temperature, e.g. a thermistor using a heating element as a sensing element
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は酸素センサのヒータｔｉ制御装置に係り、特に
目標ヒータ抵抗（ＲＴ）を学習しながら酸素センサの温
度を制御し、酸素センサの出力安定化を図る酸素センサ
のヒータ制御装置に関する。
目標ヒータ抵抗（ＲＴ）を学習しながら酸素センサの温
度を制御し、酸素センサの出力安定化を図る酸素センサ
のヒータ制御装置に関する。
（従来の技術）
内燃Ｉｌ閏の出力向上、燃費低減、排気浄化をもたらす
運転ＩＩＪｔｌｌのために不可欠とされている内燃ｌｌ
閏の排気中の酸素濃度を検出する酸素センサの要部は固
体電解質や半導体等により構成されており、その出力は
その目的とされる機能を果すべく酸素濃度に応じて変化
すると同時にその温度によっても変化する。
運転ＩＩＪｔｌｌのために不可欠とされている内燃ｌｌ
閏の排気中の酸素濃度を検出する酸素センサの要部は固
体電解質や半導体等により構成されており、その出力は
その目的とされる機能を果すべく酸素濃度に応じて変化
すると同時にその温度によっても変化する。
例えばチタニア（Ｔｉ ０２ ）を用いた酸素センサで
は、それが内燃１１１問排気中の酸素の有無を検知する
ことにより理論空燃比近傍での空燃比を検出できる精度
は、第６図の曲線により示されている如く素子の温度に
よって大きく影響され、かがる酸素センサを用いて内燃
機関の空燃比を理論空燃比近傍のａｌとａｌの間の成る
狭い範囲に制御しようとすれば、酸素センサの素子温度
はＴ１と１２の間にあるよう１ｌｌｉｌｌされなければ
ならない。
は、それが内燃１１１問排気中の酸素の有無を検知する
ことにより理論空燃比近傍での空燃比を検出できる精度
は、第６図の曲線により示されている如く素子の温度に
よって大きく影響され、かがる酸素センサを用いて内燃
機関の空燃比を理論空燃比近傍のａｌとａｌの間の成る
狭い範囲に制御しようとすれば、酸素センサの素子温度
はＴ１と１２の間にあるよう１ｌｌｉｌｌされなければ
ならない。
そのため従来より酸素センサにヒータを設け、酸素セン
サの素子温度を６１１１１１することが知られている。
サの素子温度を６１１１１１することが知られている。
また、ヒータ抵抗値を所定の抵抗値となるようにヒータ
への供給電力を制御する構成としたものも知られている
。
への供給電力を制御する構成としたものも知られている
。
酸素センサに組込まれるヒータの抵抗値は、各製品毎に
ばらつきがあることが知られており、これに起因して酸
素センサの温度制御に誤差が発生してしまう。この抵抗
値のばらつきによる誤差の発生を無くするため、ヒータ
抵抗値が目標値となるようにヒータへの供給電力を制御
すると共に、所定の安定運転状態の時に、上記目標値を
学晋値として記憶装置（例えばバックアップ・ランダム
・アクセス・メモリ。以下、Ｂ−ＲＡＭと示す）に記憶
させ、これを逐時温度制御に反映させる構成とした酸素
センサ用ヒータ制御装置が本出願人により出願されてい
る（実願昭６３−１３２１９５号公報）。
ばらつきがあることが知られており、これに起因して酸
素センサの温度制御に誤差が発生してしまう。この抵抗
値のばらつきによる誤差の発生を無くするため、ヒータ
抵抗値が目標値となるようにヒータへの供給電力を制御
すると共に、所定の安定運転状態の時に、上記目標値を
学晋値として記憶装置（例えばバックアップ・ランダム
・アクセス・メモリ。以下、Ｂ−ＲＡＭと示す）に記憶
させ、これを逐時温度制御に反映させる構成とした酸素
センサ用ヒータ制御装置が本出願人により出願されてい
る（実願昭６３−１３２１９５号公報）。
上記の学習機能を有した酸素センサ用ヒータ制御装置に
よれば、ヒータ抵抗の目標値を、ばらついた抵抗値を有
しているヒータに対応させて補正することにより、ヒー
タ抵抗値のばらつきによらず適正な酸素センサの温度Ｉ
ＩＩＩＩｌを行なうことができ、かつ、補正されたヒー
タ抵抗の目標値は学習され、その後逐時行なわれる温度
制御に反映されるため、より正確で安定した温度υ制御
を行ない得る。
よれば、ヒータ抵抗の目標値を、ばらついた抵抗値を有
しているヒータに対応させて補正することにより、ヒー
タ抵抗値のばらつきによらず適正な酸素センサの温度Ｉ
ＩＩＩＩｌを行なうことができ、かつ、補正されたヒー
タ抵抗の目標値は学習され、その後逐時行なわれる温度
制御に反映されるため、より正確で安定した温度υ制御
を行ない得る。
しかるに、上記した従来の酸素センサ用ヒータ制御装置
では、例えばバッテリ交換等にまりＢＲＡＭに記憶され
ていた学習値が消滅し、ヒータ抵抗の目標値が初期値状
態となった場合、ヒータ抵抗値のばらつき及び経時変化
により酸素センサの温度にばらつきが発生し、これによ
り正確な酸素濃度の検出ができなくなるという課題があ
った。
では、例えばバッテリ交換等にまりＢＲＡＭに記憶され
ていた学習値が消滅し、ヒータ抵抗の目標値が初期値状
態となった場合、ヒータ抵抗値のばらつき及び経時変化
により酸素センサの温度にばらつきが発生し、これによ
り正確な酸素濃度の検出ができなくなるという課題があ
った。
酸素濃度の正確な検出ができなくなると、空燃比のフィ
ードバック制御において、空燃比を理論空燃比近傍に設
定することができなくなり、触媒排気臭が生じたりドラ
イバビリティの低下等の不具合を生じてしまう。
ードバック制御において、空燃比を理論空燃比近傍に設
定することができなくなり、触媒排気臭が生じたりドラ
イバビリティの低下等の不具合を生じてしまう。
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、記憶さ
せておいた学習値が破壊された時、ヒータ抵抗値に基づ
く制御を停止することによりヒータ抵抗値のばらつきや
経時変化がヒータ制御に反映されないようにした酸素セ
ンサのヒータ制御装置を提供することを目的とする。
せておいた学習値が破壊された時、ヒータ抵抗値に基づ
く制御を停止することによりヒータ抵抗値のばらつきや
経時変化がヒータ制御に反映されないようにした酸素セ
ンサのヒータ制御装置を提供することを目的とする。
第１図は本発明の原理図である。
同図に示すように本発明では、
内燃！Ｉ閏（３）の排気中の酸素濃度を検出する酸素セ
ンサ（１〉に設けられたヒータ（２）の抵抗値を検出す
る手段を有し、この抵抗値がその目標値となるように前
記ヒータ（２）へｖ制御された電力を供給する酸素セン
サのヒータ制御￥７！ｔｆｆにおいて、 内燃機１１（３）が所定の運転状態にあることを検出す
る運転状態検出手段（４）と、 内燃機ｒｉＪ（３）が前記所定の運転状態にあるとき前
記ヒータ（２）の抵抗値と前記ヒータ（２）へ供給され
る電力値を検出する抵抗・電力検出手段（５）と、 前記抵抗・電力検出手段（５）により検出された電力値
と所定の標準電力値との差に応じて誤差を打消す方向に
前記目標値を補正する抵抗値補正手段（６）と、 前記抵抗値補正手段（６）により補正された前各目標値
に従ってυ制御された電力を前記ヒータ（２）へ供給し
定抵抗制御を行なう電力１１１１１手段（７）と、 上記補正された目標値を学習値として記憶する記憶手＠
（８）と、 この記憶手段（８）に上記学習値が適正に記憶されてい
るかどうかを検出する記憶状態検出手段（９）と、 この記憶状態検出手段（９）により、上記学習値が記憶
手段（８）に適正に記憶されてし＼なし）ことを検知し
た際、上記定抵抗制御を停止させる定抵抗制御停止手段
（１０）と、 を設けたことを特徴とするものである。
ンサ（１〉に設けられたヒータ（２）の抵抗値を検出す
る手段を有し、この抵抗値がその目標値となるように前
記ヒータ（２）へｖ制御された電力を供給する酸素セン
サのヒータ制御￥７！ｔｆｆにおいて、 内燃機１１（３）が所定の運転状態にあることを検出す
る運転状態検出手段（４）と、 内燃機ｒｉＪ（３）が前記所定の運転状態にあるとき前
記ヒータ（２）の抵抗値と前記ヒータ（２）へ供給され
る電力値を検出する抵抗・電力検出手段（５）と、 前記抵抗・電力検出手段（５）により検出された電力値
と所定の標準電力値との差に応じて誤差を打消す方向に
前記目標値を補正する抵抗値補正手段（６）と、 前記抵抗値補正手段（６）により補正された前各目標値
に従ってυ制御された電力を前記ヒータ（２）へ供給し
定抵抗制御を行なう電力１１１１１手段（７）と、 上記補正された目標値を学習値として記憶する記憶手＠
（８）と、 この記憶手段（８）に上記学習値が適正に記憶されてい
るかどうかを検出する記憶状態検出手段（９）と、 この記憶状態検出手段（９）により、上記学習値が記憶
手段（８）に適正に記憶されてし＼なし）ことを検知し
た際、上記定抵抗制御を停止させる定抵抗制御停止手段
（１０）と、 を設けたことを特徴とするものである。
上記構成とされた酸素センサのヒータ１ｉＩＩＩＩＩＩ
ｌ装置では、記憶手段８に記憶されていた学習値が何ら
かの理由（例えばバッテリの取換え）により破壊された
時、記憶状態検出手段９がこれを検知し、この検知信号
に基づき定抵抗制御停止手段１０が電力υ１１０手ｖＪ
７に信号を供給して定抵抗υ制御を停止させる。
ｌ装置では、記憶手段８に記憶されていた学習値が何ら
かの理由（例えばバッテリの取換え）により破壊された
時、記憶状態検出手段９がこれを検知し、この検知信号
に基づき定抵抗制御停止手段１０が電力υ１１０手ｖＪ
７に信号を供給して定抵抗υ制御を停止させる。
学習値は学習が進む程、ヒータ抵抗のばらつき及び経時
変化を確実に補正できる値となる。しかるに上記のよう
に学習値が破壊された直後における目標値は、ヒータ抵
抗のばらつきの補正が行なわれていないため、この目標
値に基づいてヒータ抵抗に電力供給を行なった場合、ヒ
ータ抵抗値のばらつきに起因して酸素センサ温度にばら
つきが生ずる虞れがある。
変化を確実に補正できる値となる。しかるに上記のよう
に学習値が破壊された直後における目標値は、ヒータ抵
抗のばらつきの補正が行なわれていないため、この目標
値に基づいてヒータ抵抗に電力供給を行なった場合、ヒ
ータ抵抗値のばらつきに起因して酸素センサ温度にばら
つきが生ずる虞れがある。
上記のように本発明では、学習値が破壊された時に電力
制御手段７によるヒータ２の定抵抗制御を停止するため
、ばらつきの補正が十分行なわれていない目標値に基づ
くヒータ＄１１＠が行なわれるのを防止でき、酸素セン
サ温度が異常に高温となったり、逆に低温となるのを防
止できる。
制御手段７によるヒータ２の定抵抗制御を停止するため
、ばらつきの補正が十分行なわれていない目標値に基づ
くヒータ＄１１＠が行なわれるのを防止でき、酸素セン
サ温度が異常に高温となったり、逆に低温となるのを防
止できる。
次に本発明の実施例について図面と共に説明する。第２
図は本発明の一実施例である酸素センサ（以下、０２セ
ンサという）のヒータ制御１１５ＡＩｉ１１が組み込ま
れた内燃ｌｌ閏３の全体構成図である。
図は本発明の一実施例である酸素センサ（以下、０２セ
ンサという）のヒータ制御１１５ＡＩｉ１１が組み込ま
れた内燃ｌｌ閏３の全体構成図である。
同図において、機関本体の吸気通路１２にはエアフロー
メータ１３．スロツトル弁１４．インジェクタ１５がこ
の順に吸気通路１２の上流側から設けられている。エア
フローメータ１３は吸入空気量を直接計測するものであ
って、内蔵されたポテンショメータより吸入空気量信号
を出力する。
メータ１３．スロツトル弁１４．インジェクタ１５がこ
の順に吸気通路１２の上流側から設けられている。エア
フローメータ１３は吸入空気量を直接計測するものであ
って、内蔵されたポテンショメータより吸入空気量信号
を出力する。
スロットル弁１４はアイドル運転時に閉弁し、機関負荷
が大きい程その開度が大きくなるものである。スロット
ル弁１４にはポテンショメータ１６が内蔵されており、
スロットル弁１４の開度に比例した電圧が出力されると
共に、スロットル弁１４の全閉を検出するアイドルスイ
ッチ１７が設けられている。また、インジェクタ１５は
吸気ボートに設けられており通電されると開弁して加圧
燃料を吸気ボートに供給する。
が大きい程その開度が大きくなるものである。スロット
ル弁１４にはポテンショメータ１６が内蔵されており、
スロットル弁１４の開度に比例した電圧が出力されると
共に、スロットル弁１４の全閉を検出するアイドルスイ
ッチ１７が設けられている。また、インジェクタ１５は
吸気ボートに設けられており通電されると開弁して加圧
燃料を吸気ボートに供給する。
水温センサ１８は機関のシリンダブロックに取り付けら
れており、機関水温に比例したアナログ電圧を出力する
。また、エキゾーストマニホールド１９には排気ガス中
の酸素成分濃度に応じた電気信号を発生する０２センサ
１が設けられている。
れており、機関水温に比例したアナログ電圧を出力する
。また、エキゾーストマニホールド１９には排気ガス中
の酸素成分濃度に応じた電気信号を発生する０２センサ
１が設けられている。
この０２センサ１にはヒータ２が設けられており、この
ヒータ２には後述するヒータ制御装置１１により制御さ
れた電力が供給されるよう構成されている。
ヒータ２には後述するヒータ制御装置１１により制御さ
れた電力が供給されるよう構成されている。
バッテリ２０は機関始動時にスタータモータを駆動する
電源となると共に、後述する［３−ＲＡＭの電源ともな
っており、よってｌｌ関停止中でもＢ−ＲＡＭに記憶さ
れた内容は消えないように構成されている。また、車速
センサ２１は、車軸に連結されたシャフトの回転を測定
することにより車両の速度を検出する構成とされている
。
電源となると共に、後述する［３−ＲＡＭの電源ともな
っており、よってｌｌ関停止中でもＢ−ＲＡＭに記憶さ
れた内容は消えないように構成されている。また、車速
センサ２１は、車軸に連結されたシャフトの回転を測定
することにより車両の速度を検出する構成とされている
。
上記構成の内、０２センサ１．ヒータ２．エアフローメ
ータ１３．インジェクタ１５．ポテンショメータ１６．
アイドルスイッチ１７．水温センサ１８．バッテリ２０
．車速センサ２１はマイクロコンビ１−夕２２に接続さ
れている。マイクロコンピュータ２２は、各種センサか
ら供給される情報に基づき、内燃機関３が適正運転を行
なうよう各１１１１３１１動作を実行するものである。
ータ１３．インジェクタ１５．ポテンショメータ１６．
アイドルスイッチ１７．水温センサ１８．バッテリ２０
．車速センサ２１はマイクロコンビ１−夕２２に接続さ
れている。マイクロコンピュータ２２は、各種センサか
ら供給される情報に基づき、内燃機関３が適正運転を行
なうよう各１１１１３１１動作を実行するものである。
マイクロコンピュータ２２のハードウェア構成を第３図
に示す。マイクロコンピュータ２２は、中央処理装置（
ＣＰＵ）２３．処理ブＯグラムを格納したリード・オン
リ・メモリ（ＲＯＭ）２４゜作業領域として使用される
ランダム・アクセス・メモリ（ＲＡＭ）２５．機関停止
後もバッテリ２０を電源としてデータを保持するＢ−Ｒ
ＡＭ２６、これらを互いに接続する双方向のパスライン
２７．アナログデジタル変換器（Δ／Ｄ変換器〉２８、
入力インタフェース回路２９．出力インタフエース回路
３０．駆動回路３１．３２等より構成されている。
に示す。マイクロコンピュータ２２は、中央処理装置（
ＣＰＵ）２３．処理ブＯグラムを格納したリード・オン
リ・メモリ（ＲＯＭ）２４゜作業領域として使用される
ランダム・アクセス・メモリ（ＲＡＭ）２５．機関停止
後もバッテリ２０を電源としてデータを保持するＢ−Ｒ
ＡＭ２６、これらを互いに接続する双方向のパスライン
２７．アナログデジタル変換器（Δ／Ｄ変換器〉２８、
入力インタフェース回路２９．出力インタフエース回路
３０．駆動回路３１．３２等より構成されている。
バッテリ２０から出力される電源信３及び水温センサ１
８から出力される水温検出信号はＡ／Ｄ変換器２８でデ
ジタル信号に変換された後、入力インタフェース回路２
９を介してパスライン２７に供給される。また、０２セ
ンサ１から出力される酸素濃度検出信号、アイドルスイ
ッチ１７から出力されるアイドル信号、車速センサ２１
から出力される車速信号は入力インタフェース回路２９
を介してパスライン２７に供給される。一方、出力イン
タフェース回路３０．駆動回路３１を介して０２センサ
２に設けられたヒータ２には、後述するヒータｖ制御装
置１１により制御された電力が供給されると共に、出力
インタフェース回路３０゜駆動回路３２を介してインジ
ェクタ１５にはこれを駆動する燃料噴射信号が供給され
る。
８から出力される水温検出信号はＡ／Ｄ変換器２８でデ
ジタル信号に変換された後、入力インタフェース回路２
９を介してパスライン２７に供給される。また、０２セ
ンサ１から出力される酸素濃度検出信号、アイドルスイ
ッチ１７から出力されるアイドル信号、車速センサ２１
から出力される車速信号は入力インタフェース回路２９
を介してパスライン２７に供給される。一方、出力イン
タフェース回路３０．駆動回路３１を介して０２センサ
２に設けられたヒータ２には、後述するヒータｖ制御装
置１１により制御された電力が供給されると共に、出力
インタフェース回路３０゜駆動回路３２を介してインジ
ェクタ１５にはこれを駆動する燃料噴射信号が供給され
る。
かかるハードウェア構成のマイクロコンピュータ２２は
、定抵抗制御手段５．記憶状態検出手段６、定抵抗制御
停止手段７をソフトウェア処理動作により実現するもの
であり、次にマイクロコンピュータ２２の動作について
第４図と共に説明する。
、定抵抗制御手段５．記憶状態検出手段６、定抵抗制御
停止手段７をソフトウェア処理動作により実現するもの
であり、次にマイクロコンピュータ２２の動作について
第４図と共に説明する。
第４図はヒータ制御ルーチンであり、メインルーチンの
一部である。このルーチンは、例えば１６■Ｓ毎に実行
される。本ルーチンが起動すると、先ずステップ１０に
おいて、フラグＹＶＴＢがセットされているかどうかを
判断する。このフラグＹＶＴＢは、例えばバッテリ２０
の取換え、バッテリ２０の能力低下、断線等によりバッ
テリ２０の電源供給が停止された時にリセットされるフ
ラグであり、ＣＰＵ２３が有する判定機能のひとつであ
る。よって、ステップ１０でＹＶＴＢ＝０であると判断
されると、バッテリ２０の電源供給が停止された（−旦
停止後、再び電源供給が開始された場合も含む）ことを
意味している。機関停止状態でかつバッテリ２０の電源
供給が停止されると、Ｂ−ＲＡＭ２６に記憶されていた
内容は破壊されてしまい、よって後述する定抵抗フィー
ドバック制御を実行することにより得られる学習値は破
壊されてしまう。
一部である。このルーチンは、例えば１６■Ｓ毎に実行
される。本ルーチンが起動すると、先ずステップ１０に
おいて、フラグＹＶＴＢがセットされているかどうかを
判断する。このフラグＹＶＴＢは、例えばバッテリ２０
の取換え、バッテリ２０の能力低下、断線等によりバッ
テリ２０の電源供給が停止された時にリセットされるフ
ラグであり、ＣＰＵ２３が有する判定機能のひとつであ
る。よって、ステップ１０でＹＶＴＢ＝０であると判断
されると、バッテリ２０の電源供給が停止された（−旦
停止後、再び電源供給が開始された場合も含む）ことを
意味している。機関停止状態でかつバッテリ２０の電源
供給が停止されると、Ｂ−ＲＡＭ２６に記憶されていた
内容は破壊されてしまい、よって後述する定抵抗フィー
ドバック制御を実行することにより得られる学習値は破
壊されてしまう。
ステップ１０においてフラグＹＶＴ８＝０であると判断
されると、ステップ２０でバッテリフラグｆＢＡＴＴを
リセットすると共にステップ３０で７ラグＹＶＴＢをセ
ットする。よって、ｆＢＡ□１＝０の時はＢ−ＲＡＭ２
６内の学習値は破壊されたことを示しており、またｆ、
Ａ１丁＝１の時は学習値は適正に記憶されていることを
示している。尚、ステップ１０でＹＶＴＢ＝１であると
、換言すればバッテリ２０からの電源供給に異常がない
場合は、ステップ２０．３０は実行されず処理はステッ
プ４０に進む。
されると、ステップ２０でバッテリフラグｆＢＡＴＴを
リセットすると共にステップ３０で７ラグＹＶＴＢをセ
ットする。よって、ｆＢＡ□１＝０の時はＢ−ＲＡＭ２
６内の学習値は破壊されたことを示しており、またｆ、
Ａ１丁＝１の時は学習値は適正に記憶されていることを
示している。尚、ステップ１０でＹＶＴＢ＝１であると
、換言すればバッテリ２０からの電源供給に異常がない
場合は、ステップ２０．３０は実行されず処理はステッ
プ４０に進む。
ステップ４０では、バッテリフラグ’ ＢＡＴＴがセッ
トされているかどうかを判断する。このステップ４０で
行なう判断は、学習値がＢ−ＲＡＭ２６に適正に記憶さ
れているかどうかを検出するための処理である。ステッ
プ４０で’ ＢＡＴＴ”” １であると、換言すればＢ
−ＲＡＭ２６に学習値が適正に記憶されていると判断さ
れると、マイクロコンピュータ２２は通常行なう定抵抗
フィードバック制御を実行する（ステップ５０）。ここ
で行なわれる定抵抗フィードバック制御は、例えば実願
昭６３−１３２１９５に開示されたｔ、ＩＪ１１方法で
ある。この定抵抗フィードバック制御はバッテリ電圧等
からヒータ抵抗値Ｒｈを求め、これが目標値Ｒｔとなる
ようにヒータ２への供給電力をｔＳＷするものである。
トされているかどうかを判断する。このステップ４０で
行なう判断は、学習値がＢ−ＲＡＭ２６に適正に記憶さ
れているかどうかを検出するための処理である。ステッ
プ４０で’ ＢＡＴＴ”” １であると、換言すればＢ
−ＲＡＭ２６に学習値が適正に記憶されていると判断さ
れると、マイクロコンピュータ２２は通常行なう定抵抗
フィードバック制御を実行する（ステップ５０）。ここ
で行なわれる定抵抗フィードバック制御は、例えば実願
昭６３−１３２１９５に開示されたｔ、ＩＪ１１方法で
ある。この定抵抗フィードバック制御はバッテリ電圧等
からヒータ抵抗値Ｒｈを求め、これが目標値Ｒｔとなる
ようにヒータ２への供給電力をｔＳＷするものである。
また目標１１Ｒｔは機関の運転状態、換言すれば０２セ
ンサ１の環境状態変化に対応して変化する値であるため
、ヒータ電力等から修正筒ΔＲｔを求め、これを逐時目
標値Ｒ４にフィードバックすることにより目標値Ｒｔを
更新し、運転状態に対応した適正なヒータａ制御が行な
えるよう構成されている。これにより０２センサ１から
出力される酸素濃度信号の精度は向上し、空燃比制御を
正確に行なうことができる。
ンサ１の環境状態変化に対応して変化する値であるため
、ヒータ電力等から修正筒ΔＲｔを求め、これを逐時目
標値Ｒ４にフィードバックすることにより目標値Ｒｔを
更新し、運転状態に対応した適正なヒータａ制御が行な
えるよう構成されている。これにより０２センサ１から
出力される酸素濃度信号の精度は向上し、空燃比制御を
正確に行なうことができる。
具体的なΔＲｔの算出の方法としては電力の平均ｍｐｈ
■を算出し、これより記憶手段に予め記憶されている第
７図に示す如き関数関係に従って、当該所定の内燃線間
運転状態に対応するヒータ電力の標準値Ｐｈｏに対する
Ｐｈｍの偏差からヒータ抵抗目ａ［Ｉ［Ｒｔに対する修
正値ΔＲ【を求める。第７図のグラフに於ける直線状の
実線はｐｈ−のｐｈ。
■を算出し、これより記憶手段に予め記憶されている第
７図に示す如き関数関係に従って、当該所定の内燃線間
運転状態に対応するヒータ電力の標準値Ｐｈｏに対する
Ｐｈｍの偏差からヒータ抵抗目ａ［Ｉ［Ｒｔに対する修
正値ΔＲ【を求める。第７図のグラフに於ける直線状の
実線はｐｈ−のｐｈ。
からの偏差に対するΔＲ【の基本的な変化の態様を示す
。このようにＰｈｌがｐｈｏより大きくなる程ΔＲ【は
より大きい負の値とされる。これはヒータへの供給電力
が標準値より大きくなる程ヒータ抵抗の目標値を下げ、
ヒータへの電力の供給過剰を打消す作用をなす。尚、Ｐ
ｈｓ＋に対するΔＲｔの変化率は、Ｐｈｏの近傍にての
み実線の如く比較的低率とされ、Ｐ ｈａｓ Ｐ ｈｏ
より大きく隔っている時には図中破線にて示す如く大き
くなるように修正されてもよい。
。このようにＰｈｌがｐｈｏより大きくなる程ΔＲ【は
より大きい負の値とされる。これはヒータへの供給電力
が標準値より大きくなる程ヒータ抵抗の目標値を下げ、
ヒータへの電力の供給過剰を打消す作用をなす。尚、Ｐ
ｈｓ＋に対するΔＲｔの変化率は、Ｐｈｏの近傍にての
み実線の如く比較的低率とされ、Ｐ ｈａｓ Ｐ ｈｏ
より大きく隔っている時には図中破線にて示す如く大き
くなるように修正されてもよい。
また車両製造直後で内燃機１１３が・−度も作動してい
ない状態では学習は行なわれていないため、目標値Ｒｔ
を予め設定しておく必要がある。前記したように０２セ
ンサ１は個々の製品によりその抵抗値に大きなばらつき
があるため、目標値はこのばらつきに起因して０２セン
サ１の温度が異常に高くならないよう、また異常に低く
ならないよう設定する必要がある。
ない状態では学習は行なわれていないため、目標値Ｒｔ
を予め設定しておく必要がある。前記したように０２セ
ンサ１は個々の製品によりその抵抗値に大きなばらつき
があるため、目標値はこのばらつきに起因して０２セン
サ１の温度が異常に高くならないよう、また異常に低く
ならないよう設定する必要がある。
第５図は内燃機関３と同一構成の内燃機関を用いた実験
により求められた素子温とヒータ抵抗との関係を示して
おり、図中矢印Ａは上限抵抗を、矢印Ｂは下限抵抗を、
矢印Ｃは平均抵抗を示している。上記のように０２セン
サ１の抵抗値のばらつきにより素子温が異常に高くなっ
たり低くなったりしないようにするには、定抵抗値は平
均抵抗から選定するのが望ましく、また温度も素子温の
上限値と下限値の略中間の温度に選定するのが望ましく
、例えば素子温７００℃における平均抵抗の値である１
６．２０が選定されている。この定抵抗値は予め求めら
れＲＯＭ２４内に格納されている。
により求められた素子温とヒータ抵抗との関係を示して
おり、図中矢印Ａは上限抵抗を、矢印Ｂは下限抵抗を、
矢印Ｃは平均抵抗を示している。上記のように０２セン
サ１の抵抗値のばらつきにより素子温が異常に高くなっ
たり低くなったりしないようにするには、定抵抗値は平
均抵抗から選定するのが望ましく、また温度も素子温の
上限値と下限値の略中間の温度に選定するのが望ましく
、例えば素子温７００℃における平均抵抗の値である１
６．２０が選定されている。この定抵抗値は予め求めら
れＲＯＭ２４内に格納されている。
尚、ステップ５０で行なわれる定抵抗フィードバックＩ
Ｉ］ＩＩｌの詳細については、前記した実願昭６３−１
３２１９５を参照されたい。
Ｉ］ＩＩｌの詳細については、前記した実願昭６３−１
３２１９５を参照されたい。
第４８に示すルーチンに戻りマイクロコンピュータ２２
の動作説明を続ける。ステップ５０で定抵抗フィードバ
ックｖＩＩＩＩが実行されると、続いてステップ６０で
機関状態がＲＴ学習実行条件となっているかどうかを判
断する。ここでＲＴ学習条件とは、例えばアイドルスイ
ッチ１７がオンであり、重速センサ２１により検出され
た車速が５触／ｈｌＸ下であり、水温センサ１８により
検出された冷却水の温度が７０℃以上という条件による
アイドリンク状態の如きものである。このように、内燃
１１１Ｉ１３が安定した状態をＲＴ学習条件とするのは
、このような機関状態では０２センサ１の環境状態も安
定しているからである。
の動作説明を続ける。ステップ５０で定抵抗フィードバ
ックｖＩＩＩＩが実行されると、続いてステップ６０で
機関状態がＲＴ学習実行条件となっているかどうかを判
断する。ここでＲＴ学習条件とは、例えばアイドルスイ
ッチ１７がオンであり、重速センサ２１により検出され
た車速が５触／ｈｌＸ下であり、水温センサ１８により
検出された冷却水の温度が７０℃以上という条件による
アイドリンク状態の如きものである。このように、内燃
１１１Ｉ１３が安定した状態をＲＴ学習条件とするのは
、このような機関状態では０２センサ１の環境状態も安
定しているからである。
ステップ６０でＲＴ学習実行条件が満足されていると判
断されると、ステップ６５でヒータ２へ供給されている
電力等から修正値ΔＲＴを算出し、これを前回の目標Ｉ
ＲＴに反映させ、この新たな目標値ＲＴを学習値として
Ｂ−ＲＡＭ２６に格納する。よって、次回のヒータ制御
ルーチンが実行され再び定抵抗フィードバックＩＩＪｉ
Ｉｌが実行されたとすると、その際の定抵抗フィードバ
ック制御は前回学習された学習値に基づいて行なわれる
ことになり、より正確なヒータ制御を行なうことができ
ると共に、前記したヒータ２の抵抗値のばらつきによる
影響を補正することができる。ステップ６５を終了する
と本ルーチンは終了する。
断されると、ステップ６５でヒータ２へ供給されている
電力等から修正値ΔＲＴを算出し、これを前回の目標Ｉ
ＲＴに反映させ、この新たな目標値ＲＴを学習値として
Ｂ−ＲＡＭ２６に格納する。よって、次回のヒータ制御
ルーチンが実行され再び定抵抗フィードバックＩＩＪｉ
Ｉｌが実行されたとすると、その際の定抵抗フィードバ
ック制御は前回学習された学習値に基づいて行なわれる
ことになり、より正確なヒータ制御を行なうことができ
ると共に、前記したヒータ２の抵抗値のばらつきによる
影響を補正することができる。ステップ６５を終了する
と本ルーチンは終了する。
一方、ステップ４０でバッテリフラグｆＢＡＴＴがｆＢ
ＡＴＴ＝０であると、換言すればＢ−ＲＡＭ２６に記憶
されている学習値が破壊されたと判断すると、マイクロ
コンビ１−夕２２はステップ７０において定抵抗フィー
ドバック制御を停止させ、固定デユーティ制御を実施す
る。
ＡＴＴ＝０であると、換言すればＢ−ＲＡＭ２６に記憶
されている学習値が破壊されたと判断すると、マイクロ
コンビ１−夕２２はステップ７０において定抵抗フィー
ドバック制御を停止させ、固定デユーティ制御を実施す
る。
ここで固定デユーティ制御とは次のようなヒータ制御を
いう。即ち、ヒータ２へ供給される電流はパルス式の電
流とされており、そのパルスの１周期の時間に対するヒ
ータ２がオンとされている時間の比をパルス電流のデユ
ーティ（ＤＵＴＹ）比というが、このデユーティ比を一
定値として（固定して〉ヒータ２を駆動させることを固
定デユーティ制御という（尚、デユーティ比はパーセン
ト表示がされデユーティ比が１００％の場合は通電が連
続している状態を示す〉。
いう。即ち、ヒータ２へ供給される電流はパルス式の電
流とされており、そのパルスの１周期の時間に対するヒ
ータ２がオンとされている時間の比をパルス電流のデユ
ーティ（ＤＵＴＹ）比というが、このデユーティ比を一
定値として（固定して〉ヒータ２を駆動させることを固
定デユーティ制御という（尚、デユーティ比はパーセン
ト表示がされデユーティ比が１００％の場合は通電が連
続している状態を示す〉。
バッテリ２０の交換等により８−ＲＡＭ２６への電源供
給が停止され学習値が破壊された状態で定抵抗フィード
バック制御を実行すると、目標値は０２センサ１のヒー
タ抵抗値のばらつきが補正されていない状態に戻るため
、ヒータ抵抗値のばらつきに起因して素子温のばらつき
が発生してしまうことは前述した通りである。よって、
ステップ７０において定抵抗フィードバック制御を停止
することにより、ヒータ抵抗値のばらつきに起因して０
２センサ１が異常に高温となったり低温となることを防
止することができる。これにより０２センサ１が出力す
る酸素濃度信号が実際の酸素濃度と極端に異なることを
防止することができる。
給が停止され学習値が破壊された状態で定抵抗フィード
バック制御を実行すると、目標値は０２センサ１のヒー
タ抵抗値のばらつきが補正されていない状態に戻るため
、ヒータ抵抗値のばらつきに起因して素子温のばらつき
が発生してしまうことは前述した通りである。よって、
ステップ７０において定抵抗フィードバック制御を停止
することにより、ヒータ抵抗値のばらつきに起因して０
２センサ１が異常に高温となったり低温となることを防
止することができる。これにより０２センサ１が出力す
る酸素濃度信号が実際の酸素濃度と極端に異なることを
防止することができる。
上記のように固定デユーティ制御では、デユーティ比を
ある一定の値に設定する必要がある。以下、この固定デ
ユーティ比の決定の仕方及び固定デユーティ制御とした
理由について第５図を用いて説明する。
ある一定の値に設定する必要がある。以下、この固定デ
ユーティ比の決定の仕方及び固定デユーティ制御とした
理由について第５図を用いて説明する。
同図中、ａｓ 、ｔ）＋ 、Ｃ＋で示す点はデユーティ
比が１００％である時の上限抵抗、下限抵抗、平均抵抗
の植を示している。同様にａ ２１ ｂ ２ 。
比が１００％である時の上限抵抗、下限抵抗、平均抵抗
の植を示している。同様にａ ２１ ｂ ２ 。
Ｃ２はデユーティ比８８％、 Ｃ３、ｆｉｘ 、 Ｃ３
はデユーティ比７７％、ａｓ 、ｂ４．Ｃ４はデユーテ
ィ比５０％の値を夫々示している。固定デユーティ比を
設定する場合も、前記した定抵抗値を設定する時と同様
に、素子温の上限値と下限値の略中間の温度となるよう
設定することが望ましい。
はデユーティ比７７％、ａｓ 、ｂ４．Ｃ４はデユーテ
ィ比５０％の値を夫々示している。固定デユーティ比を
設定する場合も、前記した定抵抗値を設定する時と同様
に、素子温の上限値と下限値の略中間の温度となるよう
設定することが望ましい。
よって、７００℃近傍におけるデユーティ比を第５図よ
り捜すとデユーティ比８８％の８２ ＊ ｂ２ ＋０２
が最も近い所に位置している。よって、固定デユーティ
比は８８％近傍に設定すれば良い。この固定デユーティ
比は予めＲＯＭ２４内に記憶されている。
り捜すとデユーティ比８８％の８２ ＊ ｂ２ ＋０２
が最も近い所に位置している。よって、固定デユーティ
比は８８％近傍に設定すれば良い。この固定デユーティ
比は予めＲＯＭ２４内に記憶されている。
また、固定デユーティ制御を行なうことにより、０２セ
ンサ１の素子温のばらつきを小さくすることができる。
ンサ１の素子温のばらつきを小さくすることができる。
今、仮に固定デユーティ制御ではなく、ある一定のヒー
タ抵抗値を設定しく例えば定抵抗値に設定し）、これに
基づきヒータ２に所定電力を供給すると、素子温のばら
つきは図中１１で示す範囲で生ずることになる。これに
対し固定デユーティ制御を行なった場合には、素子温の
ばらつきは図中１２で示す範囲で生ずる。同図から明白
なように１２の値はＴ１に比べて非常に小さく、よって
固定デユーティ制御によれば素子温のばらつきが小さく
なることが判る。このように、素子温のばらつきが小さ
くなることにより、０２センサ１が出力する酸素濃度信
号と実際の酸素濃度との差を小さくすることができ、よ
って空燃比Ｉ制御を極端に大きな誤差なく行なうことが
できる。
タ抵抗値を設定しく例えば定抵抗値に設定し）、これに
基づきヒータ２に所定電力を供給すると、素子温のばら
つきは図中１１で示す範囲で生ずることになる。これに
対し固定デユーティ制御を行なった場合には、素子温の
ばらつきは図中１２で示す範囲で生ずる。同図から明白
なように１２の値はＴ１に比べて非常に小さく、よって
固定デユーティ制御によれば素子温のばらつきが小さく
なることが判る。このように、素子温のばらつきが小さ
くなることにより、０２センサ１が出力する酸素濃度信
号と実際の酸素濃度との差を小さくすることができ、よ
って空燃比Ｉ制御を極端に大きな誤差なく行なうことが
できる。
再び第４図に戻って説明する。ステップ７０において固
定デユーティ１１１６１１が実行されると、続いてマイ
クロコンピュータ２２はステップ８０においてＲＴ学習
実行条件が満足されているかどうかを判断する。ここで
判断される内容はステップ６０と同じであるため、その
説明は省略する。
定デユーティ１１１６１１が実行されると、続いてマイ
クロコンピュータ２２はステップ８０においてＲＴ学習
実行条件が満足されているかどうかを判断する。ここで
判断される内容はステップ６０と同じであるため、その
説明は省略する。
ステップ８０でＲＴ学習条件が満足されていると判断さ
れると、マイクロコンピュータ２２はステップ９０にお
いて修正値ΔＲＴを固定デユーティ比等に基づいて算出
すると共に、この修正値ΔＲＴを目標値ＲＴに反映させ
る。定抵抗フィードバック制御においては、ステップ６
５で示した目標値ＲＴは前回の学習値であったが、固定
デユーティ制御が実行される処理では学習値は破壊され
ている。よって、ステップ９０では目標値ＲＴの値とし
て前記した定抵抗値がＲＯＭ２４から引き出されるよう
構成されている。この目標値ＲＴに修正錬△ＲＴを反映
させて新たなＲＴを算出し、算出された目標値ＲＴを学
習値としてＢ−ＲＡＭ２６に格納する。
れると、マイクロコンピュータ２２はステップ９０にお
いて修正値ΔＲＴを固定デユーティ比等に基づいて算出
すると共に、この修正値ΔＲＴを目標値ＲＴに反映させ
る。定抵抗フィードバック制御においては、ステップ６
５で示した目標値ＲＴは前回の学習値であったが、固定
デユーティ制御が実行される処理では学習値は破壊され
ている。よって、ステップ９０では目標値ＲＴの値とし
て前記した定抵抗値がＲＯＭ２４から引き出されるよう
構成されている。この目標値ＲＴに修正錬△ＲＴを反映
させて新たなＲＴを算出し、算出された目標値ＲＴを学
習値としてＢ−ＲＡＭ２６に格納する。
ここでＢ−ＲＡＭ２６に格納される学習値は、Ｂ−ＲＡ
Ｍ２６内の学習値が破壊された後、はじめて格納される
学習値であり、この学習値では学習不足でヒータ抵抗値
のばらつきを十分に補正できない虞れがある。そこで、
本実施例ではステップ９０による学習が所定回（Ｎ回）
繰返されるまでは、換言すれば学習が十分に行なわれる
までは、定抵抗フィードバックｆ＃Ｊｔｌｌは行なわれ
ないよう構成されている。このためステップ１００でカ
ウントｉａｎが所定回数Ｎとなっているかどうかを判断
し、所定回数Ｎとなっていない場合にはステップ１１０
でカウント値ｎをカウントアツプして本ル−チンを終了
する。またステップ１００で学習が所定回数行なわれた
と判断すると、ステップ１２０でカウント値ｎをクリア
し、ステップ１３ＧでバッテリフラグｆＢＡＴ□をセッ
トし、本ルーチンを終了する。ステップ１００〜１３０
の処理により、学習が十分に行なわれるまでの所定期間
は固定デユーティ制御が実施され、学習が十分に行なわ
れた後は通常の定抵抗フィードバック制御に戻る構成と
なる。
Ｍ２６内の学習値が破壊された後、はじめて格納される
学習値であり、この学習値では学習不足でヒータ抵抗値
のばらつきを十分に補正できない虞れがある。そこで、
本実施例ではステップ９０による学習が所定回（Ｎ回）
繰返されるまでは、換言すれば学習が十分に行なわれる
までは、定抵抗フィードバックｆ＃Ｊｔｌｌは行なわれ
ないよう構成されている。このためステップ１００でカ
ウントｉａｎが所定回数Ｎとなっているかどうかを判断
し、所定回数Ｎとなっていない場合にはステップ１１０
でカウント値ｎをカウントアツプして本ル−チンを終了
する。またステップ１００で学習が所定回数行なわれた
と判断すると、ステップ１２０でカウント値ｎをクリア
し、ステップ１３ＧでバッテリフラグｆＢＡＴ□をセッ
トし、本ルーチンを終了する。ステップ１００〜１３０
の処理により、学習が十分に行なわれるまでの所定期間
は固定デユーティ制御が実施され、学習が十分に行なわ
れた後は通常の定抵抗フィードバック制御に戻る構成と
なる。
尚、上記した実施例ではＢ−ＲＡＭ２６内の学習値が破
壊されたことの検出を、ＣＰＵ２３の有するバッテリ電
源の判定Ｉ！能に基づいて行なう構成としたが、これに
限るものではなく、例えばバッテリ２０の電圧を測定す
る電圧計を設は電圧計の出力値が所定レベルより低下し
た時、学習値が破壊されたと判定しバッテリフラグｆＢ
ＡＴＴをリセットする構成としても良い。更に学習値に
パリティビットを設け、このパリティピットを検査する
ことにより学習値が破壊されたかどうかを判断する構成
としてもよい。
壊されたことの検出を、ＣＰＵ２３の有するバッテリ電
源の判定Ｉ！能に基づいて行なう構成としたが、これに
限るものではなく、例えばバッテリ２０の電圧を測定す
る電圧計を設は電圧計の出力値が所定レベルより低下し
た時、学習値が破壊されたと判定しバッテリフラグｆＢ
ＡＴＴをリセットする構成としても良い。更に学習値に
パリティビットを設け、このパリティピットを検査する
ことにより学習値が破壊されたかどうかを判断する構成
としてもよい。
上述の如く、本発明によれば、記憶手段に記憶されてい
た学習値が破壊された場合、定抵抗制御停止手段により
一定抵抗制御が停止されるため、酸素センサの温度が大
きくばらつくことを防止することができ、よって酸素セ
ンサが出力する酸素濃度信号が実際の酸素濃度と大きく
異なることを防止でき、空燃比１１１１０の極端な悪化
を防止することができる等の特長を有する。
た学習値が破壊された場合、定抵抗制御停止手段により
一定抵抗制御が停止されるため、酸素センサの温度が大
きくばらつくことを防止することができ、よって酸素セ
ンサが出力する酸素濃度信号が実際の酸素濃度と大きく
異なることを防止でき、空燃比１１１１０の極端な悪化
を防止することができる等の特長を有する。
第１図は本発明になる酸素センサのヒータ制御装置の原
理図、第２図は本発明の一実施例であるヒータ制御装置
が適用された内燃機関の構成図、第３図はマイクロコン
ピュータのハードウェア構成を示す図、第４図はマイク
ロコンピュータの動作を説明するための図、第５図は素
子温とヒータ抵抗及びデユーティ比の関係を示す図、第
６図は０２センザにおける温度と空燃比との間の関係を
示す図、第７図はモータへ供給される電力の目標値から
の偏差に対するヒータ抵抗値の修正量の関係を示すグラ
フである。 １・・・酸素センサ（０２センザ）、２・・・ヒータ、
１１・・・ヒータｔｉＩＪＩＩｌ装置、１５・・・イン
ジェクタ、１８・・・水温センサ、２０・・・バッテリ
、２１・・・車速センサ、２２・・・マイクロコンピュ
ータ。 第 図 １エヒータ中ｌ餠狡１ 第 ４ 図 第 図
理図、第２図は本発明の一実施例であるヒータ制御装置
が適用された内燃機関の構成図、第３図はマイクロコン
ピュータのハードウェア構成を示す図、第４図はマイク
ロコンピュータの動作を説明するための図、第５図は素
子温とヒータ抵抗及びデユーティ比の関係を示す図、第
６図は０２センザにおける温度と空燃比との間の関係を
示す図、第７図はモータへ供給される電力の目標値から
の偏差に対するヒータ抵抗値の修正量の関係を示すグラ
フである。 １・・・酸素センサ（０２センザ）、２・・・ヒータ、
１１・・・ヒータｔｉＩＪＩＩｌ装置、１５・・・イン
ジェクタ、１８・・・水温センサ、２０・・・バッテリ
、２１・・・車速センサ、２２・・・マイクロコンピュ
ータ。 第 図 １エヒータ中ｌ餠狡１ 第 ４ 図 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 内燃機関の排気中の酸素濃度を検出する酸素センサに
設けられたヒータの抵抗値を検出する手段を有し該抵抗
値がその目標値となるように前記ヒータへ制御された電
力を供給する酸素センサのヒータ制御装置において、内
燃機関が所定の運転状態にあることを検出する運転状態
検出手段と、内燃機関が前記所定の運転状態にあるとき
前記ヒータの抵抗値と前記ヒータへ供給される電力値を
検出する抵抗・電力検出手段と、 前記抵抗・電力検出手段により検出された電力値と所定
の標準電力値との差に応じて該差を打消す方向に前記目
標値を補正する抵抗値補正手段と、前記抵抗値補正手段
により補正された前記目標値に従って制御された電力を
前記ヒータへ供給し定抵抗制御を行なう電力制御手段と
、上記補正された目標値を学習値として記憶する記憶手
段と、該記憶手段に上記学習値が適正に記憶されている
かどうかを検出する記憶状態検出手段と、該記憶状態検
出手段により、上記学習値が該記憶手段に適正に記憶さ
れていないことを検知した際、上記定抵抗制御を停止さ
せる定抵抗制御停止手段と、を設けたことを特徴とする
酸素センサのヒータ制御装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1325205A JP2570443B2 (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | 酸素センサのヒータ制御装置 |
| US07/625,897 US5214267A (en) | 1989-12-15 | 1990-12-11 | Apparatus for controlling heater for heating oxygen sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1325205A JP2570443B2 (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | 酸素センサのヒータ制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03185350A true JPH03185350A (ja) | 1991-08-13 |
| JP2570443B2 JP2570443B2 (ja) | 1997-01-08 |
Family
ID=18174198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1325205A Expired - Fee Related JP2570443B2 (ja) | 1989-12-15 | 1989-12-15 | 酸素センサのヒータ制御装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5214267A (ja) |
| JP (1) | JP2570443B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004232647A (ja) * | 2004-04-28 | 2004-08-19 | Toyota Motor Corp | 内燃機関用空燃比センサのヒータ制御装置 |
Families Citing this family (21)
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|---|---|---|---|---|
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| US5720293A (en) * | 1991-01-29 | 1998-02-24 | Baxter International Inc. | Diagnostic catheter with memory |
| DE4337272A1 (de) * | 1993-11-02 | 1995-05-04 | Bayerische Motoren Werke Ag | Verfahren zur Temperaturbestimmung eines Objekts |
| FR2712695B1 (fr) * | 1993-11-18 | 1996-04-12 | Siemens Automotive Sa | Procédé et dispositif de mesure de la température d'un pot catalytique placé dans la ligne des gaz d'échappement d'un moteur à combustion interne. |
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| JP3711582B2 (ja) * | 1995-03-31 | 2005-11-02 | 株式会社デンソー | 酸素濃度検出装置 |
| GB9510086D0 (en) * | 1995-05-18 | 1995-07-12 | British Gas Plc | Internal combustion engine |
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